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Fターム[5F157AB90]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 処理槽(室)内での洗浄時の運動 (1,468) | 回転運動 (1,212) | 垂直軸 (1,082)

Fターム[5F157AB90]に分類される特許

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【課題】枚葉式、バッチ式のいずれの超音波洗浄装置であっても、形状・材質に依存せずに、低出力から高出力まで、洗浄液に印加された超音波の音圧をスムースに制御、特に微調整することができることによって、被洗浄物の表面にダメージを与えることなく十分に清浄な表面を得られる超音波洗浄装置と、それを利用した被洗浄物の洗浄方法、並びに超音波の発振方法を提供する。
【解決手段】被洗浄基板を超音波を印加した洗浄液によって洗浄する洗浄装置であって、少なくとも、超音波振動子で発振させた超音波を印加した洗浄液によって前記被洗浄物を洗浄するための洗浄機構と、前記超音波振動子から超音波を発振させるための主発振器とを具備し、前記主発振器は、発振波形としてバースト波を用いるものであることを特徴とする洗浄装置。 (もっと読む)


【課題】基板表面全体に均一性高く現像液の液膜を形成すると共に高いスループットが得られる塗布、現像装置を提供すること。
【解決手段】現像モジュールと、洗浄モジュールと、前記現像モジュールにより現像された基板を前記洗浄モジュールに搬送する搬送機構と、を備え、前記現像モジュールは、処理雰囲気を形成する気密な処理容器と、この処理容器内に設けられ、基板を載置し、冷却するための温調プレートと、前記処理容器内に現像液のミストを含む雰囲気ガスを供給する蒸気供給部と、前記温調プレートを、前記蒸気が基板上に結露する温度に調整するための温度調整部と、を備えるように塗布、現像装置を構成する。現像モジュールと洗浄モジュールとで並行して処理を行えるので、高いスループットが得られる。 (もっと読む)


【課題】洗浄部材の汚染物質を継続的に低減可能な洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体基板11を支持回転する回転支持体13と、回転支持体13に対して半導体基板11とは反対側及び半導体基板11から離れた下側に配置され、V字形の斜面を形成するように上側に開いた溝の表面にブラシ部29が形成された洗浄面を有するブラシ洗浄具27と、それぞれの外周部が、回転支持体13に支持された半導体基板11の相対向する被処理面に接触が可能、且つブラシ洗浄具27のV字形の斜面に接触が可能で、等方的な回転対称軸の回りに回転する円柱状のロール部材21と、樹脂粒子18が分散されたスクラブ洗浄液17を半導体基板11の被処理面にそれぞれ供給するスクラブ洗浄液供給部15と、ブラシ洗浄具27の溝に2箇所で接触するように配置されたロール部材21の外周部にそれぞれ純水35を供給する純水供給部33とを備える。 (もっと読む)


【課題】基板表面の周縁部の処理幅を正確に制御することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。
【解決手段】この装置は、ウエハWを保持して回転するスピンチャック1と、スピンチャック1の上方に配置された遮断板10とを備える。遮断板10は、ウエハWの上面の周縁部に対向する位置に、環状部材32を有する。環状部材32は、ウエハWの上面の周縁部に対向するウエハ対向面45と、内側の空間と外側の空間とを連通させる気体流通路49を有する。また環状部材32の内側の空間に気体を供給する気体供給手段18,30を有する。中心軸ノズル5から、ウエハWの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、エッチング液は、ウエハWの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面45に接触する液膜を形成する。この液膜は、環状部材32の内周縁付近から内方へ入りこむことがない。 (もっと読む)


【課題】 可燃性の処理流体又はその蒸気を基板に供給して処理を行う装置において、基板周辺からの排気を冷却することにより排気中の引火性のガスの濃度を低下することを可能にした基板処理装置を提供する。
【解決手段】 スピンチャック2に保持され液体が付着した基板Wの表面Wfに対し可燃性の処理流体であるIPAを供給することにより、基板Wを洗浄等する装置において、スピンチャック2及び基板Wから飛散して処理カップ201により受け止められ、スピンチャック周辺に浮遊する液体の微粒子を含む雰囲気を排気する排気液ライン202に排気冷却部203を介挿し、排気冷却部203に冷却用の冷媒を供給することにより排気液ライン202内を流れる排気を冷却し、排気に含まれる可燃性の処理流体の蒸気の濃度を低減する。これにより、装置内の可燃性の処理流体の蒸気の濃度を低減する。 (もっと読む)


【課題】研削面に研削屑等の付着を防止可能なウエーハ搬送装置を提供することである。
【解決手段】ウエーハ11を保持して搬送するウエーハ搬送機構62であって、アーム66の先端に位置する支持プレート72と、該支持プレート72に取り付けられた回転プレート80と、該支持プレート72の下方に突出し、該ウエーハ11から半径方向外側に移動可能なように、リンク82を介して該回転プレート80に取り付けられた少なくとも3個の保持部材86と、該保持部材86に保持されたウエーハ11の上面に水を供給する水供給手段100とを具備し、該水供給手段100は、ウエーハ11の外周縁近傍に対向するように該支持プレート72に固定されたノズル104と、該各ノズル104を水供給源に接続する配管106とを含み、該各ノズル104はウエーハ11の外周縁近傍の上面に向かって水を噴出し、ウエーハ11の上全面に水の層を形成する。 (もっと読む)


【課題】従来の、ウエハなどを対象とする、純水などの洗浄液を用いた超音波振動体方式の枚葉式超音波スピン洗浄装置は、洗浄によってウエハ表面に与えるダメージが小さいといった利点を持つが、汚染物質などの異物を除去するための洗浄時間が長いといった課題を有しており、これを短時間化する必要がある。
【解決手段】超音波振動を伝播させる振動体の超音波照射面と、ウエハ表面の間隔における洗浄液を積極的に攪拌するように、振動体自体を超音波照射面内の垂直軸中心に回転させる構造とする。このことで、超音波振動によりウエハ表面から遊離して洗浄液中に浮遊する異物を再度ウエハ表面に付着する確率が大きく低下し、汚染洗浄液を洗浄作用領域である間隔部分から速やかに流出させることにより、洗浄時間の大幅短縮が可能となった。 (もっと読む)


【課題】少ない薬品の使用量で、ウェーハ表面に付着した有機物および金属等の微粒子をより精度高く除去することができるシリコンウェーハの表面浄化方法を提供する。
【解決手段】オゾンガスをウェーハ表面に接触させ、ウェーハ表面に酸化膜を形成させ(ステップS1)、フッ化水素ガスをウェーハ表面に接触させ、ウェーハ表面に形成された酸化膜を除去し(ステップS2)、シュウ酸またはクエン酸のジカルボン酸の薬液を用いてウェーハ表面を洗浄し、微粒子の再付着防止と金属粒子の除去とを行い(ステップS3)、さらに、オゾン水を用いてウェーハ表面を洗浄して微粒子を除去するとともに、更なる酸化膜の形成を行う(ステップS4)。 (もっと読む)


【課題】電気光学装置の製造工程において、比較的細いレジストパターンが剥がれることなく、基板を洗浄する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板(10)上にレジスト(202)を塗布するレジスト塗布工程と、塗布されたレジストを所定形状にパターニングするパターニング工程と、パターニングされたレジスト(202a)を有する基板を、洗浄液を用いて洗浄する洗浄工程とを備える。洗浄工程では、基板が20〜30rpmで回転されつつ、洗浄液が0.5L/min以下で供給される。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置の各液処理ユニットに処理液を供給するときに、流量の精度を落とすことなく流量制御機構をまとめることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理液が流れる供給流路68aと、供給流路68aに処理液を供給する処理液供給部70と、供給流路68a上に設けられ、供給流路68aの流量を制御する流量制御機構131と、流量制御機構131の下流側に接続される第1の経路68c又は第1の経路68cと平行に接続される第2の経路68dに切り替える切替機構135とを有する。流量制御機構131は、供給流路68aの流量を計測する流量計測部132と、内部に開閉可能な弁を備えた流量制御弁133と、流量設定値FSと流量計測値FMとが等しくなるように、流量制御弁133を制御する流量制御部134とを有する。 (もっと読む)


【課題】基板表面の周縁部の処理幅を正確に制御することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。
【解決手段】この装置は、ウエハWを保持して回転するスピンチャック1と、スピンチャック1の上方に配置された遮断板10とを備えている。遮断板10は、ウエハWの上面の周縁部に対向する位置に、環状部材32を有している。環状部材32は、ウエハWの上面の周縁部に対向するウエハ対向面45を有する。中心軸ノズル5から、ウエハWの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、このエッチング液は、ウエハWの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面45に接触する液膜を形成する。この液膜は、環状部材32の内周縁付近から内方へ入りこむことができない。 (もっと読む)


【課題】微細なレジストパターンが形成された基板からリンス液を除去する際にパターン倒れを防止でき、また、疎水化剤の使用量を低減し、基板処理を行う際の処理コストを低減できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンが形成された基板にリンス液を供給するリンス液供給工程S12と、レジストパターンを疎水化する第1の処理液の蒸気を含む雰囲気で、リンス液が供給された基板からリンス液を除去するリンス液除去工程S14〜S16とを有する。 (もっと読む)


【課題】簡単な装置構成で、ウェーハの表面全体において良好な平坦度が得られるようにした、枚葉式エッチング装置及び方法を提供する。
【解決手段】回転しているウェーハ2の表面にノズル21からエッチング液を供給してウェーハ2の表面を1枚ずつエッチングする枚葉式エッチング装置において、ノズル21をウェーハ2の回転中心Oを通る揺動軌跡Lでウェーハ2の表面に沿って揺動させるノズル揺動装置24を備えるとともに、ノズル21が揺動方向に対して直交する方向に延びたスリット形状の吐出口21aを有するように構成する。 (もっと読む)


【課題】マランゴニ乾燥に比べて、基板に液滴が残留することをより効果的に防止し、ウォーターマークの発生を抑えることができる基板乾燥装置及び基板乾燥方法を提供する。
【解決手段】反磁性を有する液体で洗浄された基板を乾燥させる基板乾燥装置に、基板に付着した液体を磁力によって移動させるための磁石4と、磁石4を、基板に沿って該基板の縁側へ移動させる磁石搬送手段5とを備える。また、反磁性を有する液体で洗浄された基板を乾燥させる際、基板に付着した液体を磁力によって移動させるための磁石4を、基板に接近させ、磁石4を前記基板に沿って該基板の縁側へ移動させる。 (もっと読む)


【課題】ガス溶解水による高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄で高い洗浄効果を得て、低コストで省資源な洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄流体吐出ノズルから、洗浄液又は洗浄液と気体との混合流体を被洗浄物に向けて吐出させて該被洗浄物を洗浄する高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄方法において、該洗浄流体吐出ノズルに導入される洗浄液が、該洗浄液の液温における飽和溶解度以上の溶存ガスを含むことを特徴とする洗浄方法。 (もっと読む)


【解決手段】ガスを分散されて含む洗浄流体は、ガスを溶解されて含む液体をバブルマシン内で減圧して気液分散を発生させることによって、キャビテーションを誘発するための超音波エネルギの使用を回避している。洗浄流体は、ホルダと、超音波エネルギまたはメガソニックエネルギを物品に供給するための振動器とを含む装置を使用して半導体ウエハなどの物品を洗浄するために使用することができる。 (もっと読む)


【課題】基板とそれに対向する対向部材との間の気流の乱れを抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置1は、基板Wを水平に保持して回転させるスピンチャック3と、基板Wの上面周縁部の一部に向けて処理液を吐出するノズル5と、ノズル5を回転軸線L2まわりに自転させるノズル回転機構35と、ノズル5に処理液を供給する処理液供給機構6と、基板Wの上面に対向する対向面26、および対向面26で開口し、ノズル5が挿入されるノズル挿入孔29を有する遮断板4とを含む。ノズル5は、ノズル5の下面5aに形成された吐出口を有している。ノズル5の吐出口は、回転軸線L2から離れた位置に配置されている。 (もっと読む)


【課題】小型で効率良く、微小気泡であるナノバブルを含む液体を生成して基板に供給することで基板の処理ができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、上部が開放されており、液体を収容でき、第1容器部分41と第2容器部分42に区分けされ、第1容器部分41から第2容器部分42へ液体を移動可能な通路49を底部側に有する容器30と、第1容器部分41内の液体L中に配置されて、気体を液体Lに混合して微小気泡を含む液体Lを第1容器部分41内で生成する微小気泡生成ユニット40と、第1容器部分41内の微小気泡を含む液体Lを、底部側の通路49を通じて第2容器部分42内に移動させて、第2容器部分42内から微小気泡を含む液体Lを基板Wに送るポンプ35を備える。 (もっと読む)


【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Wに形成された凸形状パターンの表面に撥水性保護膜を形成するために、基板表面に撥水化剤106を供給する。撥水化剤を供給する前に、酸化力の強い薬液103を供給するか、又はUV光を照射して、凸形状パターン表面を強制的に酸化させる。これにより、凸形状パターン表面に撥水性保護膜が形成され易くなり、乾燥処理時の凸形状パターンの倒壊を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】ナノバブルを含む液体中のナノバブルを生成して基板に供給する際に、ナノバブルの個数を把握して基板の処理ができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】予め粒径の確定している標準粒子を混合用の液体81で混合し、標準粒子を混合した混合用の液体中の単位体積当たりの標準粒子の個数をカウンタ86で計測し、この混合用の液体81を基準液として、投入したい標準粒子の個数を含む量の基準液をナノバブルNBを含む液体Lに入れ、粒度分布測定器100によりナノバブルを含む液体中の標準粒子の粒度分布F1とナノバブルの粒度分布F2とを求め、ナノバブルを含む液体L中の標準粒子の粒度分布F1のピーク値P1に対応する標準粒子の個数を基準として、ナノバブルの粒度分布F2のピーク値P2、P3、P4に対応するナノバブルの個数を求める。 (もっと読む)


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