【課題】処理槽の内部に形成される処理液の循環領域を狭小化して処理液の置換効率を向上させるとともに、複数枚の基板の間隙に処理液を良好に流入させる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】下段ノズル１４ｂの吐出孔１４１の向きを、底板１１ａの上面の法線Ｎに対して内側方向に５°以上かつ４０°以下の角度θに設定する。これにより、吐出孔１４１から吐出された処理液の流圧が過度に低減されることはなく、また、内槽１１の内部において大きな処理液の循環領域ＣＡが形成されることもない。したがって、基板Ｗの間隙に処理液を良好に流入させつつ、内槽１１の内部の処理液を効率よく置換できる。 （もっと読む）

【課題】基板保持手段の保持部の保持溝にパーティクルが蓄積することを防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理液を貯留する処理槽と、鉛直姿勢で水平方向に配列された複数の基板の最下端部および両側の各下端部をそれぞれ保持する第１保持部２０および第２、第３保持部を有し複数の基板を処理槽の内部に保持する基板保持具と、処理槽の底部近傍に設けられた吐出口から処理液を吐出する一対の吐出管とを備え、基板保持具の第１保持部２０および第２、第３保持部に、保持溝２０ａの溝底から保持部の側面に貫通する複数の貫通細孔２０ｂを、処理槽内に生じる処理液の流れに沿った方向に穿設する。 （もっと読む）

【課題】処理槽内の洗浄液に浸漬された基板に対し超音波を照射して基板を洗浄する場合に、装置の構造を複雑化させることなく、基板の洗浄面全域に効果的に超音波を照射して洗浄効果の均一性を高めることができる方法を提供する。
【解決手段】吐出管２０から供給された洗浄液が処理槽１０内の洗浄液中に拡散していくときの流動分布の推移状況と、処理槽１０の底部側から照射された超音波が処理槽内の洗浄液中を伝播していくときの合成波面の進行状況とが相互に適合するように、基板Ｗの配列方向と直交する方向に並設された複数の超音波振動子群２２からそれぞれ位相をずらして超音波を照射する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を基板保持手段により保持し処理槽内の処理液中に浸漬させて処理する装置において、基板表面からパーティクルや残留薬液を除去して効率良く処理槽外へ排出することができ、処理時間の短縮と処理液の使用量の低減を図ることができる装置を提供する。
【解決手段】処理液を貯留する処理槽１０と、鉛直姿勢で水平方向に配列された複数の基板Ｗの最下端部および両側の各下端部をそれぞれ保持する第１保持部３４および第２保持部３６ａ、第３保持部３６ｂを有し処理槽１０の内方位置と上方位置との間で上下方向へ移動する基板保持具１２と、処理槽１０の底部近傍に設けられた吐出口から処理液を吐出する一対の吐出管１８と、基板保持具１２を処理槽１０内において、第２保持部３６ａ、第３保持部３６ｂが吐出管１８の吐出口からの処理液に当たる位置と当たらない位置とに移動させる移動制御手段とを備えて装置を構成した。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物（ウエハ）を洗浄した際に生じた異物が被洗浄物（ウエハ）の表面に再付着し難い洗浄装置、洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】内槽１１と外槽４とが上下２層に配置され、内槽１１に被洗浄物（ウエハ１）を浸漬させ、内槽１１の底面１１ａ側から上方に洗浄液３を噴出させつつ洗浄を行う洗浄装置１０であって、内槽１１の底面１１ａを中央が窪んだすり鉢状に形成するとともに、洗浄液を噴出する洗浄液供給口１２を内槽１１の底面１１ａの周辺側に設ける。被洗浄物から脱落した沈殿性の異物８は底面１１ａの中央の窪んだ部分に集まり、洗浄液３を噴出しても巻き上がり難くなり、被洗浄物への異物の再付着を防止できる。 （もっと読む）

【課題】簡易な装置構成にて良好な乾燥性能を得ることができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】基板乾燥装置１はチャンバ１０内に処理槽２０を備える。また、基板乾燥装置１は乾燥ガス生成ユニット４５を備える。乾燥ガス生成ユニット４５は、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノールを成分とする水切り剤を加熱して蒸発させて蒸気を発生させる。その蒸気を窒素ガスをキャリアガスとしてガス供給ノズル４１に送給し、ガス供給ノズル４１から１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノールの蒸気を含む乾燥ガスをチャンバ１０内に供給し、乾燥ガスの雰囲気を形成する。処理槽２０にて純水による洗浄処理が終了した基板Ｗは昇降機構３０によって純水から乾燥ガスの雰囲気中に引き揚げられる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ法による研磨によりポリシリコン膜等が半導体基板上に表出する場合であっても、信頼性や製造歩留まりの低下を防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】化学的機械的研磨法により研磨を行う工程であって、半導体基板上にポリシリコン膜が表出した状態になる工程と；半導体基板を洗浄する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板を洗浄する工程は、酸性の第１の洗浄液を用いて洗浄を行う第１の工程Ｓ１０と；第１の工程の後に、第２の洗浄液を用いて超音波洗浄を行う第２の工程Ｓ１２と；第２の工程の後に、アルカリ性の第３の洗浄液を用いて洗浄を行う第３の工程Ｓ１３とを有している。 （もっと読む）

【課題】超音波洗浄における被洗浄物の洗浄ムラを抑制し、洗浄槽数を削減して装置のコストを低減することができ、パーティクル除去を効果的に行うことができる超音波洗浄装置および超音波洗浄方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、被洗浄物を浸漬して洗浄するための洗浄液を収容する洗浄槽と、該洗浄槽に超音波を伝搬するための伝搬水を収容する超音波伝搬槽と、前記超音波伝搬槽の下部に配置され振動子により超音波を前記伝搬水に重畳する振動板と、洗浄する被洗浄物を前記洗浄槽中に保持する保持治具とを具備し、前記被洗浄物が前記保持治具で保持されて前記洗浄槽内の洗浄液に浸漬され、前記洗浄槽が前記超音波伝搬槽内の伝搬水に浸され、前記振動板により重畳した超音波を伝搬水を介して洗浄槽に伝搬させて前記被洗浄物を超音波洗浄する超音波洗浄装置であって、前記超音波伝搬槽を水平面内で揺動させる伝搬槽揺動機構を具備する超音波洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板移動機構３０が基板Ｗを保持する保持部３１を洗浄液が貯留された内槽４０内に移動させる。その後、内槽４０内の洗浄液をリンス液ＲＬで置換する。続いて、基板移動機構３０が基板Ｗを内槽４０の上方へ引き上げる。このとき、ドライエア供給ダクト６２から基板ＷにドライエアＤＦを供給する。基板Ｗの引き上げ時において、保持部３１に当接する基板Ｗの部分ｙ１，ｙ２，ｙ３が処理槽４上方の所定の高さに引き上げられることにより、基板移動機構３０による基板Ｗの引き上げ動作を停止する。そして、バルブＶ１を閉塞状態にし、バルブＶ２を開放状態にする。これにより、内槽４０内の全てのリンス液ＲＬが処理液排出管４２から図示しない工場の排出設備に送られる。 （もっと読む）

【課題】基板へのパーティクルの付着量が十分に低減された基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００において、ドライエア発生装置６０により発生されたドライエアＤＦは、配管６１を通してドライエア供給ダクト６２に送られる。それにより、昇降機構３０により内槽４０から引き上げられる基板ＷにドライエアＤＦが吹き付けられ、基板Ｗの乾燥処理が行われる。ドライエア発生装置６０により発生されたドライエアＤＦが処理槽４の内槽４０から引き上げられる基板Ｗに供給されるまでに通過する経路（配管６１、供給ダクト６２および通気ガイド６２ａ）には、塩化ビニルよりもガス放出速度が低くかつ塩化ビニルよりも吸水率が低い材料が用いられる。 （もっと読む）

【課題】無駄な処理液流を抑制して表面処理効率を向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板Ｗは、リフター３０の３本の基板保持棒３３，３４，３５によって起立姿勢で保持されて処理槽内の処理液中に浸漬される。積層配列された複数の基板Ｗの前後には第１ガイドプレート４０および第２ガイドプレート５０が設けられる。第１ガイドプレート４０および第２ガイドプレート５０は、処理槽内に処理液を吐出する吐出ノズル２０に設けられた複数の吐出孔の配列における両端よりも外側に対向する位置に配置されている。第１ガイドプレート４０および第２ガイドプレート５０によって基板Ｗの配列の外側に向けて処理液が流れることが防止され、無駄な処理液流を抑制して表面処理効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】カロー酸を用いたウエハ（基板）洗浄工程において、Ｈ_２Ｏ_２の使用量を低減しつつ、フォトレジスト膜（感光性マスキング層）の除去性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】基板１の洗浄（フォトレジスト膜の除去）時以外のＳＰＭ液中のＨ_２Ｏ_２の濃度は、フォトレジスト膜の少なくとも一部を除去できる最低限の第１濃度以上で制御する。そして、基板１をＳＰＭ槽５１（内槽５１Ａ）へ浸漬する直前に、ＳＰＭ液中のＨ_２Ｏ_２の濃度がフォトレジスト膜を確実に除去できる第２濃度以上となり、また基板１をＳＰＭ槽５１（内槽５１Ａ）へ浸漬した時にＳＰＭ液中のＨ_２Ｏ_２の濃度がその第２濃度未満とならないように、過酸化水素水供給系５４からＳＰＭ槽５１（内槽５１Ａ）へ所定量のＨ_２Ｏ_２を供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の回路基板と半導体素子との隙間の洗浄効果を高める。
【解決手段】回路基板２に半導体素子３を実装する半導体装置１の製造方法において、回路基板２に形成された電極２１および半導体素子３に形成された半田バンプ３１の少なくとも一方にフラックス７を供給する工程と、フラックス７を供給した後、電極２１と半田バンプ３１とを接合する工程と、電極２１と半田バンプ３１とを接合した後、回路基板２と半導体素子３との隙間に蒸気８１を供給して、回路基板２と半導体素子３との隙間を洗浄する工程と、を含む。 （もっと読む）

本発明は、スタッキング方向に沿ってスタックの状態で配置される個々のウェーハ又は基板の表面洗浄のための装置及び方法であり、スタッキング方向に垂直な方向にスタックに向けて液体噴射が放出され、かつスタッキング方向におけるウェーハスタック及びノズル間の相対移動が可能である。
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【課題】被処理基板を洗浄する場合に、被処理基板の一方の面と他方の面とで除去する対象物が異なる場合であっても各対象物を確実に除去することができ、また、当該被処理基板を浸食することなく、被処理基板に付着したポリマーを確実に除去すること。
【解決手段】洗浄装置は、被処理基板Ｗの周縁部を洗浄する。洗浄装置は、被処理基板Ｗの表面Ｗａの周縁部に当接し、当該被処理基板Ｗの面内方向で回転駆動される第一洗浄部１１と、被処理基板Ｗの裏面Ｗｂの周縁部に当接し、当該被処理基板Ｗの面内方向で回転駆動される第二洗浄部１２と、を備えている。第二洗浄部１２から被処理基板Ｗの裏面Ｗｂに加わる摩擦力は、第一洗浄部１１から被処理基板Ｗの表面Ｗａに加わる摩擦力よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】液晶表示パネルに用いられるガラス基板などの基板を薬液や純水などの処理液を供給して処理する際の各処理液の温度の差が大きいことにより基板が撓んでしまうことが抑制される基板処理方法を提供すること。
【解決手段】一定方向に搬送される基板の処理面に薬液を供給して薬液処理するに際し、隔壁で仕切られる複数の薬液処理室の各薬液処理室にて前記基板に供給される各薬液の温度を前記基板の搬送方向の上流側から下流側に向けて段階的に下げるようにした。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置において、基板の汚染や処理の不均一性や処理速度の低下を防止すること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置(1)において、貯留した処理液に基板（ウエハ(2)）を浸漬させて基板（ウエハ(2)）の処理を行う処理槽(21)と、前記基板（ウエハ(2)）に向けて処理液を供給して前記処理槽(21)の内部で処理液の上昇流を形成するために前記処理槽(21)に設けた一対の処理液供給部(25,26)と、前記処理液をオーバーフローさせるために前記処理槽(21)の上端部を外側に向けて傾斜状に形成した排出口(34,35)と、前記処理液の上昇流を、前記排出口(34,35)から排出させる流れと、前記処理槽(21)の側壁(23,24)に沿って還流させる流れとに分流するために前記処理槽(21)の上部に前記処理槽(21)の側壁(23,24)よりも内側に向けて突出して形成した突起(36,37)とを設けることにした。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明の実施形態は、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄剤で洗浄するための装置を提供する。この洗浄剤を用いる装置は、フィーチャを実質的に損傷することなく微細なフィーチャを備えたパターニング済みウエハを洗浄するのに有効である。洗浄剤は、液相または液／気相の流体であり、デバイスのフィーチャの周りで変形するため、実質的にデバイスのフィーチャを損傷することも損傷をまとめて低減することもない。分子量の大きい高分子化合物のポリマを含む洗浄剤は、基板上の汚染物質を捉える。さらに、洗浄剤は、汚染物質を取り込み、基板表面に汚染物質を戻さない。分子量の大きい１または複数の高分子化合物のポリマは、長いポリマ鎖を形成しており、ポリマ鎖は、さらに、架橋されて網目（すなわちポリマ網目）を形成しうる。長いポリマ鎖および／またはポリマ網目は、従来の洗浄剤と比較して、汚染物質を捉えて取り込む能力が高い。 （もっと読む）

【課題】バンプショートの発生を防止して半導体素子の歩留まりを向上させるフラックスの洗浄方法を提供すること。
【解決手段】フラックス洗浄剤によりウェーハ１を洗浄する洗浄処理工程（Ａ）と、前記洗浄処理後、連続して、液温４０℃以上の脱イオン水によりウェーハ１をリンスする第１リンス処理工程（Ｂ）と、前記第１リンス処理後、連続して、液温２５℃以下の脱イオン水によりウェーハ１をリンスする第２リンス処理工程（Ｃ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】処理槽の上方に乾燥処理部を備えた処理装置において、乾燥処理部に薬液雰囲気が流入することを防止でき、さらに、乾燥処理部から処理ガスを確実に排気できる基板処理装置、基板処理方法、記録媒体およびソフトウエアを提供する。
【解決手段】基板処理装置１は基板Ｗを処理液によって処理する処理槽３と、処理槽３の上方に配置された乾燥処理部６と、処理槽３と乾燥処理部６との間で基板Ｗを移動させる移動機構８とを備えている。乾燥処理部６は、移動機構８によって基板Ｗが処理槽３内に移送されたとき、外気と連通する状態と、外気と遮断した状態とをとることができる。乾燥処理部６は制御部６５によって外気と連通する状態と、外気と遮断した状態とに切り換えられる。 （もっと読む）