キャリア上の基板をクリーニングする装置であって、キャリアは、その内部において、互いに平行に延び、開口によってキャリアの下側で外に接続する複数の縦方向の通路を有し、装置は、互いに平行に延び、パイプホルダに配置されて液体供給源に対して液体を導くように接続された複数の細長いパイプを有している。センタリングプレートが、パイプの周囲に設けられ、パイプホルダから離れたパイプの端部領域にある取付け位置と、取付け位置及びパイプホルダ間の作用位置との間でパイプの長手方向にパイプに対して移動可能である。センタリングプレートがキャリアに支持され、パイプが縦方向の通路に対して正確に配列される。
（もっと読む）

【課題】スループットの向上に貢献すると共に、大気雰囲気にパターンを露出せずに超臨界流体による処理を行うことが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置の洗浄槽２１は、基板Ｗを収容し、洗浄液を通流させて当該基板Ｗを洗浄し、処理容器２２は、この洗浄槽２１を収容し、前記基板Ｗに対して超臨界流体による処理を行う。 （もっと読む）

本発明の目的は、乾燥時間が短く、染みなどが発生せず、ＩＰＡを使用しないことにより、火事の危険性を低減し、有機汚染が発生しないようにする真空乾燥機およびこれを用いた乾燥方法を提供することである。本発明は、蓋部分にディスペンサノズルが形成され、下部にガスが排出される排出口が形成されている真空チャンバと、前記真空チャンバ内に位置し、複数のウエハまたはディスクが配列されるようにするスタンドと、真空チャンバ内において前記スタンドと前記排出口との間に位置し、複数のホールが形成されているパンチングプレートとを備える乾燥機と、これを利用した乾燥方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 水洗および有機溶剤による洗浄の後の乾燥において、半導体ウエハを短時間で良好に処理可能な優れた半導体ウエハ処理方法および半導体ウエハ乾燥装置を提供すること。
【解決手段】 半導体ウエハの洗浄工程後に、半導体ウエハの複数の面へガスを吹き付ける乾燥工程を行う半導体ウエハ処理方法であって、乾燥工程は、半導体ウエハへガスを吹き付ける際に、複数方向からのガスが半導体ウエハの主面上において交わらないように、ガスの吹き付けを制御することとする。また、半導体ウエハの複数の面へガスを吹き付ける半導体ウエハ乾燥装置であって、半導体ウエハの一側面側からガスを噴射させる第１噴射パイプと、半導体ウエハの他の側面側からガスを噴射させる第２噴射パイプとを備え、第１噴射パイプおよび第２噴射パイプのうち少なくとも１つが移動しながら噴射可能であることとする。 （もっと読む）

【課題】処理部から排出される排液を回収して再利用するにあたりより多くの量の排液を回収することができ、このため純水の使用量を低減することができるのでコストを低減することができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供する。
【解決手段】排出部４０の下流側には第１の排液ライン４２ｂおよび第２の排液ライン４４ｂが分岐して接続され、第１の排液ライン４２ｂおよび第２の排液ライン４４ｂからそれぞれ処理液供給部３０に排液が回収液として互いに独立して送られる。排出部４０から第１の排液ライン４２ｂまたは第２の排液ライン４４ｂへの排液の流れの切り替えを行う切り替え部４１が設けられている。処理液供給部３０は、第１の排液ライン４２ｂから送られた回収液および第２の排液ライン４４ｂから送られた回収液を選択的に処理部１０に供給する。 （もっと読む）

物体の統合されたクリーニングのための方法及び装置は、同じプロセスチャンバにおける一連の湿式クリーニング及び真空乾燥を含む。本発明の統合されたクリーニングプロセスは、部材の移動を排除することができ、システム信頼性を高める。クリーニングされた物体を脱気及び汚染除去するために、真空汚染除去を提供することができる。１つの実施の形態において、クリーナシステムは、例えばスループットを高めるために、様々な移動を、ロボットによって行われる統合された移動に組み合わせる。例えば、統合されたロボット移動は、閉鎖された容器をインプットロードポートから取り上げ、蓋及び本体を一緒に移動させ、次いで、本体及び蓋を別々に、クリーニングされるためにクリーナの適当な位置へ配置することを含む。
（もっと読む）

【課題】基板の処理を良好に行うことができる基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを格納した記憶媒体を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板(2)を処理液(23)で処理する処理槽(24)と、処理槽(24)に第１の薬液(21)を供給する第１薬液供給機構(25)と、第１の薬液(21)と反応して処理液(23)を生成する第２の薬液(22)を処理槽(24)に供給する第２薬液供給機構(26)と、処理槽(24)に接続した循環流路(45)を用いて処理液(23)を循環させる処理液循環機構(27)と、第１及び第２の薬液の処理槽への供給を制御する制御部とを備え、所定の循環流量で処理液を循環させて基板(2)を処理する基板処理装置(1)を用い、第２の薬液(22)の供給を開始するとともに第２の薬液(22)の供給開始に基づいて循環流量を変化させることにした。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムの増大による生産性の低下を生じることなく、被洗浄物の表面にシミのない清浄な乾燥状態を得る。
【解決手段】搬送治具１３ａに載置された被洗浄物１３をＩＰＡ蒸気雰囲気４に浸漬して蒸気乾燥を行うＩＰＡ蒸気乾燥槽２の後段に余熱乾燥槽６を設け、ＩＰＡ蒸気乾燥槽２で蒸気乾燥を終え、ＩＰＡ蒸気雰囲気４の潜熱によって所定の温度まで加熱された状態にある被洗浄物１３および搬送治具１３ａを、余熱乾燥槽６に搬入し、当該被洗浄物１３および搬送治具１３ａ自体が持つ余熱によって乾燥を加速させ、ＩＰＡ蒸気乾燥槽２におけるＩＰＡ蒸気雰囲気４への反復浸漬等の煩雑な操作を必要とすることなく、被洗浄物１３や搬送治具１３ａの表面における液滴の残留に起因する被洗浄物１３のシミ等の欠陥の発生を確実に防止する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、材料、粒子、または化学物質を基板から除去するためのブラシまたはパッドを作製する方法および材料を提供する。
【解決手段】ブラシまたはパッドは、多孔性パッド材料を支持するための回転可能ベースを含む。ベースは、内表面および外表面を含み、かつ多孔性パッド材料をベースと互いにかみ合わせるための複数のチャネルをベースに含む。多孔性パッド材料は、ベースの外表面の少なくとも一部を覆い、材料を様々な基板から除去するために使用される。多孔性パッド材料は、ベースのチャネルの１つまたは複数を充填し、多孔性パッド材料をベースと互いにかみ合わせる。チャネルは、ベースの前記内表面を外表面と流体接続し、多孔性パッド内における多孔性パッドノードの位置合わせおよび流体の分布を補助することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】メガソニック洗浄装置での基板洗浄において、超音波によるダメージに強く、基板保持位置の変位による基板の搬送トラブルを防止でき、良好な洗浄を実施できる基板保持治具を提供することを目的とする。
【解決手段】バッチ式のメガソニック洗浄装置において、洗浄時に洗浄槽内で基板を保持する基板保持治具であって、洗浄槽内に基板を保持するための対向する側板と、側板に両端が接続された２以上の石英製支持部材と、１つの保持溝を有し、石英製支持部材に複数取り付けられた樹脂製保持部材とを具備し、樹脂製保持部材が他の樹脂製保持部材と接触しないように石英製支持部材に取り付けられたものであり、樹脂製保持部材の保持溝に基板の周縁部を嵌めることで基板が保持されるものである基板保持治具。 （もっと読む）

【課題】ロットの追い越し配置を可能にして処理効率を向上させることができる基板処理装置のスケジュール作成方法を提供する。
【解決手段】計画開始位置ＰＳＰ１〜ＰＳＰ３から、レシピに基づいて各ブロックを配置する。基板待機部ＣＷＳを使用するブロックＢから次のブロックＣまでの間に待機時間が生じる場合には、第２のロットの計画開始位置ＰＳＰ２を時間的に後にずらした調整計画開始位置ＭＳＰ２を求める。制御部は、調整計画開始位置ＭＳＰ２を含む計画開始位置ＰＳＰ１，３の時間的に早いロットの順に、ブロックの配置を開始する。これにより、計画開始位置ＰＳＰ３のままの短時間の処理を行うレシピを採用した第３のロットを、調整計画開始位置ＭＳＰ２の第２のロットよりも時間的に前に配置してスケジュールする追い越しができ、基板処理装置における処理効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理品質を向上させつつ基板の処理コストを十分に低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理槽４から引き上げられる基板Ｗに気体供給ダクト６２から気体が供給され、基板Ｗの乾燥処理が行われる。気体供給ダクト６２は、主管１４１および２つの分岐配管１４２ａ，１４２ｂからなる配管１４０を介してドライエア発生装置１１０およびファンユニット１２０と接続されている。ドライエア発生装置１１０は分岐配管１４２ａを通して気体供給ダクト６２にドライエアを供給し、ファンユニット１２０は分岐配管１４２ｂを通して気体供給ダクト６２に大気を供給する。各分岐配管１４２ａ，１４２ｂには、制御バルブ１３０ａ，１３０ｂが介挿されている。制御バルブ１３０ａ，１３０ｂの開閉状態に応じてドライエアおよび大気のいずれか一方が気体供給ダクト６２に供給され、基板Ｗの乾燥処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】処理液の沸点以上に基板を加熱することにより、処理液の表面張力に起因する微細パターンの倒壊を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部６１は、ＨＦＥ中の基板Ｗを処理位置から上方位置へ下部保持機構２９及び上部保持機構４３により移動させる際に、ＨＦＥの液面よりも下方にある基板Ｗの一部位を加熱ユニット５５により加熱する。基板Ｗは、ＨＦＥの沸点以上の温度に加熱された状態であるので、基板Ｗ及び微細パターンに接触しているＨＦＥは沸騰して気化する。したがって、ＨＦＥから気中に基板Ｗが露出した状態では、基板Ｗに付着していたＨＦＥの大半が既に蒸発しているので、ＨＦＥの表面張力によって微細パターンに負荷がかかることがない。その結果、ＨＦＥの表面張力に起因する微細パターンの倒壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含んだ二酸化炭素を超臨界状態の洗浄剤として、この洗浄剤を洗浄チャンバー内に配された被洗浄物に接触させることにより、前記被洗浄物の洗浄を行う洗浄方法及び洗浄装置において、洗浄時間の短縮化を図ること。
【解決手段】界面活性剤と有機溶剤と超臨界状態の二酸化炭素を混合し、混合流体を被洗浄物に接触させて洗浄する洗浄方法において、前記混合を管内混合手段で行い、該管内混合手段の直後に被洗浄物を配置するとともに、前記混合流体においての重量割合は、二酸化炭素に占める有機溶剤の重量割合を２０％以下とし、かつ界面活性剤の重量比率を有機溶剤と略同重量としたことを特徴とする洗浄方法及び洗浄装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】スケジュールに基づいて処理が実行中であっても、最優先で処理を行う必要があるロットを他のロットよりも優先的に処理できるようにスケジュールを再作成できる。
【解決手段】スケジュールに基づいて処理が実行されている時に、最優先で処理を行う必要があるロットの処理命令が入った場合、制御部は、処理命令が入った時刻において、処理中のロットについては安全に待機可能なリソース以降のスケジュールを一旦削除し、処理が開始されていないロットについてはスケジュールをすべて一旦削除し、削除によりできた空きスケジュールに優先で処理すべきロットのスケジュールをハードリンクで追加し、一旦削除したロットのスケジュールを加えて再スケジューリングを行う。これにより、処理中のロットの基板処理に影響を与えることなく、最優先で処理を行う必要があるロットを優先的に処理できるようにスケジュールを再作成できる。 （もっと読む）

【課題】基板から離脱した汚染物質による処理槽の汚染を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理槽１０の下方に下部タンク４０を設けている。リフター５０によって基板Ｗを投入する前に、排液バルブ１５を開放して処理槽１０の底部から下部タンク４０に一旦全ての処理液を排出する。下部タンク４０から処理槽１０に処理液が再供給される過程において、全ての処理液が循環ライン２０に設けられたフィルタ２３を通過することとなるため、処理液に含まれている全ての汚染物質がフィルタ２３によって取り除かれる。このため、基板Ｗから処理液中に離脱した汚染物質が処理槽１０に付着して汚染するのを防止することができる。また、そのような汚染物質が基板Ｗに付着するのを防止することもできる。 （もっと読む）

【課題】
基板面内でのパーティクル除去均一性を向上することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】
基板洗浄装置１は、処理液を貯留する処理槽１０と、基板Ｗを保持する基板保持部２１を備え、基板を昇降移動させるリフタ２０と、伝播水を貯留する伝播槽３０と、伝播槽３０の底部に設けられた超音波振動子３１と、分散発生部８０とを備え、処理槽１０に浸漬した基板Ｗと超音波振動子３１との間に分散発生部８０を配置することにより、超音波振動が付与された分散発生部８０の反対側で、基板面内におけるキャビテーションのバラツキを抑制することができる。そのため、基板Ｗ面内でのパーティクルの除去均一性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 洗浄時の各切断薄板相互間の密着防止方法及びその方法に用いられる密着防止装置を提供し、それによって処理液を各切断薄板表面に十分に供給しようとする。
【解決手段】インゴットを薄板状に連続的に切断し、各切断薄板8の片端を固定した薄板群4を対象とする切断薄板相互間の密着防止方法である。前記各切断薄板8の片端を固定した薄板群4を、処理液1が対流する処理液槽2に浸して、各切断薄板8の表面から不純物を除去する工程の際、薄板群4の薄板8相互間に、気泡11を混入させる。 （もっと読む）

【課題】乾燥処理に用いられるガス中のパーティクルを除去する濾材に対して、当該濾材をガスの流れる流路上に配置した状態のまま、この濾材に付着した付着物を除去することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は乾燥ガス発生部２３にて乾燥用のガスを発生させ、このガスを濾材３１に通流させてパーティクルを除去した後、処理部にて液体の付着した基板Ｗと接触させて、基板Ｗの乾燥処理を行う。濾材加熱部は、乾燥処理時には、乾燥ガスの温度を露点以上に維持するために濾材３１を第１の温度に加熱し、濾材３１の再生処理時には、濾材３１に付着した付着物を気化させて除去するため当該濾材３１を第１の温度よりも高い第２の温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】基板面内に、洗浄ブラシの回転方向と基板の回転方向とが同じとなる部分の割合が非常に少なく、回転方向の同じ部分と反対の部分とが存在することに起因する基板面内での洗浄能力のばらつきが小さく、高い洗浄効果が得られる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板１を保持し、基板１を回転させる基板回転手段３０と、基板面と平行で基板回転軸ａと交差するブラシ回転軸の延在方向に並べて配置された２つの洗浄ブラシ７、８（１０）を備え、２つの洗浄ブラシ７、８（１０）がブラシ回転軸を中心として相反する方向に回転されるものであって、各洗浄ブラシ７、８、１０が基板１の回転方向と反対方向に回転される一対のブラシ４０（５０）と、一対のブラシを回転させるとともに、ブラシ回転軸の延在方向に一対のブラシを往復移動させるブラシ駆動手段１２とを備える基板洗浄装置２０とする。 （もっと読む）