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Fターム[5F157AB34]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 被洗浄物の支持 (5,429) | 被洗浄物の姿勢 (1,840) | 被洗浄物が垂直 (299)

Fターム[5F157AB34]に分類される特許

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【課題】2種類の薬液の混合液を用いて被処理基板から汚染物質を除去する処理にあたり、前記混合液による汚染物質の除去能の低下を抑制することが可能な基板処理装置などを提供する。
【解決手段】
処理槽21には、被処理基板Wを浸漬し処理するための第1の薬液と、加熱されることにより、当該第1の薬液より蒸気圧が高く、被処理基板に対して不活性な物質を生成する第2の薬液と、の混合液が貯溜され、加熱部412は、処理槽21内の混合液を加熱し、第1、第2の薬液供給部430、420は、混合液に第1、第2の薬液を補充供給する。制御部5は、混合液を第1の温度に加熱して被処理基板Wの処理を実行し、処理を行っていない期間中は、当該混合液の温度を第1の温度より高い第2の温度に加熱すると共に、加熱によって蒸発した混合液を補充するために、第1の薬液を補充供給するための制御信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Wに形成された凸形状パターンの表面に撥水性保護膜を形成するために、基板表面に撥水化剤106を供給する。撥水化剤を供給する前に、酸化力の強い薬液103を供給するか、又はUV光を照射して、凸形状パターン表面を強制的に酸化させる。これにより、凸形状パターン表面に撥水性保護膜が形成され易くなり、乾燥処理時の凸形状パターンの倒壊を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】 アルカリ成分がオゾン洗浄液に混入することを抑制して、オゾン洗浄能力の低下が抑制できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】 チャック部材で、予めオゾン洗浄槽内のオゾン洗浄液に浸漬していた他の被処理物を保持するに先立ち、搬送アームの一部およびチャック部材に付着したアルカリ成分を洗浄除去して、アルカリ成分がオゾン洗浄液に混入するのを抑制することを特徴とする洗浄方法。 (もっと読む)


【解決手段】低表面張力液体を用いてウエハを処理及び乾燥するシステムは、低表面張力液体の沸点よりも25℃低い温度以上の温度まで低表面張力液体を加熱することが可能な第1の熱源を備える低表面張力液体源と、加熱された低表面張力液体を空気/液体界面領域に供給する供給機構と、空気/液体界面領域に向けて配置される第2の熱源であって、低表面張力液体の沸点よりも少なくとも2℃高い温度まで空気/液体界面領域を加熱可能な第2の熱源と、を備える。また、低表面張力液体を用いてウエハを処理する方法を記載する。 (もっと読む)


【課題】硫酸と過酸化水素水との混合液を用いて被処理基板から汚染物質を除去する処理にあたり、前記混合液による汚染物質の除去能の低下を抑制することが可能な基板処理装置などを提供する。
【解決手段】
処理槽21には、被処理基板Wを浸漬し処理するための硫酸と過酸化水素水との混合液が貯溜され、加熱部412は、処理槽21内の混合液を循環させる循環路410、22に設けられて混合液を加熱し、過酸化水素水供給部420は、循環路410、22における加熱部412の下流側であって、当該循環路410、22の出口の直前位置にて混合液に過酸化水素水を補充供給する。制御部5は、液温検出部25の温度検出値に基づいて処理槽21内の液温を135℃〜170℃の範囲の設定温度に調節すると共に、加熱によって蒸発した混合液を補充するために硫酸供給部430より硫酸を補充供給するように制御信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハー表面にパーティクルの付着無く、半導体ウエハー及び収納カセットにウォーターマークが発生せず、スピンドライヤーを使用せず乾燥装置内で静止状態で迅速に半導体ウエハーを乾燥する方法及びその乾燥装置を提供する。
【解決手段】カセット内の各収納室に収納された洗浄後の半導体ウエハーを乾燥装置1内に導入し、半導体ウエハーを収納したカセットを乾燥装置1内の乾燥室1cに固定する工程と、乾燥室1c内の上部の噴射ノズルから放射状熱風を強制噴射する工程と、温風噴射停止後、室内の半導体ウエハー及び収納カセットに付着した残余水分を真空乾燥に一定温度条件下で短時間に蒸発乾燥させる工程と、その後、大気圧に戻し再度噴射ノズルにて半導体ウエハー及び収納カセットに熱風を放射状に強制噴射する工程と、再度、温度条件下で真空乾燥する工程を繰り返す。 (もっと読む)


【課題】簡易かつ低コストでウエハ表面に形成されたレジスト膜を除去する方法及び装置を提供する。
【解決手段】表面上にレジスト膜が形成された複数のウエハを所定の間隔で平行配置するとともに、前記洗浄槽内にオゾン水を供給する。次いで、前記洗浄槽内で、前記ウエハの前記表面に沿うようにして前記オゾン水の上下流を形成し、前記レジスト膜を除去して洗浄する。次いで、洗浄後の前記オゾン水を排出する。 (もっと読む)


【課題】被処理体の全域を均一に超音波洗浄することができる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明による超音波洗浄装置1は、洗浄液を貯留する洗浄槽10と、洗浄槽10内に挿入可能に設けられ、被処理体Wを保持して洗浄液に浸漬させる被処理体保持装置20と、洗浄槽10の底部に設けられた振動子40と、振動子40に超音波振動を生じさせる超音波発振装置42とを備えている。洗浄槽10内には、被処理体Wを保持する側部保持部材50が設けられている。また、被処理体保持装置20は、駆動装置26によって側方に移動するようになっている。制御装置44は、被処理体Wを側部保持部材50に保持させた後、被処理体保持装置20を側方へ移動させるように駆動装置26を制御すると共に、振動子40に超音波振動を生じさせて振動子40からの超音波振動を被処理体Wに伝播させるようになっている。 (もっと読む)


【解決手段】 洗浄装置を提供する。洗浄装置は、ベースから延びる側壁によって形成されたタンクを含む。対向する側壁の上部分に形成された複数の流体出口は、上部分の長さと上部分の深さにわたって延びる配列として配置される。複数の流体出口は、水平流体流れをタンクの内部に提供するように構成される。水平流体流れは、一番上の流れがタンクの内側中間領域まで進み、各々の引き続く下方の流れが、その引き続く下方の流れが出る側壁により近く進むように配置され、水平整列流体流れの各々の方向は、タンクの底に向かう垂直整列流体流れに層流的に変えられる。支持体群が、タンクの下部分に配置される。再循環ポンプが、タンクのベースより下に配置される。基板洗浄方法も提供する。 (もっと読む)


【課題】疎水性ウェーハを洗浄する優れた方法および装置を提供する。
【解決手段】疎水性ウェーハを洗浄するために界面活性剤を使用する方法および装置が提供される。第1の態様では、本方法は、純DI水をウェーハへ供給することなくウェーハを洗浄および乾燥することができる。第2の態様では、本方法は、界面活性剤溶液がウェーハからリンスされると直ちに、またはその前にDI水の供給が停止するように、短い時間だけ純DI水をウェーハへ供給することによってウェーハを洗浄することができ、その後、ウェーハが乾燥される。別の態様では、疎水性ウェーハは、洗浄装置間で移送される間、界面活性剤で湿潤されたままであり、希釈界面活性剤により、または短時間のDI水の噴霧によりリンスされた後、乾燥される。 (もっと読む)


本明細書で説明される諸実施形態は、ブラシ洗浄モジュールに利用できるローラアセンブリに関する装置および方法に関する。一実施形態では、ローラアセンブリが説明される。このローラアセンブリは、基板の周辺部に沿って基板の主要面と接触するように適合された少なくとも2つのほぼ平行に対向する側壁を有する環状溝を含み、対向する側壁のそれぞれは、基板の周辺部の厚さ未満の予圧寸法を有する圧縮性材料を含む。
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【課題】純水の表面張力を低減することにより、微細パターン倒れを防止する基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】制御部59は、処理槽1に疎水化溶液を供給させて、処理槽1内の純水を置換させるとともに、疎水化溶液により基板Wの改質処理を行わせる。改質処理により基板Wの表面全体が疎水化される。制御部59は、純水を処理槽1に供給させて基板Wをリンス処理させた後、保持機構39を上方位置に移動させるが、基板Wは疎水化されているので、純水の液残りを少なくすることができるともに、純水により基板Wの微細パターンにかかる表面張力を非常に小さくできる。したがって、純水から上方へ基板Wを持ち上げても、基板Wの微細パターンが純水の表面張力により受ける力を低減でき、基板Wの微細パターンが倒れるのを防止できる。 (もっと読む)


【課題】乾燥ガスが光透過部材から被処理基板上に滴下することを防止することにより、製品歩留まりの低下を防止することが可能な乾燥室、洗浄・乾燥処理装置、被処理基板を乾燥する乾燥処理方法、および記録媒体を提供する。
【解決手段】乾燥室10は、被処理基板Wを収容する乾燥室本体11と、乾燥室本体11の内壁11aに設けられた光透過部材12と、乾燥室本体11の内壁11aと光透過部材12との間に設けられた加熱用光源13とを備えている。光透過部材12の下方には、光透過部材12側に向けて乾燥ガスを供給するガス供給部14が設けられている。光透過部材12の内面12aは、乾燥ガスがこの光透過部材12の内面12aに液膜として付着するように表面処理が施されている。 (もっと読む)


【課題】洗浄工程における洗浄性能の向上と、被洗浄体に与えるダメージの低減とを図る。
【課題手段】
スポンジローラ1は、湿潤状態で弾性を有するポリビニルアセタール系樹脂多孔質素材によって構成され、略円筒形状のロール体3と、ロール体3の外周面3a上に一体形成された複数の突起5とを有し、これら複数の突起5を被洗浄面に回転接触させて被洗浄面を洗浄する。スポンジローラ1を構成するポリビニルアセタール系樹脂は、アニオン性官能基を有する。 (もっと読む)


【課題】被処理物の処理を悪影響がなく、オゾン気泡が容易に脱気しないことにより、充分な処理効果を得ることのできるオゾン水処理方法及びオゾン水処理装置を提供する。
【解決手段】添加物を含めない方法によって生成された超微細粒径のオゾン気泡を含有するオゾン水を用いて被処理物を処理するオゾン水処理方法及びオゾン水処理装置で、特に、超微細粒径のオゾン気泡を含有するオゾン水を加熱して被処理物の処理効率を向上させる。 (もっと読む)


【課題】基板の主面及び裏面の汚染を防止する基板処理方法、基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、マスク用基板3の側面3c、3dを保持する保持部としての基板チャック14と、マスク用基板3の処理対象面に処理液5を吐出する処理液吐出部126と、マスク用基板3に吐出した処理液5に向けて気体4を吐出し、処理液5をマスク用基板3から分離させる気体吐出部122と、を備えて概略構成されている。 (もっと読む)


【課題】小型化および低価格化することが可能な複数の洗浄槽を有する超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明による超音波洗浄装置1は、洗浄液を貯留し、被処理体Wが浸漬可能な複数の洗浄槽10と、各洗浄槽20に設けられた振動子30と、各振動子30に超音波振動を生じさせる単一の超音波発振器41とを備えている。この超音波発振器41と各洗浄槽10の振動子30との間に、この超音波発振器41に接続される振動子30を切り替える出力切替器50が介在されている。また、超音波発振器41および出力切替器50を制御する制御器46が設けられている。この制御器46は、一の洗浄槽10の振動子30に超音波振動を生じさせるタイミングと、他の洗浄槽10の振動子30に超音波振動を生じさせるタイミングが重ならないように超音波発振器41および出力切替器50を制御する。 (もっと読む)


【課題】隣接する基板同士の付着を防止しつつ、複数の基板を一括して処理する基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】可撓性を有する複数の基板Wが所定間隔にて起立姿勢でバスケット5に保持されて気相処理槽10内に収容されている。気相処理槽10の底部を構成する貯留部21にはフッ化水素酸が貯留される。常温のフッ化水素酸からは、処理ガスとしてのフッ酸蒸気が蒸発して生成される。また、ファン23が作動して貯留部21内のフッ化水素酸の液面からバスケット5の内部を通過して循環経路24を流れて再び貯留部21に還流する気流が形成される。このような気流によってフッ酸蒸気がバスケット5内部の複数の基板Wに供給され、エッチング処理が進行する。気相エッチング処理であれば隣接する基板W間に液相の表面張力が作用することは無く、それらが付着することが防止される。 (もっと読む)


キャリア上の基板をクリーニングする装置及び方法において、複数の基板が、互いに平行で、互いから僅かに離れるように、キャリアの下側に固定され、キャリアが、その内部において、互いに平行に延びる複数の縦方向の通路を有する。ウェーハのソーイングの結果として、通路は、開口を介して基板間の隙間に結合する。相対移動の結果として、細長いチューブから出るクリーニング液が縦方向の通路の一つに供給され、キャリアの移動によって相対移動が行われる。
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【課題】洗浄液に振動音響力を与えて半導体基板の表面を洗浄する方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板30表面が圧電変換器32から所定の距離になるように基板を配置する工程、基板と変換器との間に洗浄液5を供給する工程、変換器に交流の電流と電圧を供給することにより洗浄液に振動音響力を与える工程、基板と変換器を相対的に移動させる工程、表面と変換器との間の距離を測定する工程、または変換器に供給される電流と電圧との間の位相シフトを測定する工程、測定された距離を所望の距離と比較する工程、または測定された位相シフトを所望の位相シフトの値と比較する工程、表面と変換器との間の距離を調整して、この距離を所望の距離に実質的に等しくなるように維持する工程、または位相シフトを所望の位相シフトの値に等しくなるように維持する工程よりなる。 (もっと読む)


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