【課題】蒸気乾燥装置および蒸気乾燥方法において、被乾燥物に付着した水分中や溶剤中に不純物が含まれていても、シミが発生しにくくなるようにする。
【解決手段】溶剤蒸気４Ａを供給する蒸気源３と、被乾燥物Ｗを搬入および搬出する開口部２ａを有し開口部２ａの下方に蒸気源３から供給された溶剤蒸気４Ａを充満させて蒸気充満領域Ｖを形成する乾燥槽２と、被乾燥物Ｗを乾燥槽２の内外にわたる搬送路Ｍに沿って搬送する搬送機構７と、搬送機構７によって乾燥槽２に搬入された被乾燥物Ｗを、溶剤蒸気４Ａの温度以上であって溶剤蒸気４Ａとは異なる加熱源によって加熱する加熱部８と、を備える蒸気乾燥装置１を用いて乾燥を行う。 （もっと読む）

【課題】置換される液体の種類に応じて処理槽内の流れを調節することが可能な液処理装置等を提供する。
【解決手段】内部に被処理基板Ｗを収容し、液処理が行われる処理槽２２は上部に開口部２２２が形成されると共に、下部には置換液の供給、及び液体の排出が行われる下部ポート２２６が設けられ、この開口部２２２に対して着脱自在に構成された蓋部２３には液体の供給、気体の排出を行うための上部ポート２３４が設けられている。搬送機構４は、保管部５と処理槽２２との間で、上部ポート２３４から供給された液体の流れを調節するために、被処理基板Ｗとの間に交換可能に取り付けられ、互いに開口面積が異なる孔部が形成された第１の整流板または第２の整流板を搬送し、乾燥雰囲気形成部は乾燥防止用の液体が満たされた処理槽２２内を高圧流体の雰囲気とした後、減圧して被処理基板Ｗを乾燥する。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや処理むらの発生を抑制しつつ被処理基板の液処理を行う液処理装置等を提供する。
【解決手段】内部に被処理基板Ｗを収容し、液処理が行われる処理槽２２は上部に開口部２２２が形成されると共に、下部には流体の供給、排出が行われる下部ポート２２６が設けられ、前記開口部２２２を塞ぐ蓋部２３には流体の供給、排出を行うための上部ポート２３４が設けられている。下部ポート２２６からは液体が供給されて処理槽２２内の気体が置換され、上部ポート２３４からは前記液体と置換され、被処理基板Ｗを処理する処理液及びその乾燥を防止する液体が供給される。さらに高圧流体雰囲気形成部は乾燥防止用の液体が満たされた処理槽２２内を高圧流体の雰囲気とした後、減圧して被処理基板Ｗを乾燥する。 （もっと読む）

【課題】汎用の洗浄装置を用いても十分な除去速度を達成することができるフォトレジストの除去方法を提供する。
【解決手段】バッチ処理式洗浄装置１０は、大気に開放され、過飽和オゾン水１４を貯留する浸漬槽１１と、過飽和オゾン水１４を浸漬槽１１の底部から供給する過飽和オゾン水供給配管１２と、過飽和オゾン水供給配管１２内を流れる過飽和オゾン水１４の流量を調節するニードルバルブ１３とを備える。枚葉処理式洗浄装置２０は、過飽和オゾン水１４を吐出してフォトレジストに吹き付けるためのノズル２１と、過飽和オゾン水１４をノズル２１に供給する過飽和オゾン水供給配管２２と、過飽和オゾン水供給配管２２内を流れる過飽和オゾン水１４の流量を調節するニードルバルブ２３と、フォトレジストが表面に形成されたシリコンウェーハ１５をノズル２１に対向させて載置する載置台２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 基板面内や基板間の処理のバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理基板１が収容される槽ＴＫと、処理槽ＴＫ内に液体、気体、又は液体と気体との両方を送り出す送出機構ＴＢ、Ａと、処理基板１に対して、液体、気体、又は気体と液体との両方が槽ＴＫ内へ送り出される位置と対向する位置から槽ＴＫ内の液体、気体、又は気体と液体との両方を排出する排出手段１０、２０、３０、４０と、を備えた基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】エッチング後のウェーハにおいて、残留エッチング液による再反応を、コストを増大することなくかつ簡便に抑制できるウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウェーハＷを浸漬可能なリンス槽３１に満たされた洗浄液Ｌの液面Ｌ１より上方に上方ノズル３４を設け、ウェーハＷを立てた状態で洗浄液Ｌに浸漬し、上方ノズル３４からリンス槽３１の底部に向かって噴射液Ｆを噴射して、空気を巻き込みながら噴射液Ｆをリンス槽３１内に導入することでウェーハＷを洗浄する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ表面および近傍の不純物を除去して高清浄化する半導体ウエハの洗浄方法を得ること。
【解決手段】実施の形態にかかる半導体ウエハの洗浄方法は、酸化膜を形成する第１の薬液を用いて半導体ウエハを洗浄する第１洗浄工程（Ｓ１０１）と、前記第１洗浄工程の後に、フッ酸（ＨＦ）を含む溶液で前記半導体ウエハを洗浄する第２洗浄工程（Ｓ１０３）と、前記第２洗浄工程の後に、フッ酸（ＨＦ）と酸化剤を含む溶液で前記半導体ウエハを洗浄する第３洗浄工程（Ｓ１０５）と、前記第３洗浄工程の後に、酸化膜を形成する第２の薬液を用いて前記半導体ウエハを洗浄する第４洗浄工程（Ｓ１０７）と、前記第４洗浄工程の後に、フッ酸（ＨＦ）を含む溶液で前記半導体ウエハを洗浄する第５洗浄工程（Ｓ１０９）とを有する。 （もっと読む）

【課題】洗浄における異物の除去効率の向上した洗浄装置を得ること。
【解決手段】上部に達した異物を含んだ洗浄液Ｗの一部は、洗浄槽１０の内壁１４に沿って下方に向かう。下方に向かった洗浄液Ｗは、第１の出口１６から排出される。ここで、導入口１２と内壁１４との間に導入口１２を取り囲むように設けられた中間壁１５が存在するため、内壁１４に沿って下方に向かった洗浄液Ｗは、中間壁１５に邪魔されて導入口１２に向かいにくくなる。したがって、洗浄によって剥離された異物が、導入口１２から噴出した洗浄液Ｗの流れによって再びウェーハー基板Ｓに向かいにくくなり、効率よく第１の出口１６から排出され、洗浄槽１０に滞留する異物の濃度を低くでき、異物がウェーハー基板Ｓに再付着する可能性の低い、洗浄における異物の除去効率の向上した洗浄装置１００を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 基板に付着したパーティクルなどの異物汚染を効率的に除去することができ、半導体装置などの製品歩留りを向上させることができる基板のウェット洗浄方法を提供する。
【解決手段】 例えば洗浄薬液に超音波を与えてウエハを洗浄する場合、洗浄前のウエハ上に付着したパーティクル数の基板内分布と超音波洗浄槽内の音圧分布に基づいて、洗浄効率が最大となるような洗浄液中のウエハ配置方向を求め、求めたウエハ配置方向を洗浄すべきウエハに設定し、その配置方向を洗浄液中で維持しながら洗浄処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 洗浄液に溶解している気体の濃度を制御することで、被洗浄物へ洗浄効果を高めると同時に、気泡による被洗浄物へのダメージを最小限に抑えることができる超音波洗浄装置を提供すること。
【解決手段】 超音波洗浄装置１は、洗浄液７００に対して超音波振動を照射する振動子２００と、超音波振動を照射された洗浄液７００を用いて被洗浄物８００を超音波洗浄処理する洗浄処理部１００と、振動子２００を超音波振動させるために、電気信号を振動子２００に付与する発振器３００と、洗浄液７００に気体４１０を溶解する気体溶解部４００と、洗浄液７００において超音波振動から音圧Ｐを測定する音圧測定部５６０と、洗浄液７００を脱気する脱気部５８０と、音圧測定部５６０によって測定された音圧Ｐを基に、脱気部５８０を制御して洗浄液７００に対する気体４１０の脱気量を制御する制御部６００とを有している。 （もっと読む）

【課題】基板の処理速度を向上させることができる基板の処理装置および処理方法を提供すること。
【解決手段】処理装置１は、基板２が槽１１内の液体Ｌに浸漬した状態で、供給口１１１から排出口１１２へ向かって液体を流す際に、鉛直方向上方側から下方側に向かって基板面に沿って流れる流体の流れを乱す手段１８を備える。 （もっと読む）

【課題】リードタイムを短くし、処理性能において従来よりも信頼性のあるレジスト除去方法を提供する。
【解決手段】被処理物の処理表面に付着したレジスト膜を除去する方法であって、被処理物の処理表面に付着したレジスト膜に対し、大気圧から１００Ｐａの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性水素原子を供給することによるドライ処理と、大気圧から１００Ｐａの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性酸素原子を供給することによるドライ処理及び／又は薬液によるウェット処理とを行う。 （もっと読む）

【課題】基板表面を水溶液が乾燥することなく、基板表面を均一に洗浄することができる基板洗浄方法及び基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法及び基板洗浄装置は、基板の洗浄に有効な成分を含んだ水溶液に、前記基板を浸漬して洗浄を行う洗浄工程と、洗浄工程と移動工程とを備え、洗浄と移動工程が行われる空間領域を加湿する加湿工程と洗浄の次工程として水洗工程を有し、基板洗浄装置は、基板を洗浄する洗浄部と洗浄後の基板を次工程に移動する移動部とを備え、洗浄部と移動部が備えられる空間領域を相対湿度６０％ＲＨ以上１００％ＲＨ未満に加湿する加湿部と洗浄後の基板を水洗する水洗部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、被処理基板に略均一に乾燥流体を供給するようにして乾燥不良をなくし、薬液・洗浄処理及び乾燥処理の一連の処理を効率的に行なえる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 洗浄槽３と、その上方に設けた乾燥室６との間にシャッター部材８を設けるとともに、シャッター部材８の略中央部に乾燥流体を排出させるための排気口９_１を形成し、上記乾燥室６の上部には、両側壁の対向する面のそれぞれに乾燥流体を噴射する噴射ノズル１５ａ，１５ｂを設け、これら噴射ノズルに設けた複数の噴射口を互いに対向させ、これら噴射口から水平方向に噴射させた乾燥流体を上記乾燥室６の上方中央部で衝突させてから排気口９_１に導いて、下方に向かう乾燥流体の流れを形成する。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に処理槽内の薬液の温度を均一にして、複数の基板を均一に薬液処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、互いに対向する一対の側壁１０ａ、１０ｂを有し、薬液を貯留して複数の基板を薬液処理する処理槽１０と、複数の基板を起立させて保持する保持部２１と、保持部２１に連結され、処理槽１０内に搬入された際に、保持部２１に保持された基板と処理槽１０の一方の側壁１０ａとの間に介在される背部２２とを有し、保持部２１に保持された基板を薬液に浸漬させる基板保持機構２０とを備えている。処理槽１０に、貯留された薬液を加熱する加熱器８０が設けられている。この加熱器８０は、一方の側壁１０ａに設けられた第１加熱器８１と、他方の側壁１０ｂに設けられた第２加熱器８２と、を有しており、第１加熱器８１の出力と第２加熱器８２の出力は個別に制御される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体に対する洗浄効果を発現できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、ＳｉＣ半導体の表面に酸化膜を形成する工程と、酸化膜を除去する工程とを備え、酸化膜を形成する工程では、３０ｐｐｍ以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、ＳｉＣ半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物を超音波洗浄した後の洗浄ムラの発生を抑制できる超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、洗浄液２３が入れられる洗浄槽２１と、前記洗浄槽内の洗浄液に浸漬された被洗浄物２２に超音波振動を与える第１及び第２の超音波振動子３４ａ，３４ｂと、前記第１の超音波振動子に高周波出力を印加する第１の超音波発振器３６と、前記第２の超音波振動子に高周波出力を印加する第２の超音波発振器３７と、前記第１及び第２の超音波発振器の少なくとも一方の出力を変動させて制御するコントローラ３８と、を具備し、前記第１の超音波振動子から発振された第１の超音波を、前記第２の超音波振動子から発振された第２の超音波に干渉させることを特徴とする超音波洗浄装置である。 （もっと読む）

【課題】同じ形状面を持ち重なり密着した板状ワークを効率よく高レベルに洗浄する。
【解決手段】同形状面を持つ板状ワークが重なり密着した積層板状ワークを密閉された洗浄槽内の溶剤液中に浸漬して洗浄し、次いで溶剤液を排出後、該洗浄槽内を溶剤液が蒸発する圧力以下の圧力に下げて板状ワークの間隙に浸透した溶剤液をガス化させる洗浄方法、特に前記積層板状ワークを支持部材で積層軸に沿って保持して板状ワークを積層軸に対し傾斜させ、この傾斜を戻すことによって板状ワーク間に間隙を形成させて溶剤液を該間隙に流入しやすくし洗浄する方法。 （もっと読む）

【課題】隣接基板またはキャリア内壁との間に支持材を入れることにより、基板の貼り付きを容易かつ確実に防止して基板表面の清浄度を保つ。
【解決手段】基板搬送用キャリア１において、複数枚の基板３のうちの隣接基板間およびキャリア内壁面と基板３間に、基板貼り付き防止用の球状の支持部材６が配設されている。この球状の支持部材６は、互いに対向するキャリア側板５の隣接溝部５１間にそれぞれ接続されて、基板３の高さ方向中心部とその上部に対応する上下位置にそれぞれ設けられている。このため、洗浄処理時や乾燥処理時に、キャリア溝ピッチ以上に基板３が反っても、基板３同士の貼り付きやキャリア内壁と基板３との貼り付きが防止される。 （もっと読む）

【課題】基板処理速度を向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、垂直姿勢で水平方向に積層された複数枚の基板Ｗに対して一括して処理を施す基板処理部２と、基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２と基板処理部２との間で複数枚の基板Ｗを一括搬送する主搬送機構３と、フープＦに対して複数枚の基板Ｗを一括して搬出入するとともに、その複数枚の基板Ｗを水平姿勢と垂直姿勢との間で一括して姿勢変換させる搬出入機構４と、移載機構５と、第１および第２水平搬送機構６，７とを備えている。移載機構５は、移載位置Ｐ３において、搬出入機構４との間で基板Ｗを授受し、第１および第２水平搬送機構６，７との間で基板Ｗを授受する。第１および第２水平搬送機構は、それぞれ基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２で、主搬送機構３との間で基板Ｗを授受し、移載位置と基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２との間で基板Ｗを搬送する。 （もっと読む）