【課題】液交換後の温調時に内槽ドレイン配管への通液を行うことにより、廃液設備への悪影響が生じることを防止するとともに、装置への悪影響が生じること及びプロセス不良を防止することができる。
【解決手段】制御部３３が、古い燐酸溶液を排出した後、処理槽１に新たな燐酸溶液を供給する。その燐酸溶液をポンプＡＰで外槽５、循環配管７、内槽３に至る通常循環経路で循環させつつ燐酸溶液の温調を行うが、温調が完了するまでに少なくとも一度は内槽ドレイン配管１１を通る一時経路に処理液を流通させる。したがって、古い燐酸溶液が内槽ドレイン配管１１に残留していたとしても、新たな燐酸溶液で置換することができる。その結果、内槽ドレイン配管１１に残留していた古い燐酸溶液に起因して廃液設備に悪影響が及ぶことを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】エッチング等における基板に付着するパーティクルを減らす。
【解決手段】基板を、前記基板を洗浄するための薬液に浸漬させ、前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記薬液内における前記基板の上方に網部を設置し、前記基板を取り出す方向に前記網部を移動させることにより、パーティクルを前記薬液内から除去し、前記薬液内より前記パーティクルが除去された後に、前記基板を前記薬液より取り出すことを特徴とする基板処理方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】容器中の液体を通る音波の行動により基板を洗浄し、容器中で実質的に音波の反射が発生しない方法に関する。洗浄効率に関して大きな改良を得る。
【解決手段】基板は、洗浄液を含むタンク中に、液体中で形成された音波に対して所定の角度で配置される。この角度は、伝達角度に対応し、即ち、基板表面から波が反射されない角度に対応する。減衰材料はタンク中に配置され、基板を通って伝達される全ての波を実質的に吸収するように配置される。 （もっと読む）

【課題】洗浄槽から引き上げた基板の下端部に液滴が残って不純物やパーティクル等が基板に残留するのを抑制することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】洗浄液を貯留し、該洗浄液に対して基板を浸漬することができる洗浄槽と、前記洗浄槽の上方に配置され、前記基板を収容可能な乾燥室と、複数の基板を直立に保持し、前記洗浄槽と前記乾燥室とを往復可能に設けられる基板保持搬送部と、前記乾燥室に設けられ、前記乾燥室内へ有機溶剤の蒸気を供給する第１の供給部と、前記基板保持搬送部により前記乾燥室において保持される前記基板の下端部に乾燥ガスを供給可能な第２の供給部とを備える基板処理装置により上記課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】基板処理に伴うパーティクルの再付着を抑制するとともに、基板処理の均一性を向上する。
【解決手段】処理槽内の液面レベルを、処理槽内に保持される基板よりも下の液面レベルに制御し、その処理液を、第１循環手段に備えられた第1吐出部から基板に向けて処理槽内で空中吐出する。そのため、基板は処理槽内に貯留された処理液と接触することがなく、基板処理に使用した後の処理液中に含まれるパーティクルが基板に再付着することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】気体供給手段から供給される乾燥用気体の供給量を制御することにより、基板へのパーティクル等の付着を防止し、基板の処理環境を一様にできる
【解決手段】ステップＳ４の基板搬出動作において、チャンバー１１内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかが判断される（ステップＳ４２）。チャンバー１１内を陽圧にすべきと判断された場合、ドライエア供給装置３１に内蔵された発生器内インバータを調整して、ドライエアの供給量を増加させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３の開口が絞られる（ステップＳ４３）。チャンバー１１内を負圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵された発生器内インバータを調整して、ドライエアの供給量を減少させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３を開放している（ステップＳ４４）。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を乾燥させる際に、基板表面における乾燥ムラの発生を防止できる基板保持具、およびこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１の保持部材３６ａおよび第２の保持部材３６ｂの下部には、ボルト３８ａ用の貫通孔３６ｃ、貫通孔３６ｄが複数箇所形成されている。第１の保持部材３６ａにおける貫通孔３６ｃよりも下側に直線の切欠部３６ｅが形成されるとともに、第２の保持部材３６ｂにおける貫通孔３６ｄよりも下側に直線の切欠部３６ｆが形成されている。このため、貫通孔３６ｃ、貫通孔３６ｄに処理液の液滴がたまることがない。したがって、複数枚の基板Ｗを乾燥させる際に、処理液の液滴が原因で発生する基板Ｗ表面における乾燥ムラを防止できる。 （もっと読む）

【課題】処理液が微細パターンの先端側から抜けるのを抑制することにより、基板に形成された微細パターンの倒壊を防止することができる。
【解決手段】純水ＤＩＷによる洗浄処理においては、図３（ａ）に示すように基板Ｗの微細パターンｍｐが純水ＤＩＷで覆われているが、乾燥処理時においては、図３（ｂ）に示すように基板Ｗの微細パターンｍｐの側方に純水ＤＩＷが排出される。したがって、基板Ｗの上面に形成されている隣接した微細パターンｍｐの先端部同士が引き合う方向の力を極めて小さくすることができる。その結果、純水ＤＩＷの表面張力によって微細パターンｍｐが倒壊することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】イオン注入されたレジストを除去する際に、レジスト生じた好ましくない化学的変化の影響を小さくできる方法、装置および化学物質を提供すること。
【解決手段】実施形態の方法は、炭化材料および有機材料の少なくとも一方を半導体構造から除去する方法であり、超酸種を具備する超酸組成に前記半導体構造を接触させることを具備する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を乾燥させる際に、基板表面における乾燥ムラの発生を防止できる基板保持具、およびこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１の保持部材３６ａおよび第２の保持部材３６ｂの下部には、ボルト３８ａ用の貫通孔３６ｃ、貫通孔３６ｄが複数形成されており、貫通孔３６ｃ及び貫通孔３６ｄの形状は、固定具３８のボルト３８ａの外径よりも大きい孔で、楕円形であるので、貫通孔３６ｃ、貫通孔３６ｄに処理液の液滴がたまることがない。このため、複数枚の基板Ｗを乾燥させる際に、処理液の液滴が原因の基板Ｗ表面における乾燥ムラの発生を防止できる。また、第１のワッシャー３７ａの下部に直線の切欠部３７ｃが形成され、第２のワッシャー３７ｂの下部に直線の切欠部３７ｄが形成されているので、貫通孔３６ｃ及び貫通孔３６ｄから切欠部３７ｃ及び切欠部３７ｄを通って、スムーズに処理液の液滴を排出することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を一括して容易に乾燥することができる乾燥ユニットおよび基板処理装置を提供する。
【解決手段】乾燥部７０は、複数の基板Ｗを一括して乾燥させる乾燥ユニットである。乾燥部７０は、主として、乾燥チャンバ７１と、貯留槽７２と、排出管７１ａ、７２ａと、バルブ７１ｂ、７２ｂと、吐出ノズル８７（８７ａ、８７ｂ）と、を備えている。ＩＰＡによる純水の置換処理において、貯留槽７２に複数の基板Ｗが浸漬されると、吐出ノズル８７から乾燥チャンバ７１内にＩＰＡの蒸気が供給され、純水８０ａの液面８０ｂにＩＰＡの液膜８０ｃが形成される。続いて、貯留槽７２から純水８０ａが排出され、ＩＰＡの液膜８０ｃが、下降させられる。そして、各基板Ｗの基板面とＩＰＡの液膜８０ｃとが接触することによって、各基板Ｗに付着した純水が、ＩＰＡに置換される。 （もっと読む）

【課題】マランゴニー対流を用いる乾燥方式で乾燥させる際に、薄板状基板と基板支持治具との支持接点に残り易い液滴残渣を少なくし、良好な品質で安定した乾燥を可能とする基板支持治具を提供すること。
【解決手段】基板を洗浄し、その後マランゴニー乾燥させるために用いる基板支持治具が、前記基板を直立させて保持するための支持板を備え、該支持板が前記基板の支持用接点に溝を有し、前記支持板表面の純水に対する接触角が１５度以下であるとする。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる際に用いられる半導体基板の表面処理剤を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面処理剤は、半導体基板上に形成され、少なくともそれぞれの一部にシリコンを含む膜を有し、表面が洗浄及び改質され、表面にヒドロキシル基を有する複数の凸形状パターンに対して供給されるものであって、前記ヒドロキシル基と反応する加水分解基を含み、前記シリコンを含む膜の表面に、前記シリコンを含む膜よりも水に対する濡れ性の低い撥水性保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】タンクである容器の破損を抑制しつつ、効率的に溶剤蒸気を発生できる蒸気発生装置を提供する。
【解決手段】
この蒸気発生装置３７では、フランジ７５ａを有する支持部材７５、第１凹部７５ｂ、及び第１Ｏリング７６により、タンク７１を下側から支持しているので、従来のような加熱手段からの熱による熱応力により、接着シールが破損することもなく、タンク７１の支持機能を維持することができる。また、支持部材７５、支持部材７５の側部に形成された第２凹部７５ｃ、及び第２Ｏリング７７により、タンク７１を側部から支持しているので、第２Ｏリング７７によりタンク７１の側部下側の熱変形に対応できる。さらに、上側アルミ板８１の上部とタンク７１との間には伝熱スポンジ８４が設けられているので、タンク７１の底面の反りとヒータ４１の反りに対応できる。 （もっと読む）

【課題】フッ素を含有する溶媒からの遊離フッ素による、チャンバの腐食や半導体デバイスの電気的特性の劣化を防止する。
【解決手段】超臨界乾燥装置は、密閉可能な第１容器と、前記第１容器内に設けられたフッ素吸着剤と、前記第１容器内に設けられ、半導体基板を収容する第２容器と、前記第１容器の内部を加熱するヒータと、前記第１容器に連結された配管と、前記配管に設けられたバルブと、を備える。フッ素含有溶媒の加熱により発生した遊離フッ素はフッ素吸着剤に吸着される。 （もっと読む）

【課題】超音波の減衰や洗浄槽内での不均一な液流の影響を受けることなくウェーハ面内をムラ無く均一に洗浄することが可能なウェーハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄液２で満たされた洗浄槽１１と、洗浄槽１１内でウェーハ１を揺動可能に保持する受け台１２と、ウェーハ１を保持して上下方向に移動させるウェーハチャック１３とを備えている。ウェーハ１の回転動作時には、受け台１２の揺動角度が−θ度の位置でウェーハ１が受け台１２から浮いた状態となるようにウェーハチャック１３でウェーハ１を持ち上げる。次に、受け台１２だけを回動させて＋θの角度まで傾けた後、ウェーハチャック１３を開放してウェーハ１を再び受け台１２に載せることによって、ウェーハ１を周方向に回転させる。 （もっと読む）

【課題】 定在波の抑制を確実に行うことで、被洗浄物の表面に発生する縞模様を無くして洗浄品質を向上させる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】 洗浄層内の溶液に振動を与える超音波振動子と、洗浄層内の音圧を測定する音圧測定部と、ＡＭ変調波電力を発振して超音波振動子に供給する超音波発振部と、音圧測定部で測定した音圧に基いて超音波発振部が発振するＡＭ変調波電力の周波数および電力を制御する制御部をもつ超音波洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】基板に付着した異物を効率的に除去することができ、異物の再付着を抑制しうる洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板を処理するための処理室と、処理室内に設けられ基板を支持する支持台と、処理室内に設けられ基板に気体を噴射する気体噴射機構と、基板に噴射する気体の温度が処理室の内壁の温度よりも高くなるように制御する温度制御機構とを有し、気体噴射機構から噴射した気体の風圧により、基板に付着した異物を除去する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体の表面特性を向上できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、以下の工程を備えている。ＳｉＣ半導体の表面にイオン注入する。表面に酸化膜を形成する。酸化膜を除去する。形成する工程では、１５０ｐｐｍ以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、ＳｉＣ半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨のプロセス後、シリコンからなる半導体ウェハから研磨された表面および裏面の研磨プロセスの残渣を取除く。
【解決手段】シリコンからなる半導体ウェハを半導体ウェハの化学機械研磨のプロセス直後に洗浄するための方法であって、ａ）半導体ウェハを研磨板から第１の洗浄モジュールに搬送し、搬送中、半導体ウェハの両側面に、少なくとも１回、１０００Ｐａ以下の圧力で水を吹付ける工程と、ｂ）回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、ｃ）半導体ウェハの側面に、７００００Ｐａ以下の圧力でフッ化水素および界面活性剤を含有する水溶液を吹付ける工程と、ｄ）半導体ウェハの側面に、２００００Ｐａ以下の圧力で水を吹付ける工程と、ｅ）半導体ウェハをアルカリ性洗浄水溶液に浸漬する工程と、ｆ）回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、ｇ）半導体ウェハに水を吹付ける工程と、ｈ）半導体ウェハを乾燥する工程とを、示す順に含む方法。 （もっと読む）