【課題】洗浄対象面内の清浄度およびその均一性を高めさらにメンテナンスも容易なＵＶオゾン洗浄装置を提供すること。
【解決手段】ＵＶ照射室（１０）内に２つのＵＶユニット（２０Ａ、２０Ｂ）を備えており、これらＵＶユニットは所定の間隔を有するように対向して設けられている。この間隔内には、洗浄対象物（３０）が基板搬送部（４０）により把持された状態で搬送される。オゾン発生の源となるエアーと不活性ガスの混合ガスは第１および第２のガス供給部（５０Ａ、５０Ｂ）から、ＵＶ照射室（１０）内に搬送された基板（３０）の表面に向けて供給される。ガス排出部（６０）は、装置（１００）の底部に設けられており、ＵＶ照射室（１０）内で発生したオゾン含有ガスは、装置上部に設けられた排気ユニット（７０Ａ、７０Ｂ）の作用により、ガス排気経路部（８０Ａ、８０Ｂ）を通ってガス排出部（６０）から外部へと排出される。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】液槽３２は、被処理基板Ｗを液体に浸漬した状態で保持し、処理容器３１では、この液槽３２を内部の処理空間３１０に配置し、当該液槽３２内の液体を超臨界状態の流体に置換して被処理基板を乾燥する処理を行う。移動機構３５２、３５３は、液槽３２を、前記処理容器３１内の処理位置と当該処理容器の外部の準備位置との間で移動させ、当該処理容器３１に設けられた加熱機構３１２は、前記流体を超臨界状態としたり、その超臨界状態を維持する一方、冷却機構３３４、３３５は、前記処理容器３１の外部の準備位置に移動した液槽３２を冷却する。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】載置部４２には、パターンの形成された面を上面として、当該上面が液体により濡れた状態で被処理基板Ｗが横向きに載置され、基板搬送機構４１は、載置台４２からこの被処理基板Ｗを受け取って、液槽３２内の液体中に浸漬するにあたり、前記パターンの形成領域の上端が当該液体に接触した時点において、このパターン形成領域の上端の板面に液体が残るように当該被処理基板Ｗを縦向きの状態に変換してから液体に浸漬する。処理容器３１では、この液槽３２を内部に格納した状態で、当該液槽３２内の液体を超臨界状態の流体に置換することにより、被処理基板Ｗを乾燥する処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板保持部３４は液体により表面が濡れた状態の被処理基板Ｗを横向きに保持した状態で処理容器３１内に搬入し、このとき前記基板保持部３４と一体に形成され蓋部材３４１が処理容器３１の開口部３１１を塞ぐ。雰囲気形成部７１１、３９は前記処理容器内を超臨界流体の雰囲気とした後、姿勢変換機構６が処理容器３１の姿勢を変換して、当該処理容器３１内の被処理基板Ｗを縦に向ける。これにより被処理基板Ｗの上面の液体が流下して排出部から排出され、その後、排気部７３１より超臨界流体を排出することにより処理容器３１内を減圧して当該超臨界流体を気体とし、乾燥された被処理基板を得る。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長前の表面処理（エッチング処理、洗浄処理、乾燥処理）において、半導体ウェハの表面パーティクル数が増大するのを効果的に抑制し、表面パーティクル数が少ない半導体ウェハを実現できる技術を提供する。
【解決手段】ウェハカセットを、当該ウェハカセットの前面を構成する前方支持体と、前方支持体に対向配置され、当該ウェハカセットの背面を構成する後方支持体と、収容される半導体ウェハを下方に案内する上溝部を有し、前方支持体と後方支持体を上部で連結する上側部フレームと、上溝部に対応して設けられ、収容される半導体ウェハを支持する下溝部を有し、前方支持体と後方支持体を下部で連結する下側部フレームとを備えた構成とする。上側部フレームと下側部フレームの間が開口し、側部周縁が開放された状態で半導体ウェハを収容可能となっている。 （もっと読む）

【課題】異なる監視時間の時間帯を複数設定することにより、供給異常を適切に検知することができる。
【解決手段】ＳＰＭ処理液が生成されてから新たなＳＰＭ処理液を生成するまでの間を二つの時間帯（第１の時間帯ＴＺ１、第２の時間帯ＴＺ２）に区切り、積算するための監視間隔がそれぞれ第１の監視間隔ＴＩ１と第２の監視間隔ＴＩ２との個別に設定されている。したがって、ＳＰＭ処理液が生成されてからの経過時間に応じて薬液の補充頻度が異なる場合であっても、供給異常を適切に検知することができる。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの排出を制御できるバルブを提供すること。
【解決手段】バルブ１１は、流入口１５、排出口１６、および吐出口１７を含む。排出口１６は、第１流路１８、２０によって流入口１５に接続されている。吐出口１７は、第２流路１９によって第１流路１８、２０に接続されている。第２流路１９は、流入口１５と排出口１６との間に設けられた接続位置ＣＰ１において第１流路１８、２０に接続されている。第２流路１９は、第１弁体２５が第１アクチュエータ２４によって移動されることにより開閉される。また、絞り部３７は、接続位置ＣＰ１よりも排出口１６側において第１流路１８、２０に設けられている。絞り部３７は、吐出口１７および第２流路１９の流路面積よりも小さい流路面積を有している。 （もっと読む）

【課題】被処理基板への影響を低減しつつ良好な洗浄、乾燥処理を実行可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板処理装置２に設けられた洗浄槽２２１では、洗浄液供給部から洗浄液を供給しながら当該洗浄液に被処理基板Ｗを縦向きの状態で浸漬して洗浄が行われ、この洗浄槽２２１の上方領域と連通する乾燥室２１では、洗浄槽２２１から引き上げられた被処理基板Ｗの乾燥が行われる。そして、第１の乾燥ガス供給部及び第２の乾燥ガス供給部からは、洗浄後の被処理基板Ｗの上端が洗浄液の液面より上方に引き上げられた後、少なくとも被処理基板が晒される領域に、前記洗浄槽の上方領域から乾燥室内に至るまでの雰囲気に液体除去用の溶剤蒸気を含む第１の乾燥ガスと、前記溶剤蒸気を含まない第２の乾燥ガスとが交互に供給される。 （もっと読む）

【課題】溶剤中の純水濃度を極力低くすることにより、純水に起因する乾燥不良を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部９７は、基板Ｗを純水で洗浄する純水洗浄処理の後、溶剤を注入して純水を溶剤で置換する置換処理を行い、処理液の流れを第１の分岐配管４９に切り換え、油水分離フィルタ５１によって純水を処理液から除去する分離除去処理の後、処理液の流れを第２の分岐配管５３に切り換え、吸着フィルタ５５により吸着除去処理を行う。したがって、分離除去処理によっても除去しきれない微量の純水だけを吸着フィルタ５５によって吸着除去することができ、溶剤中の純水濃度を極力低くすることができる。その結果、溶剤中の純水に起因する乾燥不良を防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板の全域を均一に洗浄処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、洗浄液を貯留する洗浄槽１０と、基板Ｗを保持して洗浄液に浸漬させる基板保持装置２０とを備えている。このうち基板保持装置２０は、個別に移動自在な第１基板保持部２０ａと第２基板保持部２０ｂとを有している。第１基板保持部２０ａおよび第２基板保持部２０ｂは、第１保持棒２１ａ、２１ｂと、基板Ｗの中心を通る垂直方向軸線に対して第１保持棒２１ａ、２１ｂとは反対側に設けられた第２保持棒２２ａ、２２ｂとをそれぞれ有している。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩ用半導体ウエハやＭＥＭＳ用基板のような微細構造を有する被洗浄物を、洗浄によるダメージを与えることなく、ガス溶解水により効果的に洗浄してこれらの被洗浄物を高度に清浄化する。
【解決手段】洗浄容器内１０で、被洗浄物を、当該洗浄液の液温における飽和溶解度以上の溶存ガスを含む洗浄液（過飽和ガス溶解液）と接触させて洗浄する。洗浄容器に、過飽和ガス溶解液を導入するか、或いは、洗浄容器内に洗浄液を導入した後加圧ガスを導入して洗浄容器内で過飽和ガス溶解液を調製した後、洗浄容器内で被洗浄物を過飽和ガス溶解液に接触させた状態で洗浄容器内を減圧し、過飽和ガス溶解液から発生した過飽和の溶存ガスの気泡で被洗浄物を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】乾燥気体を効率的に使用できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】供給配管３３と排出配管３９との間で連通接続され、かつ排出配管３９に流れたドライエアを供給配管３３側へ戻す循環配管４５を設ける。基板Ｗの乾燥処理前に、第１の露点計及び第２の露点計４１が、所定の条件を満たせば、開閉弁４３を開から閉の状態、開閉弁４７を閉から開の状態にするとともに、ドライエアの循環配管４５への循環を開始し、ファン４９により循環配管４５内に十分なドライエアが送り込まれると、開閉弁を開から閉の状態、開閉弁５１を閉から開の状態にするとともに、ファンを停止させて、ドライエアの循環配管４５への循環を完了する。 （もっと読む）

【課題】 気液分離装置から排出される気体中の溶剤濃度を低減する。
【解決手段】この基板処理装置は、チャンバ２７内に一端側が接続され、チャンバ２７内から気体を排気する排気管６９と、チャンバ２７内に一端側が接続され、チャンバ２７内から処理液を排出する排液管６３と、排気管６９の他端側が接続され、チャンバ２７から排気された気体を取り込むとともに、排液管６９の他端側が接続され、排液管６９を介して排出された処理液を取り込み、気体と液体とを分離する気液分離部６１を備えている。
気液分離部６１の内部において、ノズル８１を上下に移動させると、第１金網７７の表面全体に純水が供給され、蒸気になっているイソプロピルアルコールを純水の液滴に溶解し、液体として排出する。 （もっと読む）

【課題】枚葉式、バッチ式のいずれの超音波洗浄装置であっても、形状・材質に依存せずに、低出力から高出力まで、洗浄液に印加された超音波の音圧をスムースに制御、特に微調整することができることによって、被洗浄物の表面にダメージを与えることなく十分に清浄な表面を得られる超音波洗浄装置と、それを利用した被洗浄物の洗浄方法、並びに超音波の発振方法を提供する。
【解決手段】被洗浄基板を超音波を印加した洗浄液によって洗浄する洗浄装置であって、少なくとも、超音波振動子で発振させた超音波を印加した洗浄液によって前記被洗浄物を洗浄するための洗浄機構と、前記超音波振動子から超音波を発振させるための主発振器とを具備し、前記主発振器は、発振波形としてバースト波を用いるものであることを特徴とする洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】従来懸念された洗浄残り（超音波未照射領域）の発生を低減してウェーハ全体の洗浄度を向上させる。
【解決手段】複数の超音波洗浄槽を用いてウェーハの超音波洗浄を行うに際し、各超音波洗浄槽の底に設置したウェーハ受け台におけるウェーハの受け溝の位置を、各超音波洗浄槽間で相互に異ならせ、もってウェーハに対する超音波の未照射領域をなくす。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体ウェーハの超音波洗浄装置の、保持具等により超音波が遮蔽された部分のウェーハ表面の洗浄が不十分となるという問題のない半導体ウェーハの超音波洗浄方法及び半導体ウェーハの超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの超音波洗浄装置１００において、洗浄液６中の半導体ウェーハ４の上方に超音波反射板２０が傾斜して設けられている。超音波発生装置１から発振される入射超音波８が超音波反射板２０に反射される。超音波反射板２０は、反射面として平面２０ａを有しており、超音波反射板２０は、平面２０ａの法線方向に、影部分７が位置するように位置決めされている。 （もっと読む）

【課題】超音波洗浄で問題となっていた洗浄ムラを解消し、パーティクル除去を効果的に行うことのできる超音波洗浄方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、洗浄槽中の洗浄液に被洗浄物を浸漬し、超音波振動子から発生する超音波を伝播槽中の伝播水を介して前記洗浄液に伝播させて前記被洗浄物を洗浄する超音波洗浄方法であって、前記伝播水として、脱気した純水に、溶存ガスを飽和濃度に対して３５〜７０％の濃度で溶解させたものを用いることを特徴とする超音波洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】 超音波洗浄で問題となっていた洗浄ムラ（洗い残し）の問題を解消し、パーティクル除去を効果的に行うこのできる超音波洗浄方法を提供することにある。
【解決手段】 少なくとも、洗浄槽中の洗浄液に被洗浄物を浸漬し、超音波振動子から発生する超音波を前記洗浄槽中の洗浄液に伝播させて前記被洗浄物を洗浄する超音波洗浄方法であって、前記超音波振動子から発生する超音波による被洗浄物の洗浄を、少なくとも２以上の超音波出力条件で行うことを特徴とする超音波洗浄方法。 （もっと読む）

本発明は、ウエハー洗浄装備に使われるカセットに関するものである。本発明は、第１ウエハーが投入可能な内部空間が形成されたジグ本体と、上記ジグ本体内に装着され、上記第１ウエハーに比べて相対的に直径が小さい第２ウエハーが投入可能な内部空間が形成されたカセットの挿入をガイドするガイド部材とを含むことを特徴とするウエハー洗浄装備用カセットジグを開示する。 （もっと読む）

【課題】ウェハーの中央領域の特異な洗浄を補償する手段を取る新しいスクラバータイプ装置を提供する。回転ブラシをローラーで置換したスクラバータイプの洗浄装置を提供する。
【解決手段】ウェハー等は、基板の中央領域に面する区画に配置された一つ以上の非接触部分を有する回転ブラシを用いるか、またはウェハー及び回転ブラシの相対位置を切り換えるか、またはウェハーの中央領域の方へ優先的に洗浄液を向けることによって洗浄される。洗浄材のウェブ１１６を各ローラー１１０と基板との間に介装する。洗浄材の様々の異なるウェブ、例えば一つの織物、表面が各洗浄パスで再生された洗浄材の連続ループ、キャリアテープ等に設けた接着剤等を用いることができる。 （もっと読む）