【課題】基板上のパターンにダメージを与えることなくパターンが形成されていない部分を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに対し、侵入防止液を供給し、その後凝固対象液を基板表面Ｗｆに供給することにより、パターン間隙内部およびパターン近傍にＨＦＥを残留させる。その後、ＨＦＥは液体のままの状態を維持しながら、凝固対象液を凝固して、パターン間隙内部および近傍の領域を除いた基板表面Ｗｆを凍結洗浄する。パターン間隙内部およびパターン近傍については液体のＨＦＥが残留しているため、凝固対象液が凝固することにより生ずる力を受け流すことが可能となり、その力をパターンに直接伝えることがないため、パターンへのダメージを生ずることなくパターンが形成されていない基板表面Ｗｆ等の領域を洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】内部に希ガスが封入された長尺な発光管と、その外表面の電極と、前記発光管の光出射部を除いた内壁面上に形成された紫外線反射膜とを備えるエキシマランプにおいて、紫外線による変形による該エキシマランプの反り返りを規制する移動規制体を備えたエキシマ光照射装置に搭載した際に、紫外線歪と該反り規制歪の蓄積によって早期に発光管が損傷することを防止する。
【解決手段】エキシマランプ３の発光管３１の軸方向の中央部が、該発光管の光出射部の方向に突出するように湾曲していることを特徴とし、該エキシマランプを搭載するエキシマ光照射装置は、その筐体には該エキシマランプの中央部において紫外線反射膜形成部側から当接する移動規制体を設けるとともに、光出射部側から当接する矯正維持部材を設け、前記エキシマランプは該矯正維持部材によって管軸方向において直線状に矯正されて保持される。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたパターンの破損を回避しつつ、基板に対する洗浄能力を低下させずに洗浄を行うことができる。
【解決手段】基板上を複数の領域に区切り、領域毎にその位置情報とパターン情報を取得する情報取得部１１と、位置情報とパターン情報に基づいて、領域毎に基板に薬液を吐出するときの処理条件を決定する条件決定部１２と、基板に薬液を吐出する吐出部１５と、吐出部１５を基板の一端から他端への第１方向に向かって基板に対して相対的に移動する位置制御部１３と、位置制御部１３により移動される吐出部１５が基板上の領域の上方を通過するとき、前記処理条件に従って吐出部１５から吐出される薬液の圧力を調整する吐出調整部１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板を支持するスピンヘッドを提供する。
【解決手段】スピンヘッドは、回転可能なボディと、上部に突出し、かつ回転時ボディに置かれた基板の側部を支持するチャックピンとを有する。チャックピンは、上下方向にボディに提供された垂直ロッドを有する。基板が回転する時、垂直ロッドは基板から側方向に離隔するように位置される。支持ロッドは、流線型に提供された側面を有する。支持ロッドは、上部から見る時、幅が漸進的に減少する接触部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板に付着している異物（パーティクルやエッチング時の残渣等）をドライ洗浄により良好に除去することができる技術を提供する。
【解決手段】アッシング時の酸化によりウエハＷの表面に形成されたシリコン酸化膜８を、フッ化水素ガスによりエッチングすることで、ウエハＷに付着したパーティクルＰをシリコン酸化膜８ごと除去する。このフッ化水素によるエッチング時には、ウエハＷの向きを表面が下を向くように設定し、更にウエハＷを加熱して帯電させることにより、パーティクルＰに対して重力に加えて熱泳動力及び静電気力を作用させる。また、アッシング時のシリコン酸化膜８をエッチングした後、更に例えばオゾンガスによりウエハＷの表面を酸化し、次いでフッ化水素ガスによるエッチングを行う連続工程を１回あるいは２回以上実施することで、より一層確実にパーティクルＰを除去することができる。 （もっと読む）

【課題】水蒸気中の不純物を低減することで基板上の微粒子等を確実に除去すること。
【解決手段】純水ＰＷを加熱沸騰させて水蒸気を発生させる石英ガラス製の水蒸気発生容器１１０と、水蒸気発生容器１１０に純水ＰＷを供給する純水供給部４００と、水蒸気発生容器１１０で発生した飽和水蒸気ＳＶを加熱して過熱水蒸気ＨＶを生成する石英ガラス製の過熱水蒸気生成容器１５０と、過熱水蒸気生成容器１５０で発生した過熱水蒸気ＨＶを基板Ｗの表面に噴射させる基板処理装置３００とを備えている。 （もっと読む）

【課題】アルカリ性処理液及び酸性処理液を用いても、塩の生成や新たなパーティクルの発生を抑制し得る基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗに対してアルカリを含む処理液を供給する第１の処理液供給部２ａおよび酸を含む処理液を供給する第２の処理液供給部２ｂと、ドレインカップ３と、ドレインカップ３の外側に設けられ、洗浄液を貯留可能な外カップ４と、を具備し、ドレインカップ３が、処理液を回収し、収容する液収容部３ｃを備え、外カップ４が洗浄液を貯留する貯留槽４ｂと、貯留槽４ｂに洗浄液を供給する洗浄液供給部４ｃと、貯留槽４ｂから洗浄液を排液する洗浄液排液部４ｄとを備え、外カップ４の洗浄液排液部４ｄが、ドレインカップ３の外周壁３ａの上端部よりも低い位置にあり、外カップ４の洗浄液供給部４ｃが、洗浄液排液部４ｄよりも低い位置にあり、貯留槽４ｂの上方が開放されている。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染を防ぎつつ、安定的に基板を洗浄することができる洗浄装置および基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明は、支持膜が接着されている基板を洗浄する洗浄装置１００であって、上記支持膜の上記基板が接着されている側の面における、基板が接着されていない露出面に、当該露出面側から紫外線を照射する紫外線照射ユニット１０と、上記紫外線が照射された支持膜に接着されている上記基板を洗浄する洗浄ユニット２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや処理むらの発生を抑制しつつ被処理基板の液処理を行う液処理装置等を提供する。
【解決手段】内部に被処理基板Ｗを収容し、液処理が行われる処理槽２２は上部に開口部２２２が形成されると共に、下部には流体の供給、排出が行われる下部ポート２２６が設けられ、前記開口部２２２を塞ぐ蓋部２３には流体の供給、排出を行うための上部ポート２３４が設けられている。下部ポート２２６からは液体が供給されて処理槽２２内の気体が置換され、上部ポート２３４からは前記液体と置換され、被処理基板Ｗを処理する処理液及びその乾燥を防止する液体が供給される。さらに高圧流体雰囲気形成部は乾燥防止用の液体が満たされた処理槽２２内を高圧流体の雰囲気とした後、減圧して被処理基板Ｗを乾燥する。 （もっと読む）

【課題】洗浄液としてのキレート過水液の濃度変化を抑制することが可能であり、その結果、使用するキレート過水液の材料費を低減することが可能な基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１Ａは、循環路と、濃度センサ２１と、制御部２６とを備える。循環路は、キレート過水液１００を用いてガラス基板２００の洗浄を行なう洗浄槽１０と、キレート過水液１００を一時的に貯留する貯留槽１６と、これら洗浄槽１０および貯留槽１６を接続する送り管１８および戻し管１５とを含んでいる。濃度センサ２１は、キレート過水液１００の濃度を検出するためのものであり、送り管１８に設けられている。制御部２６は、濃度センサ２１によって検出された濃度情報に基づいて所定量の純水を貯留槽１６に供給することでキレート過水液１００の濃度管理を行なう。 （もっと読む）

【課題】広範囲にわたる基板の処理を行うことができるとともに、設置面積を削減することができる基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板を収容する基板処理室内で気体と液体とを混合した２流体を基板に向けて吐出して基板の処理を行う基板処理装置において、前記基板処理室内に、ノズルの内部で２流体を混合して外部に吐出する内部混合手段と、ノズルの外部に２流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段とを設け、前記基板の表面側に前記外部混合手段を配置するとともに、前記基板の裏面側に前記内部混合手段を配置することにした。 （もっと読む）

【課題】汎用の洗浄装置を用いても十分な除去速度を達成することができるフォトレジストの除去方法を提供する。
【解決手段】バッチ処理式洗浄装置１０は、大気に開放され、過飽和オゾン水１４を貯留する浸漬槽１１と、過飽和オゾン水１４を浸漬槽１１の底部から供給する過飽和オゾン水供給配管１２と、過飽和オゾン水供給配管１２内を流れる過飽和オゾン水１４の流量を調節するニードルバルブ１３とを備える。枚葉処理式洗浄装置２０は、過飽和オゾン水１４を吐出してフォトレジストに吹き付けるためのノズル２１と、過飽和オゾン水１４をノズル２１に供給する過飽和オゾン水供給配管２２と、過飽和オゾン水供給配管２２内を流れる過飽和オゾン水１４の流量を調節するニードルバルブ２３と、フォトレジストが表面に形成されたシリコンウェーハ１５をノズル２１に対向させて載置する載置台２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】高撥水性材料を塗布した基板においても、短時間で高い洗浄効果を得ることができる基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体を提供する。
【解決手段】回路パターンが形成された半導体ウエハＷの中心部Ｃに、処理雰囲気温度（２３℃）より高い温度の洗浄液Ｒを供給してウエハの表面全体に液膜を形成し、洗浄液の供給位置をウエハの中心部からウエハの周縁に向かって一定の距離だけ移動させると共に、ウエハの中心部にガスＧを吐出して乾燥領域Ｄを形成させ、この乾燥領域がウエハの周縁部に広がる速度と略同一の速度で洗浄液の供給位置を移動させることにより、レジスト膜の回路パターン間に残存する溶解生成物を洗浄液で掻き出しながら、ウエハの表面を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】高圧流体を使用した被処理基板の処理を行う際に、この処理が行われる処理容器に設けられた配管を介した他の機器への高圧流体の流れ込みを防止することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器３１では、超臨界状態または亜臨界状態である高圧流体により、被処理基板Ｗに対して処理を行い、この処理容器３１には流体の流れ方向に第１の配管部材７１及び第２の配管部材７２に分割され、流体が通流する配管４０６、４０８、４１１が接続されている。接離機構７０は、第１の配管部材７１と第２の配管部材７２とを互いに接続する位置と、離間させる位置との間で、これら第１、第２の配管部材７１、７２の少なくとも一方側を移動させ、開閉弁７４１、７４２は第１、第２の配管部材７１、７２に各々設けられ、これら配管部材７１、７２を離間させるときに閉じられる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の割れ・欠けだけでなく、ヒビの検出も可能であり、且つ、割れ・欠け・ヒビが発生した工程から次工程に入る前に欠陥を検出し、そのことによって欠陥のあるガラス基板を排除可能な欠陥検査機構を備えた搬送装置を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置の製造装置に使用されるガラス基板の搬送装置であって、
前記搬送装置は、駆動力を備えた複数の駆動ローラーと駆動力を備えていない複数の搬送ローラーを備えており、
少なくとも前記搬送ローラーは、荷重測定機構を備えていることを特徴とするガラス基板の搬送装置。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に生じるパーティクルを低減すると共に、乾燥処理に要する時間を短縮することができる半導体基板の超臨界乾燥方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によれば、微細パターンが形成された半導体基板の純水リンス後に、半導体基板の表面を水溶性有機溶媒に置換し、水溶性有機溶媒に濡れた状態でチャンバ内に導入する。そして、チャンバ内の温度を昇温して、水溶性有機溶媒を超臨界状態にする。その後、チャンバ内を純水が液化しない温度に保ちながら圧力を下げ、超臨界状態の水溶性有機溶媒を気体に変化させてチャンバから排出し、半導体基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】酸性処理液とアルカリ性処理液とにより生成される生成物が付着することを防止し、排気効率を向上させることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による液処理装置１０は、被処理体Ｗに、酸性処理液またはアルカリ性処理液を供給する液処理部４０と、液処理部４０に連結された主排気ダクト６４と、主排気ダクト６４に、排気方向下流側から順にそれぞれ連結され、液処理部４０内の雰囲気を排出する複数の個別排気ダクト６１、６２、６３と、主排気ダクト６４と複数の個別排気ダクト６１、６２、６３の各々との間に設けられた複数の排気開閉弁７１、７２、７３と、を備えている。主排気ダクト６４は、分岐部６４ｂを有し、液処理部４０と主排気ダクト６４の分岐部６４ｂとの間に、洗浄流体を噴出する洗浄流体噴出部８０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】液体流量制御装置の制御可能総流量範囲を広くすること。
【解決手段】第１の流量制御ユニット２１Ａは、小流量の第１の制御可能流量範囲を有する第１の流量制御弁２３Ａを有しており、第２の流量制御ユニット２１Ｂは、大流量の第２の制御流量範囲を有する第２の流量制御弁２３Ｂを有しており、第１および第２の制御流量範囲には重複範囲がある。総流量の要求値の変化に応じて、第１および第２の流量制御ユニットの一方または両方に液体が流れる。第１および第２の流量制御ユニットを流れる液体の合計流量を増大させてゆく過程においては、第１および第２の流量制御ユニットの一方を流れる流量を固定しつつ他方を流れる流量を増大させる。 （もっと読む）

【課題】処理液を効率的に利用しつつ処理性能を向上させることのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
【解決手段】
処理液を基板Ｐの表面に向けて吐出して基板Ｐの全幅にわたって処理液を吹付ける第１ノズルユニット１０と、第１ノズルユニット１０より基板Ｐの搬送方向の下流側に当該第１ノズルユニット１０と向き合うように配置され、処理液を基板Ｐの表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第２ノズルユニット２０とを有し、相互に向き合う第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０から吐出される処理液が基板Ｐの表面上でぶつかりあって基板Ｐの幅方向に延びる処理液の盛り上がり部分Ｍが形成されるように第１ノズルユニット１０及び第２ノズルユニット２０からの処理液の吐出方向が設定された構成となる。 （もっと読む）

【課題】処理液の消費量を低減しつつ、基板の主面全域に処理液を供給することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗの上面および下面に非接触で当該基板Ｗを水平に保持するスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板Ｗの上面および下面に処理液を供給する処理液供給機構と、スピンチャックに保持された基板Ｗを取り囲む環状部材４とを備えている。環状部材４は、基板Ｗの上面周縁部を取り囲む上側環状親水面２９と、基板Ｗの下面周縁部を取り囲む下側環状親水面３０とを含む。 （もっと読む）