【課題】処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板保持具３３０において、背板３３３の正面には、４本のアーム３４１〜３４４が取り付けられている。各アーム３４１〜３４４は、水平方向に延びている。背板３３３の背面には、４本のアーム３４１〜３４４に対応して４個のモータが取り付けられている。各アーム３４１〜３４４の軸心と垂直な方向における断面は、楕円形状となっている。各アーム３４１〜３４４に形成された径小部３４５に基板Ｗの外周端部が挿入される。それにより、複数の基板Ｗが各アーム３４１〜３４４の径小部３４５の外周面により保持される。基板Ｗが処理槽から引き上げられ、各アーム３４１〜３４４と基板Ｗとの当接部が処理液の液面に位置する際に、モータが各アーム３４１〜３４４を回転させる。 （もっと読む）

【課題】処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ドライエア供給ダクト１０Ａ上に設けられた仕切板駆動部１３は、複数の通気路１１０の一部を閉塞するための仕切板１２をドライエア供給ダクト１０Ａの内側と上部外側との間でスライド可能に保持している。乾燥処理の開始から外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられるまでの間、仕切板１２はドライエア供給ダクト１０Ａの上部外側に位置する。外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられると、仕切板１２はドライエア供給ダクト１０Ａの内側にスライドする。この場合、仕切板１２が最下部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０を閉塞する。これにより、ドライエア供給ダクト１０Ａ内に供給されるドライエアＤＦが仕切板１２により絞り込まれ、最下部の通気路１１０に導かれる。 （もっと読む）

【課題】処理液の供給形態を工夫することにより、清浄度高く処理することができ、かつ乾燥不良を防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】左側の噴出管７からは純水の供給が停止され、右側の噴出管７のみから純水が供給される。これにより、ドライエアの供給方向と液面付近における純水の流れとが一致するので、純水の流れに澱みが生じにくく、洗浄時に基板Ｗから剥離されて純水中に漂うパーティクルが効率的に排出される。その結果、引き上げられる基板Ｗにパーティクルが付着するのを防止することができ、基板Ｗを清浄度高く処理することができる。また、液面の中央部が盛り上がることがなく、ドライエアにより液面中央に波立ちが生じるのを防止することができるので、引き上げ中の基板Ｗに飛沫が付着することを防止でき、基板Ｗの乾燥不良を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ナノバブルを効率よく発生させて基板の処理を良好に行なえるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を処理液によって処理する処理装置であって、
ナノバブルを発生させ、そのナノバブルを処理液に混合させるナノバブル発生手段を備え、ナノバブル発生手段は、内部に剪断室３が形成された気体剪断器２と、気体剪断器の軸方向の一端部に設けられ気体を剪断室に旋回させて供給する気体供給口６と、気体剪断器の一端部の外周面に設けられ処理液を剪断室に旋回させて供給し、気体との旋回速度の差によって気体からナノバブルを発生させる液体供給口７とによって構成されている。 （もっと読む）

本発明は、薄いウェハ（６）を洗浄する装置で、ウェハ（６）が各々の一辺で担持装置（２）に固定されており、２つの隣接する基板間に空隙（７）が形成されている。本装置は、流体を各空隙（７）内に注入するシャワー装置（１５）と、流体を満たすことができ且つ担持装置（２）を収容できる寸法を有する槽（１４）とから実質上構成される。本発明によれば、任意選択的に、シャワー装置（１５）が移動不能な担持装置（２）に対して移動可能であるか、あるいは担持装置（２）が移動不能なシャワー装置（１５）に対して移動可能であるか、あるいは担持装置（２）とシャワー装置（１５）が相対的に移動可能である。本発明による方法は、好ましい洗浄処理において、担持装置（２）を槽内で移動しながらまず温流体でシャワー洗浄を行った後、冷流体で超音波洗浄を行い、さらに温流体でシャワー洗浄を再度行うことを特徴とする。
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【課題】開口を有する円板形の基板の効率的な乾燥方法及び装置を提供する。
【解決手段】開口を有するワークピースを乾燥するための方法であって、前記ワークピースを液体中に提供する段階と、前記ワークピースと前記液体の液面との間の相対的な動きを引き起こして、前記ワークピースが前記液体と接触しない状態まで取り出す段階と、前記ワークピースを乾燥する段階と、を備え、この乾燥段階の少なくとも一部は、前記相対的な動きを引き起こす動作の間に起こり、前記相対的な動きは、前記開口の上部が前記液面を通過する間第１速度であり、前記相対的な動きは、前記開口の上部が前記液面を通過した後、前記ワークピースの一部が前記液体と接触したままである期間第２速度であり、前記第１速度は前記第２速度より遅い。 （もっと読む）

【課題】過硫酸を用いた洗浄システムなどに対し、高濃度の過硫酸イオンを含む溶液を安定して供給可能な過硫酸供給システムを提供する。
【解決手段】電解反応により溶液に含まれる硫酸イオンから過硫酸イオンを生成する電解反応装置（電解反応槽５、直流電源６）と、硫酸イオンを含む溶液を貯留する貯留槽１と、該貯留槽１から前記溶液を被電解液として前記電解反応装置へ移送し、前記電解反応装置から電解された溶液を前記貯留槽１へ移送する循環ライン（送り管２ａ、戻り管２ｂ）と、前記電解反応装置で生成された過硫酸イオンを含む溶液を過硫酸使用側に供給する過硫酸供給ライン７と、電解反応装置に移送する前記被電解液を補給する補給ライン８を備える。 （もっと読む）

【課題】ウォータマークを発生させず，レジストの溶解もなく安全に処理することができる，基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理槽６０の下部から第１の処理液を供給して、処理槽６０内において第１の処理液中に基板Ｗを浸漬させて処理する工程と、処理槽６０の下部から第１の処理液よりも比重が重い第２の処理液を供給しつつ、処理槽６０の上部から第１の処理液を排液して、処理槽６０内の第１の処理液を第２の処理液に置換し、処理槽６０内において第２の処理液中に基板Ｗを浸漬させて処理する工程と、処理槽６０内から処理槽６０の上方に設けられた乾燥室に基板Ｗを引き上げる工程を有している。 （もっと読む）

【課題】洗浄によりウェハに付着した水分を完全に除去し、当該基板を水分を除去した状態で成膜装置に搬送する。
【解決手段】 洗浄装置３に隣接して水分除去装置４を設ける。水分除去装置４では、ウェハＷに高温ガスを供給してウェハＷに付着した水分を完全に除去する。水分除去装置４と成膜装置５、６との間の搬送部７は、ケーシング２１で覆う。ケーシング２１内には、乾燥気体を供給し、搬送部７内を乾燥雰囲気にする。水分除去装置４で水分の除去されたウェハＷを、乾燥雰囲気内を通して成膜装置５、６に搬送する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、処理液が供給されて保存される処理槽と、前記処理液を前記処理槽に供給する処理液供給手段とを含む処理部と、流体が供給されて噴射される乾燥槽と、前記流体を前記乾燥槽に供給する流体供給手段とを含む乾燥部とで構成され、前記流体供給手段は、前記流体が前記乾燥槽に提供される前にフィルタリングするフィルタと、前記フィルタを加熱する第１ヒーターとを備える。本発明によれば、乾燥用流体が凝固された状態で乾燥槽に提供されることによって引き起こされるパーティクルの発生が抑制されるから、安定的かつ不良のない基板処理が可能になって、生産量又は歩留まりが向上するという効果がある。 （もっと読む）

本発明は、ワークピースを乾燥させる装置に関する。本発明による装置は、チャンバを有し、チャンバは、第１部分に洗浄流体を収容し、第２部分に乾燥領域を収容する。装置は、更に、洗浄流体中に配置されている間の複数のワークピースを支持するウェット移送アーム(204)と、ウェット移送アーム(204)を上昇させるときに複数のワークピースをウェット移送アーム(204)から受取るドライ移送アーム(202)を有する。ドライ移送アーム(202)及びウェット移送アーム(204)は、共通の駆動機構に連結され、共通の駆動機構は、第１モータ(220)及び第２モータ(222)を有する。第１モータ(220)は、ウェット移送アーム(204)及びドライ移送アーム(202)の両方を駆動し、第２モータ(222)は、ウェット移送アーム(204)とドライ移送アーム(202)の間の分離距離を制御する。
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【課題】 薬剤を効率的に基板表面に供給することでその消費量を抑制することができる洗浄処理方法および装置、ならびに基板の表面に発生する洗浄痕（ウォーターマーク）を低減することが可能な洗浄処理方法を提供すること。
【解決手段】 外側チャンバと内側チャンバからなる処理チャンバ内に保持された半導体ウエハＷの洗浄処理における薬剤を用いた乾燥処理を、半導体ウエハＷを停止または低速回転させた状態において、薬剤を吐出するノズルに薬剤を供給する薬剤供給管７７に薬剤（ＩＰＡ）を滞留させた後に薬剤供給管７７に高温のガスを供給することにより、薬剤を蒸気状として蒸気状の薬剤を基板に供給する工程と、薬剤の供給を停止した後に前記基板を前記低速回転よりも高い回転速度で高速回転させることにより前記基板に付着した薬剤を振り切る工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造においてウエハ上のウォーターマークの発生を著しく減少させたウエハの乾燥方法及びこの方法を実施する乾燥装置を提供する。
【解決手段】 ウエハの乾燥装置及び乾燥方法に関するものであり、洗浄処理されたウエハ１が乾燥機のチャンバー内に搬入され、乾燥開始前から乾燥終了に至る間、冷却装置８によって冷却を受け続ける。冷却方法としては、チャンバー内に導入される窒素などのパージガス９を供給する個所に冷却装置を付帯させ、パージ窒素を冷却した状態でチャンバー中に導入する。チャンバーに搬入されたウエハに冷却窒素ブローが施されることによりウエハが冷却され、ウエハ上に洗浄工程から残留している水滴も同様に冷却される。そして、乾燥後に出現することのある水ガラスは、残留水滴温度が低いほど水ガラス反応速度は遅くなるため水ガラス出現が抑制されることになって歩留まり低下が防がれる。 （もっと読む）

本発明は、ウェハのスタックをマイクロ波チャンバ中に載置し、ウェハをマイクロ波に曝してウェハ間の水分を蒸発させることによって、ウェハのスタックから複数のウェハを個別に分離する方法に関する。
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第１の態様では、流体内に置かれた基板の少なくとも一部分を乾燥するための方法が提供される。この方法は、プッシャーピンを、流体内に置かれている基板の縁に接触させることを含む。プッシャーピンは、（ａ）シャフト部分と、（ｂ）０．４２インチ以下の幅のナイフエッジを有し、そのナイフエッジで基板に接触し基板を支持するように適応された先端部分と、を有する。この方法は、更に、プッシャーピンで流体から基板を引き上げ、基板が流体から引き上げられているときに、乾燥蒸気に基板を曝すことを含む。種々なその他の態様が提供される。 （もっと読む）

シリコンウェハー等は、基板の中央領域に面する区画に配置された一つ以上の非接触部分を有する回転ブラシを用いるか、またはウェハー及び回転ブラシの相対位置を切り換えるか、またはウェハーの中央領域の方へ優先的に洗浄液を向けることによって、ウェハーの中央領域の特異な洗浄を補償する手段を取る新しいスクラバータイプ装置を用いて洗浄される。本発明の別の態様は、回転ブラシをローラー（１１０）で置換したスクラバータイプの洗浄装置を提供する。洗浄材のウェブ（１１６）を各ローラーと基板との間に介装する。洗浄材の様々の異なるウェブ、例えば一つの織物、表面が各洗浄パスで再生された洗浄材の連続ループ、キャリアテープ等に設けた接着剤等を用いることができる。
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【課題】 効率の良い半導体基板処理装置及び半導体基板を処理するための方法の提供すること。
【解決手段】 半導体基板処理装置には、半導体基板支持体と、半導体基板支持体の上に位置する分配ヘッドと、液体容器と、搬送サブシステムが含まれる。半導体基板は半導体基板支持体上に載置されてもよく、第１半導体処理液がその上に分配される。第１半導体処理液を除去するためにウエハを半導体基板支持体によってスピンさせてもよい。半導体基板を第２半導体処理液に浸漬させてもよい液体容器に搬送サブシステムが半導体基板を搬送させてもよい。その後、半導体基板が第２半導体処理液の表面と接触している半導体基板の表面に蒸気を送るとともに半導体基板が第２半導体処理液から取り出されてもよい。 （もっと読む）

集積回路（「ＩＣ」）基板を洗浄するための発明の方法、システム、および組成が説明される。本発明の洗浄方法は、帯電した溶液を生成するためにＩＣ基板の洗浄を促進するように選択された少なくとも１つの溶質を含む溶液を帯電させる段階であって、溶質の少なくとも一部が帯電した溶液中でクラスタとして存在する段階と、ＩＣ基板の洗浄のために帯電した溶液を移送する段階とを含む。本発明の洗浄システムは、集積回路基板の洗浄を促進するように選択された少なくとも１つの溶質を含む溶液を保有するための帯電チャンバと、帯電した溶液を生成するために帯電チャンバ中の溶液を振動させることができる第１の音響エネルギー源であって、溶質の少なくとも一部が帯電した溶液中でクラスタとして存在する第１の音響エネルギー源を備える。
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処理室内で超小型電子基板を処理するためのシステムであって、湿式処理から乾式処理への移行（特に、洗浄から乾燥への移行工程）のための改良された技術を含む。湿式処理語に流体供給ラインに残留する液体の少なくとも一部が、基板上に直接パージされるのを避ける通路を介して取り除かれる。また、本発明は、関連した方法を含んでいる。
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