【課題】処理槽内への基板の降下時及び処理槽内からの基板の上昇（引き上げ）時の双方において、隣接する基板同士の接触や、基板の浮き上がりを確実に防止する。
【解決手段】処理液で満たされた処理槽内に被処理基板を収納したキャリアを浸漬して処理を行う被処理基板の浸漬処理方法であって、キャリアを処理液の表面に対して水平に保持して処理槽内に下降させる降下工程と、キャリアを傾斜させて処理槽内より上昇させる上昇工程と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の洗浄をより効率的に行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体基板の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】半導体基板２０をその主面を鉛直方向及び水平方向から傾斜させて保持し、酸を含む洗浄液２６に半導体基板２０を浸漬する。 （もっと読む）

【課題】エッチングエンドのタイミングを確実に判別し、エッチングに必要な薬液の使用量を低減する。
【解決手段】エッチング室の入口から導入された処理基板を傾斜した状態で搬送する送りローラと、エッチング室内において送りローラによって搬送される処理基板に向けてエッチングに必要な薬液を吐出する吐出ノズルと、エッチング室内の入口側に設けられ傾斜した状態で搬送される処理基板の傾斜上方に位置する一端部に対向する第１センサ、エッチング室内の入口側に設けられ傾斜した状態で搬送される処理基板の傾斜下方に位置する他端部に対向する第２センサ、エッチング室内の出口側に設けられ処理基板の一端部と他端部との間の中央部に対向する第３センサを含むセンサ群と、センサ群に含まれる第１乃至第３センサの各々からの出力信号に基づいてエッチングエンドを判別する演算装置と、を備えたエッチング装置。 （もっと読む）

【課題】基板主面の全面に亙るウェット処理の均一化を図り、処理の歩留まりの向上や品質改善を達成することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】スプレーパイプ部２２と、スプレーパイプ部２２の長手方向に一列に互いに近接して形設され薬液をその吐出口２６から基板Ｗの表面１０２へ吐出する複数のノズル部２４から構成される複数のスプレーノズル１４とを備え、基板Ｗの表面１０２に対する複数のノズル部２４の吐出口２６の対向角度を、傾斜させた姿勢で搬送される基板Ｗの表面１０２の傾斜下端方向に向けて、基板Ｗの表面１０２の傾斜上端部付近から傾斜下端部付近にかけて、基板Ｗの表面１０２の法線３００に対して漸次小さくなるように、複数のノズル部２４を複数のスプレーパイプ部２２に形設することにより、基板Ｗの表面１０２上において吐出後の薬液の流速を傾斜上端部付近では相対的に小さく傾斜下端部付近では相対的に大きくする。 （もっと読む）

【課題】研磨後の多数枚のウェハを効率的に省スペースで水没させて保管し、また、ウェハの表面にウォータマークが形成されず且つ傷がつかないウェハ収納装置を提供する。
【解決手段】水槽５の水面より上部に置かれたカセット４を水平にし、且つリンス機構９のノズルバー９ａをカセット４の後部へ移動して、研磨後のウェハ３をカセット４に上下方向多段に個別に効率よく収納する。全てのウェハ３がカセット４に収納されたら、傾斜手段８によってカセット４を１°〜２０°の範囲で傾斜させ、ノズルバー９ａによってウェハ３の表面にリンス水を噴射させる。次に、カセット昇降機構７によって、カセット４を水槽５の内部の水中へウェハ１枚分の間隔で沈める。カセット４を水槽５から引き上げるときも、傾斜手段８によってカセット４を傾斜させながら引き上げる。これにより、ウェハ３が傷ついたりウォータマークが形成されることなく、効果的にウェハ３の収納・洗浄・搬送を行える。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄工程中に電析の発生を防止しつつ基板の状態を観察することが可能な基板洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発電層が形成された基板１２を洗浄する洗浄部と、それらの上流側に設けられて、基板１２を基板搬入口から洗浄部に搬入する搬入部と、洗浄された基板１２の発電層を乾燥させる乾燥部と、乾燥部の下流側に設けられて乾燥した基板１２を基板搬出口へ搬出する搬出部と、基板搬入口を除く搬入部、洗浄部、乾燥部、基板搬出口を除く搬出部内に入射する光を遮断する光遮断手段９と、それに設けられる観察窓１０と、観察窓１０から入射する光のうち発電層の発電に寄与する波長の少なくとも一部を遮断し、発電層の発電電圧を波長の少なくとも一部を遮光しない場合の発電電圧の１／１０以下にする光透過手段と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置の設置面積を増大させず単位時間当たりの処理能力を低下させずに、長時間の処理が可能で、処理時間を容易に変更できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】
第２剥離帯２内のフレームＦには、レーンＬ１、Ｌ２、Ｌ３が設けられ、それぞれにローラコンベアＬ１１、Ｌ２１、Ｌ３１と、上側液カーテンノズルＬ１２、Ｌ２２、Ｌ３２が設けられる。フレームＦが昇降して各レーンＬ１、Ｌ２、Ｌ３に基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３を順に搬入して、各基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３の上端に上側液カーテンノズルＬ１２、Ｌ２２、Ｌ３２から剥離液を供給する。所定時間の処理が終了するとフレームＦが昇降して処理済みの基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３を順に搬出する。 （もっと読む）

【課題】 基板の全面に対して、ウエット処理を均一に施すことができるようにした噴射式で傾斜搬送型のウエット処理装置を提供する。
【解決手段】 処理液供給機構４は、傾斜姿勢で水平搬送される基板Ｗの上方に配置され、基板Ｗの上面へ向けて噴射する噴射ノズル４１は、基板Ｗの搬送方向（ｘ方向）に延在するスプレーパイプ４２に取り付けられている。各スプレーパイプ４２は、一つ上方へ隣のスプレーパイプ４２との間隔が、下方のスプレーパイプ４２より狭い間隔に配置している。また、噴射ノズル４１は、下方ほど、ノズル吊下具４３を長寸にすることにより、噴射ノズル４１と基板Ｗとの距離を、下方ほど小さくしている。 （もっと読む）

【課題】 基板上にエッチング液を液膜状に供給した後に、この基板をリンス処理する場合においても、エッチング液とリンス液とを個別に回収することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置は、ガラス基板１００をその主面が水平方向となる状態で支持するとともに、このガラス基板１００を水平方向に搬送する複数の搬送ローラ９と、ガラス基板１００にエッチング液を供給する処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃと、ガラス基板１００にリンス液を供給する処理・洗浄ユニット１ｄと、各処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ毎に配設された回収トレー７１と、処理・洗浄ユニット１ｃと処理・洗浄ユニット１ｄとの間に配設されたエアナイフ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】 多量の処理液を消費することなく、基板の表面全域に有効に処理液を供給することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 液寄せ部材７１は、搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００における搬送方向の両側の、ガラス基板１００の端縁に近接する位置において、ガラス基板１００の搬送方向に沿って配設されている。搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の端縁と液寄せ部材７１との距離Ｄは２ｍｍ以下となっている。また、液寄せ部材７１の上面の高さ位置は、ガラス基板１００の表面の高さ位置より、Ｈだけ高くなっている。このＨの値は、処理液吐出ノズル２からガラス基板１００の表面に供給された処理液の膜厚以上とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】洗浄工程における洗浄性能の向上と、被洗浄体に与えるダメージの低減とを図る。
【課題手段】
スポンジローラ１は、湿潤状態で弾性を有するポリビニルアセタール系樹脂多孔質素材によって構成され、略円筒形状のロール体３と、ロール体３の外周面３ａ上に一体形成された複数の突起５とを有し、これら複数の突起５を被洗浄面に回転接触させて被洗浄面を洗浄する。スポンジローラ１を構成するポリビニルアセタール系樹脂は、アニオン性官能基を有する。 （もっと読む）

【課題】液浸露光後、現像処理前において、基板の最上層の膜の表面、例えばレジスト膜の表面に吸着した異物を十分に除去できるようにする。
【解決手段】まず、基板にレジスト膜を形成する（ステップＳ２０）。その後、レジスト膜を液浸露光する（ステップＳ４０）。その後、基板を傾けて回転させながら、基板に洗浄液を、基板の表面に対して斜め方向又は水平方向から供給する（ステップＳ５０）。その後、レジスト膜を現像する（ステップＳ７０）。この方法によれば洗浄液を、基板の表面に対して斜め方向又は水平方向から供給することができる。このため、基板の最上層の膜に異物が吸着していた場合、この異物に対して洗浄液は、斜め方向又は水平方向にあたる。このため、異物は基板の最上層の膜表面から浮き上がりやすくなり、除去されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＡ等の使用量を可能な限り減少させ、しかも液滴やミストの発生を最小限に抑えることによって、乾燥後の基板表面にウォーターマークが発生することを抑制できるようにする。
【解決手段】少なくとも一部に疎水性を有する基板Ｗの表面を乾燥させる基板処理方法であって、基板Ｗの表面と近接した位置に近接板１６を該基板Ｗの表面に対向させて平行に配置して、基板Ｗの表面と近接板１６との間に該基板Ｗの表面及び該近接板１６にそれぞれ接する連続した被覆液膜２８を形成し、基板Ｗと近接板１６とを互いに平行に一方向に相対移動させて被覆液膜２８の基板Ｗの表面に対する位置を変更させることで、基板Ｗの表面の近接板１６で覆われなくなった領域に位置していた被覆液膜２８を基板Ｗの表面から除去する。 （もっと読む）

【課題】 水洗および有機溶剤による洗浄の後の乾燥において、半導体ウエハを短時間で良好に処理可能な優れた半導体ウエハ処理方法および半導体ウエハ乾燥装置を提供すること。
【解決手段】 半導体ウエハの洗浄工程後に、半導体ウエハの複数の面へガスを吹き付ける乾燥工程を行う半導体ウエハ処理方法であって、乾燥工程は、半導体ウエハへガスを吹き付ける際に、複数方向からのガスが半導体ウエハの主面上において交わらないように、ガスの吹き付けを制御することとする。また、半導体ウエハの複数の面へガスを吹き付ける半導体ウエハ乾燥装置であって、半導体ウエハの一側面側からガスを噴射させる第１噴射パイプと、半導体ウエハの他の側面側からガスを噴射させる第２噴射パイプとを備え、第１噴射パイプおよび第２噴射パイプのうち少なくとも１つが移動しながら噴射可能であることとする。 （もっと読む）

【課題】大気中でも良好に基板を洗浄できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】遮断板４０は、搬送路３０ａの上方に配置されており、各搬送ローラ３０により搬送される基板Ｗの上面と近接する。また、遮断板４０には、リンス液供給ノズル６０の設置スペースとして使用される複数の中空突出部４２が設けられている。複数のリンス液供給ノズル６０は、中空突出部４２の延伸方向に沿うように、中空突出部４２の中空空間４２ａに固定されており、搬送される基板Ｗに対して近接できる。シールドガス供給ノズル５０、５５は、第１処理空間７１にシールドガスを供給し、第１処理空間７１内の空気をシールドガスと置換する。これにより、第１処理空間７１において、基板Ｗと、大気に含まれる酸素と、リンス液の水分と、が接触することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】処理ガス中に雰囲気ガスより重い成分が含まれていても、ほぼ垂直に立てた被処理物の処理を過不足無く均一に行なう。
【解決手段】被処理物９の被処理面９ａを略垂直に向ける。略垂直に分布する吹出し口２１ａを有するノズル２０を被処理物９と対向させる。雰囲気ガスより重い反応成分を含む処理ガスをノズル２０に導入する。吹出し口２１ａの近傍で流速調節用の窒素ガスを処理ガスに混入する。混入後の処理ガスを吹出し口２１ａから吹き出す。吹き出し時の処理ガスの流速が０．１ｍ／ｓ〜０．５ｍ／ｓになるよう、流速調節用ガスの混入流量を調節する。 （もっと読む）

【課題】微小パーティクルを効率よく除去する。
【解決手段】半導体素子のような電子部品を収納し、当該電子部品を搬送する電子部品搬送装置１０Ａは、電子部品が搭載される複数の電子部品支持部１１と、複数の電子部品支持部１１を個々の電子部品支持部１１に画定する突起部１２，１３，１４と、を備えている。そして、電子部品支持部１１と突起部１２，１３，１４の間の第１の領域並びに突起部１２，１３，１４の端間の第２の領域とが電子部品搬送装置１０Ａの下面１０ｂから同一の高さに構成されている。このような電子部品搬送装置１０Ａであれば、微小パーティクルが第１の領域及び第２の領域で滑降し、当該微小パーティクルが効率よく除去される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ５を処理する方法。
【解決手段】半導体ウェーハ５を、
・フッ化水素を含有する溶液９１が少なくとも部分的に充填された液体容器１１中で処理して、半導体ウェーハ５の表面にある酸化物を溶解させ、
・溶液９１から輸送方向８１に沿って輸送して取り出し、かつ乾燥させ、かつ
・乾燥後に、オゾン含有ガス９３で処理して、半導体ウェーハ５の表面を酸化させ、
ここで、半導体ウェーハ５の表面の一方の部分が既にオゾン含有ガス９３と接触しているのに対し、半導体ウェーハ５の表面の他方の部分がなお溶液９１と接触しており、かつ溶液９１及びオゾン含有ガス９３は、これらが互いに接触していないように、空間的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】基板の帯電防止のために、超純水よりも導電性の高い液体で基板を洗浄するに当たり、この洗浄用液体による帯電抑制効果を簡便かつ的確に確認する。
【解決手段】洗浄用液体の一部を分取し、被洗浄基板と同材質のモデル片と接触させ、該モデル片の静電電位を測定することにより、基板の帯電状況を監視する基板洗浄方法。洗浄用液体を被洗浄基板と同材質のモデル片と接触させる液体接触手段と、該液体接触手段で洗浄用液体と接触しているモデル片の静電電位を測定する静電電位測定手段とを備えてなる帯電抑制効果監視モニター。 （もっと読む）

【課題】ウェハ洗浄工程においてウェハ表面へのウォーターマークの発生を抑制できるウ
ェハ洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るウェハ洗浄方法は、半導体ウェハを洗浄液に浸漬させて洗浄す
るウェハ洗浄方法において、半導体ウェハ１７における製品チップ１０領域の長辺方向と
洗浄液１６の液面とが作る角度を３°以内に保ち、且つ半導体ウェハ１７の表面と洗浄液
１６の液面とが作る角度を３°以内に保ちながら、半導体ウェハ１７を洗浄液１６に浸漬
させることを特徴とする。 （もっと読む）