【解決手段】基板の表面に、洗浄材料が塗布される。洗浄材料は、基板の表面上に存在する汚染物質を閉じ込めるための１つ又は２つ以上のポリマ材料を含む。洗浄材料及び洗浄材料の中に閉じ込められた汚染物質の基板の表面からの除去を達成するために、すすぎ流体が制御速度で基板の表面に塗布される。すすぎ流体の制御速度は、すすぎ流体による影響を受けたときの洗浄材料を弾性的に振る舞わせるように設定され、そうして、基板の表面からの汚染物質の除去を向上させる。 （もっと読む）

【課題】CMP処理に続いて半導体基材から処理残留物を除去するためのプロセス溶液、及び該プロセス溶液を使用する方法を提供すること。
【解決手段】1つ又は複数の界面活性剤を含むプロセス溶液を用いて半導体デバイスの製造における欠陥の数を低減する。いくつかの好ましい実施態様においては、本発明のプロセス溶液は、CMP処理の間又はその後にすすぎ溶液として用いた場合、欠陥を低減することができる。さらに、本発明のプロセス溶液を用いて、複数のCMP処理後の基材上にある欠陥の数を低減する方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】ウエハ状物品の周縁領域をウェット処理するための装置及び方法
【解決手段】開示されるのは、ウエハ状物品Ｗの周縁領域をウェット処理するための装置（１）である。装置は、ウエハ状物品をその端部において保持して回転させるための保持手段（２０，５０）と、周縁領域に向けて液体を供給するための第１の液体処理ユニット（３０）と、周縁領域に向けて液体を供給するための第２の液体処理ユニット（６０）とを含む。保持手段は、ウエハ状物品をその端部において駆動するためのローラ（２３，５３）を含む。第１の液体処理ユニットは、第１の液体を提供して周縁領域の第１の区域を濡らすための第１の液体キャリアと、第１の液体キャリアに液体を供給するための第１の液体供給ノズルと、第１の液体キャリアから液体を除去するための第１の液体排出路とを含む。第２の液体処理ユニットは、第２の液体を提供して周縁領域の第２の区域を濡らすための第２の液体キャリアと、第２の液体キャリアに液体を供給するための第２の液体供給ノズルと、第２の液体キャリアから液体を除去するための第２の液体排出路と、第２のガス処理部であって、第２の液体によって処理された周縁領域に向けてガスを供給して周縁領域から第２の液体の大半を除去するためのガス供給ノズルと、ガス及び除去された液体を排出するためのガス排出路とを含む第２のガス処理部と、を含む。更に、関連の方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】処理液に改良を加えることにより、半導体表面に、安定かつ均一な保護膜を形成する半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】処理槽に、マイクロナノバブルを含有する処理液を導入する工程と、この処理液中に半導体基板を浸漬し、半導体基板表面に保護膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体基板の製造方法である。このマイクロナノバブルを含有する処理液は、半導体基板の処理に先立ち半導体基板処理装置に備えられるマイクロナノバブル水生成装置で生成され、処理槽に導入される。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、優れたパーティクル除去率で基板の被処理面を洗浄することができる基板洗浄方法および基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】凍結洗浄処理前に基板に対してライトエッチングを実行している。ライトエッチングにより基板の表面が軽くエッチング除去されてパーティクルと基板表面の接触部分が減少し、凍結膜を構成するＤＩＷが接触除去部分に回り込む。そして、その接触除去部分に回り込んだＤＩＷが凍結されて凍結膜の一部となった後に除去される。その結果、パーティクル除去率が向上される。 （もっと読む）

【課題】複雑な機構を用いることなく、効率的に薬液を回収することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置において、制御部１２１は、リンス液によるリンス処理後に薬液による薬液処理を制御する。この際に、最初に、リンス処理用の回転数以上の回転数で基板Ｗを回転させながら基板上に薬液を供給して排液カップを薬液により洗浄し、その際に排液カップ５１で受けた液を廃棄ライン１１３によって廃棄する。その後、薬液処理用の回転数で基板を回転させながら基板上に薬液を供給して基板の薬液処理を行い、その際に排液カップで受けた液を回収ライン１１２によって回収する。 （もっと読む）

【課題】露光装置において基板に付着した液体による動作不良および処理不良が防止された基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの洗浄後、基板Ｗの一面を覆うようにリンス液の液層Ｌが形成される。続いて、液供給ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方から外方に向かって移動する。液供給ノズル６５０は、基板Ｗの中心部上方から所定距離移動した時点で一旦停止する。この期間に、遠心力により液層Ｌが薄層領域内で分断され、液層Ｌの中心部に乾燥コアＣが形成される。その後、液供給ノズル６５０が再び外方に向かって移動することにより、乾燥コアＣを始点としてリンス液が存在しない乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上で拡大する。 （もっと読む）

【課題】露光装置において基板に付着した液体による動作不良および処理不良が防止された基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの洗浄後、基板Ｗが回転する状態で、液供給ノズル６５０がリンス液を吐出しつつ基板Ｗの中心部上方から外方に向かって移動する。この場合、リンス液が存在しない乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上で拡大する。液供給ノズル６５０が基板Ｗの周縁部上方まで移動すると、基板Ｗの回転速度が下降する。液供給ノズル６５０の移動速度はそのままで維持される。その後、リンス液の吐出が停止されるとともに液供給ノズル６５０が基板Ｗの外方に移動する。それにより、乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上の全体に広がり、基板Ｗが乾燥される。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板（ウエハ３）の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板（ウエハ３）の周縁部を処理するための周縁処理機構(7)と、周縁処理機構(7)に対して相対的に回転する基板（ウエハ３）を保持するための基板保持機構(6)とを有し、周縁処理機構(7)は、基板（ウエハ３）の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(16)と、処理液供給部(16)よりも基板（ウエハ３）の周縁部に対して内側に隣設し、基板（ウエハ３）に向けてガスを噴出するガス噴出部(17)と基板（ウエハ３）の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部(35)とを有することにした。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面を低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、少ない低表面張力溶剤で基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される。そして、ＤＩＷ供給停止後、所定時間（０．５秒間）が経過してパドル状の液膜の膜厚ｔ1がほぼ均一になるのを待って、ＩＰＡが基板表面Ｗfの表面中央部に向けて例えば１００（ｍＬ／ｍｉｎ）の流量で吐出される。このＩＰＡ供給によって、基板Ｗの表面中央部ではＤＩＷがＩＰＡに置換されて置換領域ＳＲが形成される。さらにＩＰＡ供給から３秒が経過すると、基板Ｗの回転速度が１０ｒｐｍから３００ｒｐｍに加速される。これによって、置換領域ＳＲが基板Ｗの径方向に拡大して基板表面Ｗfの全面が低表面張力溶剤に置換される。 （もっと読む）

マイクロ電子デバイスからバルクフォトレジスト材料および／または硬化フォトレジスト材料を除去するための方法および鉱酸含有組成物を開発した。鉱酸含有組成物は、少なくとも１種の鉱酸と少なくとも１種の硫黄含有酸化剤と任意選択的に少なくとも１種の金属イオン含有触媒とを含む。鉱酸含有組成物は、下に位置するシリコン含有層に損傷を与えることなく硬化フォトレジスト材料を効果的に除去する。
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【課題】基板の上方におけるミスト発生を抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部２と、基板保持部２を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板保持部２の外側に、この基板保持部２に保持された基板を囲繞するように設けられ、基板保持部２とともに回転し、回転する基板から振り切られた処理液を受ける壁部３２を有する回転カップ４と、回転カップ４の外側に、この回転カッ４プ及び基板保持部２を囲繞するように設けられ、回転する基板から振り切られた処理液を収容する環状の液収容部５６と、この環状の液収容部５６よりも内側に設けられた内側環状空間９９ｂとを備えた排気及び排液カップ２０１と、排気及び排液カップ２０１の内側環状空間９９ｂに接続された排気機構２００と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】複数種類の液体を用いる基板処理方法において、液体を用いた処理の後に基板上に残留している当該液体を、次に使用される液体によって迅速かつより確実に置換することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、処理液によって基板Ｗを処理する工程と、基板上に置換液を供給し、基板上に残留する処理液を置換液で置換する工程と、を備える。置換する工程に用いられる置換液は、処理液の表面張力よりも小さい表面張力を有し、かつ、処理液の密度と同一の密度を有する。 （もっと読む）

【課題】基板を垂直に起立させた状態で基板の両面にエッチング液を流して基板をエッチングする基板エッチング装置及び基板の処理方法を提供する。
【解決手段】基板を垂直に起立させた状態に保持する基板垂直保持部と、垂直に起立させた基板の上端にエッチング液を噴射してエッチング液が基板の表面を流れ落ちるようにするエッチング液噴射部と、を含み、エッチング液噴射部は、基板の両側にそれぞれ具備させて基板の両面に同時にエッチング液を噴射することを特徴とする基板エッチング装置。 （もっと読む）

【課題】間隙空間内を流通する洗浄液の流速にかかわらず、洗浄液に超音波振動を十分に付与して基板表面を良好に洗浄することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに対向して近接部材２１の下面２１１が離間配置される。そして、基板表面Ｗｆと下面２１１とで挟まれた間隙空間ＳＰに洗浄液が供給されるとともに、近接部材２１を介して洗浄液に超音波振動が付与される。また、近接部材２１が基板表面Ｗｆに沿って移動するが、基板Ｗに対する近接部材２１の相対移動に応じてノズル３１からの洗浄液の吐出流量が変更されて間隙空間ＳＰを流通する洗浄液の流速が変化する。間隙空間ＳＰへの洗浄液の供給は近接部材２１の側面２１２に向けてノズル３１から洗浄液を吐出することで側面２１２から間隙空間ＳＰに洗浄液を回り込ませることで行われる。 （もっと読む）

【課題】処理槽の気液界面にパーティクルを滞留させることなく、半導体ウェハの洗浄やエッチングなどをクリーンな状態で行うことができるウェット処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のウェット処理装置１は、処理液を貯留して、ウェハＷを処理液に浸漬させながら保持することができる処理槽２と、処理槽２の第１の側壁３側に吐出口４ａを備えた処理液供給機構４と、第１の側壁３と対面している第２の側壁５に排出口６とを備え、吐出口４ａから処理液を吐出した後、排出口６からその処理液を排出できることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】少なくとも基板の熱洗浄によって表面の不純物および酸化物の除去が可能な程度に表面が清浄なＧａＡｓ半導体基板を提供する。
【解決手段】本ＧａＡｓ半導体基板１０は、Ｘ線光電子分光法により、光電子取り出し角θが１０°の条件で測定されるＧａ原子およびＡｓ原子の３ｄ電子スペクトルを用いて算出される、ＧａＡｓ半導体基板１０の表面層１０ａにおける全Ａｓ原子に対する全Ｇａ原子の構成原子比Ｇａ／Ａｓが０．５以上０．９以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＡｓ原子の比（Ａｓ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＧａ原子の比（Ｇａ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下である。 （もっと読む）

【課題】ワンバス方式の基板洗浄装置において、薬液の種類に応じた最適な閾値を使用して比抵抗値のチェックを行い、リンス処理の終了動作を適正化できる技術を提供する。
【解決手段】本発明の基板洗浄装置では、リンス処理時に行われる比抵抗値のチェックに使用される閾値を、レシピ設定画面４２ａ上で工程毎に個別に設定できる。このため、リンス処理の直前に使用される薬液の種類に応じて各閾値を設定すれば、各工程のリンス処理において最適な閾値を使用して比抵抗値をチェックできる。また、これにより、各工程のリンス処理を適正に終了させることができる。 （もっと読む）

【課題】加圧せずに基板を均一に洗浄できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ２０１を表面が上下方向と直交する状態で支持する基板支持部及び支持された半導体ウェハ２０１をノズルユニット１１に対して前方に相対移動させる相対移動機構を有する搬送用ローラ２０２と、相対移動される半導体ウェハ２０１の表面に上方から薬液を吐出するノズルユニット１１とを有する。ノズルユニット１１は、薬液を吐出するスリット１０１が左右方向に細長い線形で下面に形成されており、スリット１０１に同等な左右幅で上方から連通して薬液が流動する流路１０２が内部に形成されており、流路１０２が左右方向と直交する面内で少なくとも一回は曲折された形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ノズル部材に付着した処理液が基板上に滴下するのを防止する。
【解決手段】基板処理装置１は、搬送中の基板Ｓの上面に、その搬送方向上流側から下流側に向かって斜め方向にリンス液を吐出する液ナイフ１６と、この液ナイフ１６に向けてエアを噴射するエアノズル３２を有する気体噴射手段とを有する。そして、コントローラ４０による制御に基づき、液ナイフ１６の下方に基板Ｓが存在しないときに、前記エアノズル３２から液ナイフ１６に対してエアが吹き付けられるように構成されている。 （もっと読む）