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Fターム[5F157AB33]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 被洗浄物の支持 (5,429) | 被洗浄物の姿勢 (1,840) | 被洗浄物が水平 (1,482)

Fターム[5F157AB33]に分類される特許

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【課題】基板Wの周縁部Eに形成された傾斜面Bf、Brに付着した汚染物質を、粘着ローラー84を用いて効果的に除去することを可能とする。
【解決手段】基板Wの周縁部Eに粘着剤層84aを介して当接する粘着ローラー84を、回転させながら基板Wの周縁部Wに沿って基板Wに対して相対的に移動させる(移動動作)。しかも、この移動動作の実行中に、基板Wの周縁部Eが粘着剤層84aに食い込んだ状態で、粘着剤層84aを基板Wに対して相対的に回転軸方向Df、Dbへ移動させ、これによって傾斜面Bf、Brに粘着剤層84aを接触させている。したがって、基板Wの周縁部Eに形成された傾斜面Bf、Brに付着したパーティクルを粘着ローラー84の粘着剤層84aで捕捉して、効果的に除去することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】SPM処理の際に、基板上における処理液の温度低下を抑制する。
【解決手段】基板処理装置1では、基板回転機構5により回転する基板9の上面91に向けて処理液供給部3から液体が吐出される。処理液供給部3は、硫酸供給部31、過酸化水素水供給部32、混合液生成部33およびノズル34を備える。基板処理装置1では、硫酸供給部31により加熱された硫酸がノズル34から基板9に供給され、基板9に対する予備加熱処理が行われる。その後、硫酸供給部31からの加熱された硫酸と過酸化水素水供給部32からの過酸化水素水とが混合液生成部33にて混合されてSPM液が生成され、SPM液が基板9に供給されてSPM処理が行われる。予備加熱処理が行われることにより、SPM処理の際に、基板9上に供給された高温のSPM液の温度低下を抑制することができる。その結果、SPM処理の効率を向上することができる。 (もっと読む)


【課題】基板の洗浄時間を短縮することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板洗浄装置1は、基板保持台20と、基板回転駆動部25と、基板保持台20に保持された基板Wの上面に対して洗浄液を供給するノズル30と、基板保持台20に保持された基板Wの上面を洗浄する第1洗浄具41および第2洗浄具42と、第1洗浄具41および第2洗浄具42が取り付けられた支持部材43と、を備えている。支持部材43は、第1洗浄具41を基板保持台20に保持された基板Wの中心部から基板Wの洗浄領域Wの周縁部に基板Wに沿って移動させるように、移動可能に構成されている。第1洗浄具41および第2洗浄具42は、第1洗浄具41が基板Wの洗浄領域Wの周縁部に配置されている場合に、第2洗浄具42が基板Wの洗浄領域Wの周縁部に配置されるように、支持部材43に取り付けられている。 (もっと読む)


【課題】処理液で濡れた基板表面を低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、少ない低表面張力溶剤で基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Wの回転速度が600rpmから10rpmに減速されてDIW液膜がパドル状に形成される。そして、9秒間だけDIWの供給を継続した後に停止し、所定時間(0.5秒間)が経過してパドル状の液膜の膜厚t1がほぼ均一になるのを待って、IPAが基板表面Wfの表面中央部に向けて例えば100(mL/min)の流量で吐出される。このIPA供給によって、基板Wの表面中央部ではDIWがIPAに置換されて置換領域SRが形成される。さらにIPA供給から3秒が経過すると、基板Wの回転速度が10rpmから300rpmに加速される。これによって、置換領域SRが基板Wの径方向に拡大して基板表面Wfの全面が低表面張力溶剤に置換される。 (もっと読む)


【課題】複数の大きさの基板を処理可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、任意の大きさの基板Wを水平に支持するセンターチャック13と、上向きの環状面57をそれぞれ有する複数のリング5とを含む。複数のリング5は、環状面57の内周縁の長さがそれぞれ異なる複数のサイズ調整リングを含み、内周縁がセンターチャック13に支持されている基板Wの周縁部に近接した状態で、環状面57が基板Wを水平に取り囲むように、複数のリング5のいずれか一つが、センターチャック13に支持されている基板Wの周囲に配置される。 (もっと読む)


【課題】パターンにダメージが発生することを抑制または防止しつつ、パーティクルの除去率を向上させること。
【解決手段】噴射ノズル5から基板Wの上面に向けて複数の処理液の液滴を噴射させながら、基板Wに対して噴射ノズル5を移動させて、基板Wに対する液滴の衝突位置を移動させる。基板Wに付着しているパーティクルは、液滴の衝突によって除去される。基板Wの上面に向けて噴射された液滴の断面積と液滴の数との積である総液滴衝突面積は、基板Wの上面の面積の14倍以上である。 (もっと読む)


【課題】基板を収容するカップ周辺における、処理液の散乱による汚染を防止する。
【解決手段】基板処理装置10は、基板12の上方に位置し、基板12上を流れる気体を基板12の外周上方から排気する上部排気口1と、上部排気口1から基板12の方向に延伸するように設けられ、基板12上を流れる気体が上部排気口1に流れ込むように、当該気体の流れる向きを変更する第1遮蔽部2とを備えている。 (もっと読む)


【課題】薬液処理時における薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、基板の温度調整を効率良く行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板(W)を水平に保持する基板保持部材(22)と、基板保持部材を回転させる回転機構(25)と、基板保持部材に保持された基板に加熱された薬液を供給する薬液ノズル(56a)と、基板保持部材に保持された基板の上方を覆うトッププレート(50)と、トッププレートの上方から、トッププレートを透過させて、所定の波長の光を基板保持部材に保持された基板に照射することにより薬液処理中に基板を加熱する少なくとも1つのLEDランプ(62)と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】マイクロエレクトロニクス用の加工物を処理するための装置を提供する。
【解決手段】加工物12を処理するために、特別のバッフル174,218,262またはダクト構造を含み、加工物12および/または支持部材94の外側周辺部に近接して入口(340)を有する。また、障壁板556が、外側周辺部(566)、前記支持部材94の上に配置されて前記加工物を覆う内側表面(560)、この表面に対向配置される外側表面、及び両表面間に処理流体の連通を与える通路576を形成する内側周辺表面を含み、支持部材94の支持表面と内側表面が、その間に制御された流体の流路576を提供する。そして、排気ダクト通路(330)を開放するために、入れ子化されたバッフルを独立に移動し、前記バッフルの各々は、内側周辺部を有する流量制御表面(180,224,268)を備えて、流路外周縁部から流体の流れを受け入れて選択されたバッフルに関連した排気ダクト通路内に流体の流れを導くことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体基板の表面に生じるパーティクルを低減する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥装置は、半導体基板を収容し、密閉可能なチャンバ210と、チャンバ210の内部を加熱するヒータ212と、チャンバ210に二酸化炭素を供給する供給部と、チャンバ210から二酸化炭素を排出する排出部と、チャンバ210を回転させる回転部270と、を備えている。回転部270は、チャンバ210を水平方向に対して90°以上180°以下回転させる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、Cu及びlow-k膜にダメージを与えずに、従来のポリマー剥離液で解決し得なかったわずかな亀裂状のCu腐食の抑制が可能なドライプロセス後の残渣除去液を提供し、これを用いた半導体デバイスの製造方法を確立する。
【解決手段】ドライエッチング及び/又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣の除去液であって、フッ素化合物を含まず、銅に配位し得る2以上の酸素原子を有する中性有機化合物及び/又はC4以上のモノアルコールのうち少なくとも1種と、水とを含むことを特徴とする残渣除去液、或いは、過塩素酸塩と水とを含むことを特徴とする残渣除去液に関する。 (もっと読む)


【課題】構造の簡素化と流通させる液体の清浄度向上との両立を図り、液体の供給停止後に生じる使用部における液垂れを抑制することができる新たな構造を備えた液体供給装置を提供する。
【解決手段】液体の供給部10と、液体の使用部20と、供給部から使用部へ液体を流通させる供給配管部30とを有する液体供給装置1Aであって、供給配管部は、供給部側から供給される液体を流通させる主配管部31と、主配管部に接続されるアスピレータ50と、アスピレータにより分岐され使用部側に液体を供給する使用側配管部32及び副配管部33と、副配管部に接続され開閉機能を有する弁16とを備えており、アスピレータの主流路側に主配管部及び副配管部が接続され、アスピレータの吸引流路側に使用側配管部が接続される。 (もっと読む)


【課題】基板の処理のための、特に材料の除去、特に有機材料の除去、とりわけ例えば半導体ウエハのような基板からフォトレジスト材料を除去するための代替技術を提供する。
【解決手段】a)処理チャンバー内に、その表面上に材料を有する基板を配置すること;b)液状処理組成物の流れを基板の表面に衝突させるように向けること;及びc)水蒸気の流れを基板の表面に衝突させるように及び/または液状処理組成物に衝突させるように向けること、を含む、基板の処理方法。 (もっと読む)


【課題】乾燥処理条件に起因して変動するパーティクルのレベルを安定して低く抑える。
【解決手段】基板を洗浄するための洗浄液を貯留する洗浄槽(69)を有する洗浄処理部(62)と、洗浄槽の上方に設けられて揮発性有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスおよび不活性ガスを用いて基板の乾燥を行う乾燥チャンバー(65)を有する乾燥処理部(61)と、を備えたバッチ式の基板処理装置において、予め定められた関係に基づいて、乾燥チャンバー内で次に行われるバッチ処理のバッチサイズに対応する基板搬入時乾燥チャンバー内温度を設定し、乾燥処理部の乾燥チャンバーに基板を搬入する前に、乾燥チャンバー内の温度を、設定した基板搬入時乾燥チャンバー内温度に調整する。 (もっと読む)


【課題】 高圧蒸気を用いて被洗浄物を洗浄し且つ該被洗浄物の乾燥を行う洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】 所定の軸を中心に被洗浄物を回転可能に支持するステージユニットと、被洗浄物に対して飽和蒸気を吹き付け可能なノズル部と、ステージユニット及びノズル部を収容する筐体と、筐体から洗浄により生じた物質を排出するための排気系と接続される排気管と、飽和蒸気を生成する飽和蒸気発生ユニットと、を有しステージユニットは飽和蒸気の吹き付け時の低速回転モードと、被洗浄物を乾燥させるための高速回転モードとを有する。 (もっと読む)


【課題】基板の処理に使用された処理液のうち、回収すべき処理液と排出すべき処理液とが混ざり合うことを確実に抑えられる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、基板Wの現像処理に使用される現像液を吐出するノズル30と、ノズル30から吐出された現像液が流下する基板処理槽10と、基板処理槽10の内部に廃液口431が設けられた配管43と、配管43と並列的に設けられ、現像液の回収と再利用とのために基板処理槽10の内部において回収口421が設けられた配管42と、基板処理槽10の所定部位に設けられ、揺動軸442を中心に揺動することによって、基板処理槽10内に流下した現像液の流出先を配管42と配管43との間で選択的に切り替える揺動部材445を有する現像液流路切替部44と、を備える。 (もっと読む)


【課題】液滴が衝突する基板の各位置での膜厚のばらつきを低減し、基板の処理品質を向上させること。
【解決手段】複数の噴射口28からそれぞれ基板の上面内の複数の噴射位置に向けて処理液の液滴が噴射される。これと並行して、複数の吐出口35からそれぞれ基板の上面内の複数の着液位置に向けて保護液が吐出される。複数の吐出口35から吐出された保護液は、複数の液膜を形成する。複数の液膜は、それぞれ異なる噴射位置を覆う。処理液の液滴は、保護液の液膜に覆われている噴射位置に向けて噴射される。 (もっと読む)


【課題】ノズル支持アームに付着したミストが、付着したまま放置されることを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、基板Wを保持する基板保持部21が内部に設けられた処理室20と、基板保持部21に保持された基板Wに対して処理液を供給するためのノズル81と、ノズル81を支持するノズル支持アーム82とを備えている。ノズル支持アーム82には吸引機構71が設けられている。この吸引機構71は、ノズル支持アーム82の表面に形成された吸引部78と、吸引部78を介してノズル支持アーム82の表面に付着した液滴を吸引する吸引管73と、を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理方法および基板処理装置において、パーティクル除去効率を向上させる。
【解決手段】基板Wの表面Wfに、DIWにポリスチレン微粒子Pを分散させた処理液Lによる液膜LPを形成する。冷却ガス吐出ノズル3から冷却ガスを吐出させながら該ノズルを基板Wに対し走査移動させて、液膜LPを凍結させる。液膜中に混入された微粒子Pが凝固核となって氷塊ICの生成が促進されるため、液相から固相への相変化時間を短くしてパーティクル除去効率を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】カップ部を昇降する昇降ユニットの高さを低減することを図る。
【解決手段】昇降ユニット50は、第1シャフト541、ボールねじナット542およびスプラインナット543を有するボールねじスプライン54を備え、第1シャフトはカップ部に固定される。サーボモータ56の第2シャフト561は、第1シャフトに略平行であり、第1シャフトに垂直な方向において少なくとも一部が第1シャフトに対向する。これにより、昇降ユニットの高さが低減される。ボールねじナットおよび第2シャフトには互いに係合する第1および第2平歯車571,572がそれぞれ固定され、第1シャフトを昇降する際に、第2シャフトの回転がボールねじナットに減速して伝達される。これにより、昇降ユニットでは、カップ部の位置を保持する際にサーボモータにおいて必要となる回転トルクが小さくなり、消費電力の削減が図られる。 (もっと読む)


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