【課題】 簡単な構成で処理液の帯電を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板処理装置は、基板をほぼ水平に保持して回転するスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板に薬液を供給するための薬液供給路とを備えている。薬液供給路は、薬液供給ノズルに向けて送られる薬液の温度を処理に適した一定温度に調節する温度調節器２４に介装されている。温度調節器２４は、薬液流路を形成し、導電性を有する伝熱板２４２を備え、伝熱板２４２には、金属線２４２ａの一端が接続され、金属線２４２ａの他端は接地されている。 （もっと読む）

本明細書で説明される諸実施形態は、ブラシ洗浄モジュールに利用できるローラアセンブリに関する装置および方法に関する。一実施形態では、ローラアセンブリが説明される。このローラアセンブリは、基板の周辺部に沿って基板の主要面と接触するように適合された少なくとも２つのほぼ平行に対向する側壁を有する環状溝を含み、対向する側壁のそれぞれは、基板の周辺部の厚さ未満の予圧寸法を有する圧縮性材料を含む。
（もっと読む）

【課題】 生成したヒドロキシルラジカル含有水の濃度を高精度に測定することを可能とするヒドロキシルラジカル含有水供給装置を提供すること。
【解決手段】 ヒドロキシルラジカル含有水を生成して供給する生成手段と、生成手段により生成されたヒドロキシルラジカル含有水の１４０〜２１０ｎｍの範囲内における１以上の波長での吸光特性を測定することにより、ヒドロキシルラジカル濃度を定量する定量手段とを備えたヒドロキシルラジカル含有水供給装置。 （もっと読む）

【課題】基板表面上の液膜を蒸発乾燥させることなく当該液膜を薄膜化する。
【解決手段】リンス工程においてＤＩＷ供給部から低温ＤＩＷを基板表面に供給して基板および液膜の温度が雰囲気の露点以下に調整し、基板表面上に形成された液膜を薄膜化する間（薄膜形成工程）、液膜および基板の温度が雰囲気の露点以下となっているため、基板表面上の液膜が蒸発乾燥することなく当該液膜を所望の厚さに薄膜化することができる。凍結工程を実行する際に冷却高湿度窒素ガスを凍結用冷媒として用いているが、単にＤＩＷの凝固点よりも低い温度まで冷やされた冷却ガスを用いるのではなく、水蒸気を飽和した高湿度状態のものを用いることで冷却高湿度窒素ガスの露点を凍結膜の温度とほぼ同一温度に調整している。したがって、液膜の薄膜化から凍結膜の形成に切り替わる際、凍結前の液膜が蒸発乾燥するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】安定して基板上に処理液の液膜を保持させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板を水平に保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板の上面周縁部を選択的に疎水化させる疎水化手段と、前記基板保持手段に保持された基板の上面に処理液を供給する処理液供給手段と含む。この基板処理装置による基板の処理では、基板の主面の周縁部を選択的に疎水化させる疎水化工程（Ｓ１０１）と、前記疎水化工程が実行された後に、水平に保持された基板に処理液を供給して、当該基板の主面を覆う処理液の液膜を形成する液膜形成工程（Ｓ１０２）とが実行される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、処理時間の短縮を図ることができる洗浄方法、洗浄システム、及び微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】希釈硫酸溶液を電気分解して酸化性物質を含む酸化性溶液を生成し、高濃度の無機酸溶液と、前記酸化性溶液と、を洗浄対象物の表面に、個別に、順次または略同時に供給すること、を特徴とする洗浄方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の高さが増大することを抑制しつつ、飛散した処理液を好適に回収することができる基板処理装置、および、カップ外に処理液が漏れることを好適に防止できるカバー部材を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持部１１と、上部に開口Ａを有する略筒形状を呈して基板保持部１１の周囲を囲むカップ１２と、カップ１２の外側に設けられるカバー本体４１と、を備え、前記開口Ａの縁部は、高さ位置が比較的低い第１縁部ＥＬと高さ位置が比較的高い第２縁部ＥＨとを有する。カバー本体４１は、第２縁部ＥＨの高さ位置より低い範囲で前記第１縁部ＥＬの上方を覆う。これにより、処理液が第１縁部ＥＬの上方からカップの外側に漏れることを防止できる。第１縁部の上端は依然として第２縁部より低いので、基板処理装置の高さが増大することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板をリンスした後、半導体基板を乾燥させるときに微細なパターンに及ぶ影響を著しく低減する。
【解決手段】洗浄液で半導体基板を洗浄する洗浄工程と、この洗浄工程の後にリンス水で前記半導体基板をリンスするリンス工程と、このリンス工程の後に前記半導体基板を乾燥させる乾燥工程とを行う半導体基板の洗浄方法であって、リンス工程の際、リンス水の温度を７０℃以上に設定すると共に、リンス水を酸性に設定する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターンの倒壊をより確実に防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】キャリアから搬出された基板には、処理ユニットまでの搬送系路途中にてオゾンガスが吹き付けられて有機物汚染の除去処理が行われる。表面から有機物汚染が除去された基板が処理ユニットに搬入されて薬液表面処理が行われるため、基板の全面に対して均一な表面処理を行うことができる。薬液処理が終了した基板には純水リンス処理が行われ、その後基板の表面に疎水化剤としてのＨＭＤＳが供給されて疎水化処理が行われる。これにより、基板表面のパターン内に残留している液滴の毛管力はゼロに近くなり、乾燥処理時のパターン倒壊を防止することができる。疎水化された基板はキャリアに戻る搬送系路途中にて再度オゾンガスが吹き付けられて疎水化状態が解除される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、洗浄特性に優れた洗浄液、洗浄方法、洗浄システム及び微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化性物質と、フッ酸と、を含み、酸性を呈すること、を特徴とする洗浄液が提供される。また、硫酸溶液を電気分解する方法、フッ酸が添加された硫酸溶液を電気分解する方法、若しくは、硫酸溶液と過酸化水素水とを混合する方法のいずれかの方法により、酸化性物質を含む酸化性溶液を生成し、前記酸化性溶液と、フッ酸と、を洗浄対象物の表面に供給すること、を特徴とする洗浄方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】被処理物の処理を悪影響がなく、オゾン気泡が容易に脱気しないことにより、充分な処理効果を得ることのできるオゾン水処理方法及びオゾン水処理装置を提供する。
【解決手段】添加物を含めない方法によって生成された超微細粒径のオゾン気泡を含有するオゾン水を用いて被処理物を処理するオゾン水処理方法及びオゾン水処理装置で、特に、超微細粒径のオゾン気泡を含有するオゾン水を加熱して被処理物の処理効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の全域に対して、処理液による処理を均一に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】この基板処理装置１は、スピンチャック４と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に向けて、高温（たとえば８０℃）のＳＣ１を供給するためのＳＣ１ノズル５と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に水蒸気を供給するための蒸気ノズル６と、スピンチャック４を収容するカップ８とを備えている。ＳＣ１ノズル５から吐出された高温のＳＣ１は、ウエハＷの中央部に供給される。蒸気ノズル６から吐出された水蒸気は、ウエハＷの中間位置Ｍに供給される。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置を検査するためのレシピを自動生成することによって、基板処理装置の検査工程を確実かつ簡単にする。
【解決手段】基板処理装置の制御装置１５は、コンピュータ１６と記憶装置１９とを備えている。記憶装置１９には、基板処理制御プログラムおよび検査レシピ自動生成プログラムが格納されており、さらに、レシピ、構成定義データおよび動作条件データを記憶できるようになっている。コンピュータ１６は、検査レシピ自動生成プログラムを実行することにより、基板処理装置が備える複数の構成要素を動作させるための処理手順を記述した検査レシピを生成して記憶装置１９に登録する。その際、コンピュータ１６は、構成定義データおよび動作条件データに基づいて、検査レシピを構成する処理手順を生成する。 （もっと読む）

【課題】強度が強く、耐食性に優れるスイングノズルユニット及びそれを有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板が置かれるスピンヘッドを含む基板支持部材と、前記スピンヘッドの周りを囲むように設置されて基板上から飛散する処理流体を回収する処理容器と、スイング方式で回転し、前記スピンヘッドに置かれた基板に処理流体を噴射するスイングノズルユニット等を具備する。前記スイングノズルユニットは、処理流体供給チューブが位置する内部通路を形成する内側樹脂パイプと、前記内側樹脂パイプを囲むように設置される金属パイプと、前記金属パイプを囲むように設置される外側樹脂パイプからなるノズル体を有するノズル部と、前記ノズル部のθ軸回転及び昇降移動のための駆動部を具備する。 （もっと読む）

【課題】洗浄工程における洗浄性能の向上と、被洗浄体に与えるダメージの低減とを図る。
【課題手段】
スポンジローラ１は、湿潤状態で弾性を有するポリビニルアセタール系樹脂多孔質素材によって構成され、略円筒形状のロール体３と、ロール体３の外周面３ａ上に一体形成された複数の突起５とを有し、これら複数の突起５を被洗浄面に回転接触させて被洗浄面を洗浄する。スポンジローラ１を構成するポリビニルアセタール系樹脂は、アニオン性官能基を有する。 （もっと読む）

【課題】高いパーティクル除去能力を維持しつつも、基板に与える物理的ダメージを最小限に抑制することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄ヘッド６０の筒状体６１には８０個の吐出孔６４が穿設されている。各吐出孔６４の孔径は１０μｍ〜５０μｍである。高圧ポンプによって洗浄ヘッド６０の流路６２に洗浄液を加圧供給すると、洗浄ヘッド６０の内部の液圧が１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下に上昇することによって、各吐出孔６４から洗浄液が押し出される。吐出孔６４から押し出された洗浄液は連続した液流である液柱８０を形成し、吐出孔６４と基板Ｗとの距離ｄが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であれば、液柱８０の状態のまま基板Ｗの上面に供給される。これにより、洗浄ヘッド６０が基板Ｗに与える物理力は常に一定となり、高いパーティクル除去能力と物理的ダメージの抑制とを両立することができる。 （もっと読む）

【課題】基板に疎水性のポリシリコン膜が形成されているとともに、このポリシリコン膜に親水性の自然酸化膜が積層されている場合において、基板の周縁部においてエッチング不良が発生することなく、かつエッチング幅の精度を向上させることができる基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体を提供する。
【解決手段】まず、ポリシリコン膜が形成された基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗの周縁部にフッ酸を供給することにより基板Ｗの周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる。次に、ポリシリコン膜が露出された基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗの周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する。このような動作は、基板液処理装置１の制御部５０が回転駆動部２０、フッ酸供給部５４およびフッ硝酸供給部５２を制御することにより行われる。 （もっと読む）

【課題】基板のダメージを抑制または防止しつつ、不要になった膜を基板から除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、ウエハＷを保持するスピンチャック７と、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液をスピンチャック７に保持されたウエハＷに供給する薬液供給ユニット２２と、スピンチャック７に保持されたウエハＷに供給される光活性化成分を含む処理液に光を照射する照射ユニット４とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの表面に付着するパーティクルがより微細なものとなっても、それらを効果的に除去することができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄液による半導体ウェーハの洗浄方法において、
前記洗浄液として、水より低表面張力、且つ水より低粘性を有するものを用い、前記半導体ウェーハの表面の温度を３０℃〜５０℃とした状態において、前記洗浄液で洗浄する。前記半導体ウェーハの裏面にウェーハの温度を上昇させるための流体を噴き付けることによってウェーハの温度を上昇させる。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部分の処理を行う場合において、基板の高温処理を十分に行うことができるとともに基板の表面にパーティクルが付着することを十分に抑制することができる基板の液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】基板の液処理装置１は、基板Ｗを保持する保持部１０と、保持部１０を回転させる回転駆動部２０と、遮蔽ユニット３９とを備えている。遮蔽ユニット３９は、保持部１０により保持された基板Ｗに対向する対向板３２と、対向板３２を介して基板Ｗを加熱する加熱部分３１と、加熱されたガスを保持された基板Ｗの表面に供給する加熱ガス供給部分３２ａとを備えている。 （もっと読む）