基板処理方法および基板処理装置
【課題】液晶表示パネルに用いられるガラス基板などの基板を薬液や純水などの処理液を供給して処理する際の各処理液の温度の差が大きいことにより基板が撓んでしまうことが抑制される基板処理方法を提供すること。
【解決手段】一定方向に搬送される基板の処理面に薬液を供給して薬液処理するに際し、隔壁で仕切られる複数の薬液処理室の各薬液処理室にて前記基板に供給される各薬液の温度を前記基板の搬送方向の上流側から下流側に向けて段階的に下げるようにした。
【解決手段】一定方向に搬送される基板の処理面に薬液を供給して薬液処理するに際し、隔壁で仕切られる複数の薬液処理室の各薬液処理室にて前記基板に供給される各薬液の温度を前記基板の搬送方向の上流側から下流側に向けて段階的に下げるようにした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネルに用いられるガラス基板などの基板を搬送しながらその基板に薬液を供給する基板処理方法および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータやテレビなどの家電製品の表示部として、液晶表示パネルが広く用いられている。液晶表示パネルは、一般的に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板とカラーフィルタ（ＣＦ）基板とからなる一対のガラス基板が所定の間隔を置いて平行に対向配置され、両基板間に液晶が充填された構成をなしている。
【０００３】
例えばＴＦＴ基板を製造するにあたっては、ガラス基板表面への成膜処理、レジスト膜形成処理、露光処理、レジスト現像処理、エッチング処理、レジスト剥離処理等の複数の処理工程を順次経ることによりガラス基板表面にＴＦＴ等が形成される。
【０００４】
ガラス基板表面にＴＦＴ等の回路を形成するためには、ガラス基板表面に金属膜を成膜処理により形成した後に、この金属膜を所定のパターンにエッチング処理する方法が採られている。このエッチング処理の際のマスクとして感光性樹脂であるレジストが用いられており、エッチング処理後にレジストは剥離処理により除去されることになる。
【０００５】
ガラス基板表面のレジスト剥離処理には剥離液をガラス基板の表面および裏面にシャワー方式で供給する剥離処理装置が採用されている。図７はレジスト剥離処理装置を上方から見た概略構成を示した図である。この場合、レジスト剥離装置２０１は、ガラス基板２０２を所定の角度、例えば水平方向に対して垂直方向に７５度に傾けて搬送ローラ２０９により搬送しながらレジスト剥離処理を行う装置である。
【０００６】
図示されるようにレジスト剥離処理装置２０１は、複数の剥離室２３０〜２８０が順に並設された構成となっており、ガラス基板２０２はニュートラル室２２０から１枚ずつ順に各剥離室２３０〜２８０に搬送されて、剥離液２０４によるレジスト剥離処理が施される。各剥離室２３０〜２８０間は隔壁２３１〜２９１で仕切られており、隔壁２３１〜２９１にはスリット状に開口した基板挿通口２３１ａ〜２９１ａが設けられている。
【０００７】
また、各剥離室２３０〜２８０にはエア噴出手段２１２が設けられており、このエア噴出手段２１２から高圧のエアを噴出させてガラス基板２０２の表面および裏面に付着した剥離液２０４や異物を除去することが行われている。通常、エア噴出手段２１２は、例えば図示されるように剥離室２３０で用いられた剥離液２０４や異物が隣りの剥離室２４０に持ち込まれないようにするために隔壁２４１に形成された基板挿通口２４１ａの前後に配置されている。
【０００８】
各剥離室２３０〜２８０の内部は、図示しない排気手段により各剥離室２３０〜２８０内部の排気が強制的に行われている。剥離室内部の排気が行われることにより、剥離室内部から外部に向かって気流が生じ、ガラス基板２０４の上方に広がった剥離液２０４の蒸気やミストが排気されている。剥離液２０４は通常、人体に毒性がある薬液であるため、剥離室から外部に漏れ出さないようにするためにこのような排気が行われている。
【０００９】
また、このような排気は、例えば図示されるように剥離室２３０で用いられた剥離液２０４の蒸気やミスト、およびそれらに含まれる異物が隣りの剥離室２４０に漏れ出さないようにするためでもある。特定の剥離室で異物が大量に発生した場合に、その異物が他の剥離室に進入してしまうと、レジスト剥離装置全体をメンテナンスすることになってしまうからである。
【００１０】
一般的に、ガラス基板２０２に供給される剥離液２０４は、その温度が高いほどレジストを剥離するのに要する時間を短縮することができるため、図示されるように例えば各剥離室２３０〜２８０においては剥離液２０４の温度は８０℃の高温に設定されている。各剥離室２３０〜２８０に供給される剥離液２０４は、貯留タンク２０６からポンプ２１４を介してノズル２０７よりシャワー状にガラス基板２０２に向けて供給される。
【００１１】
貯留タンク２０６の内部には、剥離液２０４を加熱するための剥離液加熱手段２０８が設けられている。剥離液加熱手段２０８は、スチーム配管２０８ａを備えており、このスチーム配管２０ａを剥離液２０４に浸漬させて貯留タンク２０６内の剥離液２０４の温度を８０℃に昇温させている。この場合、スチーム配管２０８ａの中には高温の水蒸気が流れている。
【００１２】
そして、剥離室２３０〜２８０を経たガラス基板２０２は、水洗室２９０に搬送され、純水２０５によりガラス基板２０２の表面および裏面が水洗され、その後図示しない基板乾燥室において、エア等により乾燥が行われる。尚、本発明に関連する先行技術文献として下記特許文献が挙げられる。
【００１３】
【特許文献１】特開２００３−２７０８０３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、上述したレジスト剥離装置２０１では、ガラス基板２０２は各剥離室２３０〜２８０において８０℃の剥離液２０４によって処理された後、水洗室２９０に搬送されて、室温に近い２５℃の純水２０５により水洗されるため、ガラス基板２０２の水洗室２９０への進入時における温度変化が大きく、搬送ローラ２０９の上でガラス基板２０２が大きく撓んでしまい、図示されるように基板挿通口２９１ａやエア噴出手段２１２にガラス基板２０２が接触して、そのガラス基板２０２表面に傷が付いてしまうという問題が発生していた。
【００１５】
これは、８０℃の剥離液２０４の供給により膨張しているガラス基板２０２が、２５℃の純水２０５の供給により急激に冷やされて収縮が生じることによりガラス基板２０２に温度勾配が発生し、ガラス基板２０２の膨張部分と収縮部分との間で、ガラス基板２０２が撓んでしまうことが原因である。
【００１６】
近年、液晶表示パネルなどの平面型の表示パネルに用いられるガラス基板は大型化（第８世代：２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）されてきていることに伴い、このようなガラス基板２０２の撓みが大きくなってしまっていた。
【００１７】
また、ガラス基板２０２を水平状態にして処理を行う場合は、ガラス基板２０２の自重によりこのような撓みは抑制されるが、上述したレジスト剥離装置２０１などの基板処理装置が設置されるクリーンルームにおいては、装置の設置面積を縮小するために、上述したようにガラス基板２０２を水平方向に対して垂直方向に７５度に傾けて処理することで装置の小型化がなされていることから、このようにガラス基板２０２をほぼ垂直状態で処理する場合は、ガラス基板２０２の自重によってもこのような撓みを抑制することができない。
【００１８】
この問題の対策案として、ガラス基板２０２が撓んでも基板挿通口２９１ａと接触しないようにその基板挿通口２９１ａの面積を広げることが考えられるが、基板挿通口２９１ａの面積を広げると、剥離室２８０内部の剥離液２０４の蒸気やミスト、およびそれらに含まれる異物が隣りの水洗室２９０に漏れ出してしまう。
【００１９】
このような漏れ出しを抑えるためには、剥離室２８０内部からの排気量を増やすことになってしまい、排気によって剥離液２０４の水蒸気やミストを剥離室２８０外部への持ち出す量が増えてしまう結果、剥離液２０４の消費量が増加する問題が生じてしまうため、基板挿通口２９１ａの面積を広げることは得策ではない。
【００２０】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、液晶表示パネルに用いられるガラス基板などの基板を薬液や純水などの処理液を供給して処理する際の各処理液の温度の差が大きいことにより基板が撓んでしまうことが抑制される基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記課題を解決するため、本発明に係る基板処理方法は、一定方向に搬送される基板の処理面に薬液を供給して薬液処理するに際し、隔壁で仕切られる複数の薬液処理室の各薬液処理室にて前記基板に供給される各薬液の温度を前記基板の搬送方向の上流側から下流側に向けて段階的に下げるようにしたことを要旨とするものである。
【００２２】
この場合、前記基板は処理面が斜めに傾けられて搬送される構成にすると良い。また、前記基板は薬液処理の後、水洗処理される構成にすると良い。更に、前記薬液は前記基板の処理面に形成されたレジストを剥離する剥離液である構成にすると良い。
【００２３】
上記課題を解決するため、本発明に係る基板処理装置は、一定方法に搬送される基板の処理面に薬液を供給して薬液処理する基板処理装置であって、前記基板が搬送される複数の薬液処理室が順に並設され、各薬液処理室にて前記基板に供給される各薬液の温度が複数の薬液加熱供給手段により異なる温度に設定されると共に、各薬液処理室で前記基板に供給される各薬液の温度が基板の搬送方向の上流側から下流側に向けて段階的に下げられていることを要旨とするものである。
【００２４】
この場合、前記基板を所定の角度で支持して搬送する搬送ローラと、前記搬送ローラによって搬送される前記基板の下端を支持する下端支持ローラとが各薬液処理室内に配され、前記基板は処理面が斜めに傾けられて搬送される構成にすると良い。また、前記薬液処理の後、前記基板が水洗処理される水洗処理室が備えられている構成にすると良い。
【００２５】
更に、前記複数の薬液加熱供給手段から前記薬液処理室へ配設される薬液供給管の管路途中には冷却手段が設けられて、この冷却手段により薬液供給管を通る薬液の温度が前記薬液加熱供給手段により設定される薬液の温度より下げられている構成にすると良い。また、各薬液処理室は隔壁で仕切られると共に、各隔壁にスリット状に開口形成された基板挿通口の前後には基板処理面上の薬液をエアにより除去するエア噴出手段が設けられている構成にすると良い。そして、前記薬液は前記基板の処理面に形成されたレジストを剥離する剥離液である構成にすると良い。
【発明の効果】
【００２６】
上記構成を有する本発明によれば、一定方向に搬送される基板の処理面に薬液を供給して薬液処理するに際し、隔壁で仕切られる複数の薬液処理室の各薬液処理室にて前記基板に供給される各薬液の温度を前記基板の搬送方向の上流側から下流側に向けて段階的に下げるようにしたので、例えば薬液処理後に基板が水洗処理される場合には、薬液と水洗に用いられる純水の温度差を小さくすることができ、それら薬液と純水の温度差による基板の撓みを抑制することができる。これにより、薬液処理室内に設けられる基板挿通口やエア噴出手段などの基板近傍に配置される部材に接触して基板が傷ついてしまうことが防止される。
【００２７】
この場合、各薬液処理室にて前記基板に供給される各薬液の温度が複数の薬液加熱供給手段により異なる温度に設定されると共に、これら複数の薬液加熱供給手段から前記薬液処理室へ配設される薬液供給管の管路途中には冷却手段が設けられて、この冷却手段により薬液供給管を通る薬液の温度が前記薬液加熱供給手段により設定される薬液の温度より下げられている構成にすれば、１つの薬液加熱供給手段から供給される薬液の温度を複数の異なる温度に設定することができ、薬液の温度設定に必要な薬液加熱供給手段の数を削減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に、本発明に係る基板処理方法および基板処理装置の一実施の形態ついて、図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係るレジスト剥離装置を上方から見た概略構成を示した図、図２は図１のレジスト剥離装置が備える剥離室を側方から見た概略構成を示した図、図３は図２の基板搬送手段の概略構成を示した図、図４（ａ）は図２のシャワー式ノズルの概略構成を示した図、図４（ｂ）は図２のエア噴出手段の概略構成を示した図である。
【００２９】
図１に示されるレジスト剥離処理装置１は、ガラス基板２を所定の角度、この場合、水平方向に対して垂直方向に７５度に傾けて搬送ローラ９により搬送しながらレジスト剥離処理を行う装置である。
【００３０】
図示されるようにレジスト剥離処理装置１は、複数の剥離室３０〜８０が順に並設された構成となっており、ガラス基板２はニュートラル室２０から１枚ずつ順に各剥離室３０〜８０に搬送されて、剥離液４によるレジスト剥離処理が施され、レジスト剥離処理が施された後、水洗室９０に搬送され純水５により水洗処理が施される。この場合、ガラス基板２はレジスト剥離装置１の上流側に配置されたニュートラル室２０から下流側に配置された水洗室９０に向けて搬送される。
【００３１】
ニュートラル室２０の上流側と下流側にそれぞれ設けられた隔壁２１，３１にはスリット状に開口した基板挿通口２１ａ，３１ａが形成されている。この基板挿通口２１ａ，３１ａにはシャッタ３，３設けられており、このシャッタ３，３により基板挿通口２１ａ，３１ａを塞ぐことができるようになっている。
【００３２】
第１剥離室３０には、貯留タンク６からノズル７を介して剥離液４がガラス基板２の表面および裏面に供給される。貯留タンク６には剥離液加熱手段８により剥離液４の温度が８０℃に昇温されている。剥離液加熱手段８は、スチーム配管８ａを備えており、このスチーム配管８ａを剥離液４に浸漬させて貯留タンク６内の剥離液４の温度を８０℃に昇温させている。この場合、スチーム配管８ａの中には高温の水蒸気が流れている。
【００３３】
この第１剥離室３０と後述する剥離室４０〜８０の内部構成はほぼ同様であるので、第１剥離室３０について図２〜図４を用いて説明する。
【００３４】
図２および図３に示されるように、第１剥離室３０においてガラス基板２は所定の角度、７５度の角度で傾斜して搬送される。搬送手段としては、複数の搬送ローラ９と複数の下端支持ローラ１０が設けられている。また、第１剥離室３０内部の空間には搬送されるガラス基板２の表面および裏面に対して剥離液４を供給するノズル７と、ガラス基板２の表面および裏面に付着した剥離液４を除去するエア噴出手段１２が設けられている。
【００３５】
搬送軸９ａに設けられた搬送ローラ９は、ガラス基板２の傾斜方向下側となる裏面側に配されており、その軸線が搬送されるガラス基板２と平行、つまり７５度の角度で傾斜されている。また、搬送軸９ａは、搬送方向に沿って所定間隔をおいて複数設けられている。この搬送軸９ａの上端部は軸受９ｂ、下端部は軸受９ｃにそれぞれ回転可能に支持されている。
【００３６】
また、ガラス基板２の下端は、駆動軸１０ａに設けられた下端支持ローラ１０によって支持されている。この駆動軸１０ａには歯車１０ｂおよび歯車１１ａを介してモータ１１が連結されている。そして、このモータ１１によって下端支持ローラ１０を回転駆動させることで、この下端支持ローラ１０とガラス基板２の下端との間に生じる摩擦力でガラス基板２に駆動力を与え、ガラス基板２を搬送ローラ９に沿って搬送する。
【００３７】
図２および図４（ａ）に示されるようにノズル７は、ガラス基板２の搬送方向と直交するように配置されており、剥離液４をガラス基板２の表面と裏面にシャワー状に供給する。また、ノズル７は搬送方向に沿って所定間隔をおいて複数設けられている。ノズル７の剥離液供給口７ａは図１にも示されるような剥離液供給管１３によって貯留タンク６と接続されており、ポンプ１４によってノズル７に剥離液４が送液される。剥離液４はノズル７の先端の剥離液噴出口７ｂからシャワー状に噴出される。
【００３８】
また、図示しないがポンプ１４とノズル７との間の剥離液供給管１３の途中には、その剥離液供給管１３を通る剥離液４を濾過するためのフィルターや剥離液４の流量を調整する流量調整弁等が設けられている。
【００３９】
第１剥離室３０の底部３２は、図１にも示されるように排水管１５を介して貯留タンク６に接続されている。底部３２により回収された剥離液４は、貯留タンク６に一旦貯留されたあと、ポンプ１４により再度ノズル７に送液されるようになっている。
【００４０】
図２および図４（ｂ）に示されるようにエア噴出手段１２は、ガラス基板２の搬送方向と直交するように配置されている。エア噴出手段１２は、内部にエア供給口１２ａから供給されたエアを一旦滞留させるエア収容室１２ｂを有し、このエア収容室１２ｂに連通すると共に、ガラス基板２に対して線状にエアを噴出するためのスリット状のエア噴出口１２ｃが形成されている。そして、エア噴出手段１２のエア供給口１２ａには図示しない空圧ポンプが接続され、圧縮エアが供給される。
【００４１】
このようなエア噴出手段１２は、第１剥離室３０の上流側と下流側のそれぞれの隔壁３１，４１に形成された基板挿通口３１ａ，４１ａの近傍に配置されており、高圧のエアを噴出してガラス基板２の表面および裏面に付着した剥離液４や異物を除去する。図１に示されるようにエア噴出手段１２は、第１剥離室３０で用いられた剥離液４や異物が隣りの第２剥離室４０に持ち込まれないようにするために基板挿通口４１ａの前後に配置されている。
【００４２】
図２に示されるように、第１剥離室３０の上方には排気口３３が設けられており、この排気口３３に接続された図示しない排気手段により第１剥離室３０内部の排気が強制的に行われている。第１剥離室３０内部の排気が行われることにより、第１剥離室３０内部から外部に向かって気流が生じ、ガラス基板２の上方に広がった剥離液４の蒸気やミストが排気される。これにより第１剥離室３０で用いられた剥離液４の蒸気やミスト、およびそれらに含まれる異物が隣りの第２剥離室４０やニュートラル室２０等に漏れ出さないようになっている。
【００４３】
次に剥離室４０〜８０および水洗室９０について説明する。図１に示されるように第２剥離室４０と第３剥離室５０は隔壁５１で仕切られているが、貯留タンク６から供給される剥離液４は両剥離室４０，８０で用いられる構成になっている。従って、ガラス基板２の表面および裏面に付着した剥離液４や異物を除去するエア噴出手段１２は、第２剥離室４０の上流側の隔壁４１に形成された基板挿通口４１ａの近傍と、第３剥離室５０の下流側の隔壁６１に形成された基板挿通口６１ａの近傍にそれぞれ設けられている。
【００４４】
この第２剥離室４０と第３剥離室５０に供給される剥離液４は、貯留タンク６にて剥離液加熱手段８により７０℃に昇温されている。剥離液加熱手段８により７０℃に昇温された剥離液４は、それぞれ剥離液供給管１３，１３を介してポンプ１４，１４によりノズル７，７からガラス基板２の表面および裏面に供給される。
【００４５】
また、第２剥離室４０と第３剥離室５０のそれぞれの底部４２，５２で回収された剥離液４は、排水管１５，１５を介して貯留タンク６に一旦貯留されたあと、ポンプ１４，１４により再度ノズル７，７に送液され、ガラス基板２の表面および裏面に供給される。
【００４６】
第４剥離室６０と第５剥離室７０も同様に隔壁７１で仕切られているが、貯留タンク６から供給される剥離液４は両剥離室６０，７０で用いられる構成になっている。従って、ガラス基板２の表面および裏面に付着した剥離液４や異物を除去するエア噴出手段１２は、第４剥離室６０の上流側の隔壁６１に形成された基板挿通口６１ａの近傍と、第５剥離室７０の下流側の隔壁８１に形成された基板挿通口８１ａの近傍にそれぞれ設けられている。
【００４７】
この第４剥離室６０と第５剥離室７０に供給される剥離液４は、貯留タンク６にて剥離液加熱手段８により５０℃に昇温されている。剥離液加熱手段８により５０℃に昇温された剥離液４は、それぞれ剥離液供給管１３，１３を介してポンプ１４，１４によりノズル７，７からガラス基板２の表面および裏面に供給される。
【００４８】
また、第４剥離室６０と第５剥離室７０の底部６２，７２で回収された剥離液４は、排水管１５を介して貯留タンク６に一旦貯留されたあと、ポンプ１４，１４により再度ノズル７，７に送液され、ガラス基板２の表面および裏面に供給される。
【００４９】
第６剥離室８０は、中央に設けられた隔壁８３により前室８０ａと後室８０ｂに仕切られている。この場合、ガラス基板２の表面および裏面に付着した剥離液４や異物を除去するエア噴出手段１２は、第６剥離室８０の上流側の隔壁８１に形成された基板挿通口８１ａの近傍と、下流側の隔壁９１に形成された基板挿通口９１ａの近傍にそれぞれ設けられている。
【００５０】
この第６剥離室８０に供給される剥離液４は、貯留タンク６にて剥離液加熱手段８により４０℃に昇温されている。剥離液加熱手段８により４０℃に昇温された剥離液４は、剥離液供給管１３およびこの剥離液供給管１３から分岐された剥離液供給管１３を介してポンプ１４によりノズル７，７からガラス基板２の表面および裏面に供給される。
【００５１】
また、第６剥離室８０の底部８２で回収された剥離液４は、排水管１５，１５を介して貯留タンク６に一旦貯留されたあと、ポンプ１４により再度ノズル７，７に送液され、ガラス基板２の表面および裏面に供給される。
【００５２】
このようにガラス基板２は、第１剥離室３０にて８０℃の剥離液４で処理され、次に、第２剥離室４０と第３剥離室５０にて７０℃の剥離液４で処理され、次に、第４剥離室６０と第５剥離室７０にて５０℃の剥離液４で処理され、最後に、第６剥離室８０にて４０℃の剥離液４で処理される。
【００５３】
そして、第６剥離室８０にて４０℃の剥離液４で処理されたガラス基板２は、水洗室９０に搬送され、室温に近い２５℃の純水５でその表面および裏面が水洗される。純水５は、純水供給管１８を介してノズル１９からガラス基板２の表面および裏面に供給される。純水供給管１８は図示しない純水供給手段に接続されている。
【００５４】
このとき、ガラス基板２は第６剥離室８０において４０℃の剥離液４によって処理された後、水洗室８０に搬送されて、室温に近い２５℃の純水により水洗されるため、ガラス基板２の水洗室９０への進入時における温度変化が小さく、搬送ローラ９の上でガラス基板２が大きく撓んでしまうことがなくなる。これにより、隔壁９１に形成された基板挿通口９１ａやこの基板挿通口９１ａの近傍に配置されたエア噴出手段１２にガラス基板２が接触して、そのガラス基板２表面に傷が付いてしまうという問題がなくなる。
【００５５】
このように、８０℃、７０℃、５０℃、４０℃とガラス基板２に供給される剥離液４の温度を段階的に下げていくことによりガラス基板２の膨張が小さくされることから、２５℃の純水５の供給によりガラス基板２が急激に冷やされてしまうことがなくなる。これにより水洗室９０に搬送された際のガラス基板２の温度勾配が緩和されるので、ガラス基板２が大きく撓んでしまうことが抑制される。
【００５６】
特に、上述したレジスト剥離装置１のようにガラス基板２をほぼ垂直状態で処理するときのように、水平状態のガラス基板２の自重による撓みの抑制が期待できない場合には、効果的である。また、上述したレジスト剥離装置１のような構成は、現状使用しているレジスト剥離装置の貯留タンクに貯留された剥離液の温度設定を変更するだけで、このような作用効果を得ることができる構成であるので、コスト増が少なく実施し易い。
【００５７】
次に、図５を用いて本発明の第２の実施形態に係るレジスト剥離装置について説明する。尚、上述した第１の実施形態で説明したレジスト剥離装置１と同一の構成については同符号を付して説明は省略し、異なる点を中心に説明する。
【００５８】
図示されるように、レジスト剥離装置１０１が備える第２剥離室４０と第３剥離室５０にそれぞれ剥離液４を供給する２つの剥離液供給管１３，１３のうち、第３剥離室５０に剥離液４を供給する剥離液供給管１３の途中位置に冷却手段１７を設けることで、第３剥離室５０に供給される剥離液４の温度を、第２剥離室４０に供給される剥離液４の温度７０℃よりも１０℃低い６０℃に設定されている。
【００５９】
冷却手段１７は、図６に示されるように、冷却水管１７ａを備えており、この冷却水管１７ａを第３剥離室５０に剥離液４を供給する剥離液供給管１３に巻回することで、この剥離液供給管１３を通る剥離液４の温度を下げている。この場合、冷却水管７ａの中には、例えば７℃の冷水が流れている。
【００６０】
また、図示されるように、レジスト剥離装置１０１が備える第４剥離室６０と第５剥離室７０にそれぞれ剥離液４を供給する２つの剥離液供給管１３，１３のうち、第５剥離室７０に剥離液４を供給する剥離液供給管１３の途中位置に冷却手段１７を設けることで、第５剥離室７０に供給される剥離液４の温度を、第４剥離室６０に供給される剥離液４の温度５０℃よりも１０℃低い４０℃に設定されている。
【００６１】
更に、図示されるように、レジスト剥離装置１０１が備える第６剥離室８０の前室８０ａと後室８０ｂにそれぞれ剥離液４を供給する２つの剥離液供給管１３，１３のうち、第６剥離室８０の後室８０ｂに剥離液４を供給する剥離液供給管１３の途中位置に冷却手段１７を設けることで、第６剥離室８０の後室８０ｂに供給される剥離液４の温度を、第６剥離室８０の前室８０ａに供給される剥離液４の温度４０℃よりも１０℃低い３０℃に設定されている。
【００６２】
そして、第６剥離室８０の後室８０ｂにて３０℃の剥離液４で処理されたガラス基板２は、水洗室９０に搬送され、室温に近い２５℃の純水５でその表面および裏面が水洗される。このとき、ガラス基板２は第６剥離室８０の後室８０ｂにおいて３０℃の剥離液４によって処理された後、水洗室９０に搬送されて、室温に近い２５℃の純水により水洗されるため、上述した第１の実施の形態の場合よりもガラス基板２の水洗室９０への進入時における温度変化が小さく、搬送ローラ９の上でガラス基板２が大きく撓んでしまうことが更に抑制される。
【００６３】
このように、８０℃、７０℃、６０℃、５０℃、４０℃、３０℃とガラス基板２に供給される剥離液４の温度を上述した第１の実施の形態の場合よりも細かく段階的に下げていくことによりガラス基板２の膨張が更に小さくされることから、２５℃の純水５の供給により急激に冷やされてしまうことがなくなる。これにより水洗室９０に搬送された際のガラス基板２の温度勾配が更に緩和されるので、ガラス基板２が大きく撓んでしまうことが抑制される。
【００６４】
また、上述したレジスト剥離装置１０１のような構成は、冷却手段１７を剥離液供給管１３の途中位置に設けるだけで、剥離液４を所定の温度に昇温する貯留タンク６および剥離液加熱手段８の数はそのままに、剥離液４の温度を複数に設定することが可能な構成であり、現状使用しているレジスト剥離装置に冷却手段１７を追加するだけで実施することができる。
【００６５】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明はこうした実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施できることは勿論である。例えば、上述した実施の形態では、レジスト剥離装置に本発明を適用した場合について説明したが、高温の薬液を基板に供給して処理する基板処理装置であれば本発明を適用することができる。また、薬液処理室としての剥離室および水洗室の構成やその数についても上述した実施の形態には限定されない。更に、薬液としての剥離液の温度設定についても上述した実施の形態には限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るレジスト剥離装置を上方から見た概略構成を示した図である。
【図２】図１のレジスト剥離装置が備える剥離室を側方から見た概略構成を示した図である。
【図３】図２の基板搬送手段の概略構成を示した図である。
【図４】（ａ）は図２のシャワー式ノズルの概略構成を示した図、（ｂ）は図２のエア噴出手段の概略構成を示した図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るレジスト剥離装置を上方から見た概略構成を示した図である。
【図６】図５の冷却手段の概略構成を示した図である。
【図７】従来用いられてきたレジスト剥離装置を上方から見た概略構成を示した図である。
【符号の説明】
【００６７】
１ レジスト剥離装置
４ 剥離液
５ 純水
６ 貯留タンク
７ ノズル
８ 剥離液加熱手段
９ 搬送ローラ
１２ エア噴出手段
１３ 剥離液供給管
１４ ポンプ
１５ 排水管
１７ 冷却手段
１７ａ 冷却水管
２０〜８０ 剥離室
２１〜８１ 隔壁
２１ａ〜８１ａ 基板挿通口
９０ 水洗室
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネルに用いられるガラス基板などの基板を搬送しながらその基板に薬液を供給する基板処理方法および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータやテレビなどの家電製品の表示部として、液晶表示パネルが広く用いられている。液晶表示パネルは、一般的に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板とカラーフィルタ（ＣＦ）基板とからなる一対のガラス基板が所定の間隔を置いて平行に対向配置され、両基板間に液晶が充填された構成をなしている。
【０００３】
例えばＴＦＴ基板を製造するにあたっては、ガラス基板表面への成膜処理、レジスト膜形成処理、露光処理、レジスト現像処理、エッチング処理、レジスト剥離処理等の複数の処理工程を順次経ることによりガラス基板表面にＴＦＴ等が形成される。
【０００４】
ガラス基板表面にＴＦＴ等の回路を形成するためには、ガラス基板表面に金属膜を成膜処理により形成した後に、この金属膜を所定のパターンにエッチング処理する方法が採られている。このエッチング処理の際のマスクとして感光性樹脂であるレジストが用いられており、エッチング処理後にレジストは剥離処理により除去されることになる。
【０００５】
ガラス基板表面のレジスト剥離処理には剥離液をガラス基板の表面および裏面にシャワー方式で供給する剥離処理装置が採用されている。図７はレジスト剥離処理装置を上方から見た概略構成を示した図である。この場合、レジスト剥離装置２０１は、ガラス基板２０２を所定の角度、例えば水平方向に対して垂直方向に７５度に傾けて搬送ローラ２０９により搬送しながらレジスト剥離処理を行う装置である。
【０００６】
図示されるようにレジスト剥離処理装置２０１は、複数の剥離室２３０〜２８０が順に並設された構成となっており、ガラス基板２０２はニュートラル室２２０から１枚ずつ順に各剥離室２３０〜２８０に搬送されて、剥離液２０４によるレジスト剥離処理が施される。各剥離室２３０〜２８０間は隔壁２３１〜２９１で仕切られており、隔壁２３１〜２９１にはスリット状に開口した基板挿通口２３１ａ〜２９１ａが設けられている。
【０００７】
また、各剥離室２３０〜２８０にはエア噴出手段２１２が設けられており、このエア噴出手段２１２から高圧のエアを噴出させてガラス基板２０２の表面および裏面に付着した剥離液２０４や異物を除去することが行われている。通常、エア噴出手段２１２は、例えば図示されるように剥離室２３０で用いられた剥離液２０４や異物が隣りの剥離室２４０に持ち込まれないようにするために隔壁２４１に形成された基板挿通口２４１ａの前後に配置されている。
【０００８】
各剥離室２３０〜２８０の内部は、図示しない排気手段により各剥離室２３０〜２８０内部の排気が強制的に行われている。剥離室内部の排気が行われることにより、剥離室内部から外部に向かって気流が生じ、ガラス基板２０４の上方に広がった剥離液２０４の蒸気やミストが排気されている。剥離液２０４は通常、人体に毒性がある薬液であるため、剥離室から外部に漏れ出さないようにするためにこのような排気が行われている。
【０００９】
また、このような排気は、例えば図示されるように剥離室２３０で用いられた剥離液２０４の蒸気やミスト、およびそれらに含まれる異物が隣りの剥離室２４０に漏れ出さないようにするためでもある。特定の剥離室で異物が大量に発生した場合に、その異物が他の剥離室に進入してしまうと、レジスト剥離装置全体をメンテナンスすることになってしまうからである。
【００１０】
一般的に、ガラス基板２０２に供給される剥離液２０４は、その温度が高いほどレジストを剥離するのに要する時間を短縮することができるため、図示されるように例えば各剥離室２３０〜２８０においては剥離液２０４の温度は８０℃の高温に設定されている。各剥離室２３０〜２８０に供給される剥離液２０４は、貯留タンク２０６からポンプ２１４を介してノズル２０７よりシャワー状にガラス基板２０２に向けて供給される。
【００１１】
貯留タンク２０６の内部には、剥離液２０４を加熱するための剥離液加熱手段２０８が設けられている。剥離液加熱手段２０８は、スチーム配管２０８ａを備えており、このスチーム配管２０ａを剥離液２０４に浸漬させて貯留タンク２０６内の剥離液２０４の温度を８０℃に昇温させている。この場合、スチーム配管２０８ａの中には高温の水蒸気が流れている。
【００１２】
そして、剥離室２３０〜２８０を経たガラス基板２０２は、水洗室２９０に搬送され、純水２０５によりガラス基板２０２の表面および裏面が水洗され、その後図示しない基板乾燥室において、エア等により乾燥が行われる。尚、本発明に関連する先行技術文献として下記特許文献が挙げられる。
【００１３】
【特許文献１】特開２００３−２７０８０３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、上述したレジスト剥離装置２０１では、ガラス基板２０２は各剥離室２３０〜２８０において８０℃の剥離液２０４によって処理された後、水洗室２９０に搬送されて、室温に近い２５℃の純水２０５により水洗されるため、ガラス基板２０２の水洗室２９０への進入時における温度変化が大きく、搬送ローラ２０９の上でガラス基板２０２が大きく撓んでしまい、図示されるように基板挿通口２９１ａやエア噴出手段２１２にガラス基板２０２が接触して、そのガラス基板２０２表面に傷が付いてしまうという問題が発生していた。
【００１５】
これは、８０℃の剥離液２０４の供給により膨張しているガラス基板２０２が、２５℃の純水２０５の供給により急激に冷やされて収縮が生じることによりガラス基板２０２に温度勾配が発生し、ガラス基板２０２の膨張部分と収縮部分との間で、ガラス基板２０２が撓んでしまうことが原因である。
【００１６】
近年、液晶表示パネルなどの平面型の表示パネルに用いられるガラス基板は大型化（第８世代：２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）されてきていることに伴い、このようなガラス基板２０２の撓みが大きくなってしまっていた。
【００１７】
また、ガラス基板２０２を水平状態にして処理を行う場合は、ガラス基板２０２の自重によりこのような撓みは抑制されるが、上述したレジスト剥離装置２０１などの基板処理装置が設置されるクリーンルームにおいては、装置の設置面積を縮小するために、上述したようにガラス基板２０２を水平方向に対して垂直方向に７５度に傾けて処理することで装置の小型化がなされていることから、このようにガラス基板２０２をほぼ垂直状態で処理する場合は、ガラス基板２０２の自重によってもこのような撓みを抑制することができない。
【００１８】
この問題の対策案として、ガラス基板２０２が撓んでも基板挿通口２９１ａと接触しないようにその基板挿通口２９１ａの面積を広げることが考えられるが、基板挿通口２９１ａの面積を広げると、剥離室２８０内部の剥離液２０４の蒸気やミスト、およびそれらに含まれる異物が隣りの水洗室２９０に漏れ出してしまう。
【００１９】
このような漏れ出しを抑えるためには、剥離室２８０内部からの排気量を増やすことになってしまい、排気によって剥離液２０４の水蒸気やミストを剥離室２８０外部への持ち出す量が増えてしまう結果、剥離液２０４の消費量が増加する問題が生じてしまうため、基板挿通口２９１ａの面積を広げることは得策ではない。
【００２０】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、液晶表示パネルに用いられるガラス基板などの基板を薬液や純水などの処理液を供給して処理する際の各処理液の温度の差が大きいことにより基板が撓んでしまうことが抑制される基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記課題を解決するため、本発明に係る基板処理方法は、一定方向に搬送される基板の処理面に薬液を供給して薬液処理するに際し、隔壁で仕切られる複数の薬液処理室の各薬液処理室にて前記基板に供給される各薬液の温度を前記基板の搬送方向の上流側から下流側に向けて段階的に下げるようにしたことを要旨とするものである。
【００２２】
この場合、前記基板は処理面が斜めに傾けられて搬送される構成にすると良い。また、前記基板は薬液処理の後、水洗処理される構成にすると良い。更に、前記薬液は前記基板の処理面に形成されたレジストを剥離する剥離液である構成にすると良い。
【００２３】
上記課題を解決するため、本発明に係る基板処理装置は、一定方法に搬送される基板の処理面に薬液を供給して薬液処理する基板処理装置であって、前記基板が搬送される複数の薬液処理室が順に並設され、各薬液処理室にて前記基板に供給される各薬液の温度が複数の薬液加熱供給手段により異なる温度に設定されると共に、各薬液処理室で前記基板に供給される各薬液の温度が基板の搬送方向の上流側から下流側に向けて段階的に下げられていることを要旨とするものである。
【００２４】
この場合、前記基板を所定の角度で支持して搬送する搬送ローラと、前記搬送ローラによって搬送される前記基板の下端を支持する下端支持ローラとが各薬液処理室内に配され、前記基板は処理面が斜めに傾けられて搬送される構成にすると良い。また、前記薬液処理の後、前記基板が水洗処理される水洗処理室が備えられている構成にすると良い。
【００２５】
更に、前記複数の薬液加熱供給手段から前記薬液処理室へ配設される薬液供給管の管路途中には冷却手段が設けられて、この冷却手段により薬液供給管を通る薬液の温度が前記薬液加熱供給手段により設定される薬液の温度より下げられている構成にすると良い。また、各薬液処理室は隔壁で仕切られると共に、各隔壁にスリット状に開口形成された基板挿通口の前後には基板処理面上の薬液をエアにより除去するエア噴出手段が設けられている構成にすると良い。そして、前記薬液は前記基板の処理面に形成されたレジストを剥離する剥離液である構成にすると良い。
【発明の効果】
【００２６】
上記構成を有する本発明によれば、一定方向に搬送される基板の処理面に薬液を供給して薬液処理するに際し、隔壁で仕切られる複数の薬液処理室の各薬液処理室にて前記基板に供給される各薬液の温度を前記基板の搬送方向の上流側から下流側に向けて段階的に下げるようにしたので、例えば薬液処理後に基板が水洗処理される場合には、薬液と水洗に用いられる純水の温度差を小さくすることができ、それら薬液と純水の温度差による基板の撓みを抑制することができる。これにより、薬液処理室内に設けられる基板挿通口やエア噴出手段などの基板近傍に配置される部材に接触して基板が傷ついてしまうことが防止される。
【００２７】
この場合、各薬液処理室にて前記基板に供給される各薬液の温度が複数の薬液加熱供給手段により異なる温度に設定されると共に、これら複数の薬液加熱供給手段から前記薬液処理室へ配設される薬液供給管の管路途中には冷却手段が設けられて、この冷却手段により薬液供給管を通る薬液の温度が前記薬液加熱供給手段により設定される薬液の温度より下げられている構成にすれば、１つの薬液加熱供給手段から供給される薬液の温度を複数の異なる温度に設定することができ、薬液の温度設定に必要な薬液加熱供給手段の数を削減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に、本発明に係る基板処理方法および基板処理装置の一実施の形態ついて、図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係るレジスト剥離装置を上方から見た概略構成を示した図、図２は図１のレジスト剥離装置が備える剥離室を側方から見た概略構成を示した図、図３は図２の基板搬送手段の概略構成を示した図、図４（ａ）は図２のシャワー式ノズルの概略構成を示した図、図４（ｂ）は図２のエア噴出手段の概略構成を示した図である。
【００２９】
図１に示されるレジスト剥離処理装置１は、ガラス基板２を所定の角度、この場合、水平方向に対して垂直方向に７５度に傾けて搬送ローラ９により搬送しながらレジスト剥離処理を行う装置である。
【００３０】
図示されるようにレジスト剥離処理装置１は、複数の剥離室３０〜８０が順に並設された構成となっており、ガラス基板２はニュートラル室２０から１枚ずつ順に各剥離室３０〜８０に搬送されて、剥離液４によるレジスト剥離処理が施され、レジスト剥離処理が施された後、水洗室９０に搬送され純水５により水洗処理が施される。この場合、ガラス基板２はレジスト剥離装置１の上流側に配置されたニュートラル室２０から下流側に配置された水洗室９０に向けて搬送される。
【００３１】
ニュートラル室２０の上流側と下流側にそれぞれ設けられた隔壁２１，３１にはスリット状に開口した基板挿通口２１ａ，３１ａが形成されている。この基板挿通口２１ａ，３１ａにはシャッタ３，３設けられており、このシャッタ３，３により基板挿通口２１ａ，３１ａを塞ぐことができるようになっている。
【００３２】
第１剥離室３０には、貯留タンク６からノズル７を介して剥離液４がガラス基板２の表面および裏面に供給される。貯留タンク６には剥離液加熱手段８により剥離液４の温度が８０℃に昇温されている。剥離液加熱手段８は、スチーム配管８ａを備えており、このスチーム配管８ａを剥離液４に浸漬させて貯留タンク６内の剥離液４の温度を８０℃に昇温させている。この場合、スチーム配管８ａの中には高温の水蒸気が流れている。
【００３３】
この第１剥離室３０と後述する剥離室４０〜８０の内部構成はほぼ同様であるので、第１剥離室３０について図２〜図４を用いて説明する。
【００３４】
図２および図３に示されるように、第１剥離室３０においてガラス基板２は所定の角度、７５度の角度で傾斜して搬送される。搬送手段としては、複数の搬送ローラ９と複数の下端支持ローラ１０が設けられている。また、第１剥離室３０内部の空間には搬送されるガラス基板２の表面および裏面に対して剥離液４を供給するノズル７と、ガラス基板２の表面および裏面に付着した剥離液４を除去するエア噴出手段１２が設けられている。
【００３５】
搬送軸９ａに設けられた搬送ローラ９は、ガラス基板２の傾斜方向下側となる裏面側に配されており、その軸線が搬送されるガラス基板２と平行、つまり７５度の角度で傾斜されている。また、搬送軸９ａは、搬送方向に沿って所定間隔をおいて複数設けられている。この搬送軸９ａの上端部は軸受９ｂ、下端部は軸受９ｃにそれぞれ回転可能に支持されている。
【００３６】
また、ガラス基板２の下端は、駆動軸１０ａに設けられた下端支持ローラ１０によって支持されている。この駆動軸１０ａには歯車１０ｂおよび歯車１１ａを介してモータ１１が連結されている。そして、このモータ１１によって下端支持ローラ１０を回転駆動させることで、この下端支持ローラ１０とガラス基板２の下端との間に生じる摩擦力でガラス基板２に駆動力を与え、ガラス基板２を搬送ローラ９に沿って搬送する。
【００３７】
図２および図４（ａ）に示されるようにノズル７は、ガラス基板２の搬送方向と直交するように配置されており、剥離液４をガラス基板２の表面と裏面にシャワー状に供給する。また、ノズル７は搬送方向に沿って所定間隔をおいて複数設けられている。ノズル７の剥離液供給口７ａは図１にも示されるような剥離液供給管１３によって貯留タンク６と接続されており、ポンプ１４によってノズル７に剥離液４が送液される。剥離液４はノズル７の先端の剥離液噴出口７ｂからシャワー状に噴出される。
【００３８】
また、図示しないがポンプ１４とノズル７との間の剥離液供給管１３の途中には、その剥離液供給管１３を通る剥離液４を濾過するためのフィルターや剥離液４の流量を調整する流量調整弁等が設けられている。
【００３９】
第１剥離室３０の底部３２は、図１にも示されるように排水管１５を介して貯留タンク６に接続されている。底部３２により回収された剥離液４は、貯留タンク６に一旦貯留されたあと、ポンプ１４により再度ノズル７に送液されるようになっている。
【００４０】
図２および図４（ｂ）に示されるようにエア噴出手段１２は、ガラス基板２の搬送方向と直交するように配置されている。エア噴出手段１２は、内部にエア供給口１２ａから供給されたエアを一旦滞留させるエア収容室１２ｂを有し、このエア収容室１２ｂに連通すると共に、ガラス基板２に対して線状にエアを噴出するためのスリット状のエア噴出口１２ｃが形成されている。そして、エア噴出手段１２のエア供給口１２ａには図示しない空圧ポンプが接続され、圧縮エアが供給される。
【００４１】
このようなエア噴出手段１２は、第１剥離室３０の上流側と下流側のそれぞれの隔壁３１，４１に形成された基板挿通口３１ａ，４１ａの近傍に配置されており、高圧のエアを噴出してガラス基板２の表面および裏面に付着した剥離液４や異物を除去する。図１に示されるようにエア噴出手段１２は、第１剥離室３０で用いられた剥離液４や異物が隣りの第２剥離室４０に持ち込まれないようにするために基板挿通口４１ａの前後に配置されている。
【００４２】
図２に示されるように、第１剥離室３０の上方には排気口３３が設けられており、この排気口３３に接続された図示しない排気手段により第１剥離室３０内部の排気が強制的に行われている。第１剥離室３０内部の排気が行われることにより、第１剥離室３０内部から外部に向かって気流が生じ、ガラス基板２の上方に広がった剥離液４の蒸気やミストが排気される。これにより第１剥離室３０で用いられた剥離液４の蒸気やミスト、およびそれらに含まれる異物が隣りの第２剥離室４０やニュートラル室２０等に漏れ出さないようになっている。
【００４３】
次に剥離室４０〜８０および水洗室９０について説明する。図１に示されるように第２剥離室４０と第３剥離室５０は隔壁５１で仕切られているが、貯留タンク６から供給される剥離液４は両剥離室４０，８０で用いられる構成になっている。従って、ガラス基板２の表面および裏面に付着した剥離液４や異物を除去するエア噴出手段１２は、第２剥離室４０の上流側の隔壁４１に形成された基板挿通口４１ａの近傍と、第３剥離室５０の下流側の隔壁６１に形成された基板挿通口６１ａの近傍にそれぞれ設けられている。
【００４４】
この第２剥離室４０と第３剥離室５０に供給される剥離液４は、貯留タンク６にて剥離液加熱手段８により７０℃に昇温されている。剥離液加熱手段８により７０℃に昇温された剥離液４は、それぞれ剥離液供給管１３，１３を介してポンプ１４，１４によりノズル７，７からガラス基板２の表面および裏面に供給される。
【００４５】
また、第２剥離室４０と第３剥離室５０のそれぞれの底部４２，５２で回収された剥離液４は、排水管１５，１５を介して貯留タンク６に一旦貯留されたあと、ポンプ１４，１４により再度ノズル７，７に送液され、ガラス基板２の表面および裏面に供給される。
【００４６】
第４剥離室６０と第５剥離室７０も同様に隔壁７１で仕切られているが、貯留タンク６から供給される剥離液４は両剥離室６０，７０で用いられる構成になっている。従って、ガラス基板２の表面および裏面に付着した剥離液４や異物を除去するエア噴出手段１２は、第４剥離室６０の上流側の隔壁６１に形成された基板挿通口６１ａの近傍と、第５剥離室７０の下流側の隔壁８１に形成された基板挿通口８１ａの近傍にそれぞれ設けられている。
【００４７】
この第４剥離室６０と第５剥離室７０に供給される剥離液４は、貯留タンク６にて剥離液加熱手段８により５０℃に昇温されている。剥離液加熱手段８により５０℃に昇温された剥離液４は、それぞれ剥離液供給管１３，１３を介してポンプ１４，１４によりノズル７，７からガラス基板２の表面および裏面に供給される。
【００４８】
また、第４剥離室６０と第５剥離室７０の底部６２，７２で回収された剥離液４は、排水管１５を介して貯留タンク６に一旦貯留されたあと、ポンプ１４，１４により再度ノズル７，７に送液され、ガラス基板２の表面および裏面に供給される。
【００４９】
第６剥離室８０は、中央に設けられた隔壁８３により前室８０ａと後室８０ｂに仕切られている。この場合、ガラス基板２の表面および裏面に付着した剥離液４や異物を除去するエア噴出手段１２は、第６剥離室８０の上流側の隔壁８１に形成された基板挿通口８１ａの近傍と、下流側の隔壁９１に形成された基板挿通口９１ａの近傍にそれぞれ設けられている。
【００５０】
この第６剥離室８０に供給される剥離液４は、貯留タンク６にて剥離液加熱手段８により４０℃に昇温されている。剥離液加熱手段８により４０℃に昇温された剥離液４は、剥離液供給管１３およびこの剥離液供給管１３から分岐された剥離液供給管１３を介してポンプ１４によりノズル７，７からガラス基板２の表面および裏面に供給される。
【００５１】
また、第６剥離室８０の底部８２で回収された剥離液４は、排水管１５，１５を介して貯留タンク６に一旦貯留されたあと、ポンプ１４により再度ノズル７，７に送液され、ガラス基板２の表面および裏面に供給される。
【００５２】
このようにガラス基板２は、第１剥離室３０にて８０℃の剥離液４で処理され、次に、第２剥離室４０と第３剥離室５０にて７０℃の剥離液４で処理され、次に、第４剥離室６０と第５剥離室７０にて５０℃の剥離液４で処理され、最後に、第６剥離室８０にて４０℃の剥離液４で処理される。
【００５３】
そして、第６剥離室８０にて４０℃の剥離液４で処理されたガラス基板２は、水洗室９０に搬送され、室温に近い２５℃の純水５でその表面および裏面が水洗される。純水５は、純水供給管１８を介してノズル１９からガラス基板２の表面および裏面に供給される。純水供給管１８は図示しない純水供給手段に接続されている。
【００５４】
このとき、ガラス基板２は第６剥離室８０において４０℃の剥離液４によって処理された後、水洗室８０に搬送されて、室温に近い２５℃の純水により水洗されるため、ガラス基板２の水洗室９０への進入時における温度変化が小さく、搬送ローラ９の上でガラス基板２が大きく撓んでしまうことがなくなる。これにより、隔壁９１に形成された基板挿通口９１ａやこの基板挿通口９１ａの近傍に配置されたエア噴出手段１２にガラス基板２が接触して、そのガラス基板２表面に傷が付いてしまうという問題がなくなる。
【００５５】
このように、８０℃、７０℃、５０℃、４０℃とガラス基板２に供給される剥離液４の温度を段階的に下げていくことによりガラス基板２の膨張が小さくされることから、２５℃の純水５の供給によりガラス基板２が急激に冷やされてしまうことがなくなる。これにより水洗室９０に搬送された際のガラス基板２の温度勾配が緩和されるので、ガラス基板２が大きく撓んでしまうことが抑制される。
【００５６】
特に、上述したレジスト剥離装置１のようにガラス基板２をほぼ垂直状態で処理するときのように、水平状態のガラス基板２の自重による撓みの抑制が期待できない場合には、効果的である。また、上述したレジスト剥離装置１のような構成は、現状使用しているレジスト剥離装置の貯留タンクに貯留された剥離液の温度設定を変更するだけで、このような作用効果を得ることができる構成であるので、コスト増が少なく実施し易い。
【００５７】
次に、図５を用いて本発明の第２の実施形態に係るレジスト剥離装置について説明する。尚、上述した第１の実施形態で説明したレジスト剥離装置１と同一の構成については同符号を付して説明は省略し、異なる点を中心に説明する。
【００５８】
図示されるように、レジスト剥離装置１０１が備える第２剥離室４０と第３剥離室５０にそれぞれ剥離液４を供給する２つの剥離液供給管１３，１３のうち、第３剥離室５０に剥離液４を供給する剥離液供給管１３の途中位置に冷却手段１７を設けることで、第３剥離室５０に供給される剥離液４の温度を、第２剥離室４０に供給される剥離液４の温度７０℃よりも１０℃低い６０℃に設定されている。
【００５９】
冷却手段１７は、図６に示されるように、冷却水管１７ａを備えており、この冷却水管１７ａを第３剥離室５０に剥離液４を供給する剥離液供給管１３に巻回することで、この剥離液供給管１３を通る剥離液４の温度を下げている。この場合、冷却水管７ａの中には、例えば７℃の冷水が流れている。
【００６０】
また、図示されるように、レジスト剥離装置１０１が備える第４剥離室６０と第５剥離室７０にそれぞれ剥離液４を供給する２つの剥離液供給管１３，１３のうち、第５剥離室７０に剥離液４を供給する剥離液供給管１３の途中位置に冷却手段１７を設けることで、第５剥離室７０に供給される剥離液４の温度を、第４剥離室６０に供給される剥離液４の温度５０℃よりも１０℃低い４０℃に設定されている。
【００６１】
更に、図示されるように、レジスト剥離装置１０１が備える第６剥離室８０の前室８０ａと後室８０ｂにそれぞれ剥離液４を供給する２つの剥離液供給管１３，１３のうち、第６剥離室８０の後室８０ｂに剥離液４を供給する剥離液供給管１３の途中位置に冷却手段１７を設けることで、第６剥離室８０の後室８０ｂに供給される剥離液４の温度を、第６剥離室８０の前室８０ａに供給される剥離液４の温度４０℃よりも１０℃低い３０℃に設定されている。
【００６２】
そして、第６剥離室８０の後室８０ｂにて３０℃の剥離液４で処理されたガラス基板２は、水洗室９０に搬送され、室温に近い２５℃の純水５でその表面および裏面が水洗される。このとき、ガラス基板２は第６剥離室８０の後室８０ｂにおいて３０℃の剥離液４によって処理された後、水洗室９０に搬送されて、室温に近い２５℃の純水により水洗されるため、上述した第１の実施の形態の場合よりもガラス基板２の水洗室９０への進入時における温度変化が小さく、搬送ローラ９の上でガラス基板２が大きく撓んでしまうことが更に抑制される。
【００６３】
このように、８０℃、７０℃、６０℃、５０℃、４０℃、３０℃とガラス基板２に供給される剥離液４の温度を上述した第１の実施の形態の場合よりも細かく段階的に下げていくことによりガラス基板２の膨張が更に小さくされることから、２５℃の純水５の供給により急激に冷やされてしまうことがなくなる。これにより水洗室９０に搬送された際のガラス基板２の温度勾配が更に緩和されるので、ガラス基板２が大きく撓んでしまうことが抑制される。
【００６４】
また、上述したレジスト剥離装置１０１のような構成は、冷却手段１７を剥離液供給管１３の途中位置に設けるだけで、剥離液４を所定の温度に昇温する貯留タンク６および剥離液加熱手段８の数はそのままに、剥離液４の温度を複数に設定することが可能な構成であり、現状使用しているレジスト剥離装置に冷却手段１７を追加するだけで実施することができる。
【００６５】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明はこうした実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施できることは勿論である。例えば、上述した実施の形態では、レジスト剥離装置に本発明を適用した場合について説明したが、高温の薬液を基板に供給して処理する基板処理装置であれば本発明を適用することができる。また、薬液処理室としての剥離室および水洗室の構成やその数についても上述した実施の形態には限定されない。更に、薬液としての剥離液の温度設定についても上述した実施の形態には限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るレジスト剥離装置を上方から見た概略構成を示した図である。
【図２】図１のレジスト剥離装置が備える剥離室を側方から見た概略構成を示した図である。
【図３】図２の基板搬送手段の概略構成を示した図である。
【図４】（ａ）は図２のシャワー式ノズルの概略構成を示した図、（ｂ）は図２のエア噴出手段の概略構成を示した図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るレジスト剥離装置を上方から見た概略構成を示した図である。
【図６】図５の冷却手段の概略構成を示した図である。
【図７】従来用いられてきたレジスト剥離装置を上方から見た概略構成を示した図である。
【符号の説明】
【００６７】
１ レジスト剥離装置
４ 剥離液
５ 純水
６ 貯留タンク
７ ノズル
８ 剥離液加熱手段
９ 搬送ローラ
１２ エア噴出手段
１３ 剥離液供給管
１４ ポンプ
１５ 排水管
１７ 冷却手段
１７ａ 冷却水管
２０〜８０ 剥離室
２１〜８１ 隔壁
２１ａ〜８１ａ 基板挿通口
９０ 水洗室
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一定方向に搬送される基板の処理面に薬液を供給して薬液処理するに際し、隔壁で仕切られる複数の薬液処理室の各薬液処理室にて前記基板に供給される各薬液の温度を前記基板の搬送方向の上流側から下流側に向けて段階的に下げるようにしたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記基板は処理面が斜めに傾けられて搬送されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記基板は薬液処理の後、水洗処理されることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記薬液は前記基板の処理面に形成されたレジストを剥離する剥離液であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項５】
一定方法に搬送される基板の処理面に薬液を供給して薬液処理する基板処理装置であって、前記基板が搬送される複数の薬液処理室が順に並設され、各薬液処理室にて前記基板に供給される各薬液の温度が複数の薬液加熱供給手段により異なる温度に設定されると共に、各薬液処理室で前記基板に供給される各薬液の温度が基板の搬送方向の上流側から下流側に向けて段階的に下げられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
前記基板を所定の角度で支持して搬送する搬送ローラと、前記搬送ローラによって搬送される前記基板の下端を支持する下端支持ローラとが各薬液処理室内に配され、前記基板は処理面が斜めに傾けられて搬送されることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記薬液処理の後、前記基板が水洗処理される水洗処理室が備えられていることを特徴とする請求項５または６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記複数の薬液加熱供給手段から前記薬液処理室へ配設される薬液供給管の管路途中には冷却手段が設けられて、この冷却手段により薬液供給管を通る薬液の温度が前記薬液加熱供給手段により設定される薬液の温度より下げられていることを特徴とする請求項５から７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
各薬液処理室は隔壁で仕切られると共に、各隔壁にスリット状に開口形成された基板挿通口の前後には基板処理面上の薬液をエアにより除去するエア噴出手段が設けられていることを特徴とする請求項５から８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記薬液は前記基板の処理面に形成されたレジストを剥離する剥離液であることを特徴とする請求項５から９のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１】
一定方向に搬送される基板の処理面に薬液を供給して薬液処理するに際し、隔壁で仕切られる複数の薬液処理室の各薬液処理室にて前記基板に供給される各薬液の温度を前記基板の搬送方向の上流側から下流側に向けて段階的に下げるようにしたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記基板は処理面が斜めに傾けられて搬送されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記基板は薬液処理の後、水洗処理されることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記薬液は前記基板の処理面に形成されたレジストを剥離する剥離液であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項５】
一定方法に搬送される基板の処理面に薬液を供給して薬液処理する基板処理装置であって、前記基板が搬送される複数の薬液処理室が順に並設され、各薬液処理室にて前記基板に供給される各薬液の温度が複数の薬液加熱供給手段により異なる温度に設定されると共に、各薬液処理室で前記基板に供給される各薬液の温度が基板の搬送方向の上流側から下流側に向けて段階的に下げられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
前記基板を所定の角度で支持して搬送する搬送ローラと、前記搬送ローラによって搬送される前記基板の下端を支持する下端支持ローラとが各薬液処理室内に配され、前記基板は処理面が斜めに傾けられて搬送されることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記薬液処理の後、前記基板が水洗処理される水洗処理室が備えられていることを特徴とする請求項５または６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記複数の薬液加熱供給手段から前記薬液処理室へ配設される薬液供給管の管路途中には冷却手段が設けられて、この冷却手段により薬液供給管を通る薬液の温度が前記薬液加熱供給手段により設定される薬液の温度より下げられていることを特徴とする請求項５から７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
各薬液処理室は隔壁で仕切られると共に、各隔壁にスリット状に開口形成された基板挿通口の前後には基板処理面上の薬液をエアにより除去するエア噴出手段が設けられていることを特徴とする請求項５から８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記薬液は前記基板の処理面に形成されたレジストを剥離する剥離液であることを特徴とする請求項５から９のいずれかに記載の基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００９−１４１１８２（Ｐ２００９−１４１１８２Ａ）
【公開日】平成２１年６月２５日（２００９．６．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３１６８５４（Ｐ２００７−３１６８５４）
【出願日】平成１９年１２月７日（２００７．１２．７）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年６月２５日（２００９．６．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１２月７日（２００７．１２．７）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
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