基板処理方法及び基板処理装置
【課題】洗浄槽から引き上げた基板の下端部に液滴が残って不純物やパーティクル等が基板に残留するのを抑制することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】洗浄液を貯留し、該洗浄液に対して基板を浸漬することができる洗浄槽と、前記洗浄槽の上方に配置され、前記基板を収容可能な乾燥室と、複数の基板を直立に保持し、前記洗浄槽と前記乾燥室とを往復可能に設けられる基板保持搬送部と、前記乾燥室に設けられ、前記乾燥室内へ有機溶剤の蒸気を供給する第１の供給部と、前記基板保持搬送部により前記乾燥室において保持される前記基板の下端部に乾燥ガスを供給可能な第２の供給部とを備える基板処理装置により上記課題が達成される。
【解決手段】洗浄液を貯留し、該洗浄液に対して基板を浸漬することができる洗浄槽と、前記洗浄槽の上方に配置され、前記基板を収容可能な乾燥室と、複数の基板を直立に保持し、前記洗浄槽と前記乾燥室とを往復可能に設けられる基板保持搬送部と、前記乾燥室に設けられ、前記乾燥室内へ有機溶剤の蒸気を供給する第１の供給部と、前記基板保持搬送部により前記乾燥室において保持される前記基板の下端部に乾燥ガスを供給可能な第２の供給部とを備える基板処理装置により上記課題が達成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハやフラットパネルディスプレー製造用のガラス基板などの基板を洗浄し乾燥する基板処理方法及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造工程では、薬液が貯留される洗浄槽において半導体ウエハ（以下、ウエハと称する）を洗浄することにより、ウエハに付着した金属や有機物などの不純物やパーティクルを除去する洗浄プロセスが行われる。例えば、洗浄プロセスは、洗浄槽内に貯留される薬液に複数のウエハをほぼ直立に保持して浸漬し、洗浄槽に純水を供給することにより純水で薬液を置換し、洗浄槽からウエハを引き上げ、アルコール等を用いてウエハを乾燥させることにより行われる（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−２０９１０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の洗浄プロセスにおいて、洗浄槽からウエハを引き上げたときには、ウエハの表面（及び裏面）には純水が膜状に残っており、重力によりウエハ表面を流れ落ちていく。このとき、ほぼ直立に保持されるウエハの下端部には、下端部から落ちきれない純水（アルコール等を含む）の液滴が残ってしまう。この液滴が乾燥すると、液滴中に含まれていた不純物やパーティクルがウエハの下端部に残留する。残留した不純物やパーティクルは、後のプロセスにおいてウエハの表面に飛散する可能性があるため、製造歩留まり低下の要因となる。
【０００５】
本発明は、上記の事情を考慮して為され、洗浄槽から引き上げた基板の下端部に液滴が残って不純物やパーティクル等が基板に残留するのを抑制することができる基板処理方法及び基板処理装置に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様によれば、リンス液が貯留された洗浄槽から、該洗浄槽の上方に配置される乾燥室に基板を収容するステップと、前記基板が収容される前記乾燥室に第１の供給部から有機溶剤の蒸気を供給するステップと、液膜が前記基板の表面を流れ落ちて前記基板の下端部に形成される液滴に対して、第２の供給部から乾燥ガスを供給するステップとを含む基板処理方法が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様によれば、少なくともリンス液を貯留可能で、該リンス液に複数の基板が浸漬されるよう構成される洗浄槽と、前記洗浄槽の上方に配置され、前記複数の基板を収容可能な乾燥室と、前記複数の基板を直立に保持し、前記洗浄槽と前記乾燥室とを往復可能に設けられる基板保持搬送部と、前記乾燥室に設けられ、前記乾燥室内へ有機溶剤の蒸気を供給する第１の供給部と、前記基板保持搬送部により前記乾燥室において保持される前記基板の下端部に乾燥ガスを供給可能な第２の供給部と、前記第２の供給部からの前記乾燥ガスの供給が、前記第１の供給部からの前記有機溶剤の蒸気の供給以降に開始されるように、前記第１の供給部及び前記第２の供給部を制御する制御部とを備える基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の実施形態によれば、洗浄槽から引き上げた基板の下端部に液滴が残って不純物やパーティクル等が基板に残留するのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態による基板処理装置を示す概略図である。
【図２】本発明の実施形態による基板処理方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施形態による基板処理方法の要部を説明するための模式図である。
【図４】本発明の実施形態による基板処理装置の変形例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一または対応する部材または部品については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１１】
図１を参照すると、本発明の実施形態による基板処理装置１は、ウエハＷの液処理を行う液処理部２と、液処理部２の上方に配置され、液処理部２でのリンス処理が終了したウエハＷの乾燥を行う乾燥処理部３と、液処理部２と乾燥処理部３との間で複数のウエハＷを一括して移動させる移動機構としてのウエハガイド４を有している。
【００１２】
ウエハガイド４は、例えば５０枚のウエハＷをほぼ直立に保持する保持部２６と、保持部２６を支持する支柱部２７とを有している。保持部２６は、図１の紙面に垂直な方向に延びる４つのウエハ支持部２６Ｓを有している。ウエハ支持部２６Ｓには、その長手方向（紙面に垂直な方向）に沿って配列される例えば５０個の切欠部（図示せず）を有しており、４つのウエハ支持部２６Ｓに対応して設けられる４つの切欠部でウエハＷのエッジを支持する。これにより、ウエハＷが保持部２６にほぼ直立に保持される。なお、ウエハ支持部２６Ｓは、ほぼ直立に保持されるウエハＷの下端部を避けて配置されている。
【００１３】
また、支柱部２７は、後述するチャンバ５の蓋６２を気密に貫通している。支柱部２７はガイド昇降機構２８により昇降自在であり、保持部２６に保持されたウエハＷを液処理部２と乾燥処理部３との間で移動させることができる。
【００１４】
液処理部２は、ボックス１３内に配置される液処理槽６を有する。液処理槽６は、本実施形態においては希釈フッ酸（ＤＨＦ）及び脱イオン水（ＤＩＷ）が貯留され、ウエハＷを収容して液処理する洗浄槽３０と、洗浄槽３０の上部の開口を囲むように形成された中槽３１と、中槽３１の開口を囲むように形成された外槽３２と、を含む。
【００１５】
洗浄槽３０内の下部には、ＤＨＦおよびＤＩＷを洗浄槽３０内に供給する処理液供給ノズル３５が設けられている。処理液供給ノズル３５には、ＤＨＦ供給源からＤＨＦを洗浄槽３０に供給するＤＨＦ供給ライン５１と、ＤＩＷ供給源からＤＩＷを供給するＤＩＷ供給ライン５２と、を有する処理液供給ライン２０が接続されている。ＤＨＦ供給ライン５１に設けられた開閉バルブ５１ａと、ＤＩＷ供給ライン５２に設けられた開閉バルブ５２ａとを相補的に開閉することによって、ＤＨＦ及びＤＩＷのいずれか一方を供給することができる。また、ＤＨＦ供給ライン５１及びＤＩＷ供給ライン５２には、それぞれ流量制御器（図示せず）が設けられ、これにより、ＤＨＦ及びＤＩＷは流量制御されて洗浄槽３０内へ供給される。
【００１６】
洗浄槽３０の底部には、開閉バルブ３７が設けられた排液管３６が接続されている。開閉バルブ３７を開くと、排液管３６を通して洗浄槽３０内のＤＨＦやＤＩＷがからボックス１３内に排出される。また、ボックス１３の下部には、バルブが設けられた排液管１４１が接続されている。洗浄槽３０からボックス１３内に排出されたＤＨＦやＤＩＷは、排液管１４１を通してボックス１３内から排出され得る。さらに、ボックス１３には排気管１４２が設けられており、排気管１４２を通して、例えば、ボックス１３に排出されたＤＨＦから発生する蒸気を排気することができる。
【００１７】
中槽３１は、洗浄槽３０の上面開口からオーバーフローした純水を受け止める。中槽３１の底部には、中槽３１から純水を排出するための排液管４１の一端が接続されている。排液管４１の他端はトラップ４２内に挿入されている。また、トラップ４２には、トラップ４２内に挿入された排液管４１の他端よりも高い位置に開口する排液管４３が設けられている。これにより、中槽３１から排液管４１を通してトラップ４２に流入した純水は、排液管４３の開口の高さまで貯留され、純水が更に流入すると、排液管４３の開口から排出される。このような構成により、例えばボックス１３内の蒸気やガスが、排液管４３やトラップ４２を通して中槽３１に到達するのが抑制される。例えば、洗浄槽３０からボックス１３内に排出されたＤＨＦから発生した蒸気が排液管４１を通じて液処理槽６内に混入するのを抑制することができる。
【００１８】
外槽３２には、常時、純水が貯留されている。また、環状のシール板４６が、その下部が外槽３２中の純水に浸され、かつ、その上端が外槽３２の上方に配置されたシャッタボックス１１の下板に密着するように、配設されている。このような構成により、外槽３２は純水を利用したシール機能を有し、洗浄槽３０の雰囲気が外部に漏れるのを抑制することができる。なお、シャッタボックス１１には、開閉バルブ１３７が設けられた排気管１３６が接続され、シャッタボックス１１内の雰囲気を排気することができる。
【００１９】
乾燥処理部３にはウエハＷを収容するチャンバ５が設けられている。チャンバ５は、ウエハガイド４により保持されるウエハＷを収容可能な略角筒状の本体部６１と、本体部６１の上面開口を開閉する蓋６２とから構成されている。本体部６１の下面開口は、後述するシャッタ１０により開閉可能である。
【００２０】
蓋６２は、上に凸の略半円形の断面形状を有している。蓋６２は、蓋昇降機構６４により昇降自在であり、本体部６１から持ち上げられたときに、本体部６１の内部に対してウエハＷが搬入出される。具体的には、ウエハガイド４の保持部２６が本体部６１の上方に維持され、この保持部２６と図示しない外部搬送装置等との間でウエハＷが受け渡しされ、ウエハガイド４を上下動することにより、ウエハＷの搬入出が行われる。
蓋６２が本体部６１に載置されたときは、蓋６２は、シール部材６３を介して、本体部６１の上面開口を気密に塞ぐことができる。
【００２１】
チャンバ５内には、２本の第１ガス供給ノズル７１が設けられている。２本の第１ガス供給ノズル７１は、保持部２６に保持される例えば５０枚のウエハＷの両側に１本ずつ、保持部２６の長手方向（紙面垂直方向）に沿って延びている。第１ガス供給ノズル７１は、保持部２６において５０枚のウエハＷが保持される保持範囲よりも長いことが好ましい。また、第１ガス供給ノズル７１には、その長手方向に沿って所定の間隔で配列される複数のガス吐出孔７１ａ（図２参照）が設けられている。第１ガス供給ノズル７１には処理ガス供給管２１が接続されている。処理ガス供給管２１には蒸気発生器２２が接続されている。蒸気発生器２２は、開閉バルブ８３ａ、流量制御器２４ａ、加熱器２４ｈ、及び開閉バルブ８３ｂが設けられたガス配管２４により、図示しない窒素ガス供給源と接続され、開閉バルブ８２ａ、流量制御器２３ａ、及び開閉バルブ８２ｂが設けられたガス配管２３により、図示しないイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）供給源と接続されている。流量制御器２４ａにより流量制御された窒素ガスが加熱器２４ｈにより加熱されて蒸気発生器２２へ供給され、流量制御器２３ａにより流量制御されたＩＰＡが蒸気発生器２２へ供給される。これにより、蒸気発生器２２においてＩＰＡ蒸気が発生し、窒素ガスをキャリアガスとしてＩＰＡ蒸気が処理ガス供給管２１を通して第１ガス供給ノズル７１へ供給され、第１ガス供給ノズル７１のガス吐出孔７１ａから本体部６１内へ供給される。
【００２２】
なお、第１ガス供給ノズル７１に設けられるガス吐出孔７１ａは、水平方向よりも上方に向かって開口している。好ましくは、ガス吐出孔７１ａは、ガス吐出孔７１ａから吐出されたＩＰＡ蒸気が、チャンバ５内に収容されたウエハＷに直接にあたらずに斜め上方に噴射されるように設けられる。より好ましくは、ガス吐出部７１ａは、ＩＰＡ蒸気が、ウエハＷの左上と右上を通過して蓋６２の内周面上部に向かって上昇し、蓋６２の上部中央において合流して下降し、ウエハＷどうしの間に流入してウエハＷの表面に沿って流下するように設けられる。
【００２３】
また、チャンバ５内には、２本の第２ガス供給ノズル７２が設けられている。第２ガス供給ノズル７２は、対応する第１ガス供給ノズル７１の下方に第１ガス供給ノズル７１とほぼ平行に配置されている。第２ガス供給ノズル７２は、本実施形態においては、複数のガス吐出孔７２ａ（図２参照）が水平方向よりも下方に開口している点を除き、第１ガス供給ノズル７２と同じ構成を有している。また、第２ガス供給ノズル７２は、開閉バルブ８６ａ、流量制御器２５ａ、加熱器２５ｈ、及び開閉バルブ８６ｂが設けられた乾燥ガス供給管２５により、乾燥ガス供給源と接続されている。これにより、乾燥ガス供給源からの乾燥ガスが乾燥ガス供給管２５を通して第２ガス供給ノズル７２へ供給され、第２ガス供給ノズル７２のガス吐出孔７２ａから供給される。乾燥ガスとしては、窒素ガスや希ガスなどの不活性ガスや清浄化された乾燥気体（又は乾燥空気）を用いることができる。
なお、第２ガス供給ノズル７２のガス吐出孔７２ａは、チャンバ５内に収容されたウエハＷの下端部に向かって開口し、下端部に向けて乾燥ガスを吐出することができるように設けられていることが好ましい。
【００２４】
また、チャンバ５の本体部６１の側壁下方部に排気口７３が形成され、排気口７３は所定の配管を介して排気装置（ともに図示せず）に接続されている。排気装置は、チャンバ５内にＩＰＡ蒸気や乾燥ガスが供給されている間は起動されており、これにより、ＩＰＡ蒸気や乾燥ガスがチャンバ５から排気される。また、チャンバ５の蓋６２が開いている場合に、排気装置を起動し、後述するファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１２からの清浄気体のダウンフローをチャンバ５の本体部６１を通して排気するようにしても良い。
【００２５】
液処理部２と乾燥処理部３との間にはシャッタ１０が設けられている。シャッタ１０は、液処理部２と乾燥処理部３との間でウエハＷを移動させるとき、及び液処理部２において液処理を行うときは、シャッタボックス１１に収容されており、したがって液処理部２と乾燥処理部３とは連通している。一方、ウエハＷが乾燥処理部３に収容され、乾燥処理が行われるに際して、シャッタ１０は、シール部材１３５を介して乾燥処理室３の下端に密着し、これにより乾燥処理室３内の気密が保たれる。シャッタ１０の上面は、両端から中心に向かって傾斜しており、中心部には排液口（図示せず）が形成されている。また、排液口には吸引機構としてのポンプ（図示せず）が接続されている。これにより、液処理槽６からチャンバ５内へ引き上げられたウエハＷから流れ落ちる純水が、チャンバ５内から排出される。なお、吸引機構としてポンプの代わりにアスピレータを用いても良い。
【００２６】
また、基板処理装置１には、上方に設けられたファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１２から清浄気体が供給され、清浄気体によるダウンフローが生成される。これにより、液処理部２と乾燥処理部３は清浄な雰囲気に置かれる。
【００２７】
さらに、基板処理装置１には、基板処理装置１の各部（構成部材、構成部品）を制御する制御部９９が設けられている。制御部９９は、例えば中央演算部（ＣＰＵ）を含むコンピュータと、メモリ装置とを含み、後述する基板処理方法を基板処理装置１に実施させるコンピュータプログラムを実行することができる。このコンピュータプログラムは、コンピュータ可読記録媒体９９ａに記憶され、制御部９９のメモリ装置にロードされて制御部により実行される。コンピュータ可読記録媒体９９ａは、例えばフレキシブルディスク、光ディスク、半導体メモリなどであって良い。また、コンピュータプログラムは、コンピュータ可読記録媒体９９ａからではなく、所定のネットワークを通して制御部９９のメモリ装置にロードしても良い。
【００２８】
次に、図２及び図３を参照しながら、上述の基板処理装置１を用いて行われる、本発明の実施形態による基板処理方法を説明する。なお、図３は、基板処理方法の主なステップにおけるウエハＷと、ガス供給ノズル７１，７２からのガスの供給とを模式的に示しており、チャンバ５やシャッタ１０等は省略する。
【００２９】
まず、乾燥処理部３のチャンバ５内にウエハＷが搬入される（ステップＳ２１）。具体的には、チャンバ５の蓋６２が本体部６１から持ち上げられ、チャンバ５の本体部６１の上方において、基板処理装置１の外部の搬送装置からウエハガイド４の保持部２６へ５０枚のウエハＷが受け渡される。受け渡されたウエハＷは、ウエハ支持部２６Ｓによりほぼ直立に支持されている。次いで、ウエハガイド４が下降して、ウエハＷが本体部６１内に収容され、蓋６２が閉まる。
【００３０】
次に、シャッタ１０をシャッタボックス１１内に収容することにより、乾燥処理部３のチャンバ５０と液処理部２の洗浄槽３０とを連通させ、ウエハガイド４を下降させる。これにより、ＤＨＦ供給ライン５１を通して洗浄槽３０に供給され貯留されたＤＨＦ内にウエハＷが浸漬され（ステップＳ２２）、ＤＨＦによりウエハＷの表面（及び裏面）が洗浄される。
【００３１】
ＤＨＦによるウエハＷの洗浄を所定の期間行った後、ウエハＷを洗浄槽３０内に配置したまま、処理液供給ノズル３５から洗浄槽３０内にＤＩＷを供給して、洗浄槽３０内のＤＨＦをＤＩＷに置換し、ウエハＷをリンスする（ステップＳ２３）。このとき、洗浄槽３０からオーバーフローしたＤＨＦやＤＩＷは、中槽３１に受け止められ、排液管４１およびトラップ４２を通して排出される。
【００３２】
濃度センサ５３により洗浄槽３０内のＤＨＦの濃度をモニターしつつ、ＤＨＦ濃度が所定の濃度以下に下がったことが確認された後、ウエハガイド４によりウエハＷが洗浄槽３０から取り上げられる。これによりリンスが終了する。
【００３３】
ウエハＷが洗浄槽３０から取り上げられて、乾燥処理部３のチャンバ５内に収容されると（ステップＳ２４）、シャッタ１０が閉じて、チャンバ５内が密閉される。また、アスピレータ（図示せず）が起動され、シャッタ１０の中央部に設けられた排気口（図示せず）から、ウエハＷからシャッタ１０へたれた純水が排出される。このとき図３（ａ）に示すように、ウエハＷの表面（及び裏面）のほぼ全体に純水が液膜となって残っている。
次に、排気装置（図示せず）を起動することにより排気管７３を通してチャンバ５内を排気するとともに、図３（ｂ）に示すように、第１ガス供給ノズル７１からチャンバ５内へＩＰＡ蒸気を供給する（ステップＳ２５）。本実施形態では、上述のとおり、ウエハＷの両側に位置する各第１ガス供給ノズル７１から供給されるＩＰＡ蒸気は、蓋６２の内面に向かって供給され、その内面に当たって合流してからウエハＷに向かって流れていく。このようにして、ウエハＷの表面に残る純水の液膜がＩＰＡ蒸気（又はＩＰＡガス）に晒されると、純水の液膜にＩＰＡ蒸気が溶け込み、ウエハＷの表面はＩＰＡ水溶液の液膜で覆われることとなる。ところが、ＩＰＡ水溶液の表面張力は純水の表面張力よりも小さく、ウエハＷの表面に膜状に残ることができなくなるため、図３（ｂ）に示すように、ウエハＷの表面を流れ落ちていく。これにより、ウエハＷの表面は上部からＩＰＡ水溶液に濡れていない状態となる。
【００３４】
なお、このステップ（Ｓ２５）における条件を例示すると、蒸気発生器２２（図１）に供給する窒素ガスの流量は、例えば２０リットル／分（ｌ／ｍｉｎ）から３００ｌ／ｍｉｎまでであり、好ましくは７０ｌ／ｍｉｎから１５０ｍｉｎまでである。また、加熱器２４ｈにて加熱される窒素ガスの温度は、ＩＰＡを蒸発（気化）させるに十分な温度に設定して良く、例えば１４０℃から２３０℃までの範囲の温度であって良い。さらに、蒸気発生器２２に供給するＩＰＡの流量は、例えば０．１ｃｃ／ｍｉｎから６．０ｃｃ／ｍｉｎまでであって良い。また、第１ガス供給ノズル７１からのＩＰＡ蒸気の供給時間は、例えば６０秒程度であって良い。
【００３５】
次いで、図３（ｃ）に示すように、第１ガス供給ノズル７１からは窒素ガスだけが供給される（ステップＳ２６）。これは、図１に示すガス配管２３の開閉バルブ８２ａ及び８２ｂを閉めることにより行われる。この窒素ガスによりウエハＷの表面に残留する水分やＩＰＡが蒸発し、ウエハＷの表面が乾燥される。なお、本実施形態においては、このときの流量制御器２４ａ及び加熱器２４ｈ（図１）は、ＩＰＡ蒸気を供給するときと同一に設定されている。また、窒素ガスの供給時間は８０秒であって良い。
第１ガス供給ノズル７１からの窒素ガスの供給を停止した後、ステップＳ２７において、第２ガス供給ノズル７２からウエハＷの下端部に向けて窒素ガスが供給される。このとき、ウエハＷの下端部には、図３（ｃ）に示すように、ウエハＷの表面を流れ落ちたＩＰＡ水溶液が落ちきれずに残こる液滴がある。しかし、図３（ｄ）に示すように、第２ガス供給ノズル７２からの窒素ガスにより吹き飛ばされる。このようにして、図３（ｅ）に示すように、ウエハＷの洗浄された表面（下端部を含む）が乾燥される。
【００３６】
次いで、窒素ガスの供給とチャンバ５内の排気とが停止され（ステップＳ２８）、チャンバ５の蓋５２が本体部６１から持ち上げられる。そして、チャンバ５内にウエハＷを搬入したときの手順と逆の手順に従って、ウエハＷがチャンバ５から搬出され（ステップＳ２９）、ウエハＷに対する処理が終了する。
【００３７】
以上のとおり、本発明の実施形態による基板処理方法においては、ほぼ直立に保持されたウエハＷが洗浄槽３０から取り上げられたときにウエハＷの下端部に液滴が残ったとしても、第２ガス供給ノズル７２からの窒素ガスにより吹き飛ばすことができる。下端部に残る液滴には不純物やパーティクルが残っている可能性があるため、液滴が乾燥して不純物やパーティクル等がウエハＷに残留してしまうおそれがある。しかし、本発明の実施形態による基板処理方法によれば、液滴を吹き飛ばすことができるため、不純物やパーティクルがウエハＷに残留するのを抑制することが可能となる。
【００３８】
また、本発明の実施形態による基板処理装置１を用いた基板処理方法によれば、ウエハＷ上の純水の液膜に対してＩＰＡ蒸気が直接に当たることがないため、ＩＰＡ水溶液による一様な液膜が形成され、ウエハＷの表面上部から一様に流れ落ちることができる。仮に、液膜に対してＩＰＡ蒸気が直接に当たると、その部分でのＩＰＡ濃度が高くなり、その部分の液膜が速く流れ落ちる。この結果、液膜が分断され、その部分よりも上側の液膜が液滴となってウエハＷの表面に残る可能性がある。しかし、基板処理方法によれば、液膜が一様に流れ落ちることができるため、ウエハＷの表面に液滴が残るのを抑制することができる。したがって、清浄化されたウエハＷの表面は、ウォータマークが生じることなく、乾燥され得る。
【００３９】
以上、幾つかの実施形態を参照しながら本発明を説明したが、本発明の上述の実施形態に限定されることなく、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変形又は変更が可能である。
【００４０】
例えば、第２ガス供給ノズル７２からの窒素ガスの供給（ステップＳ２７）は、第１ガス供給ノズル７１からの窒素ガスの供給（ステップＳ２６）が終了する前に開始しても良く、第１ガス供給ノズル７１からの窒素ガスの供給（ステップＳ２６）と同時に行っても良い。このようにすれば、ウエハＷの表面（下端部を除く）を乾燥しつつ、ウエハＷの下端部に残る液滴を吹き飛ばすことができるため、処理時間を短縮することができる。
【００４１】
また、第２ガス供給ノズル７２からの窒素ガスの供給（ステップＳ２７）は、第１ガス供給ノズル７１からのＩＰＡ蒸気の供給（ステップＳ２５）と時間的に重複するように行っても良い。特に、ＩＰＡ水溶液の液膜がウエハＷの表面を流れ落ち、ウエハＷの下端部に液滴が残るのとほぼ同時に、第２ガス供給ノズル７２から窒素ガスを下端部へ向けて供給することが好ましい。そして、この後に、第１ガス供給ノズル７１から供給されるガスをＩＰＡ蒸気から窒素ガスに切り替え、ウエハＷの表面全体を乾燥させると好ましい。
【００４２】
また、乾燥ガスとしてのＩＰＡ蒸気を第２ガス供給ノズル７２から供給しても良い。この場合は、第１ガス供給ノズル７１から窒素ガスを供給して、ウエハＷの表面を窒素ガスにより乾燥させる前（ステップＳ２６の前）に、第２ガス供給ノズル７２からウエハＷの下端部に向けてＩＰＡ蒸気を供給すること（ステップＳ２７）が好ましい。また、第１ガス供給ノズル７１からのＩＰＡ蒸気の供給（ステップＳ２５）を停止する前に、第２ガス供給ノズル７２からウエハＷの下端部に向けてＩＰＡ蒸気を供給すること（ステップＳ２７）がより好ましい。さらに、第１ガス供給ノズル７１からのＩＰＡ蒸気の供給（ステップＳ２５）によりＩＰＡ水溶液の液膜がウエハＷの表面を流れ落ち、ウエハＷの下端部に液滴が残ったときに、第２ガス供給ノズル７２から下端部へ向けてＩＰＡ蒸気を供給することが一層好ましい。そして、第１ガス供給ノズル７１及び７２からのＩＰＡ蒸気の供給を停止した後に、第１ガス供給ノズル７１から窒素ガスを供給することにより、ウエハＷの表面を更に乾燥する。
【００４３】
また、上述の実施形態においては、第２ガス供給ノズル２からウエハＷの下端部に向けて乾燥ガスを供給して、ウエハＷの下端部に残る液滴を吹き落とすようにしたが、この液滴を下端部から落下させることができる限りにおいて、乾燥ガスの供給方法は限定されない。例えば、図４（ａ）に示すように、チャンバ５内に収容されるウエハＷの下端部とほぼ同じ高さに第２ガス供給ノズル７２を配置し、第２ガス供給ノズル７２から水平方向に乾燥ガスを供給しても良い。このようにすれば、ウエハＷの下端部に残る液滴は、この乾燥ガスにより揺動され、下端部から落下し得る。
【００４４】
また、図４（ｂ）に示すように、第２ガス供給ノズル７２から、水平方向よりも上向きに乾燥ガスを供給しても構わない。この場合、ウエハＷの下端部の近くで乾燥ガスが衝突し、乱流が発生する。これにより、ウエハＷの下端部に残る液滴は揺動されて落下し得る。さらに、図４（ｃ）に示すように、第２ガス供給ノズル７２から、水平方向よりも下方に向けて乾燥ガスを供給しても良い。この場合、乾燥ガスは、シャッタ１０の上面に当たって上向きに流れることとなるため、ウエハＷの下端部の液滴を下方から揺動することができる。これにより、液滴が落下し得る。
【００４５】
また、第１ガス供給ノズル７１は、上向き（斜め上向き）と下向き（斜め下向き）にＩＰＡ蒸気又は窒素ガスを供給することができるように、中心軸を中心に回動可能に構成しても良い。これによれば、ＩＰＡ蒸気の供給、ウエハＷの表面を乾燥させるための窒素ガスの供給、及びウエハＷの下端部に向けた乾燥ガスの供給を第１ガス供給ノズル７１により行うことができる。
【００４６】
さらに、上述の実施形態においては、ＩＰＡ蒸気と、ウエハＷの表面を乾燥させるための窒素ガスとを第１ガス供給ノズル７１から切り替えて供給したが、ウエハＷの表面を乾燥させるための窒素ガスを供給するノズルを、第１ガス供給ノズル７１と別に設けても構わない。
【００４７】
また、上述の実施形態では、第１ガス供給ノズル７１においてＩＰＡ蒸気からウエハＷの表面を乾燥させるための窒素ガスに切り替えるときに、流量制御器２４ａ及び加熱器２４（図１）の設定温度を同一としたが、窒素ガス供給時の窒素ガスの温度を変えても良い。例えば、ウエハＷの表面を乾燥させるための窒素ガスの流量を３５０ｍｌ／ｍｉｎと設定し、温度を２００℃と設定しても良い。
【００４８】
また、第１ガス供給ノズル７１からの窒素ガスの供給（ステップＳ２６）は、場合によっては、行わなくても良い。例えば、第１ガス供給ノズル７１からＩＰＡ蒸気を供給することにより、チャンバ５内の温度が高くなった結果、ウエハＷの表面が乾燥し得る場合には、ステップＳ２６を省略しても構わない。
【００４９】
また、ウエハガイド４の保持部２６には４つのウエハ支持部２６Ｓが設けられていたが、少なくとも２つのウエハ支持部２６Ｓを設ければよい。この場合においても、２つのウエハ支持部２６ＳはウエハＷの下端部を避けて配置される。
【００５０】
また、ウエハＷの下端部に液滴が形成されるのを光学的に検知し、その検知に基づいて、第２ガス供給ノズル７２からウエハＷの下端部に向けて乾燥ガスを供給するようにしても良い。そのような検知は、チャンバ５内において保持部２６により保持されるウエハＷの下端部に向けてレーザ光を照射するレーザ光光源と、ウエハＷの下端部で反射されるレーザ光を受光する受光器とをチャンバ５の本体部６１に設けることにより可能となる。すなわち、ウエハＷの下端部に形成される液滴によりレーザ光が散乱されるため、受光器での受光量が減少したことをもって、ウエハＷの下端部における液滴の形成を検出し得る。また、ウエハＷの下端部の上方、すなわち、液滴に覆われる部分の上方の位置に対してレーザ光を照射し、その反射光を受光するようにしても良い。このようにすれば、ウエハＷの下端部に液滴が形成される際には、その上方の位置においては液膜が消失しているため、液膜による散乱が減少する。したがって、受光器による受光量が増大することをもって、ウエハＷの下端部における液滴の形成を検出し得る。また、ウエハＷの下端部表面と平行に、かつ、レーザ光の光路がウエハＷの下端部表面に接するようにレーザ光光源からレーザ光を発し、そのレーザ光を受光器により受光するようにしても良い。さらに、レーザ光光源の代わりに、例えば発光ダイードやランプなどの所定の光源と、この光源から発せられる光をほぼ平行な光に変換する所定の光学系とを用いて良い。
【００５１】
また、上述の実施形態においては、ＤＨＦによりウエハＷを洗浄する場合を例示したが、洗浄液としてＤＩＷのみを用いることもできる。この場合、図１に示すＤＨＦ供給ライン５１の開閉バルブ５１ａを閉めたままで良い。また、ＤＨＦ供給源に代わり、他の薬液の供給源を洗浄槽３０に接続しても良い。他の薬液としては、例えばアルコール（例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ））、ＳＣ１(ＮＨ４ＯＨ+Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ)、又はＳＣ２（ＨＣｌ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ）などを用いることができる。また、薬液として、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）、又はＨＮＯ３などを用いても良い。
【００５２】
また、有機溶剤として、ＩＰＡを用いた場合について説明したが、ＩＰＡ以外の有機溶剤、例えばメタノールやエタノールなどを用いても良い。メタノールは、水との混和性が高く、水との置換性を高めることができるため、乾燥性能をより向上させることができる。
【００５３】
さらに基板は半導体ウエハに限定されるものではなく、液晶ディスプレイ用のガラス基板、プリント配線基板、セラミック基板等であってもよい。
【符号の説明】
【００５４】
１・・・基板処理装置、２・・・液処理部、３・・・乾燥処理部、４・・・ウエハガイド、５・・・チャンバ、６・・・液処理槽、１０・・・シャッタ、１１・・・シャッタボックス、１３・・・ボックス、２０・・・処理液供給ライン、２１・・・処理ガス供給管、２２・・・蒸気発生器、２３・・・ガス配管、２４・・・ガス配管、２６・・・保持部、２６Ｓ・・・ウエハ支持部、２７・・・支柱部、３０・・・洗浄槽、３１・・・中槽、３２・・・外槽、３５・・・処理液供給ノズル、３６・・・排液管、５１・・・ＤＨＦ供給ライン、５２・・・ＤＩＷ供給ライン、６１・・・本体部、６２・・・蓋、７１・・・第１ガス供給ノズル、７１ａ・・・ガス吐出孔、７２・・・第２ガス供給ノズル、９９・・・制御部、Ｗ・・・ウエハ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハやフラットパネルディスプレー製造用のガラス基板などの基板を洗浄し乾燥する基板処理方法及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造工程では、薬液が貯留される洗浄槽において半導体ウエハ（以下、ウエハと称する）を洗浄することにより、ウエハに付着した金属や有機物などの不純物やパーティクルを除去する洗浄プロセスが行われる。例えば、洗浄プロセスは、洗浄槽内に貯留される薬液に複数のウエハをほぼ直立に保持して浸漬し、洗浄槽に純水を供給することにより純水で薬液を置換し、洗浄槽からウエハを引き上げ、アルコール等を用いてウエハを乾燥させることにより行われる（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−２０９１０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の洗浄プロセスにおいて、洗浄槽からウエハを引き上げたときには、ウエハの表面（及び裏面）には純水が膜状に残っており、重力によりウエハ表面を流れ落ちていく。このとき、ほぼ直立に保持されるウエハの下端部には、下端部から落ちきれない純水（アルコール等を含む）の液滴が残ってしまう。この液滴が乾燥すると、液滴中に含まれていた不純物やパーティクルがウエハの下端部に残留する。残留した不純物やパーティクルは、後のプロセスにおいてウエハの表面に飛散する可能性があるため、製造歩留まり低下の要因となる。
【０００５】
本発明は、上記の事情を考慮して為され、洗浄槽から引き上げた基板の下端部に液滴が残って不純物やパーティクル等が基板に残留するのを抑制することができる基板処理方法及び基板処理装置に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様によれば、リンス液が貯留された洗浄槽から、該洗浄槽の上方に配置される乾燥室に基板を収容するステップと、前記基板が収容される前記乾燥室に第１の供給部から有機溶剤の蒸気を供給するステップと、液膜が前記基板の表面を流れ落ちて前記基板の下端部に形成される液滴に対して、第２の供給部から乾燥ガスを供給するステップとを含む基板処理方法が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様によれば、少なくともリンス液を貯留可能で、該リンス液に複数の基板が浸漬されるよう構成される洗浄槽と、前記洗浄槽の上方に配置され、前記複数の基板を収容可能な乾燥室と、前記複数の基板を直立に保持し、前記洗浄槽と前記乾燥室とを往復可能に設けられる基板保持搬送部と、前記乾燥室に設けられ、前記乾燥室内へ有機溶剤の蒸気を供給する第１の供給部と、前記基板保持搬送部により前記乾燥室において保持される前記基板の下端部に乾燥ガスを供給可能な第２の供給部と、前記第２の供給部からの前記乾燥ガスの供給が、前記第１の供給部からの前記有機溶剤の蒸気の供給以降に開始されるように、前記第１の供給部及び前記第２の供給部を制御する制御部とを備える基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の実施形態によれば、洗浄槽から引き上げた基板の下端部に液滴が残って不純物やパーティクル等が基板に残留するのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態による基板処理装置を示す概略図である。
【図２】本発明の実施形態による基板処理方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施形態による基板処理方法の要部を説明するための模式図である。
【図４】本発明の実施形態による基板処理装置の変形例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一または対応する部材または部品については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１１】
図１を参照すると、本発明の実施形態による基板処理装置１は、ウエハＷの液処理を行う液処理部２と、液処理部２の上方に配置され、液処理部２でのリンス処理が終了したウエハＷの乾燥を行う乾燥処理部３と、液処理部２と乾燥処理部３との間で複数のウエハＷを一括して移動させる移動機構としてのウエハガイド４を有している。
【００１２】
ウエハガイド４は、例えば５０枚のウエハＷをほぼ直立に保持する保持部２６と、保持部２６を支持する支柱部２７とを有している。保持部２６は、図１の紙面に垂直な方向に延びる４つのウエハ支持部２６Ｓを有している。ウエハ支持部２６Ｓには、その長手方向（紙面に垂直な方向）に沿って配列される例えば５０個の切欠部（図示せず）を有しており、４つのウエハ支持部２６Ｓに対応して設けられる４つの切欠部でウエハＷのエッジを支持する。これにより、ウエハＷが保持部２６にほぼ直立に保持される。なお、ウエハ支持部２６Ｓは、ほぼ直立に保持されるウエハＷの下端部を避けて配置されている。
【００１３】
また、支柱部２７は、後述するチャンバ５の蓋６２を気密に貫通している。支柱部２７はガイド昇降機構２８により昇降自在であり、保持部２６に保持されたウエハＷを液処理部２と乾燥処理部３との間で移動させることができる。
【００１４】
液処理部２は、ボックス１３内に配置される液処理槽６を有する。液処理槽６は、本実施形態においては希釈フッ酸（ＤＨＦ）及び脱イオン水（ＤＩＷ）が貯留され、ウエハＷを収容して液処理する洗浄槽３０と、洗浄槽３０の上部の開口を囲むように形成された中槽３１と、中槽３１の開口を囲むように形成された外槽３２と、を含む。
【００１５】
洗浄槽３０内の下部には、ＤＨＦおよびＤＩＷを洗浄槽３０内に供給する処理液供給ノズル３５が設けられている。処理液供給ノズル３５には、ＤＨＦ供給源からＤＨＦを洗浄槽３０に供給するＤＨＦ供給ライン５１と、ＤＩＷ供給源からＤＩＷを供給するＤＩＷ供給ライン５２と、を有する処理液供給ライン２０が接続されている。ＤＨＦ供給ライン５１に設けられた開閉バルブ５１ａと、ＤＩＷ供給ライン５２に設けられた開閉バルブ５２ａとを相補的に開閉することによって、ＤＨＦ及びＤＩＷのいずれか一方を供給することができる。また、ＤＨＦ供給ライン５１及びＤＩＷ供給ライン５２には、それぞれ流量制御器（図示せず）が設けられ、これにより、ＤＨＦ及びＤＩＷは流量制御されて洗浄槽３０内へ供給される。
【００１６】
洗浄槽３０の底部には、開閉バルブ３７が設けられた排液管３６が接続されている。開閉バルブ３７を開くと、排液管３６を通して洗浄槽３０内のＤＨＦやＤＩＷがからボックス１３内に排出される。また、ボックス１３の下部には、バルブが設けられた排液管１４１が接続されている。洗浄槽３０からボックス１３内に排出されたＤＨＦやＤＩＷは、排液管１４１を通してボックス１３内から排出され得る。さらに、ボックス１３には排気管１４２が設けられており、排気管１４２を通して、例えば、ボックス１３に排出されたＤＨＦから発生する蒸気を排気することができる。
【００１７】
中槽３１は、洗浄槽３０の上面開口からオーバーフローした純水を受け止める。中槽３１の底部には、中槽３１から純水を排出するための排液管４１の一端が接続されている。排液管４１の他端はトラップ４２内に挿入されている。また、トラップ４２には、トラップ４２内に挿入された排液管４１の他端よりも高い位置に開口する排液管４３が設けられている。これにより、中槽３１から排液管４１を通してトラップ４２に流入した純水は、排液管４３の開口の高さまで貯留され、純水が更に流入すると、排液管４３の開口から排出される。このような構成により、例えばボックス１３内の蒸気やガスが、排液管４３やトラップ４２を通して中槽３１に到達するのが抑制される。例えば、洗浄槽３０からボックス１３内に排出されたＤＨＦから発生した蒸気が排液管４１を通じて液処理槽６内に混入するのを抑制することができる。
【００１８】
外槽３２には、常時、純水が貯留されている。また、環状のシール板４６が、その下部が外槽３２中の純水に浸され、かつ、その上端が外槽３２の上方に配置されたシャッタボックス１１の下板に密着するように、配設されている。このような構成により、外槽３２は純水を利用したシール機能を有し、洗浄槽３０の雰囲気が外部に漏れるのを抑制することができる。なお、シャッタボックス１１には、開閉バルブ１３７が設けられた排気管１３６が接続され、シャッタボックス１１内の雰囲気を排気することができる。
【００１９】
乾燥処理部３にはウエハＷを収容するチャンバ５が設けられている。チャンバ５は、ウエハガイド４により保持されるウエハＷを収容可能な略角筒状の本体部６１と、本体部６１の上面開口を開閉する蓋６２とから構成されている。本体部６１の下面開口は、後述するシャッタ１０により開閉可能である。
【００２０】
蓋６２は、上に凸の略半円形の断面形状を有している。蓋６２は、蓋昇降機構６４により昇降自在であり、本体部６１から持ち上げられたときに、本体部６１の内部に対してウエハＷが搬入出される。具体的には、ウエハガイド４の保持部２６が本体部６１の上方に維持され、この保持部２６と図示しない外部搬送装置等との間でウエハＷが受け渡しされ、ウエハガイド４を上下動することにより、ウエハＷの搬入出が行われる。
蓋６２が本体部６１に載置されたときは、蓋６２は、シール部材６３を介して、本体部６１の上面開口を気密に塞ぐことができる。
【００２１】
チャンバ５内には、２本の第１ガス供給ノズル７１が設けられている。２本の第１ガス供給ノズル７１は、保持部２６に保持される例えば５０枚のウエハＷの両側に１本ずつ、保持部２６の長手方向（紙面垂直方向）に沿って延びている。第１ガス供給ノズル７１は、保持部２６において５０枚のウエハＷが保持される保持範囲よりも長いことが好ましい。また、第１ガス供給ノズル７１には、その長手方向に沿って所定の間隔で配列される複数のガス吐出孔７１ａ（図２参照）が設けられている。第１ガス供給ノズル７１には処理ガス供給管２１が接続されている。処理ガス供給管２１には蒸気発生器２２が接続されている。蒸気発生器２２は、開閉バルブ８３ａ、流量制御器２４ａ、加熱器２４ｈ、及び開閉バルブ８３ｂが設けられたガス配管２４により、図示しない窒素ガス供給源と接続され、開閉バルブ８２ａ、流量制御器２３ａ、及び開閉バルブ８２ｂが設けられたガス配管２３により、図示しないイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）供給源と接続されている。流量制御器２４ａにより流量制御された窒素ガスが加熱器２４ｈにより加熱されて蒸気発生器２２へ供給され、流量制御器２３ａにより流量制御されたＩＰＡが蒸気発生器２２へ供給される。これにより、蒸気発生器２２においてＩＰＡ蒸気が発生し、窒素ガスをキャリアガスとしてＩＰＡ蒸気が処理ガス供給管２１を通して第１ガス供給ノズル７１へ供給され、第１ガス供給ノズル７１のガス吐出孔７１ａから本体部６１内へ供給される。
【００２２】
なお、第１ガス供給ノズル７１に設けられるガス吐出孔７１ａは、水平方向よりも上方に向かって開口している。好ましくは、ガス吐出孔７１ａは、ガス吐出孔７１ａから吐出されたＩＰＡ蒸気が、チャンバ５内に収容されたウエハＷに直接にあたらずに斜め上方に噴射されるように設けられる。より好ましくは、ガス吐出部７１ａは、ＩＰＡ蒸気が、ウエハＷの左上と右上を通過して蓋６２の内周面上部に向かって上昇し、蓋６２の上部中央において合流して下降し、ウエハＷどうしの間に流入してウエハＷの表面に沿って流下するように設けられる。
【００２３】
また、チャンバ５内には、２本の第２ガス供給ノズル７２が設けられている。第２ガス供給ノズル７２は、対応する第１ガス供給ノズル７１の下方に第１ガス供給ノズル７１とほぼ平行に配置されている。第２ガス供給ノズル７２は、本実施形態においては、複数のガス吐出孔７２ａ（図２参照）が水平方向よりも下方に開口している点を除き、第１ガス供給ノズル７２と同じ構成を有している。また、第２ガス供給ノズル７２は、開閉バルブ８６ａ、流量制御器２５ａ、加熱器２５ｈ、及び開閉バルブ８６ｂが設けられた乾燥ガス供給管２５により、乾燥ガス供給源と接続されている。これにより、乾燥ガス供給源からの乾燥ガスが乾燥ガス供給管２５を通して第２ガス供給ノズル７２へ供給され、第２ガス供給ノズル７２のガス吐出孔７２ａから供給される。乾燥ガスとしては、窒素ガスや希ガスなどの不活性ガスや清浄化された乾燥気体（又は乾燥空気）を用いることができる。
なお、第２ガス供給ノズル７２のガス吐出孔７２ａは、チャンバ５内に収容されたウエハＷの下端部に向かって開口し、下端部に向けて乾燥ガスを吐出することができるように設けられていることが好ましい。
【００２４】
また、チャンバ５の本体部６１の側壁下方部に排気口７３が形成され、排気口７３は所定の配管を介して排気装置（ともに図示せず）に接続されている。排気装置は、チャンバ５内にＩＰＡ蒸気や乾燥ガスが供給されている間は起動されており、これにより、ＩＰＡ蒸気や乾燥ガスがチャンバ５から排気される。また、チャンバ５の蓋６２が開いている場合に、排気装置を起動し、後述するファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１２からの清浄気体のダウンフローをチャンバ５の本体部６１を通して排気するようにしても良い。
【００２５】
液処理部２と乾燥処理部３との間にはシャッタ１０が設けられている。シャッタ１０は、液処理部２と乾燥処理部３との間でウエハＷを移動させるとき、及び液処理部２において液処理を行うときは、シャッタボックス１１に収容されており、したがって液処理部２と乾燥処理部３とは連通している。一方、ウエハＷが乾燥処理部３に収容され、乾燥処理が行われるに際して、シャッタ１０は、シール部材１３５を介して乾燥処理室３の下端に密着し、これにより乾燥処理室３内の気密が保たれる。シャッタ１０の上面は、両端から中心に向かって傾斜しており、中心部には排液口（図示せず）が形成されている。また、排液口には吸引機構としてのポンプ（図示せず）が接続されている。これにより、液処理槽６からチャンバ５内へ引き上げられたウエハＷから流れ落ちる純水が、チャンバ５内から排出される。なお、吸引機構としてポンプの代わりにアスピレータを用いても良い。
【００２６】
また、基板処理装置１には、上方に設けられたファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１２から清浄気体が供給され、清浄気体によるダウンフローが生成される。これにより、液処理部２と乾燥処理部３は清浄な雰囲気に置かれる。
【００２７】
さらに、基板処理装置１には、基板処理装置１の各部（構成部材、構成部品）を制御する制御部９９が設けられている。制御部９９は、例えば中央演算部（ＣＰＵ）を含むコンピュータと、メモリ装置とを含み、後述する基板処理方法を基板処理装置１に実施させるコンピュータプログラムを実行することができる。このコンピュータプログラムは、コンピュータ可読記録媒体９９ａに記憶され、制御部９９のメモリ装置にロードされて制御部により実行される。コンピュータ可読記録媒体９９ａは、例えばフレキシブルディスク、光ディスク、半導体メモリなどであって良い。また、コンピュータプログラムは、コンピュータ可読記録媒体９９ａからではなく、所定のネットワークを通して制御部９９のメモリ装置にロードしても良い。
【００２８】
次に、図２及び図３を参照しながら、上述の基板処理装置１を用いて行われる、本発明の実施形態による基板処理方法を説明する。なお、図３は、基板処理方法の主なステップにおけるウエハＷと、ガス供給ノズル７１，７２からのガスの供給とを模式的に示しており、チャンバ５やシャッタ１０等は省略する。
【００２９】
まず、乾燥処理部３のチャンバ５内にウエハＷが搬入される（ステップＳ２１）。具体的には、チャンバ５の蓋６２が本体部６１から持ち上げられ、チャンバ５の本体部６１の上方において、基板処理装置１の外部の搬送装置からウエハガイド４の保持部２６へ５０枚のウエハＷが受け渡される。受け渡されたウエハＷは、ウエハ支持部２６Ｓによりほぼ直立に支持されている。次いで、ウエハガイド４が下降して、ウエハＷが本体部６１内に収容され、蓋６２が閉まる。
【００３０】
次に、シャッタ１０をシャッタボックス１１内に収容することにより、乾燥処理部３のチャンバ５０と液処理部２の洗浄槽３０とを連通させ、ウエハガイド４を下降させる。これにより、ＤＨＦ供給ライン５１を通して洗浄槽３０に供給され貯留されたＤＨＦ内にウエハＷが浸漬され（ステップＳ２２）、ＤＨＦによりウエハＷの表面（及び裏面）が洗浄される。
【００３１】
ＤＨＦによるウエハＷの洗浄を所定の期間行った後、ウエハＷを洗浄槽３０内に配置したまま、処理液供給ノズル３５から洗浄槽３０内にＤＩＷを供給して、洗浄槽３０内のＤＨＦをＤＩＷに置換し、ウエハＷをリンスする（ステップＳ２３）。このとき、洗浄槽３０からオーバーフローしたＤＨＦやＤＩＷは、中槽３１に受け止められ、排液管４１およびトラップ４２を通して排出される。
【００３２】
濃度センサ５３により洗浄槽３０内のＤＨＦの濃度をモニターしつつ、ＤＨＦ濃度が所定の濃度以下に下がったことが確認された後、ウエハガイド４によりウエハＷが洗浄槽３０から取り上げられる。これによりリンスが終了する。
【００３３】
ウエハＷが洗浄槽３０から取り上げられて、乾燥処理部３のチャンバ５内に収容されると（ステップＳ２４）、シャッタ１０が閉じて、チャンバ５内が密閉される。また、アスピレータ（図示せず）が起動され、シャッタ１０の中央部に設けられた排気口（図示せず）から、ウエハＷからシャッタ１０へたれた純水が排出される。このとき図３（ａ）に示すように、ウエハＷの表面（及び裏面）のほぼ全体に純水が液膜となって残っている。
次に、排気装置（図示せず）を起動することにより排気管７３を通してチャンバ５内を排気するとともに、図３（ｂ）に示すように、第１ガス供給ノズル７１からチャンバ５内へＩＰＡ蒸気を供給する（ステップＳ２５）。本実施形態では、上述のとおり、ウエハＷの両側に位置する各第１ガス供給ノズル７１から供給されるＩＰＡ蒸気は、蓋６２の内面に向かって供給され、その内面に当たって合流してからウエハＷに向かって流れていく。このようにして、ウエハＷの表面に残る純水の液膜がＩＰＡ蒸気（又はＩＰＡガス）に晒されると、純水の液膜にＩＰＡ蒸気が溶け込み、ウエハＷの表面はＩＰＡ水溶液の液膜で覆われることとなる。ところが、ＩＰＡ水溶液の表面張力は純水の表面張力よりも小さく、ウエハＷの表面に膜状に残ることができなくなるため、図３（ｂ）に示すように、ウエハＷの表面を流れ落ちていく。これにより、ウエハＷの表面は上部からＩＰＡ水溶液に濡れていない状態となる。
【００３４】
なお、このステップ（Ｓ２５）における条件を例示すると、蒸気発生器２２（図１）に供給する窒素ガスの流量は、例えば２０リットル／分（ｌ／ｍｉｎ）から３００ｌ／ｍｉｎまでであり、好ましくは７０ｌ／ｍｉｎから１５０ｍｉｎまでである。また、加熱器２４ｈにて加熱される窒素ガスの温度は、ＩＰＡを蒸発（気化）させるに十分な温度に設定して良く、例えば１４０℃から２３０℃までの範囲の温度であって良い。さらに、蒸気発生器２２に供給するＩＰＡの流量は、例えば０．１ｃｃ／ｍｉｎから６．０ｃｃ／ｍｉｎまでであって良い。また、第１ガス供給ノズル７１からのＩＰＡ蒸気の供給時間は、例えば６０秒程度であって良い。
【００３５】
次いで、図３（ｃ）に示すように、第１ガス供給ノズル７１からは窒素ガスだけが供給される（ステップＳ２６）。これは、図１に示すガス配管２３の開閉バルブ８２ａ及び８２ｂを閉めることにより行われる。この窒素ガスによりウエハＷの表面に残留する水分やＩＰＡが蒸発し、ウエハＷの表面が乾燥される。なお、本実施形態においては、このときの流量制御器２４ａ及び加熱器２４ｈ（図１）は、ＩＰＡ蒸気を供給するときと同一に設定されている。また、窒素ガスの供給時間は８０秒であって良い。
第１ガス供給ノズル７１からの窒素ガスの供給を停止した後、ステップＳ２７において、第２ガス供給ノズル７２からウエハＷの下端部に向けて窒素ガスが供給される。このとき、ウエハＷの下端部には、図３（ｃ）に示すように、ウエハＷの表面を流れ落ちたＩＰＡ水溶液が落ちきれずに残こる液滴がある。しかし、図３（ｄ）に示すように、第２ガス供給ノズル７２からの窒素ガスにより吹き飛ばされる。このようにして、図３（ｅ）に示すように、ウエハＷの洗浄された表面（下端部を含む）が乾燥される。
【００３６】
次いで、窒素ガスの供給とチャンバ５内の排気とが停止され（ステップＳ２８）、チャンバ５の蓋５２が本体部６１から持ち上げられる。そして、チャンバ５内にウエハＷを搬入したときの手順と逆の手順に従って、ウエハＷがチャンバ５から搬出され（ステップＳ２９）、ウエハＷに対する処理が終了する。
【００３７】
以上のとおり、本発明の実施形態による基板処理方法においては、ほぼ直立に保持されたウエハＷが洗浄槽３０から取り上げられたときにウエハＷの下端部に液滴が残ったとしても、第２ガス供給ノズル７２からの窒素ガスにより吹き飛ばすことができる。下端部に残る液滴には不純物やパーティクルが残っている可能性があるため、液滴が乾燥して不純物やパーティクル等がウエハＷに残留してしまうおそれがある。しかし、本発明の実施形態による基板処理方法によれば、液滴を吹き飛ばすことができるため、不純物やパーティクルがウエハＷに残留するのを抑制することが可能となる。
【００３８】
また、本発明の実施形態による基板処理装置１を用いた基板処理方法によれば、ウエハＷ上の純水の液膜に対してＩＰＡ蒸気が直接に当たることがないため、ＩＰＡ水溶液による一様な液膜が形成され、ウエハＷの表面上部から一様に流れ落ちることができる。仮に、液膜に対してＩＰＡ蒸気が直接に当たると、その部分でのＩＰＡ濃度が高くなり、その部分の液膜が速く流れ落ちる。この結果、液膜が分断され、その部分よりも上側の液膜が液滴となってウエハＷの表面に残る可能性がある。しかし、基板処理方法によれば、液膜が一様に流れ落ちることができるため、ウエハＷの表面に液滴が残るのを抑制することができる。したがって、清浄化されたウエハＷの表面は、ウォータマークが生じることなく、乾燥され得る。
【００３９】
以上、幾つかの実施形態を参照しながら本発明を説明したが、本発明の上述の実施形態に限定されることなく、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変形又は変更が可能である。
【００４０】
例えば、第２ガス供給ノズル７２からの窒素ガスの供給（ステップＳ２７）は、第１ガス供給ノズル７１からの窒素ガスの供給（ステップＳ２６）が終了する前に開始しても良く、第１ガス供給ノズル７１からの窒素ガスの供給（ステップＳ２６）と同時に行っても良い。このようにすれば、ウエハＷの表面（下端部を除く）を乾燥しつつ、ウエハＷの下端部に残る液滴を吹き飛ばすことができるため、処理時間を短縮することができる。
【００４１】
また、第２ガス供給ノズル７２からの窒素ガスの供給（ステップＳ２７）は、第１ガス供給ノズル７１からのＩＰＡ蒸気の供給（ステップＳ２５）と時間的に重複するように行っても良い。特に、ＩＰＡ水溶液の液膜がウエハＷの表面を流れ落ち、ウエハＷの下端部に液滴が残るのとほぼ同時に、第２ガス供給ノズル７２から窒素ガスを下端部へ向けて供給することが好ましい。そして、この後に、第１ガス供給ノズル７１から供給されるガスをＩＰＡ蒸気から窒素ガスに切り替え、ウエハＷの表面全体を乾燥させると好ましい。
【００４２】
また、乾燥ガスとしてのＩＰＡ蒸気を第２ガス供給ノズル７２から供給しても良い。この場合は、第１ガス供給ノズル７１から窒素ガスを供給して、ウエハＷの表面を窒素ガスにより乾燥させる前（ステップＳ２６の前）に、第２ガス供給ノズル７２からウエハＷの下端部に向けてＩＰＡ蒸気を供給すること（ステップＳ２７）が好ましい。また、第１ガス供給ノズル７１からのＩＰＡ蒸気の供給（ステップＳ２５）を停止する前に、第２ガス供給ノズル７２からウエハＷの下端部に向けてＩＰＡ蒸気を供給すること（ステップＳ２７）がより好ましい。さらに、第１ガス供給ノズル７１からのＩＰＡ蒸気の供給（ステップＳ２５）によりＩＰＡ水溶液の液膜がウエハＷの表面を流れ落ち、ウエハＷの下端部に液滴が残ったときに、第２ガス供給ノズル７２から下端部へ向けてＩＰＡ蒸気を供給することが一層好ましい。そして、第１ガス供給ノズル７１及び７２からのＩＰＡ蒸気の供給を停止した後に、第１ガス供給ノズル７１から窒素ガスを供給することにより、ウエハＷの表面を更に乾燥する。
【００４３】
また、上述の実施形態においては、第２ガス供給ノズル２からウエハＷの下端部に向けて乾燥ガスを供給して、ウエハＷの下端部に残る液滴を吹き落とすようにしたが、この液滴を下端部から落下させることができる限りにおいて、乾燥ガスの供給方法は限定されない。例えば、図４（ａ）に示すように、チャンバ５内に収容されるウエハＷの下端部とほぼ同じ高さに第２ガス供給ノズル７２を配置し、第２ガス供給ノズル７２から水平方向に乾燥ガスを供給しても良い。このようにすれば、ウエハＷの下端部に残る液滴は、この乾燥ガスにより揺動され、下端部から落下し得る。
【００４４】
また、図４（ｂ）に示すように、第２ガス供給ノズル７２から、水平方向よりも上向きに乾燥ガスを供給しても構わない。この場合、ウエハＷの下端部の近くで乾燥ガスが衝突し、乱流が発生する。これにより、ウエハＷの下端部に残る液滴は揺動されて落下し得る。さらに、図４（ｃ）に示すように、第２ガス供給ノズル７２から、水平方向よりも下方に向けて乾燥ガスを供給しても良い。この場合、乾燥ガスは、シャッタ１０の上面に当たって上向きに流れることとなるため、ウエハＷの下端部の液滴を下方から揺動することができる。これにより、液滴が落下し得る。
【００４５】
また、第１ガス供給ノズル７１は、上向き（斜め上向き）と下向き（斜め下向き）にＩＰＡ蒸気又は窒素ガスを供給することができるように、中心軸を中心に回動可能に構成しても良い。これによれば、ＩＰＡ蒸気の供給、ウエハＷの表面を乾燥させるための窒素ガスの供給、及びウエハＷの下端部に向けた乾燥ガスの供給を第１ガス供給ノズル７１により行うことができる。
【００４６】
さらに、上述の実施形態においては、ＩＰＡ蒸気と、ウエハＷの表面を乾燥させるための窒素ガスとを第１ガス供給ノズル７１から切り替えて供給したが、ウエハＷの表面を乾燥させるための窒素ガスを供給するノズルを、第１ガス供給ノズル７１と別に設けても構わない。
【００４７】
また、上述の実施形態では、第１ガス供給ノズル７１においてＩＰＡ蒸気からウエハＷの表面を乾燥させるための窒素ガスに切り替えるときに、流量制御器２４ａ及び加熱器２４（図１）の設定温度を同一としたが、窒素ガス供給時の窒素ガスの温度を変えても良い。例えば、ウエハＷの表面を乾燥させるための窒素ガスの流量を３５０ｍｌ／ｍｉｎと設定し、温度を２００℃と設定しても良い。
【００４８】
また、第１ガス供給ノズル７１からの窒素ガスの供給（ステップＳ２６）は、場合によっては、行わなくても良い。例えば、第１ガス供給ノズル７１からＩＰＡ蒸気を供給することにより、チャンバ５内の温度が高くなった結果、ウエハＷの表面が乾燥し得る場合には、ステップＳ２６を省略しても構わない。
【００４９】
また、ウエハガイド４の保持部２６には４つのウエハ支持部２６Ｓが設けられていたが、少なくとも２つのウエハ支持部２６Ｓを設ければよい。この場合においても、２つのウエハ支持部２６ＳはウエハＷの下端部を避けて配置される。
【００５０】
また、ウエハＷの下端部に液滴が形成されるのを光学的に検知し、その検知に基づいて、第２ガス供給ノズル７２からウエハＷの下端部に向けて乾燥ガスを供給するようにしても良い。そのような検知は、チャンバ５内において保持部２６により保持されるウエハＷの下端部に向けてレーザ光を照射するレーザ光光源と、ウエハＷの下端部で反射されるレーザ光を受光する受光器とをチャンバ５の本体部６１に設けることにより可能となる。すなわち、ウエハＷの下端部に形成される液滴によりレーザ光が散乱されるため、受光器での受光量が減少したことをもって、ウエハＷの下端部における液滴の形成を検出し得る。また、ウエハＷの下端部の上方、すなわち、液滴に覆われる部分の上方の位置に対してレーザ光を照射し、その反射光を受光するようにしても良い。このようにすれば、ウエハＷの下端部に液滴が形成される際には、その上方の位置においては液膜が消失しているため、液膜による散乱が減少する。したがって、受光器による受光量が増大することをもって、ウエハＷの下端部における液滴の形成を検出し得る。また、ウエハＷの下端部表面と平行に、かつ、レーザ光の光路がウエハＷの下端部表面に接するようにレーザ光光源からレーザ光を発し、そのレーザ光を受光器により受光するようにしても良い。さらに、レーザ光光源の代わりに、例えば発光ダイードやランプなどの所定の光源と、この光源から発せられる光をほぼ平行な光に変換する所定の光学系とを用いて良い。
【００５１】
また、上述の実施形態においては、ＤＨＦによりウエハＷを洗浄する場合を例示したが、洗浄液としてＤＩＷのみを用いることもできる。この場合、図１に示すＤＨＦ供給ライン５１の開閉バルブ５１ａを閉めたままで良い。また、ＤＨＦ供給源に代わり、他の薬液の供給源を洗浄槽３０に接続しても良い。他の薬液としては、例えばアルコール（例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ））、ＳＣ１(ＮＨ４ＯＨ+Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ)、又はＳＣ２（ＨＣｌ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ）などを用いることができる。また、薬液として、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）、又はＨＮＯ３などを用いても良い。
【００５２】
また、有機溶剤として、ＩＰＡを用いた場合について説明したが、ＩＰＡ以外の有機溶剤、例えばメタノールやエタノールなどを用いても良い。メタノールは、水との混和性が高く、水との置換性を高めることができるため、乾燥性能をより向上させることができる。
【００５３】
さらに基板は半導体ウエハに限定されるものではなく、液晶ディスプレイ用のガラス基板、プリント配線基板、セラミック基板等であってもよい。
【符号の説明】
【００５４】
１・・・基板処理装置、２・・・液処理部、３・・・乾燥処理部、４・・・ウエハガイド、５・・・チャンバ、６・・・液処理槽、１０・・・シャッタ、１１・・・シャッタボックス、１３・・・ボックス、２０・・・処理液供給ライン、２１・・・処理ガス供給管、２２・・・蒸気発生器、２３・・・ガス配管、２４・・・ガス配管、２６・・・保持部、２６Ｓ・・・ウエハ支持部、２７・・・支柱部、３０・・・洗浄槽、３１・・・中槽、３２・・・外槽、３５・・・処理液供給ノズル、３６・・・排液管、５１・・・ＤＨＦ供給ライン、５２・・・ＤＩＷ供給ライン、６１・・・本体部、６２・・・蓋、７１・・・第１ガス供給ノズル、７１ａ・・・ガス吐出孔、７２・・・第２ガス供給ノズル、９９・・・制御部、Ｗ・・・ウエハ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リンス液が貯留された洗浄槽から、該洗浄槽の上方に配置される乾燥室に基板を収容するステップと、
前記基板が収容される前記乾燥室に第１の供給部から有機溶剤の蒸気を供給するステップと、
液膜が前記基板の表面を流れ落ちて前記基板の下端部に形成される液滴に対して、第２の供給部から乾燥ガスを供給するステップと
を含む基板処理方法。
【請求項２】
前記乾燥室に不活性ガスを供給するステップを更に含む、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記不活性ガスを供給するステップが、前記基板の表面の液膜を流し落とすステップと、前記乾燥ガスを供給するステップとの間に行われる、請求項１又は２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記乾燥ガスを水平方向よりも下向きに供給する、請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記収容するステップにおいて、前記基板が、少なくとも２つの支持部により下端部を避けた位置において支持される、請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記基板の表面の液膜を流し落とすステップが、前記有機溶剤の蒸気を排気するステップを含み、
前記乾燥ガスを供給するステップが、前記乾燥ガスを排気するステップを含む、
請求項１から５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
少なくともリンス液を貯留可能で、該リンス液に複数の基板が浸漬されるよう構成される洗浄槽と、
前記洗浄槽の上方に配置され、前記複数の基板を収容可能な乾燥室と、
前記複数の基板を直立に保持し、前記洗浄槽と前記乾燥室とを往復可能に設けられる基板保持搬送部と、
前記乾燥室に設けられ、前記乾燥室内へ有機溶剤の蒸気を供給する第１の供給部と、
前記基板保持搬送部により前記乾燥室において保持される前記基板の下端部に乾燥ガスを供給可能な第２の供給部と、
前記第２の供給部からの前記乾燥ガスの供給が、前記第１の供給部からの前記有機溶剤の蒸気の供給以降に開始されるように、前記第１の供給部及び前記第２の供給部を制御する制御部と
を備える基板処理装置。
【請求項８】
前記第１の供給部が、前記有機溶剤の蒸気と切り替えて不活性ガスを供給することができる、請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第２の供給部が、前記乾燥ガスを水平方向よりも下向きに供給する、請求項７又は８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
基板保持搬送部が、前記基板の端部を保持する少なくとも２つの支持部を有し、該少なくとも２つの支持部が前記基板の下端部を避けて配置される、請求項７から９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記第１の供給部から供給される前記有機溶剤の蒸気、及び前記第２の供給部から供給される前記乾燥ガスを排気可能な排気部を更に備える、請求項７から１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記基板の下端部に向かう方向に光を発する光源部と、
前記光源部からの前記光を受光する受光部と
を更に備え、
前記受光部により受光される前記光の受光量に基づいて、前記基板の下端部に形成される液滴を検出する、請求項７から１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
請求項７から１２のいずれか一項に記載の基板処理装置に請求項１から６のいずれか一項に記載の基板処理方法を実施させるプログラム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のプログラムを記憶するコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１】
リンス液が貯留された洗浄槽から、該洗浄槽の上方に配置される乾燥室に基板を収容するステップと、
前記基板が収容される前記乾燥室に第１の供給部から有機溶剤の蒸気を供給するステップと、
液膜が前記基板の表面を流れ落ちて前記基板の下端部に形成される液滴に対して、第２の供給部から乾燥ガスを供給するステップと
を含む基板処理方法。
【請求項２】
前記乾燥室に不活性ガスを供給するステップを更に含む、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記不活性ガスを供給するステップが、前記基板の表面の液膜を流し落とすステップと、前記乾燥ガスを供給するステップとの間に行われる、請求項１又は２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記乾燥ガスを水平方向よりも下向きに供給する、請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記収容するステップにおいて、前記基板が、少なくとも２つの支持部により下端部を避けた位置において支持される、請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記基板の表面の液膜を流し落とすステップが、前記有機溶剤の蒸気を排気するステップを含み、
前記乾燥ガスを供給するステップが、前記乾燥ガスを排気するステップを含む、
請求項１から５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
少なくともリンス液を貯留可能で、該リンス液に複数の基板が浸漬されるよう構成される洗浄槽と、
前記洗浄槽の上方に配置され、前記複数の基板を収容可能な乾燥室と、
前記複数の基板を直立に保持し、前記洗浄槽と前記乾燥室とを往復可能に設けられる基板保持搬送部と、
前記乾燥室に設けられ、前記乾燥室内へ有機溶剤の蒸気を供給する第１の供給部と、
前記基板保持搬送部により前記乾燥室において保持される前記基板の下端部に乾燥ガスを供給可能な第２の供給部と、
前記第２の供給部からの前記乾燥ガスの供給が、前記第１の供給部からの前記有機溶剤の蒸気の供給以降に開始されるように、前記第１の供給部及び前記第２の供給部を制御する制御部と
を備える基板処理装置。
【請求項８】
前記第１の供給部が、前記有機溶剤の蒸気と切り替えて不活性ガスを供給することができる、請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第２の供給部が、前記乾燥ガスを水平方向よりも下向きに供給する、請求項７又は８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
基板保持搬送部が、前記基板の端部を保持する少なくとも２つの支持部を有し、該少なくとも２つの支持部が前記基板の下端部を避けて配置される、請求項７から９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記第１の供給部から供給される前記有機溶剤の蒸気、及び前記第２の供給部から供給される前記乾燥ガスを排気可能な排気部を更に備える、請求項７から１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記基板の下端部に向かう方向に光を発する光源部と、
前記光源部からの前記光を受光する受光部と
を更に備え、
前記受光部により受光される前記光の受光量に基づいて、前記基板の下端部に形成される液滴を検出する、請求項７から１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
請求項７から１２のいずれか一項に記載の基板処理装置に請求項１から６のいずれか一項に記載の基板処理方法を実施させるプログラム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のプログラムを記憶するコンピュータ可読記憶媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１２−２２２３０６（Ｐ２０１２−２２２３０６Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１２日（２０１２．１１．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−８９５９７（Ｐ２０１１−８９５９７）
【出願日】平成２３年４月１３日（２０１１．４．１３）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１２日（２０１２．１１．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月１３日（２０１１．４．１３）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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