【課題】シートフィルムに担持させた薄膜を基板に転写することで基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法において、基板や薄膜を損傷させることなく、また大量処理に適した技術を提供する。
【解決手段】薄膜Ｒを担持させたＰＶＤＦ樹脂シートフィルムＦをウエハＷに密着させてなるワークＷＫを複数枚、ＤＭＡまたはＤＭＦ溶剤Ｌ３を貯留する溶剤槽３に浸漬することでシートフィルムＦのみを溶解させる。その後、アセトンによるリンス処理、純水による洗浄処理および乾燥処理を行うことで、表面に薄膜Ｒが形成されたウエハＷを得る。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の浮遊処理液の影響を低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】振り切り乾燥処理が終了すると、スピンチャック１０および雰囲気遮断板５０の回転が停止させられて、基板Ｗの回転が停止する。続いて、スピンチャック１０と雰囲気遮断板５０とが近接する状態から、スピンチャック１０および雰囲気遮断板５０との間の距離Ｄが２ｍｍ以上１０ｍｍ以下となるよう、雰囲気遮断板５０が上昇させられる。そして、スピンチャック１０から搬送ロボットの搬送アーム８ａに基板Ｗが受け渡される。これにより、チャンバ内の浮遊薬液を完全にチャンバ外に排気することができない場合であっても、搬送時または搬送待ちの基板Ｗに浮遊薬液が付着することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板上に薄膜を供給するためのヘッドを開示する。ヘッドは、少なくとも基板の幅である第一および第二の端部間に延びる本体組立体を含む。本体は、第一および第二の端部間に画成された主ボアを含み、主ボアは、リザーバの上側に、主ボアとリザーバとの間の画成された複数の供給部を介して接続される。本体は、さらに、リザーバの下側に接続され、出口スロットへ延びる複数の出口を含む。複数の供給部は、複数の出口より大きな断面積を有し、複数の供給部は、複数の出口より数が少ない。 （もっと読む）

【課題】被処理体の周縁部の所定の範囲を精度良く処理し、ミストとして残った処理液が次回以降に処理する被処理体に悪影響を及ぼすことを防止し、さらに、被処理体を処理するための処理空間を小さくする液処理装置を提供すること。
【解決手段】液処理装置は、第二筐体２０と、第二筐体２０に当接可能な第一筐体１０と、被処理体Ｗを保持する保持部１と、を備えている。第一筐体１０は、保持部１によって保持された被処理体Ｗの表面の周縁部に対向する位置に、被処理体Ｗの周縁方向に向かうにつれて被処理体Ｗから離れるように傾斜した表面側傾斜部１１を有している。表面側傾斜部１１には、被処理体Ｗの表面の周縁部に処理液を供給する表面側処理液供給ノズル５１ａ，５２ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】リンス液の使用量を抑えつつ基板表面を良好に処理することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに第１流量（２（Ｌ／ｍｉｎ））でリンス液を供給して初期リンス工程を実行した後に、第１流量よりも低い第２流量（１．５（Ｌ／ｍｉｎ））でリンス液を基板表面Ｗｆに供給して中間リンス工程を実行しているため、リンス液の使用量を抑えることができる。また、リンス液の流量を低下させる前に大流量のリンス液を用いて基板表面Ｗｆ全体にリンス液の液膜を形成しているため、リンス液流量を低下させている中間リンス工程においてもリンス液を基板表面Ｗｆ全体に広げて基板表面Ｗｆ全体を覆うことができるため、基板表面Ｗｆの部分的な露出を防いで基板表面Ｗｆに対してリンス処理を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】より多くの汚染物質を除去可能な石英部材の洗浄方法及び洗浄システムを提供する。
【解決手段】まず、石英部材を希フッ酸（ＤＨＦ）で洗浄する。次に、ＤＨＦにより洗浄された石英部材を純水で洗浄する。続いて、純水による洗浄を終了するか否かを判別する。終了しないと判別すると、再び、石英部材を純水で洗浄する。終了すると判別すると、純水で洗浄された石英部材を塩酸（ＨＣｌ）で洗浄する。次に、ＨＣｌで洗浄された石英部材を純水で洗浄する。続いて、純水による洗浄を終了するか否かを判別する。終了しないと判別すると、再び、石英部材を純水で洗浄する。終了すると判別すると、石英部材の洗浄を終了する。 （もっと読む）

【課題】アンモニア過水処理以降に、硫酸過酸化水素水のミストが基板に付着することを防止できる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部ＰＣは、４つの硫酸過水処理チャンバ１と、４つのアンモニア過水処理チャンバ２とを備えている。硫酸過水処理チャンバ１内において、ウエハＷに対して、ＳＰＭを用いた硫酸過水処理が行われる。硫酸過水処理後のウエハＷは、硫酸過水処理チャンバ１からアンモニア過水処理チャンバ２へ移送され、アンモニア過水処理チャンバ２内において、ＳＣ１を用いたアンモニア過水処理を受ける。アンモニア過水処理チャンバ２は、硫酸過水処理チャンバ１から隔離されているので、アンモニア過水処理チャンバ２内には、ＳＰＭのミストが存在しない。 （もっと読む）

【課題】基板にリンス液を供給する工程の終了後に、基板に薬液ミストが付着することを防止できる、基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板に対するレジスト剥離処理においては、処理室内において、基板にＳＰＭが供給される。このとき、基板でのＳＰＭの跳ね返りやＳＰＭ中の水分の蒸発などによるＳＰＭのミストが生じ、ＳＰＭのミストが処理室内の空間に浮遊して拡散する。基板へのＳＰＭの供給の終了後、基板にＳＰＭを洗い流すための純水が供給される。この純水の供給と並行して、処理室内の空間に微細な水滴が噴射される。これにより、処理室内の空間に拡散したＳＰＭのミストに微細な水滴がかかり、ＳＰＭのミストが微細な水滴に吸収され、ＳＰＭのミストが処理室内の雰囲気中から排除される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成された金属薄膜を腐食させることなく、基板表面を良好に洗浄することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに銅配線８１が形成された基板Ｗに対してポリマー除去成分を含む処理液による洗浄処理に続けてＤＩＷによるリンス処理が行われる。このリンス処理中においては、ヴィアホール８３ａ内に入り込んだ処理液を短時間でリンス液に置換することは難しく、ヴィアホール８３ａ内に処理液とリンス液が並存し、このことが銅配線８１のうちヴィアホール８３ａの底部に位置する部分に腐食を発生させる主要因のひとつと考えられるが、処理液の酸化還元電位とリンス液の酸化還元電位の差を２０ｍＶ以下とすることで処理液とリンス液の相互作用を抑えて腐食発生を効果的に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ノズルからの処理液の落下による基板の欠陥の発生が防止された基板処理装置を提供することである。
【解決手段】現像液ノズル２１の上部に形成された現像液供給口２３から下方に延びるように現像液流路２１ａが形成されている。現像液流路２１ａの一端部から斜め上方に延びるように液貯留空間２１ｂが形成されている。液貯留空間２１ｂの上端部から各現像液吐出口２２に向かって下方に延びるように、５つの現像液流路２１ｃが形成されている。また、液貯留空間２１ｂから上方に延びるように液吸引路２４が形成されている。液吸引路２４には、吸引管２５を介して吸引装置ＳＤが接続されている。バルブＶ３を開くことにより、吸引装置ＳＤによって液貯留空間２１ｂ内の現像液が吸引される。 （もっと読む）

【課題】所定の供給対象に安定した温度で処理液を供給することができる処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】薬液供給装置１２は、同種の薬液が貯留された第１および第２タンク１３，１４と、第１ヒータ１７が介装された薬液供給管１５と、薬液回収管１６とを備えている。第１タンク１３から処理ユニット２に供給された薬液は、薬液回収管１６を介して第２タンク１４に回収される。第２タンク１４は、薬液移送配管２４を介して第１タンク１３に連結されている。薬液移送配管２４には、第２ヒータ２５および第２ポンプ２６が介装されている。第２タンク１４に回収された薬液は、第２ヒータ２５による温度調節を受けた後、第２ポンプ２６によって第１タンク１３に移送される。 （もっと読む）

【課題】基板上における気流の乱れを抑制または防止できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハＷを所定の回転軸線Ｃ１まわりに回転させる基板回転手段と、基板回転手段により回転されるウエハＷの主面に向けて、かつ基板回転手段によるウエハＷの回転方向下流側に向けて、気体を吐出し、ウエハＷの主面上にウエハＷの回転方向に沿う気流を形成するための複数の気体吐出ノズルとを含む。ウエハＷ上に形成される気流の流速は、ウエハＷの回転軸線Ｃ１からの距離が異なる各位置において、ウエハＷの周速と一致されている。 （もっと読む）

【課題】基板と基板の表面に対向配置される遮断部材と間にそれらの周囲の雰囲気が進入するのを防止する基板処理装置を提供する。
【解決手段】スピンチャック３の上方には、処理カップ５の開口１６を閉塞するための蓋部材１７が、遮断板２２を取り囲むように設けられている。蓋部材１７と遮断板２２の上面との間には、ダウンフロー導路３１が形成されている。ウエハＷの処理時には、処理室２内にクリーンエアのダウンフローが形成されるとともに、排気液溝３７内が強制的に排気されている環境下において、空隙４７を介してダウンフロー導路３１に取り込まれたクリーンエアのダウンフローは、スピンチャック３に保持されたウエハＷの側方に導かれる。そして、クリーンエアの気流がウエハＷの側方を包囲するように形成される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面からリンス液を良好に除去することができる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面に純水が供給され、ウエハＷの表面に対するリンス処理（ウエハＷの表面を純水で洗い流す処理）が行われた後、純水よりも表面張力の低いＩＰＡ液がウエハＷの表面に供給される。また、ＩＰＡ液の供給と並行して、ウエハＷの表面と反対側の裏面に温水が供給される。 （もっと読む）

【課題】安全性が高く、金属配線の腐食を抑えることができ、かつ、循環再生使用にも適したリンス液、及びそのリンス液を用いた基体の処理方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜剥離後の金属配線を有する基体の洗浄に、防食剤及び水を含有するリンス液を用いる。防食剤の含有量は１〜３０質量％が好ましく、水の含有量は２０〜９９質量％が好ましい。このリンス液は、さらに水溶性有機溶剤を含有してもよく、これにより、循環再生使用にさらに好適なものとなる。 （もっと読む）

【課題】基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、スピンチャック４に保持されたウエハＷの上面にフッ硝酸を供給するためのフッ硝酸ノズル５と、スピンチャック４に保持されたウエハＷ上面の周縁部に向けてＤＩＷを供給するためのＤＩＷノズル７とを備えている。エッチング処理時には、フッ硝酸ノズル５からフッ硝酸が吐出されつつ、フッ硝酸ノズル５が往復移動される。フッ硝酸ノズル５からのフッ硝酸の吐出と同時に、ウエハＷ上面の周縁部に、フッ硝酸を希釈するためのＤＩＷが吐出される。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション層の水素含有量を増加させることで、効率を改善した太陽電池を提供する。
【解決手段】エッチングにより半導体ユニットの少なくとも１つの表面を洗浄する工程と、実質的に無酸素である又は酸素が欠乏した環境内で半導体ユニットの少なくとも１つの表面を乾燥させる工程と、少なくとも１つの表面上にパッシベーション層を堆積する工程とを含む、連続作業方生産ラインを用いて、少なくとも１つの半導体ユニットを有する光起電力素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】基板の主面に対向部材を極めて微小な間隔を隔てて対向配置させて基板に処理を施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】遮断板４の対向面には、中央部吐出口１２と多数個の周縁部吐出口１９とが形成されている。遮断板保持体１７は、ボールブッシュ機構２３を介してアーム１０に取り付けられている。そのため、遮断板保持体１７および遮断板４は、アーム１０に対して上下方向に変位可能に保持される。周縁部吐出口１９からの不活性ガスの吐出によって、遮断板４に、鉛直上向きの離反方向力が作用し、遮断板４はアーム１０に対して鉛直上向きに相対変位する。遮断板４は、この離反方向力と遮断板４等に働く重力とが釣り合う位置に保持される。 （もっと読む）

【課題】所定の液供給地点に基板が到達する以前に、ミスト状の処理液が基板に付着することを抑制し、これによって基板の品質向上を図る。
【解決手段】基板処理装置１は、処理室１０を備え、この処理室１０内で基板Ｓを搬送しながら当該基板Ｓにリンス液を供給して洗浄処理を施すように構成される。処理室１０内には、搬入されてきた基板Ｓの上面全幅に亘って搬送方向上流側から下流側に向かって垂直方向に対して斜め方向にリンス液を吐出する液ナイフ１６と、当該液ナイフ１６から吐出されるリンス液の軌道よりも上流側の位置であって、かつ基板Ｓの搬送経路の下方に配置され、前記搬送方向上流側へのミスト状処理液の拡散を防止する遮蔽板１７とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】バンプショートの発生を防止して半導体素子の歩留まりを向上させるフラックスの洗浄方法を提供すること。
【解決手段】フラックス洗浄剤によりウェーハ１を洗浄する洗浄処理工程（Ａ）と、前記洗浄処理後、連続して、液温４０℃以上の脱イオン水によりウェーハ１をリンスする第１リンス処理工程（Ｂ）と、前記第１リンス処理後、連続して、液温２５℃以下の脱イオン水によりウェーハ１をリンスする第２リンス処理工程（Ｃ）と、を含む。 （もっと読む）