【課題】基板へのパーティクルの付着量が十分に低減された基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００において、ドライエア発生装置６０により発生されたドライエアＤＦは、配管６１を通してドライエア供給ダクト６２に送られる。それにより、昇降機構３０により内槽４０から引き上げられる基板ＷにドライエアＤＦが吹き付けられ、基板Ｗの乾燥処理が行われる。ドライエア発生装置６０により発生されたドライエアＤＦが処理槽４の内槽４０から引き上げられる基板Ｗに供給されるまでに通過する経路（配管６１、供給ダクト６２および通気ガイド６２ａ）には、塩化ビニルよりもガス放出速度が低くかつ塩化ビニルよりも吸水率が低い材料が用いられる。 （もっと読む）

【課題】処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板移動機構３０が基板Ｗを保持する保持部３１を洗浄液が貯留された内槽４０内に移動させる。その後、内槽４０内の洗浄液をリンス液ＲＬで置換する。続いて、基板移動機構３０が基板Ｗを内槽４０の上方へ引き上げる。このとき、ドライエア供給ダクト６２から基板ＷにドライエアＤＦを供給する。基板Ｗの引き上げ時において、保持部３１に当接する基板Ｗの部分ｙ１，ｙ２，ｙ３が処理槽４上方の所定の高さに引き上げられることにより、基板移動機構３０による基板Ｗの引き上げ動作を停止する。そして、バルブＶ１を閉塞状態にし、バルブＶ２を開放状態にする。これにより、内槽４０内の全てのリンス液ＲＬが処理液排出管４２から図示しない工場の排出設備に送られる。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板やウェーハの表面の帯電を効果的に除去する除電装置を提供する。
【解決手段】 除電装置７は搬送方向と直交する方向を長手方向としたスリット状の開口を有するノズル８をガラス基板Ｗの上方と下方に配置して構成され、スリット状の開口を分離板９で２つに分け、一方を帯電した微細な水滴ｍの噴出口１０とし、他方を除電を行った後の水滴ｍの吸引口１１とし、噴出口１０の上流側には粒径１０μｍ以下の水滴を生成する超音波振動装置と、この超音波振動装置によって生成された微細な水滴を帯電させるための電極が配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は被洗浄乾燥物を有機溶剤の蒸気エリア内に設置して洗浄及び乾燥処理を行う洗浄乾燥装置及び洗浄乾燥方法に関し、乾燥じみの発生を確実に防止し高い洗浄及び乾燥品質を実現することを課題とする。
【解決手段】有機溶剤２３の蒸気エリア２５内に設置されたローバ１１（被洗浄乾燥物）の洗浄及び乾燥を行う工程（ステップ１６〜２１−１）と、蒸気エリア２５からローバ１１を取り出す工程（ステップ２２〜２５）とを有する洗浄乾燥方法において、蒸気エリア２５内の温度を検出し、この蒸気エリア２５の温度がローバ１１の表面に有機溶剤２３が結露可能な温度（Ｔ_０）以下であるときは、ステップ２１−１からステップ２２への移行を禁止させる。 （もっと読む）

【課題】投影光学系と基板との間に液体を満たして露光処理する際、露光後に基板に付着した液体に起因するデバイスの劣化を抑えることができる装置、その装置を組み込んだ露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、パターンの像を液体を介して基板上に転写して基板を露光する。露光装置は、パターンの像を基板に投影する投影光学系と、露光された基板を処理する処理装置へ基板が搬出される前に、露光された基板を洗浄する洗浄装置とを備えている。 （もっと読む）

【課題】チャンバ蓋部における溶接部分の剥離等の発生を抑制することにより不良基板が生産されるのを抑えることのできる減圧乾燥装置を提供する。
【解決手段】基板載置部に対して相対的に接離可能なチャンバ蓋部を備え、この基板載置部とチャンバ蓋部とによって形成される基板収容部内に、塗布液が塗布された基板を収容した状態で前記基板収容部内を減圧させることにより前記塗布液を乾燥させる減圧乾燥装置において、前記チャンバ蓋部は、前記基板載置部と対面するとともに４つの縁辺部を有する四辺形状を有しており、基板載置部側と反対側の外表面には、隣り合う縁辺部と交差する方向に延びるように補強リブを溶接する。 （もっと読む）

本発明の目的は、半導体基板の運搬および保管のための輸送支持具（１）の処理方法であって、場合によっては前記支持具（１）が液体を使用したクリーニング操作を初めに受けている方法を提供することである。当該方法は、輸送支持具（１）が真空ポンプ（５）に連結された密封チャンバ（４）内に置かれ、輸送支持具（１）の壁上の異物の除去に有利にはたらくように前記輸送支持具（１）が準大気圧と赤外線との複合作用にさらされる、処理ステージを含む。本発明は、また、当該方法を実施するための輸送支持具（１）のための処理ステーションに関する。
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【課題】基板を垂直に起立させた状態で基板の両面にエッチング液を流して基板をエッチングする基板エッチング装置及び基板の処理方法を提供する。
【解決手段】基板を垂直に起立させた状態に保持する基板垂直保持部と、垂直に起立させた基板の上端にエッチング液を噴射してエッチング液が基板の表面を流れ落ちるようにするエッチング液噴射部と、を含み、エッチング液噴射部は、基板の両側にそれぞれ具備させて基板の両面に同時にエッチング液を噴射することを特徴とする基板エッチング装置。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ乾燥時にウェーハ表面にウォータマークが形成されないようにすると共に、ウェーハの乾燥効率及び品質性能を向上させる。
【解決手段】排水制御水引き乾燥装置１は、ウェーハ３上面が液体２の水面に極力近接するようにウェーハ３を保持する保持部材５と、ウェーハ３上面中央部の上方に設けられた供給ノズル７と、椀型の水槽４の底面中央部に形成された排水口１７と、排水口１７の下流側に設置された流量制御弁１９を具備する。ウェーハ３上面中央部に供給ノズル７からＩＰＡ蒸気及び／又は窒素ガスを吹き付けて表面張力を低下させた後、排水口１７から液体２を排出させることにより、水面を低下させながらウェーハ３表面を蒸発乾燥させる。又、ＩＰＡ蒸気および窒素ガスＮ２の圧力と流速、並びに、排水口１７からの排水速度は可変調整可能に構成する。 （もっと読む）

【課題】乾燥工程において、半導体ウェハ表面が汚染されることを防止することのできる、スピン乾燥装置を提供すること。
【解決手段】スピンウェハ乾燥装置１は、半導体ウェハＷを内部に収容する有底円筒形状のチャンバ３と、チャンバ３の円筒内側面に形成された排気口３３に接続され、半導体ウェハＷを回転させることにより、外方に飛散した半導体ウェハＷ表面に付着した液体を捕集して強制的に外部に排出する排気手段７と、蓋部材４に対して所定の隙間Ｄを設けて配置され、該隙間Ｄが外周端部でチャンバ３内部の空間と連通する内蓋部材５と、蓋部材４に形成され、内蓋部材５と対向位置に開口する蓋部排気口４３と、蓋部排気口４３に接続され、チャンバ３内部の液体分を含む気体を強制的に外部に排出する蓋部排気手段８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】加圧せずに基板を均一に洗浄できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ２０１を表面が上下方向と直交する状態で支持する基板支持部及び支持された半導体ウェハ２０１をノズルユニット１１に対して前方に相対移動させる相対移動機構を有する搬送用ローラ２０２と、相対移動される半導体ウェハ２０１の表面に上方から薬液を吐出するノズルユニット１１とを有する。ノズルユニット１１は、薬液を吐出するスリット１０１が左右方向に細長い線形で下面に形成されており、スリット１０１に同等な左右幅で上方から連通して薬液が流動する流路１０２が内部に形成されており、流路１０２が左右方向と直交する面内で少なくとも一回は曲折された形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】水分量が１ＰＰＢ以下というこれまで実現しえなかった環境下での脱水を行うことができ、これにより、脱水時間を顕著に短縮し、残留水分を低減化する顕著な効果が得られ、また、極めて水の少ない環境下で半導体装置の製造を行い、半導体装置に不純物として残留する水を極限まで低減させることが可能となる処理システムを提供する。
【解決手段】酸素分子排出時に電圧印加をＯＮにし、酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置と、を備えるガス中の水分量を１ＰＰＢ以下に生成する極低水分ガス生成装置と、その極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が１ＰＰＢ以下の極低水分ガスが導入され、該装置内部の水分が除去されてなる処理装置と、を備える処理システムとした。 （もっと読む）

【課題】洗浄液などの液体が付着した基板を乾燥させる基板乾燥において、上記基板に微細化されたパターンが存在するような場合であっても、確実に上記基板に付着した液体を除去して基板を乾燥させる基板乾燥装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板に対して、互いに対向する側方及び上方から乾燥空気を吹き付ける吹き出し部を備えさせることで、基板表面に付着した液体を短時間で効果的に除去する。さらに、乾燥チャンバの内壁部に沿って乾燥空気の一部を循環させて、この循環された空気を加熱ヒータにて加熱して、再び基板に吹き付けるような構成を採用することで、乾燥効率をさらに向上させる。 （もっと読む）

【課題】ウォーターマークなしに効果的に基板を乾燥処理することができ、安定的で生産効率及び歩留まりの向上を図ることができる基板乾燥装置及びこれを有する基盤処理設備並びに基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によって、チャンバーと、前記チャンバーの一部を構成し、基板に超臨界流体を供給して前記基板を乾燥させる処理室と、前記チャンバーの他の一部を構成し、前記処理室を前記超臨界流体の臨界圧力以上に加圧する高圧室と、を含むことを特徴とする基板乾燥装置が提供される。 （もっと読む）

本発明は、ウェーハ(1)が少なくとも室温より10℃高い温度にあり、該ウェーハ(1)をウェーハ表面(3)と垂直な軸の周りで回転させ、また水をウェーハ表面(3)に分配する熱間すすぎ工程を備えたウェーハ(1)の表面(3)を洗浄する方法を提供する。その後、ウェーハ(1)をウェーハ表面(3)と垂直な軸の周りで回転させ、その環境の湿度がウェーハ表面(3)を水の膜(13)で覆ったままウェーハ表面(3)の水を部分的に除去するようなものとする第一乾燥工程を実行する。第一乾燥工程に続いて第二乾燥工程を行って、水の膜(13)をウェーハ表面(3)から除去する。本発明に係る方法は、ウェーハ表面(3)上の金属イオン汚染を有利に低減する。
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本発明は、ウェハのスタックをマイクロ波チャンバ中に載置し、ウェハをマイクロ波に曝してウェハ間の水分を蒸発させることによって、ウェハのスタックから複数のウェハを個別に分離する方法に関する。
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【課題】
【解決手段】枚葉式ウエハ洗浄システムにおいて処理後の残留物を除去するための方法が提供されている。その方法は、基板の上に配置された近接ヘッドに、加熱された第１の流体を供給する動作から始まる。次に、第１の流体のメニスカスが、基板の表面と、近接ヘッドの対向する表面との間に生成される。基板は、近接ヘッドの下で直線的に移動される。また、枚葉式ウエハ洗浄システムも提供されている。 （もっと読む）

基板が回転自在な支持体と接触する領域に、毛細管部材を設けた、単一ウエハ用の処理チャンバ内で、基板を乾燥させるための装置及び方法。毛細管部材は、毛細管力により、基板と支持体間に閉じこめられた如何なる液体も接触領域において、中に引き込むことにより、基板のエッジエクスクルージョン領域を減らし、これにより産出量を増やす。本発明は、基板の周囲領域とだけ接触させる形で、基板を実質的に水平方向に支持する固定治具からなる回転自在な支持体を有し、固定治具は、毛細管部材からなる接触面を１以上有している。
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パターン形成されたウエハーからの水の除去をそのパターン構造の崩壊又は劣化を伴うことなく行う方法でパターン形成されたウエハーの乾燥が実現される。本発明の一態様では、超臨界流体と、水よりも超臨界流体の中に溶解性を示す反応生成物を形成するための、水と化学的に反応する少なくとも１種類の水反応性物質とを含有する組成物を用いて乾燥を行う。超臨界ＣＯ_２などの超臨界流体の（水の溶解度が低いという）欠陥を回避する、パターン形成されたウエハーを乾燥させるための超臨界流体の使用についての様々な方法が記載される。 （もっと読む）