【課題】大口径のウエハーに対応可能な大型の処理槽であっても製作が容易であり、処理槽内に蓄えられる処理薬液による水圧にも耐え、薬液の量を削減できかつ効率よく薬液を大面積のウエハー表面に流れるような構造を有する石英ガラス製ウエハー処理槽及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハーを処理薬液に浸漬処理する為に使われる石英ガラス製ウエハー処理槽であって、
上方及び前後方向に開口する半円筒形底壁及び該半円筒形底壁の相対向する一対の側端線から上方に延長する相対向する一対の側壁を設けてなる樋状部材と、
該樋状部材の前端面に設けられた前壁と、
該樋状部材の後端面に設けられた後壁と、を含む処理槽本体を有し、かつ
前記半円筒形底壁の内面半径Ｒが前記処理対象ウエハーの半径ｒを超える大きさであると共に前記側壁の高さＨが前記半円筒形底壁の内面半径Ｒよりも大であるようにした。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を収容した搬送容器が載置されるロードポートと、搬送容器を保管する容器保管部と、を備えた基板処理装置において、ロードポートにおける搬送容器の受け渡し回数の増大を図ることができ、これにより基板を高いスループットで処理することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】横方向の位置が互いに異なる第１の搬送路１０２Ａ及び第２の搬送路１０２Ｂの各々に沿って、複数枚の基板を収容した搬送容器１０を搬送する第１の搬送装置１０４Ａ及び第２の搬送装置１０４Ｂを利用し、第１の搬送装置１０４Ａにより搬送容器１０の受け渡しが行われる第１のロードポート２１と、この第１のロードポート２１に対して階段状に設けられ、前記第２の搬送装置１０４Ｂにより搬送容器１０の受け渡しが行われる第２のロードポート２２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板を洗浄するための方法が開示されており、その方法は、液体媒質が、洗浄される基板の一部を実質的に覆うように、基板の表面に液体媒質を供給する工程を備える。音響エネルギを生成するために、１または複数の変換器が用いられる。生成された音響エネルギは、液体媒質に印加された音響エネルギが液体媒質内でのキャビテーションを防止するように、基板および液体媒質メニスカスに印加される。基板に印加された音響エネルギは、液体媒質内に導入される音波に最大の音波変位を提供する。基板および液体媒質に導入された音響エネルギは、基板表面からの粒子汚染物質の除去を可能にする。除去された粒子汚染物質は、液体媒質内に取り込まれ、液体媒質によって基板表面から運び去られる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの処理面内で均一な処理を行なうことができる半導体ウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ４に処理を施すための半導体ウェハ処理装置１００であって、半導体ウェハ４を保持するためのウェハカセット１と、ウェハカセット１に配置された半導体ウェハ４の処理面３に対し、その表面が平行に配置された平板状の対向電極５と、処理液７を導入可能な内部空間１８を有し、かつ内部空間１８に半導体ウェハ４、ウェハカセット１および対向電極５を配置可能な処理槽８と、半導体ウェハの処理面３ａ側の処理液７の流速が処理面３ａの裏面３ｂ側の処理液７の流速より速くなるように制御するための処理液供給口６、ポンプ１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの端部に形成された薄膜または異物を、確実にかつ効率的に除去することができるウェハ端部処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハ端部処理装置において、複数枚のウェハを起立状態にて互いに平行にかつウェハの中心を同軸上に配列させて支持するとともに、ウェハの中心を回転中心として複数のウェハを同時に回転駆動させるウェハ支持回転ユニットと、ウェハ支持回転装置により回転される複数のウェハの端部に接触しながら洗浄液を供給して、洗浄液により端部の薄膜または異物を除去する洗浄液供給ユニットと、洗浄液供給ユニットにより複数のウェハの端部に供給された洗浄液を除去する洗浄液除去ユニットとを備えさせ、複数枚のウェハを起立状態の姿勢にて端部にて対する処理を同時的に行う。 （もっと読む）

【課題】洗浄効果の高い小さなバブルサイズのマイクロバブルを外部に供給することができ且つ装置を小型化することができ、装置の配置の自由度を向上させることができるマイクロバブル生成装置及びシリコンウェハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】マイクロバブル生成装置１は、マイクロバブル生成機構１０とマイクロバブルを外部に導出する導出導管２０とを備える。導出導管２０は拡幅部２１と管部２２とを備え、導出導管２０において、拡幅部２１と管部２２とは互いに接続されており、互いに連通している。拡幅部２１は、軸ｚを中心軸とする中空円柱形であり、底面２３，２４と、円筒形の周面２５とを有し、拡幅部２１の一方の底面２３を介してマイクロバブル生成機構１０の噴出口１１が、他方の底面２４を介して管部２２が連通している。拡幅部２１のマイクロバブルの流路軸ｚに直交する断面の面積は、管部２２の流路軸ｚに直交する断面の面積より大きい。 （もっと読む）

【課題】 リンス流体の消費を抑え、洗浄・リンス・乾燥プロセスに要する総時間を削減する基板洗浄乾燥技術を提供する。
【解決手段】 線状の流体が基板表面に沿って吹き付けられて空気／流体境界線を形成し、線状の蒸気がマランゴニ乾燥を達成するためにこの境界線に供給される。好適な装置は、洗浄流体および／またはリンス流体のタンクを使用する。タンク流体の上方ではリンス流体源が基板表面にリンス流体を向け、基板が洗浄流体から持ち上げられるときに基板表面にメニスカスを形成し、乾燥用蒸気源が乾燥用蒸気をメニスカスに向ける。リンス流体タンクは、基板受取洗浄部分と基板リンス部分とを有する。リンス流体源と乾燥用蒸気源とはリンス部分上方の乾燥エンクロージャによって囲まれる。基板のローディング、洗浄、リンス、乾燥およびアンローディングが少なくとも部分的な時間的重複をもって実行される。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で被処理体を容易に且つ確実にすることができる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】超音波洗浄装置１は、上部が開口された略直方体の箱状容器であって、その内部に洗浄液を貯留する洗浄槽１０と、内部に水を貯留すると共に洗浄槽１０を収容する外槽１５と、洗浄槽１０の内部に配設され、洗浄すべき被処理体としての半導体ウエハＡを支持する支持部材２０と、外槽１５の外部に配設され、洗浄槽１０内部に超音波を発振する超音波発振装置６０を備える。洗浄槽１０は、超音波発振装置６０からの超音波を透過する側面部１２ｂと、側面部１２ｂに対向して配され、超音波発振装置６０からの超音波を反射する側面部１２ａとを有している。そして、超音波発振装置６０は、外槽１５に貯留された水を介して洗浄槽１０に超音波を発振し、且つ洗浄槽１０の側面部１２ｂから側面部１２ａに向かって超音波を伝播させる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ５を処理する方法。
【解決手段】半導体ウェーハ５を、
・フッ化水素を含有する溶液９１が少なくとも部分的に充填された液体容器１１中で処理して、半導体ウェーハ５の表面にある酸化物を溶解させ、
・溶液９１から輸送方向８１に沿って輸送して取り出し、かつ乾燥させ、かつ
・乾燥後に、オゾン含有ガス９３で処理して、半導体ウェーハ５の表面を酸化させ、
ここで、半導体ウェーハ５の表面の一方の部分が既にオゾン含有ガス９３と接触しているのに対し、半導体ウェーハ５の表面の他方の部分がなお溶液９１と接触しており、かつ溶液９１及びオゾン含有ガス９３は、これらが互いに接触していないように、空間的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】多結晶のＧａＮ結晶の成長を抑制できるＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、下地基板上に、開口部を有し、かつＳｉＯ₂よりなるマスク層が形成される（ステップＳ２）。そして、下地基板およびマスク層上に、ＧａＮ結晶が成長される（ステップＳ５）。マスク層の曲率半径が８ｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】汚染物質などの再付着を防止するとともに、洗浄処理効果を高めることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】所定の間隔をあけて立設されて対向する一対の第１、第２の立設壁の隙間に、被処理基板を１枚ごと立設させて収容するとともに処理液を供給して、該被処理基板の表面処理を行う処理槽を備え、第１、第２の立設壁２ｂ、３は、対向する少なくともいずれか一方の内壁面に第１の流体制御手段を設けて、この第１の流体制御手段は、この流体制御手段を設けた内壁面側と被処理基板Ｗの基板面側との間で処理液の流れを変化させるディンプルａ_１〜ａ_ｎで形成されている。 （もっと読む）

【課題】急速排水弁における液溜まりを洗浄除去することにより、急速排水弁の構造に起因する処理槽への液漏れを防止して、基板処理のスループットを向上させる。
【解決手段】制御部６１は、処理液に基板Ｗを浸漬させて基板Ｗを処理した後、噴出管７から純水を内槽３に供給して基板Ｗをリンス処理させる。その際に、内槽３から薬液を含む処理液を排出しているので、シール部材１７を含む周辺部には薬液が付着した状態である。制御部６１は、リンス処理を行っている間、エアシリンダ３３を操作して、弁体２３を排出口１３から微小距離だけ離間させて純水を少量だけ排出させるので、その際に、シール部材１７を含む周辺部に付着している薬液が洗い流される。リンス処理において純水の比抵抗が短時間で回復するので、基板Ｗの洗浄処理を短時間で行うことができ、スループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる際に用いられる半導体基板の表面処理剤を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面処理剤は、半導体基板上に形成され、少なくともそれぞれの一部にシリコンを含む膜を有し、表面が洗浄及び改質され、表面にヒドロキシル基を有する複数の凸形状パターンに対して供給されるものであって、前記ヒドロキシル基と反応する加水分解基を含み、前記シリコンを含む膜の表面に、前記シリコンを含む膜よりも水に対する濡れ性の低い撥水性保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】排気中の処理流体濃度を低減させ、基板処理装置に接続した排気設備へ流れ込む処理流体が低減し、排気設備への負担を軽減させること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置（１）において、基板（２）を処理するための基板処理部（２１）と、基板（２）を処理する処理流体を基板処理部（２１）に供給するための処理流体供給部（２２）と、噴霧ノズル（４８，４９）から処理流体を溶解する溶媒を基板処理部（２１）より排出された排気に向けて噴霧することによって排気中の処理流体濃度を低減させるための排気処理部（２３）とを設けることにした。また、前記排気処理部（２３）は、内部に排気を分散させるための多孔状の分散板（５２、５３、５４）を設けることにした。 （もっと読む）

半導体ウエハーや基板のような処理対象物を洗浄、食刻など湿式処理する湿式処理装置及び方法、並びにそれに使用される流体拡散板及びバレルを開示する。本発明による対象物の湿式処理装置は、処理対象物が収容されて処理される処理槽と、前記処理槽の内部に回転可能に設けられ、表面には対象物を前記処理槽の底面と垂直方向に立てて支持する複数のスロットが形成された棒状の対象物支持棒と、前記対象物支持棒に連結されて前記対象物支持棒を回転させることで前記対象物を回転させる回転手段と、を備え、前記対象物支持棒には、前記対象物に処理流体を噴射する処理流体噴射口、及び前記処理流体噴射口に処理流体を供給する処理流体流路が形成されている。本発明によれば、処理槽内のデッドゾーンを除去して処理流体の均一且つ円滑な流れが可能になり、処理効率及び処理均一度が向上する。 （もっと読む）

【課題】高温で不安定な過酸化水素水を使用せずに、硫酸を用いて基板表面のレジスト残渣を効率よく除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】硫酸を含む第１の処理液及び水よりなる第２の処理液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、基板の少なくとも一方の面に常温より高温に保持された前記第１の処理液の液膜を形成する液膜形成手段１０、３１と、前記基板の前記第１の処理液の液膜が形成された面に、前記第２の処理液の蒸気又はミストを供給する蒸気・ミスト供給手段４０とを有することを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板との接触する部分が少なく、かつ基板のキズ、パーティクルの発生を防止することができる基板保持方法及び基板保持治具を提供することを目的とする。
【解決手段】基板外縁の片面側端部又は両面側端部を、錐体状保持部の錐面とのみ複数位置で接触させることによって、基板を錐体状保持部の底面と垂直方向に保持する基板保持方法、及び、対向する側板と、側板に両端が接続された３以上の支持部材とを有し、基板を側板と平行に保持する基板保持治具であって、支持部材は錐体状保持部を有し、基板外縁の片面側端部又は両面側端部を、錐体状保持部の錐面とのみ複数位置で接触させることによって、基板を錐体状保持部の底面と垂直方向に保持するものである基板保持治具。 （もっと読む）