【課題】高温で不安定な過酸化水素水を使用しながら、硫酸を用いて基板表面のレジスト残渣を効率よく除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】硫酸を含む第１の処理液及び過酸化水素水を含む第２の処理液を用いて処理容器５中で基板を処理する基板処理装置であって、第１の処理液を常温より高温の状態で貯留する処理槽１０と、処理槽１０と処理容器５との間で基板を昇降させる基板昇降機構３１と、基板昇降機構３１によって基板を処理槽１０から引上げるか又は処理槽１０に浸漬させる際に、基板の第１の処理液の液面近傍に、第２の処理液のミストを供給するミスト供給手段４０とを有することを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部を保持する保持溝の内部を好適に洗浄することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】起立させた基板５０を収容する処理槽１０と、基板５０の周縁部５２を保持する保持溝２２を有し処理槽１０に対して昇降移動する基板昇降部（リフタ）２０と、処理槽１０に収容された基板５０を保持溝２２の溝壁面および溝底面から脱離させるとともに、基板５０の外周面５４が保持溝２２の溝底面に対向した状態で基板５０を保持する槽内保持部１２と、槽内保持部１２に保持された基板５０の周縁部５２と保持溝２２との間に、周縁部５２に沿って洗浄液Ｗを流通させる保持溝洗浄部３０と、を備える基板処理装置１００。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の状況に応じて温調度合いを変えることにより、乾燥不良を防止しつつも消費電力を抑制できる。
【解決手段】制御部６５は、チャンバ１１内の測定圧力に応じた限界濃度データと測定温度とに基づいて処理ガスの限界濃度を求め、この限界濃度に対応する温度よりも若干高くなるようにチャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３を操作する。したがって、チャンバ１１内の圧力が低下するにつれてチャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３の温度を下げてゆくことができるので、処理ガス中の有機溶剤蒸気がチャンバ１１及び処理槽１に結露することを防止しつつも、チャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３への供給電力を必要最小限にできる。その結果、基板Ｗの乾燥不良を抑制しつつも消費電力を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に洗浄液を供給しながら当該表面をブラシを用いて洗浄する際に、基板表面にスクラッチが形成されてしまうことを防止しつつ、基板上の異物を十分に除去できるようにする。
【解決手段】半導体基板１００の表面に洗浄液４０２を供給しながら当該表面をブラシ３００を用いて洗浄する際に、半導体基板１００の表面におけるブラシ３００と最初に接触する箇所に予め洗浄液４０２を供給しておく。 （もっと読む）

【課題】部品や製品などの被洗浄物を洗浄液中に浸積させて洗浄する被洗浄物の洗浄において、被洗浄物から除去した異物を確実に洗浄タンク本体１外に排出することができ、異物の再付着を防止することができる被洗浄物の洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明の被洗浄物の洗浄方法は、洗浄タンク本体１の内壁の内、一対の対向する第１の内壁１１と第２の内壁１２のそれぞれに、該内壁の略全体に亘って所定の間隔で洗浄液ｍを通過させる複数の通孔１１ａ、１２ａを設け、通孔１１ａを介して洗浄液ｍを洗浄タンク本体１内に導入すると共に、通孔１２ａを介して洗浄液ｍを洗浄タンク本体１外へ排出することにより、該洗浄液ｍを第１の内壁１１から第２の内壁１２に向かって略水平方向に層流状態で流し、この流れの中途に被洗浄物ｂを配置して洗浄するものである。 （もっと読む）

【課題】装置の占有面積を抑制しながら、基板処理速度を向上する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板処理部と、払出機構７０と、搬入機構７１と、プッシャ６と、主搬送機構３とを含む。基板処理部は、複数枚の基板Ｗに対して一括して処理を施す。払出機構７０は、払出チャック７３を基板移載位置Ｓと基板受け渡し位置Ｐとの間で第１横行経路１０１に沿って横行させる。搬入機構７１は、搬入チャック７４を基板移載位置Ｓと基板受け渡し位置Ｐとの間で第１横行経路１０１よりも下方の第２横行経路１０２に沿って横行させる。プッシャ６は、昇降保持部１０５を基板移載位置Ｓにおいて昇降させる。主搬送機構３は、基板受け渡し位置Ｐと前記基板処理部との間で複数枚の基板Ｗを一括して搬送する。払出チャック７３、搬入チャック７４および昇降保持部１０５は、それぞれ、複数枚の基板Ｗを一括して保持することができる。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板に所定温度に加熱された処理液を確実に供給することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理液が貯えられる貯液タンク３２と、貯液タンクに貯えられた処理液を基板に噴射するための上部ノズル体３１に給液管路３３を通じて供給する供給ポンプ３４と、給液管路に設けられ上部ノズル体に供給する処理液を所定温度に加熱する第１の加熱ヒータ３７と、上部ノズル体が基板の上面から外れた待機位置にあるときに供給ポンプによって上部ノズル体から噴射される処理液の温度を測定する温度センサ４３と、温度センサが測定した処理液の温度が所定温度であることを検出したときにその検出に基いて上部ノズル体を基板の上方に移動させて上記処理液を噴射させる制御装置を具備する。 （もっと読む）

【課題】洗浄手順が簡単である上に洗浄効果も高く安全に洗浄することができるチャンバ洗浄方法を提供する。
【解決手段】希塩酸蒸気ＰＳＭがチャンバ１９内を満たすので、チャンバ１９内に用いられているフッ素樹脂から金属成分が溶出する。バブリングを停止するとともに希塩酸蒸気ＰＳＭをチャンバ１９外へ排出し、チャンバ１９内に付着している希塩酸蒸気ＰＳＭの凝結分を洗浄除去する。希塩酸ＰＳを貯留した容器７１をチャンバ１９内に導入して、バブリングさせるだけで洗浄ができ、手順を大幅に簡単化できる。その上、希塩酸蒸気ＰＳＭによって洗浄するので、従来では洗浄できなかった部位の洗浄をも行うことができ、洗浄効果を向上させることができる。さらに、チャンバ１９に大量の塩酸を貯留する場合に比較して、希塩酸ＰＳの漏洩の恐れが極めて少なくなるので、安全に洗浄を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の洗浄面の大径化に容易に対応できる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る超音波洗浄装置は、洗浄液３９に超音波エネルギーを与える超音波振動子と、前記超音波振動子によって超音波エネルギーが与えられた洗浄液を流す超音波伝搬管３７と、前記超音波伝搬管の下方に配置された、被洗浄物２１を保持する保持機構と、前記超音波伝搬管の側壁に設けられ、前記保持機構によって保持された被洗浄物２１の洗浄面に前記洗浄液３９を吐出するためのスリット又は複数の穴３８と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加熱槽内の状態に応じてポンプの運転状態を切り換えることにより、溶剤濃度を高く維持して基板の乾燥処理を好適に行うことができるとともに、ポンプの負担を軽減することができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部は、処理液に基板を浸漬させて処理液による処理を行った後、基板の乾燥を行う際に、チャンバ内を減圧するとともに、温度検出器３７による測定温度と、圧力検出器３９による測定圧力と、飽和蒸気曲線データとに基づきベローズポンプ８７の動作速度を切り換える。したがって、加熱槽７７内における有機溶剤の状態に応じてベローズポンプ８７を動作させることができるので、有機溶剤の状態に係わらず、有機溶剤を蒸発皿８１に対して十分に供給きる。その結果、基板の乾燥不良を防止できる。また、ベローズポンプ８７の空運転を防止できるので、ベローズポンプ８７の負担を軽減できる。 （もっと読む）

【課題】液体中に配置した部材に対して微細気泡を安定して、且つ均一に供給すること。
【解決手段】貯留槽内に貯留された第１の液体中に配置された部材に対して微細気泡を供給する微細気泡供給装置であって、前記第１の液体中に噴出する気体を供給する気体供給部と、前記第１の液体中に噴出する第２の液体を供給する液体供給部と、前記気体供給部から供給される前記気体を微細気泡にするとともに前記液体供給部から供給される前記第２の液体に混合して混合流体を生成し、送出する気泡微細化部と、前記混合流体を前記第１の液体中に噴出するための噴出穴を有し、前記気泡微細化部からの前記混合流体を前記部材の下方から前記噴出穴を介して前記第１の液体中に噴出する噴流管と、を備え、前記噴流管は、前記混合流体をせき止めて前記噴流穴を介して前記第１の液体中に噴出させるせき止め部を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ−ＣＭＰ後洗浄におけるパーティクルのウェハへの再付着によるポイゾニング不良発生の課題に対して、その不良を抑制し効率よくＣｕ配線構造を形成することにある。
【解決手段】上層配線と、下層配線と、上層配線と下層配線とを接続するビアとを含む多層配線構造の半導体装置の製造方法において、トレンチの形成後に、低誘電率膜の上面に銅を含む導電性膜を成膜する工程と、上記導電性膜を化学的機械的研磨して上記トレンチに下層配線を形成する工程と、上記化学的機械的研磨後に、上記基板を洗浄する工程と、上記低誘電率膜の上面にアンモニアプラズマによる還元処理を実行し、その上に拡散防止膜を形成する工程とを含み、上記洗浄工程は、少なくとも２段階の洗浄を行ない、第１段目は、有機酸洗浄薬液を用いてブラシスクラブ洗浄を行ない、第２段目は、有機アルカリ洗浄薬液を用いて洗浄を行なう。 （もっと読む）

【課題】液処理後の液残りを少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができ、かつウエハ等の転倒を防止でき、スループットの向上を図れるようにする。
【解決手段】半導体ウエハＷを垂直に保持した状態で搬送する搬送手段を具備する基板処理装置において、搬送手段であるウエハボート５は、ウエハの下端部を支持する下側保持体２０と、ウエハの転倒時に該ウエハの下部側端部を保持する左右一対の上側保持体３０とを具備し、下側保持体は、ウエハの下端部を直接支持する保持溝２１を有する保持溝部２２と、該保持溝部に隣接して設けられ、保持溝によるウエハの支持が解かれた際にウエハを保持する転倒防止溝２３を有する転倒防止溝部２４と、を一体に形成してなる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は概して、半導体基板を研磨プロセス後に洗浄する装置及び方法に関するものである。具体的には、本発明の実施形態は、加圧流体を使用して基板を洗浄する装置及び方法に関するものである。本発明の一実施形態は、基板を略垂直な姿勢で支持し、回転させる２つのローラと、押圧力を加えて、前記基板を前記２つのローラに係合させる圧力ホイールと、加圧流体を前記基板に向けて放出するように構成される揺動ノズルと、を備える。
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【課題】 ベースに接着された基板に対し、十分な洗浄ができる基板洗浄装置、基板の製造方法、および歩留まりが向上され特性が優れた太陽電池素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 スライスベースに接着されたブロックをスライスして複数の基板を形成するスライス工程、スライスベースに接着された基板を洗浄液の入った洗浄槽に浸漬して洗浄する洗浄工程、洗浄後に基板をスライスベースから剥離する剥離工程、を有する基板の製造方法において、スライスベースが側面となるように基板を洗浄槽に浸漬し、洗浄槽の下部に設けられた複数の開口を有するノズルから基板のスライスベースがある側面とは反対側の側面に対して洗浄液を槽内に噴出する。 （もっと読む）

【課題】複数の処理ユニットにより基板に対して処理を実行する場合において、各基板の処理状況および各処理ユニットにおける処理状況を容易に把握でき基板処理装置を提供する。
【解決手段】ガントチャート８５ｃは、各処理ユニットにおいてロット単位の基板に実行される処理のスケジュールを、時間軸ｔａ方向に延びる複数の帯グラフ９０として表示したものである。各帯グラフ９０は、対応する処理ユニット毎に、時間軸ｔａ方向に沿って配置される。また、各帯グラフ９０は、上段帯グラフ９１と下段帯グラフ９２を有している。上段帯グラフ９１上には、処理対象となるロットの識別情報が表示される。下段帯グラフ９２は、基板処理を構成する工程のスケジュールを各工程毎に示す。これにより、使用者は、各ロットに対して実行される基板処理の流れと、各処理ユニットで実行される工程のスケジュールと、を表示部８５ａの表示から容易に把握できる。 （もっと読む）

【課題】加熱周期の間において流体に対する加熱の度合いが経時的に大きく変化することを抑制することができる加熱ユニット、基板処理装置および流体の加熱方法を提供する。
【解決手段】加熱ユニットにおいて、制御部５０は、要求出力量Ｑに基づいて、（Ａ）要求出力量Ｑが所定の設定値以下である場合には、加熱周期の全期間において常時オンとなる加熱器２４ａを設けることなく、全てまたは一部の加熱器２４ａを時分割制御するような制御を行い、（Ｂ）要求出力量Ｑが所定の設定値より大きい場合には、加熱周期の全期間において全てまたは一部の加熱器２４ａを常時オンとし、残りの加熱器２４ａのうち全てまたは一部の加熱器２４ａを時分割制御するような制御を行う。この際に、加熱周期における加熱器２４ａがオンとなる最大の数と最小の数との差が１以下になるようにする。 （もっと読む）

【課題】正常に処理された時の補充履歴を用いることにより、比較的簡単に故障判断の基準の設定を行うことができ、故障検知の精度を高くすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗに対して正常な処理ができた際の実績のある処理液への液体の補充量に対する履歴を、処理液が生成されてからの供給流量の積算により基準補充履歴とし、この基準補充履歴を履歴メモリ６１に予め記憶し、基準補充履歴を演算部６３が近似化して近似化基準補充履歴とし、この近似化基準補充履歴を近似化メモリ６５に予め記憶しておく。設定部６７を介して近似化基準補充履歴に対して上下限の範囲を設定するが、近似化基準補充履歴はバラツキが小さくなるので、上下限を容易に、かつ比較的狭い範囲で設定することができる。制御部５５は、補充量の積算値と、設定された上下限とに基づいて液体供給の良否を判断する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたパターンの倒壊を抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のパターンが隣接して形成された基板を処理する基板処理装置であって、薬液に対する耐性を有し、前記基板を前記薬液により洗浄するための第１のチャンバと、前記第１のチャンバの上方または下方に配置され、前記第１のチャンバよりも高い耐圧性を有し、前記基板を超臨界乾燥するための第２のチャンバと、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間に設けられ、開閉可能なゲート部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＰＭ洗浄法を用いた半導体洗浄装置に組み込める簡易なシステムであって、過酸化水素に由来する洗浄液の硫酸濃度の低下を抑制することにより硫酸溶液寿命を延長し、これにより環境負荷低減を図ることができる洗浄システムを実現すること。
【解決手段】本発明の洗浄システムは、硫酸溶液と過酸化水素の混合液を洗浄液として半導体基板を洗浄する洗浄手段と、前記洗浄手段から洗浄液を排出して前記洗浄手段に還流させる循環ラインと、内部が分子ふるい型水分子選択性透過膜で隔てられた濃縮側と透過側の領域を有し、前記濃縮側の領域を前記循環ラインに介設した脱水モジュールを有する脱水手段と、前記脱水手段の透過側を減圧する真空ポンプと、を備えている。 （もっと読む）