【課題】基板の汚染を抑制または防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板を水平に保持するスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板の中央部近傍に配置され、環状の上側気体吐出口４３と、上側気体吐出口４３よりもスピンチャック側に配置された環状の下側気体吐出口６６とを有し、当該基板の上面に沿って上側気体吐出口４３および下側気体吐出口６６からそれぞれ気体を放射状に吐出する気体吐出ノズル１１と、気体吐出ノズル１１に気体を供給する第１および第２気体供給管２３、２５とを含む。 （もっと読む）

【課題】スケジュールに基づいて処理が実行中であっても、最優先で処理を行う必要があるロットを他のロットよりも優先的に処理できるようにスケジュールを再作成できる。
【解決手段】スケジュールに基づいて処理が実行されている時に、最優先で処理を行う必要があるロットの処理命令が入った場合、制御部は、処理命令が入った時刻において、処理中のロットについては安全に待機可能なリソース以降のスケジュールを一旦削除し、処理が開始されていないロットについてはスケジュールをすべて一旦削除し、削除によりできた空きスケジュールに優先で処理すべきロットのスケジュールをハードリンクで追加し、一旦削除したロットのスケジュールを加えて再スケジューリングを行う。これにより、処理中のロットの基板処理に影響を与えることなく、最優先で処理を行う必要があるロットを優先的に処理できるようにスケジュールを再作成できる。 （もっと読む）

【課題】液交換処理を伴うスケジュールであっても稼働率を向上させることができる。
【解決手段】液交換処理を開始する際には、液交換情報を薬液処理部ＣＨＢ２から制御部３１の液交換時間算出部３７に出力し、制御部３１の液交換時間算出部３７が最新液交換時間を算出する。この算出された最新液交換時間を考慮して、制御部３１のスケジューリング機能部３３が第１の再スケジュールを行い、さらに、実際に液交換処理が開始されて液交換処理が実際に完了した時点で、制御部３１のスケジューリング機能部３３が第２の再スケジュールを行う。したがって、液交換の態様により時間的に前後する、液交換処理の実際の時間を考慮して再スケジューリングを行うことができるので、液交換処理を伴うスケジュールであっても稼働率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で実施可能であり、微細パターンが形成されている基板をその微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄するための基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】微細パターンが表面に形成された基板としてのウエハＷの洗浄処理を、ウエハＷの表面に所定の加工を施す処理チャンバからウエハＷの洗浄を行う洗浄チャンバへ搬送する搬送ステップと、洗浄チャンバ内においてウエハＷを所定温度に冷却する冷却ステップと、超流動体としての超流動ヘリウムをウエハＷの表面に供給し、ウエハＷの表面から超流動ヘリウムを流し出すことによって微細パターン内の汚染成分を押し流す超流動洗浄ステップにより行う。 （もっと読む）

【課題】エアナイフの基板との距離及び基板に対する角度の調整を人手に頼らず調整可能とする基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】エアナイフから圧縮空気を噴射して、基板に付着した処理液を除去する基板乾燥装置であって、基板の上方及び下方に一対のエアナイフを有し、基板の乾燥要因とエアナイフの基板との距離調整値及び基板に対する角度調整値を記憶する調整値データベースと、前記調整値データベースに基づいて前記エアナイフの基板との距離及び基板に対する角度を自動調整するエアナイフ調整手段とを有することを特徴とする基板乾燥装置。 （もっと読む）

【課題】加熱対象となる基板以外に加熱の影響が及ぶことを防ぎつつ、基板に過剰なストレスを与えることなく、塗布液または熱硬化性の部材を効率的に均一に乾燥させることができる、局所加熱装置を提供する。
【解決手段】基板１を搬送する搬送手段と、側部周囲を囲まれ上下に開口を有する空間１１が形成され、上部開口端の全周が基板１の下面と接触して基板１を支持する基板支持部材４とを備える。また、基板支持部材４が基板１を支持した状態で上記空間１１の内部に位置し、基板１の加熱対象となる局所位置の下面側に熱風を噴射して、非接触な状態で局所位置を加熱する非接触加熱手段３と、上記空間１１と連通するように接続され、空間１１に存在する空気を排出する排気手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング加工を行ったウェハにおけるデガスの影響による異物の発生を低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、各ウェハ１５０を略水平にして複数のウェハ１５０を上下に並べて収容するとともに、側方に設けられたドア１０４を含む収納容器１００に、ドライエッチング加工が行われた複数のウェハを順次収容する工程と、ドア１０４が開いた状態で、収納容器１００に収容すべきすべてのウェハ１５０が当該収容容器に収容されてから３０秒以上、収納容器１００内のウェハ１５０に対して水平方向からパージガスを吹き付ける工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れの発生を抑えると共に、スループットが高く、メンテナンス周期の長い超臨界処理装置等を提供する。
【解決手段】基板Ｗに付着した液体を超臨界状態の処理流体によって除去する超臨界処理装置３において、加熱部３２３は処理容器３１内に供給された処理流体を超臨界状態とするために当該処理流体を加熱し、冷却機構３２２は基板Ｗが載置台３２１に載置されるまでに基板Ｗからの液体の蒸発を抑えるため、前記加熱部３２３から当該基板へと熱が伝わる領域を強制冷却する。 （もっと読む）

【課題】液浸法を採用する露光装置において、露光処理後に基板上に残留した液体を好適に除去する。
【解決手段】液浸法により露光処理が施された基板に残留した液体を除去する残留液体除去方法であって、基板に露光処理を施すに際し、基板の位置合わせを行うアライメント装置と、露光処理が施された後、基板に残留した液体を除去する液体除去装置とを備え、液体除去装置が、露光処理直後の基板に残留した液体を除去する第１の液体除去工程Ｓ９０１と、アライメント装置が、第１の液体除去工程Ｓ９０１の後の基板の画像情報を取得し、該画像情報に基づいて、基板に残留液体を検知する残留液体検知工程Ｓ９０５と、該残留液体検知工程Ｓ９０５において基板に残留液体が検知された場合、液体除去装置が、基板に残留した液体を除去する第２の液体除去工程Ｓ９１１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】水濡れしたシリコン材料に対してコンタミを生じさせることがなく、しかも当該シリコン材料を効率的に乾燥させることのできるシリコン用乾燥装置を提供する。
【解決手段】乾燥対象となる水濡れしたシリコン材料を密閉可能に収容するチャンバ１２と、前記チャンバ１２内に熱媒体として供給される清浄空気を加熱する加熱手段１６と、前記洗浄空気の前記チャンバ１２内への流路を開閉する開閉弁１８と、上流端が前記チャンバ１２内部に連通し、減圧開閉弁４４を介して下流側に減圧ポンプ４６が取り付けられた減圧配管系２０と、上流端が前記チャンバ１２内部に連通し、排気開閉弁５２を介して下流側に排気ファン５４が取り付けられた排気配管系２２とで構成されると共に、前記加熱手段１６が、高純度シリコンの塊体からなり、ケーシング１６ａ内に収容される熱交換エレメント１６ｃを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 材料ガスの分圧が変動したとしても、混合ガスにおける材料ガスの濃度を一定に保つことができ、応答性の良い材料ガス濃度制御システムを提供する
【解決手段】 材料Ｌを収容するタンク１３と、収容された材料Ｌを気化させるキャリアガスを前記タンク１３に導入する導入管１１と、前記タンク１３から気化した材料ガス及び前記キャリアガスの混合ガスを導出する導出管１２とを具備した材料気化システム１に用いられるものであって、前記導出管１２上に設けられた第１バルブ２３と、前記混合ガスにおける材料ガスの濃度を測定する濃度測定部ＣＳと、前記濃度測定部ＣＳで測定された材料ガスの測定濃度が、予め定めた設定濃度となるように前記第１バルブ２３の開度を制御する濃度制御部ＣＣとを具備した。 （もっと読む）

【課題】 タンク内の材料液が減少した場合や濃度測定部の応答速度が遅い場合などにおいて、設定濃度を変更したとしても、短時間で測定濃度を設定濃度に安定させることができる材料ガス濃度制御システムを提供する。
【解決手段】
濃度制御部ＣＣが、前記温度測定部Ｔで測定された測定温度に基づいて、材料ガスが前記設定濃度となるためのタンク内圧力を算出する全圧算出部２４４と、前記設定濃度が変更された後の一定期間においては、設定圧力を前記全圧算出部２４４で算出されたタンク内圧力とする一方、その他の期間においては、設定圧力を前記測定濃度と設定濃度との偏差が小さくなる向きに変更する設定圧力設定部２４３と、前記圧力測定部２２で測定された測定圧力が前記設定圧力となるように第１バルブ２３の開度を制御する第１バルブ制御部２４２とを具備した。 （もっと読む）

【課題】含フッ素エーテルからアルコールを十分除去するとともに、含フッ素エーテルが系外へ排出されるのを防ぐことができる物品の水切り方法の提供。
【解決手段】物品をアルコールに接触させるアルコール接触工程３、物品を、１−メトキシ−２−トリフルオロメチル−１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンと１−メトキシ−１，１，２，２，３，３，４，４，４−ノナフルオロブタンの混合物等の含フッ素エーテルに接触させるエーテル置換工程４、エーテル置換工程４から、アルコールを含んだ含フッ素エーテルを取り出す取出し工程、取出し工程で取り出された、前記アルコールを含んだ含フッ素エーテルに、該含フッ素エーテルの質量に対して、０．２〜２倍の量の水を接触させる水抽出工程６、含フッ素エーテルとアルコールを含んだ水とを分離させる水分離工程７、水と分離された含フッ素エーテルを、上記エーテル置換工程４に戻す工程を有する物品の水切り方法。 （もっと読む）

【課題】暖気を行うラインを別途設けることにより、プロセスの再現性が良好な基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部９１は、純水などの液滴が付着した基板Ｗを処理槽９に載置した後、シャワーノズル１７から乾燥媒体を供給させる。基板Ｗに付着している純水などの液摘は、乾燥媒体の液滴の物理力によって除去される。このとき基板Ｗは乾燥媒体によって完全に覆われた状態である。次に、空気をインラインヒータ５９で加熱しつつシャワーノズル１７に供給して基板Ｗを乾燥させる前に、インラインヒータ５９を作動させた状態で気体をガス排気管７７に排出させる。したがって、加熱された空気はチャンバ１内に供給されずガス排気管７７を介して排出されるので、チャンバ１の温度が自然に上昇することがなく、プロセスの再現性を良好にすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面上の水分を有機溶剤で置換させた後、基板の表面上の有機溶剤を蒸発させて基板を乾燥させる方式において、雰囲気遮断板を用いることなく、ガスノズルから基板表面へ乾燥用ガスを供給しつつガスノズルを走査する方法によらずに、基板の表面上にパーティクルが付着したりウォータマークが発生したりすることを抑えることができる方法を提供する。
【解決手段】スピンチャック１０に保持された基板Ｗの表面へ液体供給ノズル６２から有機溶剤を供給し、基板の表面上の水分を有機溶剤で置換させた後、基板の表面上の有機溶剤を蒸発させて基板を乾燥させる際に、カップ４４内へ気体供給ノズル６４から水蒸気より比重の大きい気体を供給する。水蒸気より比重の大きい気体でカップ内が満たされることにより、カップ内から水蒸気が排除され、カップ内方の基板の表面上の湿度が低くなる。 （もっと読む）

【課題】乾燥媒体の再利用を図ることにより、乾燥媒体の消費を抑制することができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】密閉されたチャンバ１内の処理槽９に基板Ｗを収容した後、シャワーノズル１７から乾燥媒体をシャワー状に供給する。基板Ｗに付着している液摘は、乾燥媒体の液滴の物理力によって除去される。このとき基板Ｗは乾燥媒体によって完全に覆われた状態である。チャンバ１内にシャワーノズル１７から加熱空気を供給すると、チャンバ１内には乾燥媒体の気相が充満するが、排気管６５により排気されるとともに、冷却器６９によって冷却されて凝縮される。凝縮された乾燥媒体は、回収配管７５により乾燥媒体タンク２１に戻される。したがって、乾燥媒体を再利用することができ、乾燥媒体の消費を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】処理カップ内における気液分離効率を低下させることなく、処理カップからの薬液のミストの漏出を防止または抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理カップ２５の上段には、第２構成部材２２の第２案内部３８の上端部３８ｂと第３構成部材２３の上端部２３ｂとの間に、ウエハＷの端面に対向し、第１薬液を捕獲する第１薬液捕獲口としての第３開口５７が形成される。処理カップ２５内の下段には、傾斜部４１の先端部と第４構成部材２４の傾斜部４６の先端部との間に、第１雰囲気捕獲口５８が形成される。第３開口５７と第１雰囲気捕獲口５８との上下方向における中間位置（中段）に、処理カップ２５内に下降気流を発生するための羽根部材６１が配置されている。羽根部材６１は、スピンチャック３のスピンベース８に、一体回転可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板を略水平に保持した状態で所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法において、遮断板を用いた処理技術と同様の遮断効果を得ながらも、より装置の小型化に適した技術を提供する。
【解決手段】基板Ｗの略中央上方にガス吐出ヘッド２００を設ける。ガス吐出ヘッド２００の下部に基板表面Ｗfに向けて開口したガス吐出口２８３から、アルゴンガスを基板表面Ｗfに向けて吐出する。また、ガス吐出口２８３を取り囲むように設けたガス吐出口２９３からは、アルゴンガスよりも比重の小さい窒素ガスを吐出する。これにより、基板表面Ｗfに沿って流れるアルゴンガス層Ｌ1の上に窒素ガス層Ｌ2が形成され、周囲に浮遊するゴミＤやミストＭ等がアルゴンガス層Ｌ1に取り込まれ基板表面Ｗf近傍に運ばれるのを防止する。 （もっと読む）

【課題】被処理体を持ち上げる部材に洗浄液が残ることを防止することによって、被処理体の裏面に洗浄液が付着することを防止し、かつ、不活性ガス供給部内に洗浄液が流入することを防止するとともに、被処理体に不活性ガスを効率よく供給すること。
【解決手段】液処理装置は、被処理体Ｗを保持し中空になった保持プレート１と、保持プレート１に固定連結され中空になった回転軸２と、回転軸２を回転駆動する回転駆動部４０と、保持プレート１の中空内に配置され、本体２５と被処理体Ｗを支持するリフトピン２１とを有するリフトピンプレート２０と、を備えている。回転軸２の中空内には、洗浄液を供給する洗浄液供給部１１と不活性ガスを供給する不活性ガス供給部１０が延在している。リフトピンプレート２０は傾斜面２５ａ，２５ｂを有し、不活性ガス供給部１０の先端が、洗浄液供給部１１の先端よりも高い位置に位置している。 （もっと読む）

【課題】基板へのパーティクルの付着量が十分に低減された基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００において、ドライエア発生装置６０により発生されたドライエアＤＦは、配管６１を通してドライエア供給ダクト６２に送られる。それにより、昇降機構３０により内槽４０から引き上げられる基板ＷにドライエアＤＦが吹き付けられ、基板Ｗの乾燥処理が行われる。ドライエア発生装置６０により発生されたドライエアＤＦが処理槽４の内槽４０から引き上げられる基板Ｗに供給されるまでに通過する経路（配管６１、供給ダクト６２および通気ガイド６２ａ）には、塩化ビニルよりもガス放出速度が低くかつ塩化ビニルよりも吸水率が低い材料が用いられる。 （もっと読む）