【課題】基板の乾燥後にリフトピンに処理液が残ることを防止することができ、かつ、基板の下面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板（Ｗ）の周縁を保持する保持プレート（３０）と、基板を下方から支持するリフトピン（２２）を有するリフトピンプレート（２０）と、保持プレートを回転させる回転駆動部（３９）と、保持プレートおよびリフトピンプレートの貫通穴を通る処理流体供給管（４０）と、基板の下面に処理流体を吐出するノズル（６０）と、処理流体供給管、ノズルおよびリフトピンプレートを連動させて昇降させる昇降機構（４４，４６，５０，５２）を備える。ノズルは、基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間に配列されている複数の吐出口（６１）を有する。 （もっと読む）

【課題】装置の組み立て、メンテナンスが容易である液処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗに対して液処理を行うための複数の液処理ユニット２が互いに横方向に並べて配置され、液処理ユニット２内の雰囲気を排気する排気管３は、これら複数の液処理ユニット２の下方側に、当該液処理ユニット２の並びに沿って伸びるように配置され、給液用の通流制御機器群４は前記排気管３の下方側に設けられている。給液用主配管５及び排液用主配管６は、これら通流制御機器群４の下方側にて複数の液処理ユニット２の並びに沿って各々伸びるように設けられ、前記給液用主配管５からは、複数の給液用分岐管が分岐して、前記給液用の通流制御機器４０２を介して各液処理ユニット２に接続され、前記排液用主配管６からは複数の排液用分岐管が分岐して各液処理ユニットに接続されている。 （もっと読む）

【課題】処理室内の雰囲気の置換性を向上させることができ、基板の液処理を行う際に飛散した薬液等の雰囲気が処理室内に残存しないようにすることができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１０において、カップ外周筒５０が上方位置にあるときにこのカップ外周筒５０内の雰囲気が当該カップ外周筒５０の外側に送られるようになっている。また、処理室２０内の雰囲気の排気を行うための排気部５６が処理室２０内においてカップ外周筒５０の外側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】クリーニング・プロセスの結果生じる副産物がウェファを汚染することを防止する、収集プロセスを提供すること。
【解決手段】装置及びそれを作動させる方法。この方法は、チャンバ（２００）を含む装置を準備するステップを含み、チャンバは、第１（２６０ａ）及び第２（２６０ｂ）の入口と、チャンバ内のアノード（２１０）及びカソード（２３０）構造体と、カソード構造体（２３０）上のウェファ（１００）とを含む。クリーニングガス（２６０ｂ）は、第１の入口を通じてチャンバ内に注入される。収集ガス（２６０ａ）は、第２の入口を通じてチャンバ内に注入される。クリーニング・ガスはイオン化されたときに、ウェファの上面をエッチングしてチャンバ内に副産物混合物をもたらす性質を有する。収集ガスは、副産物混合物がウェファの表面に再度堆積することを防止する性質を有する。 （もっと読む）

【課題】装置の組み立て、メンテナンスが容易である液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１において、液処理ユニット２は、処理液により基板Ｗに対して液処理を行い、給液用配管５６１、５６２は、一端側が液処理ユニット２に接続され、他端側がその下方側に引き回されていて、当該液処理ユニット２に処理液を供給する。筐体基体４６は、この給液用配管５６１、５６２に介在する通流制御機器群４０２が取り付けられ、筐体基体４６内に、液処理装置１の側方に位置するメンテナンス領域に臨むように各々設けられ、通流制御機器群４０２よりも上流側の給液用配管５６１を着脱するための上流側の接続ポート４０３、及び下流側の給液用配管５６２を着脱するための下流側の接続ポート４０６を備える。 （もっと読む）

【課題】スプレノズルの先端部付近に残留した薬液の被処理膜上への滴下を抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、スプレノズル２０と、スプレノズル２０を支持部材１２に対して高さ方向及び水平方向に相対移動させるノズル移動機構２１と、基材Ｗを回転させる回転駆動部１４とを備える。ノズル移動機構２１は、待機位置よりも上方の第１の上方位置から第２の上方位置まで基材Ｗに近づく方向へ水平移動させ、第２の上方位置から下方位置へ下降させる。その後に、スプレノズル移動機構２１は、ウエハＷ上の吐出位置にスプレノズル２０を水平移動させる。 （もっと読む）

【課題】 この発明は基板に所定温度に加熱された処理液を確実に供給することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理液が貯えられる貯液タンク３２と、貯液タンクに貯えられた処理液を基板に噴射するための上部ノズル体３１に給液管路３３を通じて供給する供給ポンプ３４と、給液管路に設けられ上部ノズル体に供給する処理液を所定温度に加熱する第１の加熱ヒータ３７と、上記貯液タンク内の処理液を加熱する第２の加熱ヒータ４２が設けられ、この第２の加熱ヒータ４２によって加熱された処理液を上記第１の加熱ヒータ３７によって上記所定温度にさらに加熱することを特徴とする基板の処理装置。 （もっと読む）

【課題】処理液により処理した後、基板をリンス処理する際に、処理液が基板に残留することを防止でき、処理時間を短縮できる液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理液により処理する液処理装置１０において、基板を保持する基板保持部３０、４０と、基板保持部３０、４０に保持されている基板に処理液を供給する処理液供給部７０と、基板にリンス液を供給するリンス液供給部８０と、基板のみが吸収する波長領域の光を発光し、発光した光を基板に照射する発光素子１１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板を良好に撥水処理することができる基板液処理装置及び基板液処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板（２）を撥水処理液で撥水処理する基板液処理装置（１）及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、混合タンク（５３）の内部で撥水処理液を加水分解させることなく希釈できる第１の希釈液と撥水処理液とを混合して第１の希釈撥水処理液を生成し、第１の希釈撥水処理液で基板（２）を撥水処理することにした。また、混合タンク（５３）から第１の希釈撥水処理液を供給する第１供給流路（５４）の中途部に撥水処理液を希釈する第２の希釈液を供給し、第１の希釈撥水処理液を第２の希釈液で希釈して第２の希釈撥水処理液を生成し、第２の希釈撥水処理液で基板（２）を撥水処理することにした。 （もっと読む）

【課題】真空処理室において高温で処理された後に搬送されるウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】試料を収納するカセットが設置されるカセット台と、大気搬送室と、該大気搬送室から搬送された試料を収納し大気圧雰囲気もしくは真空に切り替え可能なロードロック室と、該ロードロック室に連結された真空搬送室と、真空搬送された試料を処理する真空処理室と、を備える真空処理装置において、前記大気搬送室内に配置され、前記真空処理室で処理された後の高温の試料８を冷却する冷却部を備え、該冷却部は、試料８を載置し冷却液１７の流路が設けられた試料台１５と、試料８の搬入口側に配置され試料台１５に向かって冷却用ガス１０を吹き付けるガス吹き付け管１１と、試料台１５を境に前記搬入口の反対側に配置され、吹き付けられた冷却用ガス１０を排気する排気口１２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】研磨加工後の半導体基板から残渣を効率良く除去できる洗浄方法を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態に係る洗浄方法は、回転するロールブラシにより半導体基板上の残渣を洗浄する洗浄方法であって、ロールブラシを７．３５ｋＰａ以下の第１の圧力で半導体基板に押し当てて、半導体基板上の残渣を洗浄する第１の洗浄工程と、ロールブラシを７．３５ｋＰａよりも高い第２の圧力で半導体基板に押し当てて、半導体基板上の残渣を洗浄する第２の洗浄工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】マスクブランク用基板の洗浄時に、超音波を印加した洗浄水を用いた洗浄方法を適用した場合でも、ガラス基板内部に潜傷が発生することを抑制でき、しかも基板主表面に存在するパーティクルを確実に排除できるマスクブランク用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のマスクブランク用基板の製造方法は、ガラス材料からなる基板の表面に向かって、周波数が１．５ＭＨｚよりも高い超音波が印加された洗浄水を当てて基板の表面を洗浄する洗浄工程を有する。 （もっと読む）

【課題】フォーカスリングの温度を基板の温度とは独立して制御することで，これにより基板の面内処理特性を制御する。
【解決手段】ウエハＷを載置する基板載置面１１５とフォーカスリングを載置するフォーカスリング載置面１１６を有するサセプタ１１４を備えた載置台１１０と，ウエハ裏面を基板載置面に静電吸着するとともに，フォーカスリング裏面をフォーカスリング載置面に静電吸着する静電チャック１２０と，伝熱ガス供給機構２００とを備え，伝熱ガス供給機構は，基板裏面に第１伝熱ガスを供給する第１伝熱ガス供給部２１０と，フォーカスリング裏面に第２伝熱ガスを供給する第２伝熱ガス供給部２２０とを独立して設けた。 （もっと読む）

【課題】基板の被処理面を汚染する恐れのあるミスト等の堆積を防止する。
【解決手段】有底二重筒状体のチャンバー１０と、基板２０を支持するテーブル２１とを含んで基板処理装置１を構成する。内側筒体１２の外壁と外側筒体１３の内壁とで囲まれる第２の空間Ｓ２内の気体を外側筒体１３の外壁外へ排気させることで、第２の空間Ｓ２内の圧力を、内側筒体１２内の第１の空間Ｓ１の圧力よりも低下させ、これにより第１の空間Ｓ１内の気体が、連通機構３０を通過して第２の空間Ｓ２に向けて流れるようにする。その際、連通機構３０を通過する気流を「絞る」ことにより、ベンチュリ効果によりその流れを付勢し、基板２０を処理する際に発生したパーティクルを含むミストなどを第１空間Ｓ１から効率よく排気し、基板の被処理面の汚染を防止する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に基板処理を行う際に、基板処理による基板上パターンへの損傷を小さくする。
【解決手段】実施の形態によれば、基板処理装置が提供される。前記基板処理装置においては、基板を処理対象面の裏面側から固定して支持する基板支持部を備えている。また、前記基板処理装置は、所定の液体を染み込ませるパッドが配置されるとともに前記液体で前記基板の処理対象面の基板処理を行う基板処理部を備えている。そして、前記基板処理を行う際には、前記基板を支持している基板支持部を前記パッド側へ近づける。これにより、前記基板および前記パッドを回転させることなく前記基板の処理対象面を前記パッド表面の液体に接触させる。これにより、前記基板および前記パッドを回転させることなく前記基板処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板から飛散した処理液が基板へ再付着することを防止できる基板液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板液処理装置１０は、基板保持台１２に保持されて回転する基板Ｗから飛散した処理液を案内する案内回転カップ２１と、案内回転カップ２１により案内された処理液を下方へ案内する案内カップ３１と、を備えている。案内カップ３１は、案内カップ本体３２の内周端部３２ａから下方に延びる下方延長部３３と、この内周端部３２ａから下方延長部３３より内周側に延び、案内回転カップ２１および下方延長部３３と共に案内回転カップ２１が回転することにより旋回する気体を下方へ案内する気体案内空間３５を形成する内周側延長部３４とを有している。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、超音波による洗浄装置および洗浄方法に関するものである。
【解決手段】 本発明の洗浄装置は、超音波を発生する超音波振動子と、超音波振動子に固定されて超音波を洗浄液に照射する超音波照射面が扁平な振動体とを具備する振動体ユニットと、振動体ユニットを回転して超音波照射面に交わる方向を軸として超音波照射面の角度を変える照射面角度制御部と、洗浄対象の基板を保持し基板を回転させる基板回転部と、振動体の超音波照射面を洗浄面に向けて一定間隔を保持しながら振動体ユニットを移動させる振動体移動機構と、超音波照射面と洗浄面との間に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、を備えるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】基板上のパターンにダメージを与えることなくパターンが形成されていない部分を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに対し、侵入防止液を供給し、その後凝固対象液を基板表面Ｗｆに供給することにより、パターン間隙内部およびパターン近傍にＨＦＥを残留させる。その後、ＨＦＥは液体のままの状態を維持しながら、凝固対象液を凝固して、パターン間隙内部および近傍の領域を除いた基板表面Ｗｆを凍結洗浄する。パターン間隙内部およびパターン近傍については液体のＨＦＥが残留しているため、凝固対象液が凝固することにより生ずる力を受け流すことが可能となり、その力をパターンに直接伝えることがないため、パターンへのダメージを生ずることなくパターンが形成されていない基板表面Ｗｆ等の領域を洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】内部に希ガスが封入された長尺な発光管と、その外表面の電極と、前記発光管の光出射部を除いた内壁面上に形成された紫外線反射膜とを備えるエキシマランプにおいて、紫外線による変形による該エキシマランプの反り返りを規制する移動規制体を備えたエキシマ光照射装置に搭載した際に、紫外線歪と該反り規制歪の蓄積によって早期に発光管が損傷することを防止する。
【解決手段】エキシマランプ３の発光管３１の軸方向の中央部が、該発光管の光出射部の方向に突出するように湾曲していることを特徴とし、該エキシマランプを搭載するエキシマ光照射装置は、その筐体には該エキシマランプの中央部において紫外線反射膜形成部側から当接する移動規制体を設けるとともに、光出射部側から当接する矯正維持部材を設け、前記エキシマランプは該矯正維持部材によって管軸方向において直線状に矯正されて保持される。 （もっと読む）

【課題】下地膜が成膜された基板上にレジスト膜が形成された状態でイオン注入された基板からレジスト膜を除去する際に、下地膜を除去することなくレジスト膜を除去できる液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理液により処理する液処理方法において、硫酸と硝酸とを所定の比率で混合してなる、１２０℃以上の温度の処理液を、下地膜が成膜された基板上にレジスト膜が形成された状態でイオン注入された基板に供給することによって、基板からレジスト膜を除去する。 （もっと読む）