【課題】被処理物に処理流体を噴き付けて表面処理する装置において、処理流体が処理領域から外に漏れたり、外部の雰囲気ガスが処理領域に入ったりするのを効率的に防止する。
【解決手段】処理ヘッド１０の被処理物Ｗと対向すべき側部４０に、処理領域８０の画成部４１と、その両側の処理外領域８１，８２の画成部４２，４３とを設ける。第１処理外領域８１と処理領域８０との境に処理流体の噴き出し口５０ａを形成し、処理領域８０と第２処理外領域８２との境に吸い込み口５０ｅを形成する。検出手段７０にて第１処理外領域８１における処理領域８０に近い箇所と遠い箇所との差圧を検出する。吸い込み流量調節手段５４にて、上記検出差圧がゼロになるように吸い込み口５０ｅからの吸い込み流量を調節する。 （もっと読む）

【課題】電極の変形を最小化し、誘電体の間隔を一定に維持するプラズマ発生装置を提供すること。
【解決手段】
本発明では、ノズルヘッド５０に一対の誘電体板５２、５２’が着脱可能に設置される。このため、前記誘電体板５２、５２’の上端は、チャンバハウジング４６の下部に形成された安着スリット４９に挟み込まれ、前記誘電体板５２、５２’の下端は、電極カバー５８の下端に形成された段差部５９におかれることにより、固定される。また、前記誘電体板５２、５２’間の隙間５３ｈを維持するために、前記隙間５３ｈの両端部には、スペーサ６４が挿入される。このような構成を有する本発明によると、誘電体板間の隙間を一定に維持することができるので、均一なプラズマを形成することができ、誘電体板の交替及びメンテナンスが容易になるという利点がある。 （もっと読む）

【課題】処理室で平坦な壊れやすい基板（２）に処理液（１４）を供給するために、取扱いが容易で側面案内が可能である処理装置を提供する。
【解決手段】基板（２）は、搬送装置（３）によって水平通過で処理室を通して案内される。円筒状の回転可能に軸受けされる側面案内ローラ（２０）を備える側面案内装置は、送給方向（４）に配向された基板（２）の有利な送給を確実にする。 （もっと読む）

対象物の表面の少なくとも一部を処理するための流体メニスカスを利用する湿式処理装置および方法である。対象物の表面の１つが処理された後に、対象物の他の側面または表面が同様に処理されうる。いくつかの例を挙げれば、この処理はコーティング、エッチング、めっきでありうる。この装置と方法の用途は、半導体処理産業、特にウェハおよび基板の処理にある。この方法と装置は、電子構成部品の多数の表面の処理をも可能にする。 （もっと読む）

【課題】基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置１は、基板を支持する支持部１０と、基板上部のフォトレジストを除去する乾式処理部２０と、基板上部のフォトレジストを除去する湿式処理部３０を有する。基板は、支持部によって支持された状態で、基板上部のフォトレジストは、乾式処理部２０によって１次的に除去され、湿式処理部３０によって２次的に除去される。乾式処理部２０は、基板上面にプラズマを供給するプラズマ供給ユニット２００と移動ユニットを有し、移動ユニットは、プラズマ供給ユニット２００と基板の相対的な位置を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 ドライエッチャに洗浄工程を付加してドライエッチャの適用範囲をメタル膜エッチング工程まで拡大させるエッチング部と洗浄部とを兼備したドライエッチャを提供する。
【解決手段】 エッチングガスを注入して基板上の膜をエッチングするエッチング部と、エッチング部により処理された基板を移送させる移送部と、移送部により移送された基板を洗浄する洗浄部と、を備えるエッチング部と洗浄部とを兼備したドライエッチャ。 （もっと読む）

【課題】 １つの工程装備にインシャワー、吸入および乾燥工程を行えるようにし、基板を塗布または剥皮したり洗浄工程を行ったりする際に時間と空間的な効率性を高めることができるインシャワー、吸入および乾燥工程を行う工程装置を提供する。
【解決手段】 インシャワー、吸入および乾燥工程を行う工程装置は、インシャワーナイフ、エアナイフを含むナイフユニットおよびナイフユニットが取付けられて基板上にナイフユニットを移送することができるフレームを含む。 （もっと読む）

【課題】ドラム式回転洗浄装置を用いた洗浄等の基板処理の際において、ダミー基板の使用回数を増加させると共に破損した場合の破片の飛散を抑制することにより、半導体装置の製造コストを低減する。
【解決手段】基板処理方法は、複数の容器２０４のそれぞれに複数の被処理基板１０４を収納する工程と、被処理基板１０４と実質的に等しい質量を有し、少なくとも側面を含む２つの主面の周縁部が耐薬品性の樹脂によって被覆されている板状部材よりなるダミー基板１００を複数の容器２０４に必要枚数収納することによって、複数の容器２０４に収納された被処理基板１０４とダミー基板１００との合計枚数を複数の容器２０４の全てにおいて同数とする工程と、ダミー基板１００を収納した複数の容器２０４を回転軸に対して対称に配置すると共に回転軸を中心に回転させながら被処理基板１０４を処理する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】洗浄具の洗浄部材の有無を検知する洗浄部材検出センサを設けた基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】被洗浄基板Ｗｆの洗浄面に接触する洗浄部材を有する洗浄具２１を装着する洗浄具装着機構２０を具備し、基板保持回転機構で保持され回転する被洗浄基板Ｗｆに洗浄具２１の洗浄部材を接触させて洗浄する基板洗浄装置において、洗浄具装着機構２０に装着された洗浄具２１が所定位置にある状態で、該洗浄具２１の洗浄部材の有無を検出する洗浄部材センサ（投光器２７ａ、受光器２７ｂ）を設けた。 （もっと読む）

【課題】上面部材をウェハとともに回転させて処理し，処理流体供給ノズルをウェハの処理面に移動させて処理流体を供給できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】上面部材９０を上昇させた状態で，基板Ｗをスピンチャック６０によって保持し，上面部材９０を下降させて基板Ｗの表面に近接させ，スピンチャック６０に係合させた状態にし，上面部材９０と基板Ｗとの間に形成された隙間に処理流体を供給し，基板Ｗ，スピンチャック６０及び上面部材９０を一体的に回転させて基板Ｗを処理し，基板Ｗ，スピンチャック６０及び上面部材９０の回転を停止し，上面部材９０を上昇させてスピンチャック６０から離脱させた状態で基板Ｗ及びスピンチャック６０を一体的に回転させて基板Ｗを処理し，基板Ｗ及びスピンチャック６０の回転を停止し，スピンチャック６０の基板Ｗに対する保持を解除する。 （もっと読む）

【解決手段】基板の上方に洗浄剤が配される。洗浄剤は、液体媒質の中に分散された固体成分を含む。液体媒質の中の固体成分に力が加えられ、固体成分を基板の上に存在する汚染物質に接近させる。固体成分に加えられる力は、液体媒質の中の不混和成分によって作用される。固体成分が汚染物質に十分に接近すると、固体成分と汚染物質との間に相互作用が確立される。次いで、固体成分と相互作用した汚染物質が基板から除去されるように、固体成分は基板から遠ざけられる。 （もっと読む）

基板を洗浄する方法が提供される。方法は、活性化溶液を基板の表面に塗布することから始まる。活性化溶液および基板の表面は、固体の洗浄表面の表面と接触する。活性化溶液は固体の洗浄要素の一部分の中に吸収され、次にダイ基板または固体の洗浄表面は、互いに対して動かされ、基板の表面を洗浄する。塑性変形を受ける固体の洗浄要素によって、基板の表面を洗浄する方法も提供される。対応する洗浄装置も提供され、より効果的でより摩耗の少ない洗浄技術を提供する。
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シリコンウェーハーの表面処理する装置は、シリコンウェーハーを移送するための移送ローラと少なくとも１つの給送装置を有しており、その給送装置は移送ローラによって定められる移送平面内でシリコンウェーハーの表面を液状の処理媒体によって湿潤するために設けられており、給送装置は、移送平面内に配置された、シリコンウェーハーの下を向いた表面上に処理媒体を塗布するように形成されている。給送装置の周囲からガス状、および／または、霧状に分配された処理媒体を吸い出すために複数の吸引パイプが設けられており、吸引パイプが移送平面の垂直方向下方に配置されている。
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基板の縁を研磨するように適応される装置及び方法は、研磨膜と、該研磨膜に張力及び荷重をかけて、膜の少なくとも一部分を平面内に支持するように適応されるフレームと、研磨膜の平面に対して基板を回転して、研磨膜が基板に力を付与し、少なくとも外縁及び第１斜面を含む基板の縁に輪郭合わせし、更に、基板回転時に外縁及び第１斜面を研磨するように適応される基板回転駆動装置と、を備えている。多数の他の態様も提供される。 （もっと読む）

基板からフッ素化ポリマーを除去するためのプラズマ発生装置。この実施例は通電電極、第１誘電層及びそれら通電電極と第１誘電層との間に提供された第１ワイヤメッシュを含む通電電極構造体を含んでいる。この実施例はまた、通電電極構造体の反対側に設置された接地電極構造体を含んでおり、プラズマを発生させる空洞部を形成している。プラズマが空洞部内に存在するとき第１ワイヤメッシュは第１誘電層から遮蔽される。空洞部はフッ素化ポリマーを除去するプラズマを提供するためにその１端に出口を有している。 （もっと読む）

本発明は、基板を次の工程によって処理するための方法に関する。処理すべき基板の局所的な表面領域に液体膜を、少なくとも１つの長尺のノズル装置及び該ノズル装置に隣接して配置された超音波変換装置若しくはメガ音波変換装置を備えたノズルユニットによって形成し、前記超音波変換装置の少なくとも一部分を前記液体膜と接触させ、かつ前記超音波変換装置によって超音波を前記液体膜内に作用させる。 （もっと読む）

【課題】ウェハー様物の加工のためのオゾンの使用。
【解決手段】本発明は、オゾンを用いたウェハー様物（例えば、露出した銅表面を有する及び／又はｌｏｗ−ｋ（低誘電）材料を含む。）の加工方法に関する。特定の好ましい態様において、塩基もまた、ウェハー様物を加工するために使用される。 （もっと読む）