【課題】基板からフォトレジスト及びエッチング残渣を選択的に除去できる組成物であって、上記組成物に対して同様に露出している可能性のある金属に破壊的化学作用を及ぼさない組成物を提供することを課題とする、また、極微量の酸化シリコンを呈し、一般的に絶縁体に対するエッチング速度の低い組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、フォトレジスト及びエッチング残渣を除去するのに適切な組成物であって、ａ）少なくとも約５０重量％の、テトラフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、１，４−シクロヘキサンジメタノール及びアルキレングリコールエーテルからなる群より選択される溶媒；ｂ）約０．００５〜約０．８重量％のフッ素ソース；ｃ）上限約４９．９重量％の水；及び、ｄ）上限約２０重量％の腐食抑制剤を含むことを特徴とする組成物を含む。また、本発明は、基板からフォトレジスト及び／又はエッチング残渣を除去する方法であって、上記の組成物と基板を接触させることを含むことを特徴とする方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用基板、特に表面にＣｕ配線を有する半導体デバイス用基板におけるＣＭＰ工程後の洗浄工程に用いられ、Ｃｕ配線に対する十分な防食性を有し、残渣の発生及び基板表面への残渣の付着を抑制することができる洗浄液を提供する。
【解決手段】以下の成分（Ａ）〜（Ｅ）を含有してなり、かつｐＨが１０以上である半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ａ）一般式（１）で表される有機第４級アンモニウム水酸化物
（Ｒ¹）₄Ｎ⁺ＯＨ^- （１）
（但し、Ｒ¹は水酸基、アルコキシ基、又はハロゲンにて置換されていてもよいアルキル基を示し、４個のＲ¹は全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。）
（Ｂ）界面活性剤
（Ｃ）キレート剤
（Ｄ）硫黄原子を有するアミノ酸
（Ｅ）水 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な手順によって、Ｓｉ−Ｈ終端構造の存在比率が高い表面を有する基板を得ることができる洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法は、基板を、ＨＦ系薬液を用いて洗浄する薬液洗浄工程と、薬液洗浄工程の後、基板を、ＨＦ濃度が２５００ppm以下のＨＦ水溶液でリンスする希薄ＤＨＦリンス工程と、を備え、前記ＨＦ系薬液は、前記希薄ＤＨＦリンス工程で用いられるＨＦ水溶液よりも高いＨＦ濃度を有するＨＦ水溶液からなるか、若しくは複数種のＨＦ系薬剤を混合してなる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、金属系ウェハのパターン倒れを改善する薬液を提供する。
【解決手段】金属系ウェハ１の、少なくとも凹部４表面に撥水性保護膜１０を形成する薬液であり、撥水性保護膜形成剤が、下記一般式［１］及びその塩から選ばれる少なくとも一つであり、前記薬液中に含まれる溶媒の総量に対する水の濃度が５０質量％以上である。


Ｒ^１は一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１乃至１８の１価の炭化水素基。Ｒ^２はそれぞれ互いに独立して一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基。ａは０乃至２の整数。 （もっと読む）

【課題】イオン注入後の洗浄工程における酸化膜の膜厚の減少を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に酸化膜を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）の後、半導体基板の第１の領域に、第１の元素を含む第１の不純物を注入し、その後、半導体基板及び酸化膜を洗浄する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、半導体基板の第２の領域に、第１の元素より質量が大きい第２の元素を含む第２の不純物を注入し、その後、半導体基板及び酸化膜を洗浄する工程（ｃ）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板や金属配線の腐食や酸化を起こすことなく、基板表面の微細粒子や金属不純物を除去し得、金属腐食防止剤-Cu皮膜の除去せずに基板表面のカーボン・ディフェクトをも同時に除去し得る処理方法。
【解決手段】ベンゾトリアゾール又はその誘導体含有スラリーで処理された半導体基板を、〔I〕カルボキシル基を少なくとも１個有する有機酸０．０５〜５０重量％、〔II〕ポリホスホン酸類、アリールホスホン酸類、及びこれらのアンモニウム塩又はアルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも１種の錯化剤０．０１〜３０重量％、〔III〕炭素数１〜５の飽和脂肪族１価アルコール、炭素数３〜１０のアルコキシアルコール、炭素数２〜１６のグリコール、炭素数３〜２０のグリコールエーテル、炭素数３〜１０のケトン及び炭素数２〜４のニトリルからなる群より選ばれる少なくとも１種の有機溶媒０．０５〜５０重量％を含んでなる洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸パターンを形成されたウェハにおいて、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部が、チタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、及びルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハ（金属系ウェハ）の凹部表面に撥水性保護膜を形成する撥水性保護膜形成剤を含有する撥水性保護膜形成薬液を提供すること、及び、前記薬液を用いて凹部表面に保護膜を形成することで、該凹部に保持された液体と該凹部表面との相互作用を低減せしめることによって、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善する前記ウェハの洗浄方法を提供すること。
【解決手段】前記金属系ウェハの洗浄において、
該ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤を含有する撥水性保護膜形成薬液。 （もっと読む）

【課題】 凝固体を形成するための冷却ガスを使用せず、基板を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板Ｗに凝固対象液としての過冷却状態のＤＩＷを供給し、基板Ｗへ着液する衝撃でＤＩＷの凝固体を形成する。これにより、凝固体形成に必要な気体の冷媒を使用する必要がなくなり、気体の冷媒を生成する設備を不要とし、処理時間を短縮し、更にランニングコスト等を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、特に、IC、ウェーハ基板上のWLP回路、及びPCBから、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための組成物と方法を提供することによって、上記限界及び欠点を克服する。
【解決手段】配線、ウェーハレベルパッケージング、及びプリント回路基板からフォトレジスト、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための改良された組成物と方法を開示する。一方法は、有効量の有機アンモニウム化合物と、約２〜約２０質量％のオキソアンモニウム化合物と、任意的な有機溶媒と、水とを含有する混合物と前記基板を接触させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】基板表面を腐食することなく微粒子付着による汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。
【解決手段】
以下の成分（Ａ）〜（Ｄ）を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ａ）ポリカルボン酸またはヒドロキシカルボン酸
（Ｂ）スルホン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｃ）カルボン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｄ）水 （もっと読む）

【課題】表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、撥水性保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの洗浄時に、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、一般式Ｒ^１_ａＳｉ（Ｈ）_ｂ（Ｘ）_{４−ａ−ｂ}で表されるケイ素化合物Ａ及び酸、または、一般式Ｒ^７_ｇＳｉ（Ｈ）_ｈ（ＣＨ_３）_ｗ（Ｚ）_{４−ｇ−ｈ−ｗ}で表されるケイ素化合物Ｃ及び水の含有量が３５質量％以下の塩基を含み、前記薬液の出発原料中の水分の総量が、該原料の総量に対し５０００質量ｐｐｍ以下である、撥水性保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】室温でもポリイミドを良好に除去することができ、アルミニウム及びアルミニウム合金配線の腐食防止効果にも優れるだけでなく、長期間使っても析出の問題がないポリイミド除去用洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】組成物の総重量に対し、（Ａ）０．１〜１０重量％の下記化学式１で示される第４級アンモニウム水酸化物、（Ｂ）５０〜９０重量％のグリコールエーテル系化合物、（Ｃ）７〜３０重量％のグリセリン、及び（Ｄ）残量の水を含むポリイミド除去用洗浄剤組成物を提供する。
［化学式１］
［Ｎ−（Ｒ）_４］^＋・ＯＨ⁻
前記式で、Ｒは炭素数が１〜５のアルキル基である。 （もっと読む）

【課題】設備コストを低減しつつ、良好なエッチング特性を得ることができるドライエッチング方法およびドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとをニッケルで形成された加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。これにより、マイクロ波を用いた従来のラジカル源と比較して、ラジカルの生成に必要な設備および電力を低コストに抑えることができる。また、反応ガスに対する加熱体１１０の耐久性が向上し、安定したエッチング特性を維持できる。 （もっと読む）

【課題】微細バブルの洗浄に有効なより多くの性質を利用しつつ効果的な洗浄を可能にする洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】処理液をかけて被洗浄物を洗浄する洗浄方法であって、マイクロナノバブルやナノバブル等の比較的小さいサイズのバブルを含む第１処理液を前記被洗浄物にかける第１ステップ（Ｓ３）と、該第１ステップの後に、前記第１処理液に含まれるバブルより大きいサイズのマイクロバブル等のバブルを含む第２処理液を前記第１処理液が付着した状態の前記被洗浄物にかける第２ステップ（Ｓ４）とを有し、第１処理液での洗浄の後に、該第１処理液に含まれるバブルより大きいサイズのバブルを含む第２処理液での洗浄がなされるので、比較的小さいバブルの好ましい性質を利用した第１処理液による洗浄の後に、比較的大きいバブルの好ましい性質を利用した第２処理液による洗浄を行うことができるようになる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート絶縁膜や基板などを損傷させることなく、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性により優れた２剤型半導体基板用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の洗浄時に混合して使用する、発泡剤成分と発泡助剤成分とを有する２剤型半導体基板用洗浄剤であって、前記発泡剤成分が炭酸塩を含有し、前記発泡助剤成分が酸性化合物を含有し、さらに、前記発泡剤成分および／または前記発泡助剤成分が界面活性剤を含有し、前記発泡剤成分と前記発泡助剤成分との混合液のｐＨが７．５未満となる、２剤型半導体基板用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】エレクトロニクス材料、金属、ガラス、サファイア、樹脂等の洗浄工程で要求される製品表面の高清浄度を実現することができる、水溶性洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）アニオン性ポリマー0.01〜20質量％、（Ｂ）キレート剤：0.01〜30質量％、（Ｃ）水：40〜99.9質量％を含む水溶性洗浄剤組成物であって、前記アニオン性ポリマー（Ａ）は、（Ａ−１）炭素数２〜８のエチレン系不飽和モノマーの少なくとも１種と、（Ａ−２）スルホ基（ＳＯ_３Ｈ）を含むエチレン系不飽和モノマー及びカルボキシル基（ＣＯＯＨ）を含むエチレン系不飽和モノマーからなる群から選ばれる少なくとも１種のアニオン性不飽和モノマーとの共重合体である、水溶性洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】研磨剤由来の研磨粒子残渣の除去性や絶縁膜上の金属残渣の除去性に優れかつ、タングステン配線のタングステン腐食抑制性能に優れたタングステンおよびタングステン合金配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】有機アミン（Ａ）、第4級アンモニウムヒドロキシド（Ｂ）、キレート剤（Ｃ）および水（Ｗ）を必須成分とし、ｐHが７．０〜１４．０であることを特徴とするタングステンおよびタングステン合金配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】汚染物質の粒子の除去効率に優れ、洗浄による基板へのダメージも少ない洗浄方法の提供。
【解決手段】汚染物質の粒子の除去のために基板を洗浄液で洗浄する方法であって、前記洗浄液として、電気陰性度が前記汚染物質よりも大きく、分子容積が１３０Å^３以下である鎖状のハイドロフルオロカーボンおよびハイドロフルオロエーテルから選ばれる溶剤を用いることを特徴とする洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム、チタン、コバルト及び銅からなる群より選ばれる金属材料にダメージを与えることなく、エッチング残渣やレジスト残渣等の洗浄性能に優れた電子デバイスの洗浄用組成物及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）
【化１】


（式中、Ｒ_１、Ｒ_２は各々独立して水素原子、メチル基又はエチル基を示し、Ｒ_１及びＲ_２が共に水素原子になることはない。）
で表されるアミン類、フッ化物、及び水を含む洗浄用組成物を用い、アルミニウム、チタン、コバルト及び銅からなる群より選ばれる金属材料を含有する電子デバイスの製造プロセスにおいて発生する有機物及び／又は無機物を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、洗浄特性に優れた洗浄液、洗浄方法、洗浄システム及び微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化性物質と、フッ酸と、を含み、酸性を呈すること、を特徴とする洗浄液が提供される。また、硫酸溶液を電気分解する方法、フッ酸が添加された硫酸溶液を電気分解する方法、若しくは、硫酸溶液と過酸化水素水とを混合する方法のいずれかの方法により、酸化性物質を含む酸化性溶液を生成し、前記酸化性溶液と、フッ酸と、を洗浄対象物の表面に供給すること、を特徴とする洗浄方法が提供される。 （もっと読む）