半導体装置の製造方法
【課題】半導体基板の表面に洗浄液を供給しながら当該表面をブラシを用いて洗浄する際に、基板表面にスクラッチが形成されてしまうことを防止しつつ、基板上の異物を十分に除去できるようにする。
【解決手段】半導体基板１００の表面に洗浄液４０２を供給しながら当該表面をブラシ３００を用いて洗浄する際に、半導体基板１００の表面におけるブラシ３００と最初に接触する箇所に予め洗浄液４０２を供給しておく。
【解決手段】半導体基板１００の表面に洗浄液４０２を供給しながら当該表面をブラシ３００を用いて洗浄する際に、半導体基板１００の表面におけるブラシ３００と最初に接触する箇所に予め洗浄液４０２を供給しておく。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体基板の洗浄方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体基板の洗浄方法では、回転するブラシ等を半導体基板の表面に押し付けて半導体基板上の異物の除去を行うブラシスクラブ洗浄が用いられてきた。このとき、合わせて、半導体基板を回転させながらその表面に薬液等の洗浄液を供給することも行われてきた。また、ブラシスクラブ洗浄を用いずに、ジェット水流等を半導体基板に向けて噴射して半導体基板上の異物の除去を行うジェットスクラブ洗浄も用いられてきた。
【特許文献１】特開平８−３１７８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、薬液等の洗浄液による洗浄とブラシスクラブ洗浄とを同時に行う従来の洗浄方法においては、半導体基板上の異物を十分に除去できないという問題と、基板表面にスクラッチが形成されてしまうという問題とが生じる。
【０００４】
前記に鑑み、本発明は、半導体基板の表面に洗浄液を供給しながら当該表面をブラシを用いて洗浄する際に、基板表面にスクラッチが形成されてしまうことを防止しつつ、基板上の異物を十分に除去できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記の目的を達成するために、従来の洗浄方法において、半導体基板上の異物を十分に除去できないという問題と、基板表面にスクラッチが形成されてしまうという問題とが生じる原因について本願発明者らが検討を行った結果、次のような知見を得た。
【０００６】
図５（ａ）は、従来の洗浄方法における半導体基板と薬液供給スプレーバーとの位置関係を示している。図５（ａ）に示すように、薬液供給スプレーバー１１に設けられた複数の薬液ノズル１２から噴射される薬液は、半導体基板１０上における薬液滴下箇所１３に滴下される。
【０００７】
図５（ｂ）は、従来の洗浄方法における半導体基板表面に付着した異物と洗浄用の薬液との位置関係を示している。尚、図５（ｂ）は、図５（ａ）の破線領域の断面図に相当する。図５（ｂ）に示すように、半導体基板１０上に薬液２０が滴下されたとき、薬液２０によって半導体基板１０表面からリフトオフされる異物２１と、リフトオフされずに半導体基板１０表面に付着したままの異物２２とが混在した状態が生じる。
【０００８】
図５（ｃ）は、従来の洗浄方法において洗浄用の薬液を半導体基板に滴下した後にブラシ洗浄を行っている様子を示している。図５（ｃ）に示すように、半導体基板１０上から異物２２が脱離する前にブラシ３０が半導体基板１０に接触すると、ブラシ３０が異物２２を半導体基板１０の内部に押し込んでスクラッチ３１を発生させてしまう。また、ブラシ３０に薬液２０が浸透していない箇所がある場合には、当該箇所に異物２３が付着した後に当該箇所が半導体基板１０に再度接触することによって、異物２３が半導体基板１０に再付着してしまう。このようにして半導体基板表面に生じたスクラッチや半導体基板表面に再付着した異物の分布を図６に示す。図６に示すように、半導体基板１０の表面には、スクラッチや再付着異物が同心円状に分布している。また、図６に示すスクラッチや再付着異物の分布と、図５（ａ）に示す半導体基板１０上における薬液滴下箇所１３の配置（つまり図５（ｂ）に示す半導体基板１０表面に付着したままの異物２２の分布）との間には明らかな相関が見られる。
【０００９】
本発明は、以上の知見に基づいてなされたものであって、具体的には、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面に洗浄液を供給しながら当該表面をブラシを用いて洗浄する洗浄工程を備え、前記洗浄工程において、前記半導体基板の表面における前記ブラシと最初に接触する箇所に予め前記洗浄液を供給する。
【００１０】
本発明に係る半導体装置の製造方法によると、半導体基板表面におけるブラシとの接触箇所に予め洗浄液を供給しているため、半導体基板表面に付着した異物を洗浄液によってリフトオフしてから半導体基板にブラシを接触させることができると共に、ブラシに付着している異物の半導体基板への再付着を防止することができる。このため、半導体基板表面に付着した異物をブラシが半導体基板内部に押し込んでスクラッチが発生する事態を阻止しながら、半導体基板上の異物を洗浄液により十分に除去することができる。
【００１１】
本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記洗浄工程では、前記半導体基板の表面に前記洗浄液を供給するための複数のノズルを用い、前記各ノズルの配置間隔は、前記半導体基板となるウェハの直径の１／１０以下であることが好ましい。このようにすると、スクラッチの発生を確実に防止することができる。
【００１２】
本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記洗浄工程では、前記ブラシが前記半導体基板の表面と接触する前に、前記ブラシに前記洗浄液を供給することが好ましい。このようにすると、ブラシに付着している異物をブラシ内に洗浄液を浸透させることによって脱離させてから半導体基板表面にブラシを接触させることができる。このため、半導体基板表面にブラシが接触したときに、ブラシに付着した異物が半導体基板表面に再付着する事態をより確実に阻止できるので、異物の除去能力をさらに向上させることができる。この場合、前記洗浄工程では、前記半導体基板の表面に前記洗浄液を供給するための複数の第１ノズルと、前記ブラシに前記洗浄液を供給するための複数の第２ノズルとを用い、前記各ノズルの配置間隔は、前記半導体基板となるウェハの直径の１／１０以下であることが好ましい。このようにすると、異物の除去能力を確実に向上させることができる。尚、この場合、前記第１ノズルと前記第２ノズルとは交互に配置されていてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、半導体基板上からリフトオフされていない異物がブラシ接触によって半導体基板内部に押し込まれてスクラッチが発生する事態を阻止することが可能になる。
【００１４】
また、本発明によると、半導体基板表面にブラシを接触させる前に、ブラシに付着している異物を除去することができるため、半導体基板とブラシとの接触時にブラシから半導体基板表面に異物が再付着することが可能になる。
【００１５】
従って、本発明によると、半導体基板の表面に洗浄液を供給しながら当該表面をブラシを用いて洗浄する際に、基板表面にスクラッチが形成されてしまうことを防止しつつ、基板上の異物を十分に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び製造方法ついて、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
図１（ａ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造装置、具体的には洗浄装置の概略図である。図１（ａ）に示すように、本実施形態の洗浄装置は、半導体基板（ウェハ）１００を垂直に載置した状態で当該半導体基板１００の両主面を挟むように移動可能な一対のブラシ３００と、半導体基板１００の各主面に対して設けられており且つ洗浄液４０２を噴射する複数のノズル４０１をそれぞれ有する一対の洗浄液供給スプレーバー４００とを備えている。ここで、各洗浄液供給スプレーバー４００は、対応する半導体基板１００の各主面から５０〜３００ｍｍ程度離れた箇所に配置されている。
【００１８】
図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す本実施形態の洗浄装置を半導体基板１００の一主面側から見た図である。図１（ｂ）に示すように、洗浄液供給スプレーバー４００に設けられた複数のノズル４０１から噴射される洗浄液４０２は、半導体基板１００上における洗浄液滴下箇所４０３に滴下される。洗浄液滴下箇所４０３は、ブラシ３００との接触箇所よりも１０〜４０ｍｍ程度上方に設定される。洗浄液滴下箇所４０３に滴下された洗浄液４０２はその自重で半導体基板１００の表面に沿ってブラシ３００との接触箇所まで流れる。このとき、洗浄液４０２がブラシ３００との接触箇所に到達するまでの間に、各ノズル４０１から各洗浄液滴下箇所４０３に滴下された洗浄液４０２は、洗浄液供給スプレーバー４００の延びる方向に沿って３０ｍｍ程度拡がる。
【００１９】
一方、図１（ｂ）に示すように、本実施形態の洗浄装置においては、洗浄液４０２を噴射するノズル４０１の配置ピッチは例えば２８ｍｍであり、従来の洗浄装置（図５（ａ）参照）と比べて、ノズル４０１の配置数が多い。
【００２０】
すなわち、本実施形態によると、ブラシ３００を半導体基板１００に接触させる前に、洗浄液供給スプレーバー４００に設けられた複数のノズル４０１から半導体基板１００の表面に洗浄液４０２を噴射しておくことによって、半導体基板１００におけるブラシ３００と最初に接触する箇所に洗浄液４０２を予め均一に供給しておくことが可能になる。従って、洗浄時における半導体基板１００に対するブラシ３００の摩擦は均一になる。また、半導体基板１００の表面に付着した異物を洗浄液４０２によってリフトオフしてから半導体基板１００にブラシ３００を接触させることができると共に、ブラシ３００に付着している異物の半導体基板１００への再付着を防止することができる。このため、半導体基板１００の表面に付着した異物をブラシ３００が半導体基板１００の内部に押し込んでスクラッチが発生する事態を阻止しながら、半導体基板１００上の異物を洗浄液４０２により十分に除去することができる。
【００２１】
図２（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing ）による銅（Ｃｕ）膜の埋め込み後に従来の洗浄方法及び本実施形態の洗浄方法をそれぞれ実施した場合における洗浄後の半導体基板（ウェハ）上の欠陥数を示している。図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、従来の洗浄方法を用いた場合の半導体基板上の欠陥数と比較して、本実施形態の洗浄方法を用いた場合の半導体基板上の欠陥数が低減されていることがわかる。特に、本実施形態の洗浄方法を用いた場合には、図２（ｂ）に示すように、同心円状に分布する欠陥が大きく低減されており、このことから、ブラシ接触前にブラシ接触箇所に対して均一な洗浄液供給を実施することの効果を確認することができる。また、前述のＣｕ−ＣＭＰに限られず、絶縁膜ＣＭＰ、特にセリアスラリー（ceria slurry）を用いたＳＴＩ（shallow trench isolation）−ＣＭＰ等の後の洗浄に本発明を実施した場合にも、図２（ｂ）に示す効果と同様の効果が期待される。
【００２２】
以上に述べたような本発明の効果により、欠陥数が抑制された生産プロセスを安定して確保することができ、それにより、高い歩留まりを維持することができる。
【００２３】
尚、本実施形態において、半導体基板１００におけるブラシ３００と最初に接触する箇所の全面に洗浄液４０２を予め供給しておくことが好ましいことは言うまでもないが、スクラッチの発生やブラシ３００からの異物の再付着が十分に防止できれば、半導体基板１００におけるブラシ３００と最初に接触する箇所のうち一部に洗浄液４０２が供給されていなくてもよい。すなわち、本実施形態においては、半導体基板１００におけるブラシ３００と最初に接触する箇所のほぼ全面に洗浄液４０２が供給されていればよい。
【００２４】
また、本実施形態において、半導体基板１００におけるブラシ３００と最初に接触する箇所に予め洗浄液４０２を均一に供給するためには、洗浄液供給スプレーバー４００に設けられるノズル４０１の配置間隔は、半導体基板１００となるウェハの直径の１／１０程度以下であることが好ましい。また、ブラシ３００の長さが半導体基板１００となるウェハの直径とほぼ同等である場合には、洗浄液供給スプレーバー４００に設けられるノズル４０１の配置間隔は、ブラシ３００の長さの１／１０程度以下であってもよい。また、半導体基板１００上での洗浄液滴下箇所４０３の配置や、ブラシ３００との接触箇所に到達するまでの半導体基板１００上での洗浄液４０２の拡がり方等に応じて、ノズル４０１の配置間隔を調整してもよい。
【００２５】
また、本実施形態において、半導体基板１００の洗浄時におけるブラシ３００の回転数は特に限定されるものではないが、例えば２００〜５００ｒｐｍ程度であってもよい。また、半導体基板１００の洗浄時における半導体基板１００の回転数も特に限定されるものではないが、例えば２０〜６０ｒｐｍ程度であってもよい。
【００２６】
また、本実施形態において、洗浄液４０２の種類は特に限定されるものではないが、例えば純水や各種薬液等を用いることができる。
【００２７】
（比較例）
以下、比較例に係る半導体装置の製造装置及び製造方法ついて、図面を参照しながら説明する。
【００２８】
図３は、比較例に係る半導体装置の製造装置、具体的には洗浄装置を、半導体基板の一主面側から見た図である。尚、図３において、図１（ａ）及び（ｂ）に示す第１の実施形態に係る洗浄装置と同じ構成要素には同じ符号を付すことにより、重複する説明を省略する。図３に示すように、比較例においては、洗浄液供給スプレーバー４００に設けられた複数のノズル４０１から噴射される洗浄液４０２は、半導体基板１００上における洗浄液滴下箇所４０３に滴下される。洗浄液滴下箇所４０３は、第１の実施形態と同様に、ブラシ３００との接触箇所よりも１０〜４０ｍｍ程度上方に設定される。洗浄液滴下箇所４０３に滴下された洗浄液４０２はその自重で半導体基板１００の表面に沿ってブラシ３００との接触箇所まで流れる。このとき、洗浄液４０２がブラシ３００との接触箇所に到達するまでの間に、各ノズル４０１から各洗浄液滴下箇所４０３に滴下された洗浄液４０２は、洗浄液供給スプレーバー４００の延びる方向に沿って２０〜３５ｍｍ程度拡がる。
【００２９】
一方、図３に示すように、比較例の洗浄装置においては、洗浄液４０２を噴射するノズル４０１の配置ピッチは例えば５６ｍｍであり、ノズル４０１の配置数は従来の洗浄装置（図５（ａ）参照）と同程度である。
【００３０】
その結果、比較例においては、ブラシ３００を半導体基板１００に接触させる前に、洗浄液供給スプレーバー４００に設けられた複数のノズル４０１から半導体基板１００の表面に洗浄液４０２を噴射したとしても、半導体基板１００におけるブラシ３００と最初に接触する箇所に洗浄液４０２を均一に供給することはできない。言い換えると、半導体基板１００におけるブラシ３００と最初に接触する箇所にも、洗浄液４０２が供給されていない領域４０４が存在する。従って、洗浄時における半導体基板１００に対するブラシ３００の摩擦は不均一になる。また、半導体基板１００上に、洗浄液４０２が供給されていない領域４０４が存在するため、半導体基板１００上には、異物がリフトオフされて除去される領域と、リフトオフされない異物が残存する領域とが混在することになる。このため、リフトオフされない異物が残存する領域がブラシ３００との接触箇所である場合には、当該異物をブラシ３００が半導体基板１００の内部に押し込んだ状態で半導体基板１００が回転するので、半導体基板１００の表面に同心円状にスクラッチが発生してしまう。
【００３１】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び製造方法ついて、図面を参照しながら説明する。
【００３２】
図４（ａ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造装置、具体的には洗浄装置の概略図である。図４（ａ）に示すように、本実施形態の洗浄装置は、半導体基板（ウェハ）１００を垂直に載置した状態で当該半導体基板１００の両主面を挟むように移動可能な一対のブラシ３００と、半導体基板１００の各主面に対して設けられており且つ洗浄液５０３の噴射角度が異なる第１ノズル５０１及び第２ノズル５０２をそれぞれ有する一対の洗浄液供給スプレーバー５００とを備えている。尚、各洗浄液供給スプレーバー５００において第１ノズル５０１及び第２ノズル５０２はそれぞれ複数設けられていると共に第１ノズル５０１と第２ノズル５０２とは交互に例えば２８ｍｍピッチで配置されている。ここで、第１ノズル５０１は洗浄液５０３を半導体基板１００に噴射するために用いられ、第２ノズル５０２は洗浄液５０３をブラシ３００に噴射するために用いられる。また、各洗浄液供給スプレーバー５００は、対応する半導体基板１００の各主面から５０〜３００ｍｍ程度離れた箇所に配置されている。
【００３３】
図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す本実施形態の洗浄装置を半導体基板１００の一主面側から見た図である。図４（ｂ）に示すように、洗浄液供給スプレーバー５００に設けられた複数の第１ノズル５０１から噴射される洗浄液５０３は、半導体基板１００上における第１洗浄液滴下箇所５０４に滴下される。第１洗浄液滴下箇所５０４は、ブラシ３００との接触箇所よりも１０〜４０ｍｍ程度上方に設定される。第１洗浄液滴下箇所５０４に滴下された洗浄液５０３はその自重で半導体基板１００の表面に沿ってブラシ３００との接触箇所まで流れる。このとき、洗浄液５０３がブラシ３００との接触箇所に到達するまでの間に、各第１ノズル５０１から各第１洗浄液滴下箇所５０４に滴下された洗浄液５０３は、洗浄液供給スプレーバー５００の延びる方向に沿って３０ｍｍ程度拡がる。
【００３４】
一方、洗浄液供給スプレーバー５００に設けられた複数の第２ノズル５０２から噴射される洗浄液５０３は、ブラシ３００上における第２洗浄液滴下箇所５０５に滴下される。これにより、ブラシ３００が半導体基板１００と最初に接触する前に、ブラシ３００に洗浄液５０３を十分に浸透させることができる。また、ブラシ３００が半導体基板１００と最初に接触する際には、半導体基板１００上のブラシ３００との接触箇所にブラシ３００から洗浄液５０３を供給することができる。
【００３５】
尚、本実施形態においては、第１ノズル５０１と第２ノズル５０２との配置ピッチを例えば２８ｍｍに設定することにより、半導体基板１００とブラシ３００との接触箇所に、各第１ノズル５０１から各第１洗浄液滴下箇所５０４を経由して洗浄液５０３が供給される領域と、各第２ノズル５０２から各第２洗浄液滴下箇所５０５を経由して洗浄液５０３が供給される領域とを交互に重なり合うように配置する。これにより、洗浄時における半導体基板１００に対するブラシ３００の摩擦は均一になる。
【００３６】
以上に説明した、本実施形態によると、ブラシ３００に付着している異物をブラシ３００内に洗浄液５０３を浸透させることによって脱離させてから半導体基板１００の表面にブラシ３００を接触させることができる。このため、半導体基板１００の表面にブラシ３００が接触したときに、ブラシ３００に付着した異物が半導体基板１００の表面に再付着する事態をより確実に阻止できるので、異物の除去能力をさらに向上させることができる。また、ブラシ３００が半導体基板１００に接触した際に、ブラシ３００に付着した異物が半導体基板１００の内部に押し込まれてスクラッチが発生する事態を阻止することができる。
【００３７】
尚、本実施形態において、各洗浄液供給スプレーバー５００において第１ノズル５０１と第２ノズル５０２とを交互に配置したが、第１ノズル５０１及び第２ノズル５０２の配置の仕方は特に限定されるものではない。但し、前述の効果を得るためには、半導体基板１００とブラシ３００との接触箇所に、各第１ノズル５０１から各第１洗浄液滴下箇所５０４を経由して洗浄液５０３が供給される領域と、各第２ノズル５０２から各第２洗浄液滴下箇所５０５を経由して洗浄液５０３が供給される領域とが実質的に連続して配置されることが好ましい。従って、洗浄液供給スプレーバー５００において互いに隣接するノズル同士の間隔は、半導体基板１００となるウェハの直径の１／１０程度以下であることが好ましい。また、ブラシ３００の長さが半導体基板１００となるウェハの直径とほぼ同等である場合には、ノズル間隔は、ブラシ３００の長さの１／１０程度以下であってもよい。また、半導体基板１００上での第１洗浄液滴下箇所５０４の配置や、ブラシ３００との接触箇所に到達するまでの半導体基板１００上での洗浄液５０３の拡がり方や、ブラシ３００上での第２洗浄液滴下箇所５０５の配置や、ブラシ３００内部での洗浄液５０３の浸透の仕方等に応じて、ノズル間隔を調整してもよい。
【００３８】
また、本実施形態において、半導体基板１００の洗浄時におけるブラシ３００の回転数は特に限定されるものではないが、例えば２００〜５００ｒｐｍ程度であってもよい。また、半導体基板１００の洗浄時における半導体基板１００の回転数も特に限定されるものではないが、例えば２０〜６０ｒｐｍ程度であってもよい。
【００３９】
また、本実施形態において、洗浄液５０３の種類は特に限定されるものではないが、例えば純水や各種薬液等を用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、半導体基板の表面に洗浄液を供給しながら当該表面をブラシを用いて洗浄する洗浄工程に適用した場合には、基板表面にスクラッチが形成されてしまうことを防止しつつ、基板上の異物を十分に除去することができ、非常に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造装置の概略図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す製造装置を半導体基板の一主面側から見た図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、ＣＭＰによるＣｕ膜の埋め込み後に従来の洗浄方法及び本発明の第１の実施形態の洗浄方法をそれぞれ実施した場合における洗浄後の半導体基板（ウェハ）上の欠陥数を示す図である。
【図３】図３は、比較例に係る半導体装置の製造装置を半導体基板の一主面側から見た図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造装置の概略図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す製造装置を半導体基板の一主面側から見た図である。
【図５】図５（ａ）は、従来の洗浄方法における半導体基板と薬液供給スプレーバーとの位置関係を示す図であり、図５（ｂ）は、従来の洗浄方法における半導体基板表面に付着した異物と洗浄用の薬液との位置関係を示す図であり、図５（ｃ）は、従来の洗浄方法において洗浄用の薬液を半導体基板に滴下した後にブラシ洗浄を行っている様子を示す図である。
【図６】図６は従来の洗浄方法において半導体基板表面に生じたスクラッチや半導体基板表面に再付着した異物の分布を示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
１００ 半導体基板
３００ ブラシ
４００ 洗浄液供給スプレーバー
４０１ ノズル
４０２ 洗浄液
４０３ 洗浄液滴下箇所
５００ 洗浄液供給スプレーバー
５０１ 第１ノズル
５０２ 第２ノズル
５０３ 洗浄液
５０４ 第１洗浄液滴下箇所
５０５ 第２洗浄液滴下箇所
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体基板の洗浄方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体基板の洗浄方法では、回転するブラシ等を半導体基板の表面に押し付けて半導体基板上の異物の除去を行うブラシスクラブ洗浄が用いられてきた。このとき、合わせて、半導体基板を回転させながらその表面に薬液等の洗浄液を供給することも行われてきた。また、ブラシスクラブ洗浄を用いずに、ジェット水流等を半導体基板に向けて噴射して半導体基板上の異物の除去を行うジェットスクラブ洗浄も用いられてきた。
【特許文献１】特開平８−３１７８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、薬液等の洗浄液による洗浄とブラシスクラブ洗浄とを同時に行う従来の洗浄方法においては、半導体基板上の異物を十分に除去できないという問題と、基板表面にスクラッチが形成されてしまうという問題とが生じる。
【０００４】
前記に鑑み、本発明は、半導体基板の表面に洗浄液を供給しながら当該表面をブラシを用いて洗浄する際に、基板表面にスクラッチが形成されてしまうことを防止しつつ、基板上の異物を十分に除去できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記の目的を達成するために、従来の洗浄方法において、半導体基板上の異物を十分に除去できないという問題と、基板表面にスクラッチが形成されてしまうという問題とが生じる原因について本願発明者らが検討を行った結果、次のような知見を得た。
【０００６】
図５（ａ）は、従来の洗浄方法における半導体基板と薬液供給スプレーバーとの位置関係を示している。図５（ａ）に示すように、薬液供給スプレーバー１１に設けられた複数の薬液ノズル１２から噴射される薬液は、半導体基板１０上における薬液滴下箇所１３に滴下される。
【０００７】
図５（ｂ）は、従来の洗浄方法における半導体基板表面に付着した異物と洗浄用の薬液との位置関係を示している。尚、図５（ｂ）は、図５（ａ）の破線領域の断面図に相当する。図５（ｂ）に示すように、半導体基板１０上に薬液２０が滴下されたとき、薬液２０によって半導体基板１０表面からリフトオフされる異物２１と、リフトオフされずに半導体基板１０表面に付着したままの異物２２とが混在した状態が生じる。
【０００８】
図５（ｃ）は、従来の洗浄方法において洗浄用の薬液を半導体基板に滴下した後にブラシ洗浄を行っている様子を示している。図５（ｃ）に示すように、半導体基板１０上から異物２２が脱離する前にブラシ３０が半導体基板１０に接触すると、ブラシ３０が異物２２を半導体基板１０の内部に押し込んでスクラッチ３１を発生させてしまう。また、ブラシ３０に薬液２０が浸透していない箇所がある場合には、当該箇所に異物２３が付着した後に当該箇所が半導体基板１０に再度接触することによって、異物２３が半導体基板１０に再付着してしまう。このようにして半導体基板表面に生じたスクラッチや半導体基板表面に再付着した異物の分布を図６に示す。図６に示すように、半導体基板１０の表面には、スクラッチや再付着異物が同心円状に分布している。また、図６に示すスクラッチや再付着異物の分布と、図５（ａ）に示す半導体基板１０上における薬液滴下箇所１３の配置（つまり図５（ｂ）に示す半導体基板１０表面に付着したままの異物２２の分布）との間には明らかな相関が見られる。
【０００９】
本発明は、以上の知見に基づいてなされたものであって、具体的には、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面に洗浄液を供給しながら当該表面をブラシを用いて洗浄する洗浄工程を備え、前記洗浄工程において、前記半導体基板の表面における前記ブラシと最初に接触する箇所に予め前記洗浄液を供給する。
【００１０】
本発明に係る半導体装置の製造方法によると、半導体基板表面におけるブラシとの接触箇所に予め洗浄液を供給しているため、半導体基板表面に付着した異物を洗浄液によってリフトオフしてから半導体基板にブラシを接触させることができると共に、ブラシに付着している異物の半導体基板への再付着を防止することができる。このため、半導体基板表面に付着した異物をブラシが半導体基板内部に押し込んでスクラッチが発生する事態を阻止しながら、半導体基板上の異物を洗浄液により十分に除去することができる。
【００１１】
本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記洗浄工程では、前記半導体基板の表面に前記洗浄液を供給するための複数のノズルを用い、前記各ノズルの配置間隔は、前記半導体基板となるウェハの直径の１／１０以下であることが好ましい。このようにすると、スクラッチの発生を確実に防止することができる。
【００１２】
本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記洗浄工程では、前記ブラシが前記半導体基板の表面と接触する前に、前記ブラシに前記洗浄液を供給することが好ましい。このようにすると、ブラシに付着している異物をブラシ内に洗浄液を浸透させることによって脱離させてから半導体基板表面にブラシを接触させることができる。このため、半導体基板表面にブラシが接触したときに、ブラシに付着した異物が半導体基板表面に再付着する事態をより確実に阻止できるので、異物の除去能力をさらに向上させることができる。この場合、前記洗浄工程では、前記半導体基板の表面に前記洗浄液を供給するための複数の第１ノズルと、前記ブラシに前記洗浄液を供給するための複数の第２ノズルとを用い、前記各ノズルの配置間隔は、前記半導体基板となるウェハの直径の１／１０以下であることが好ましい。このようにすると、異物の除去能力を確実に向上させることができる。尚、この場合、前記第１ノズルと前記第２ノズルとは交互に配置されていてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、半導体基板上からリフトオフされていない異物がブラシ接触によって半導体基板内部に押し込まれてスクラッチが発生する事態を阻止することが可能になる。
【００１４】
また、本発明によると、半導体基板表面にブラシを接触させる前に、ブラシに付着している異物を除去することができるため、半導体基板とブラシとの接触時にブラシから半導体基板表面に異物が再付着することが可能になる。
【００１５】
従って、本発明によると、半導体基板の表面に洗浄液を供給しながら当該表面をブラシを用いて洗浄する際に、基板表面にスクラッチが形成されてしまうことを防止しつつ、基板上の異物を十分に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び製造方法ついて、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
図１（ａ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造装置、具体的には洗浄装置の概略図である。図１（ａ）に示すように、本実施形態の洗浄装置は、半導体基板（ウェハ）１００を垂直に載置した状態で当該半導体基板１００の両主面を挟むように移動可能な一対のブラシ３００と、半導体基板１００の各主面に対して設けられており且つ洗浄液４０２を噴射する複数のノズル４０１をそれぞれ有する一対の洗浄液供給スプレーバー４００とを備えている。ここで、各洗浄液供給スプレーバー４００は、対応する半導体基板１００の各主面から５０〜３００ｍｍ程度離れた箇所に配置されている。
【００１８】
図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す本実施形態の洗浄装置を半導体基板１００の一主面側から見た図である。図１（ｂ）に示すように、洗浄液供給スプレーバー４００に設けられた複数のノズル４０１から噴射される洗浄液４０２は、半導体基板１００上における洗浄液滴下箇所４０３に滴下される。洗浄液滴下箇所４０３は、ブラシ３００との接触箇所よりも１０〜４０ｍｍ程度上方に設定される。洗浄液滴下箇所４０３に滴下された洗浄液４０２はその自重で半導体基板１００の表面に沿ってブラシ３００との接触箇所まで流れる。このとき、洗浄液４０２がブラシ３００との接触箇所に到達するまでの間に、各ノズル４０１から各洗浄液滴下箇所４０３に滴下された洗浄液４０２は、洗浄液供給スプレーバー４００の延びる方向に沿って３０ｍｍ程度拡がる。
【００１９】
一方、図１（ｂ）に示すように、本実施形態の洗浄装置においては、洗浄液４０２を噴射するノズル４０１の配置ピッチは例えば２８ｍｍであり、従来の洗浄装置（図５（ａ）参照）と比べて、ノズル４０１の配置数が多い。
【００２０】
すなわち、本実施形態によると、ブラシ３００を半導体基板１００に接触させる前に、洗浄液供給スプレーバー４００に設けられた複数のノズル４０１から半導体基板１００の表面に洗浄液４０２を噴射しておくことによって、半導体基板１００におけるブラシ３００と最初に接触する箇所に洗浄液４０２を予め均一に供給しておくことが可能になる。従って、洗浄時における半導体基板１００に対するブラシ３００の摩擦は均一になる。また、半導体基板１００の表面に付着した異物を洗浄液４０２によってリフトオフしてから半導体基板１００にブラシ３００を接触させることができると共に、ブラシ３００に付着している異物の半導体基板１００への再付着を防止することができる。このため、半導体基板１００の表面に付着した異物をブラシ３００が半導体基板１００の内部に押し込んでスクラッチが発生する事態を阻止しながら、半導体基板１００上の異物を洗浄液４０２により十分に除去することができる。
【００２１】
図２（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing ）による銅（Ｃｕ）膜の埋め込み後に従来の洗浄方法及び本実施形態の洗浄方法をそれぞれ実施した場合における洗浄後の半導体基板（ウェハ）上の欠陥数を示している。図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、従来の洗浄方法を用いた場合の半導体基板上の欠陥数と比較して、本実施形態の洗浄方法を用いた場合の半導体基板上の欠陥数が低減されていることがわかる。特に、本実施形態の洗浄方法を用いた場合には、図２（ｂ）に示すように、同心円状に分布する欠陥が大きく低減されており、このことから、ブラシ接触前にブラシ接触箇所に対して均一な洗浄液供給を実施することの効果を確認することができる。また、前述のＣｕ−ＣＭＰに限られず、絶縁膜ＣＭＰ、特にセリアスラリー（ceria slurry）を用いたＳＴＩ（shallow trench isolation）−ＣＭＰ等の後の洗浄に本発明を実施した場合にも、図２（ｂ）に示す効果と同様の効果が期待される。
【００２２】
以上に述べたような本発明の効果により、欠陥数が抑制された生産プロセスを安定して確保することができ、それにより、高い歩留まりを維持することができる。
【００２３】
尚、本実施形態において、半導体基板１００におけるブラシ３００と最初に接触する箇所の全面に洗浄液４０２を予め供給しておくことが好ましいことは言うまでもないが、スクラッチの発生やブラシ３００からの異物の再付着が十分に防止できれば、半導体基板１００におけるブラシ３００と最初に接触する箇所のうち一部に洗浄液４０２が供給されていなくてもよい。すなわち、本実施形態においては、半導体基板１００におけるブラシ３００と最初に接触する箇所のほぼ全面に洗浄液４０２が供給されていればよい。
【００２４】
また、本実施形態において、半導体基板１００におけるブラシ３００と最初に接触する箇所に予め洗浄液４０２を均一に供給するためには、洗浄液供給スプレーバー４００に設けられるノズル４０１の配置間隔は、半導体基板１００となるウェハの直径の１／１０程度以下であることが好ましい。また、ブラシ３００の長さが半導体基板１００となるウェハの直径とほぼ同等である場合には、洗浄液供給スプレーバー４００に設けられるノズル４０１の配置間隔は、ブラシ３００の長さの１／１０程度以下であってもよい。また、半導体基板１００上での洗浄液滴下箇所４０３の配置や、ブラシ３００との接触箇所に到達するまでの半導体基板１００上での洗浄液４０２の拡がり方等に応じて、ノズル４０１の配置間隔を調整してもよい。
【００２５】
また、本実施形態において、半導体基板１００の洗浄時におけるブラシ３００の回転数は特に限定されるものではないが、例えば２００〜５００ｒｐｍ程度であってもよい。また、半導体基板１００の洗浄時における半導体基板１００の回転数も特に限定されるものではないが、例えば２０〜６０ｒｐｍ程度であってもよい。
【００２６】
また、本実施形態において、洗浄液４０２の種類は特に限定されるものではないが、例えば純水や各種薬液等を用いることができる。
【００２７】
（比較例）
以下、比較例に係る半導体装置の製造装置及び製造方法ついて、図面を参照しながら説明する。
【００２８】
図３は、比較例に係る半導体装置の製造装置、具体的には洗浄装置を、半導体基板の一主面側から見た図である。尚、図３において、図１（ａ）及び（ｂ）に示す第１の実施形態に係る洗浄装置と同じ構成要素には同じ符号を付すことにより、重複する説明を省略する。図３に示すように、比較例においては、洗浄液供給スプレーバー４００に設けられた複数のノズル４０１から噴射される洗浄液４０２は、半導体基板１００上における洗浄液滴下箇所４０３に滴下される。洗浄液滴下箇所４０３は、第１の実施形態と同様に、ブラシ３００との接触箇所よりも１０〜４０ｍｍ程度上方に設定される。洗浄液滴下箇所４０３に滴下された洗浄液４０２はその自重で半導体基板１００の表面に沿ってブラシ３００との接触箇所まで流れる。このとき、洗浄液４０２がブラシ３００との接触箇所に到達するまでの間に、各ノズル４０１から各洗浄液滴下箇所４０３に滴下された洗浄液４０２は、洗浄液供給スプレーバー４００の延びる方向に沿って２０〜３５ｍｍ程度拡がる。
【００２９】
一方、図３に示すように、比較例の洗浄装置においては、洗浄液４０２を噴射するノズル４０１の配置ピッチは例えば５６ｍｍであり、ノズル４０１の配置数は従来の洗浄装置（図５（ａ）参照）と同程度である。
【００３０】
その結果、比較例においては、ブラシ３００を半導体基板１００に接触させる前に、洗浄液供給スプレーバー４００に設けられた複数のノズル４０１から半導体基板１００の表面に洗浄液４０２を噴射したとしても、半導体基板１００におけるブラシ３００と最初に接触する箇所に洗浄液４０２を均一に供給することはできない。言い換えると、半導体基板１００におけるブラシ３００と最初に接触する箇所にも、洗浄液４０２が供給されていない領域４０４が存在する。従って、洗浄時における半導体基板１００に対するブラシ３００の摩擦は不均一になる。また、半導体基板１００上に、洗浄液４０２が供給されていない領域４０４が存在するため、半導体基板１００上には、異物がリフトオフされて除去される領域と、リフトオフされない異物が残存する領域とが混在することになる。このため、リフトオフされない異物が残存する領域がブラシ３００との接触箇所である場合には、当該異物をブラシ３００が半導体基板１００の内部に押し込んだ状態で半導体基板１００が回転するので、半導体基板１００の表面に同心円状にスクラッチが発生してしまう。
【００３１】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造装置及び製造方法ついて、図面を参照しながら説明する。
【００３２】
図４（ａ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造装置、具体的には洗浄装置の概略図である。図４（ａ）に示すように、本実施形態の洗浄装置は、半導体基板（ウェハ）１００を垂直に載置した状態で当該半導体基板１００の両主面を挟むように移動可能な一対のブラシ３００と、半導体基板１００の各主面に対して設けられており且つ洗浄液５０３の噴射角度が異なる第１ノズル５０１及び第２ノズル５０２をそれぞれ有する一対の洗浄液供給スプレーバー５００とを備えている。尚、各洗浄液供給スプレーバー５００において第１ノズル５０１及び第２ノズル５０２はそれぞれ複数設けられていると共に第１ノズル５０１と第２ノズル５０２とは交互に例えば２８ｍｍピッチで配置されている。ここで、第１ノズル５０１は洗浄液５０３を半導体基板１００に噴射するために用いられ、第２ノズル５０２は洗浄液５０３をブラシ３００に噴射するために用いられる。また、各洗浄液供給スプレーバー５００は、対応する半導体基板１００の各主面から５０〜３００ｍｍ程度離れた箇所に配置されている。
【００３３】
図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す本実施形態の洗浄装置を半導体基板１００の一主面側から見た図である。図４（ｂ）に示すように、洗浄液供給スプレーバー５００に設けられた複数の第１ノズル５０１から噴射される洗浄液５０３は、半導体基板１００上における第１洗浄液滴下箇所５０４に滴下される。第１洗浄液滴下箇所５０４は、ブラシ３００との接触箇所よりも１０〜４０ｍｍ程度上方に設定される。第１洗浄液滴下箇所５０４に滴下された洗浄液５０３はその自重で半導体基板１００の表面に沿ってブラシ３００との接触箇所まで流れる。このとき、洗浄液５０３がブラシ３００との接触箇所に到達するまでの間に、各第１ノズル５０１から各第１洗浄液滴下箇所５０４に滴下された洗浄液５０３は、洗浄液供給スプレーバー５００の延びる方向に沿って３０ｍｍ程度拡がる。
【００３４】
一方、洗浄液供給スプレーバー５００に設けられた複数の第２ノズル５０２から噴射される洗浄液５０３は、ブラシ３００上における第２洗浄液滴下箇所５０５に滴下される。これにより、ブラシ３００が半導体基板１００と最初に接触する前に、ブラシ３００に洗浄液５０３を十分に浸透させることができる。また、ブラシ３００が半導体基板１００と最初に接触する際には、半導体基板１００上のブラシ３００との接触箇所にブラシ３００から洗浄液５０３を供給することができる。
【００３５】
尚、本実施形態においては、第１ノズル５０１と第２ノズル５０２との配置ピッチを例えば２８ｍｍに設定することにより、半導体基板１００とブラシ３００との接触箇所に、各第１ノズル５０１から各第１洗浄液滴下箇所５０４を経由して洗浄液５０３が供給される領域と、各第２ノズル５０２から各第２洗浄液滴下箇所５０５を経由して洗浄液５０３が供給される領域とを交互に重なり合うように配置する。これにより、洗浄時における半導体基板１００に対するブラシ３００の摩擦は均一になる。
【００３６】
以上に説明した、本実施形態によると、ブラシ３００に付着している異物をブラシ３００内に洗浄液５０３を浸透させることによって脱離させてから半導体基板１００の表面にブラシ３００を接触させることができる。このため、半導体基板１００の表面にブラシ３００が接触したときに、ブラシ３００に付着した異物が半導体基板１００の表面に再付着する事態をより確実に阻止できるので、異物の除去能力をさらに向上させることができる。また、ブラシ３００が半導体基板１００に接触した際に、ブラシ３００に付着した異物が半導体基板１００の内部に押し込まれてスクラッチが発生する事態を阻止することができる。
【００３７】
尚、本実施形態において、各洗浄液供給スプレーバー５００において第１ノズル５０１と第２ノズル５０２とを交互に配置したが、第１ノズル５０１及び第２ノズル５０２の配置の仕方は特に限定されるものではない。但し、前述の効果を得るためには、半導体基板１００とブラシ３００との接触箇所に、各第１ノズル５０１から各第１洗浄液滴下箇所５０４を経由して洗浄液５０３が供給される領域と、各第２ノズル５０２から各第２洗浄液滴下箇所５０５を経由して洗浄液５０３が供給される領域とが実質的に連続して配置されることが好ましい。従って、洗浄液供給スプレーバー５００において互いに隣接するノズル同士の間隔は、半導体基板１００となるウェハの直径の１／１０程度以下であることが好ましい。また、ブラシ３００の長さが半導体基板１００となるウェハの直径とほぼ同等である場合には、ノズル間隔は、ブラシ３００の長さの１／１０程度以下であってもよい。また、半導体基板１００上での第１洗浄液滴下箇所５０４の配置や、ブラシ３００との接触箇所に到達するまでの半導体基板１００上での洗浄液５０３の拡がり方や、ブラシ３００上での第２洗浄液滴下箇所５０５の配置や、ブラシ３００内部での洗浄液５０３の浸透の仕方等に応じて、ノズル間隔を調整してもよい。
【００３８】
また、本実施形態において、半導体基板１００の洗浄時におけるブラシ３００の回転数は特に限定されるものではないが、例えば２００〜５００ｒｐｍ程度であってもよい。また、半導体基板１００の洗浄時における半導体基板１００の回転数も特に限定されるものではないが、例えば２０〜６０ｒｐｍ程度であってもよい。
【００３９】
また、本実施形態において、洗浄液５０３の種類は特に限定されるものではないが、例えば純水や各種薬液等を用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、半導体基板の表面に洗浄液を供給しながら当該表面をブラシを用いて洗浄する洗浄工程に適用した場合には、基板表面にスクラッチが形成されてしまうことを防止しつつ、基板上の異物を十分に除去することができ、非常に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造装置の概略図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す製造装置を半導体基板の一主面側から見た図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、ＣＭＰによるＣｕ膜の埋め込み後に従来の洗浄方法及び本発明の第１の実施形態の洗浄方法をそれぞれ実施した場合における洗浄後の半導体基板（ウェハ）上の欠陥数を示す図である。
【図３】図３は、比較例に係る半導体装置の製造装置を半導体基板の一主面側から見た図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造装置の概略図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す製造装置を半導体基板の一主面側から見た図である。
【図５】図５（ａ）は、従来の洗浄方法における半導体基板と薬液供給スプレーバーとの位置関係を示す図であり、図５（ｂ）は、従来の洗浄方法における半導体基板表面に付着した異物と洗浄用の薬液との位置関係を示す図であり、図５（ｃ）は、従来の洗浄方法において洗浄用の薬液を半導体基板に滴下した後にブラシ洗浄を行っている様子を示す図である。
【図６】図６は従来の洗浄方法において半導体基板表面に生じたスクラッチや半導体基板表面に再付着した異物の分布を示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
１００ 半導体基板
３００ ブラシ
４００ 洗浄液供給スプレーバー
４０１ ノズル
４０２ 洗浄液
４０３ 洗浄液滴下箇所
５００ 洗浄液供給スプレーバー
５０１ 第１ノズル
５０２ 第２ノズル
５０３ 洗浄液
５０４ 第１洗浄液滴下箇所
５０５ 第２洗浄液滴下箇所
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に洗浄液を供給しながら当該表面をブラシを用いて洗浄する洗浄工程を備え、
前記洗浄工程において、前記半導体基板の表面における前記ブラシと最初に接触する箇所に予め前記洗浄液を供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記洗浄工程では、前記半導体基板の表面に前記洗浄液を供給するための複数のノズルを用い、
前記各ノズルの配置間隔は、前記半導体基板となるウェハの直径の１／１０以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記洗浄工程では、前記ブラシが前記半導体基板の表面と接触する前に、前記ブラシに前記洗浄液を供給することを半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記洗浄工程では、前記半導体基板の表面に前記洗浄液を供給するための複数の第１ノズルと、前記ブラシに前記洗浄液を供給するための複数の第２ノズルとを用い、
前記各ノズルの配置間隔は、前記半導体基板となるウェハの直径の１／１０以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１ノズルと前記第２ノズルとは交互に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
半導体基板の表面に洗浄液を供給しながら当該表面をブラシを用いて洗浄する洗浄工程を備え、
前記洗浄工程において、前記半導体基板の表面における前記ブラシと最初に接触する箇所に予め前記洗浄液を供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記洗浄工程では、前記半導体基板の表面に前記洗浄液を供給するための複数のノズルを用い、
前記各ノズルの配置間隔は、前記半導体基板となるウェハの直径の１／１０以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記洗浄工程では、前記ブラシが前記半導体基板の表面と接触する前に、前記ブラシに前記洗浄液を供給することを半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記洗浄工程では、前記半導体基板の表面に前記洗浄液を供給するための複数の第１ノズルと、前記ブラシに前記洗浄液を供給するための複数の第２ノズルとを用い、
前記各ノズルの配置間隔は、前記半導体基板となるウェハの直径の１／１０以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１ノズルと前記第２ノズルとは交互に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１０−９８２３７（Ｐ２０１０−９８２３７Ａ）
【公開日】平成２２年４月３０日（２０１０．４．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２６９８４７（Ｐ２００８−２６９８４７）
【出願日】平成２０年１０月２０日（２００８．１０．２０）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年４月３０日（２０１０．４．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１０月２０日（２００８．１０．２０）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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