【課題】表面に金属系元素で凹凸パターンが形成されたウェハのパターン倒れを改善する撥水性保護膜形成用薬液を提供する。
【解決手段】ウェハ１の洗浄工程の後、乾燥工程の前において、少なくとも凹部４を含む表面を一般式［１］で示される撥水性保護膜形成用薬液で置換する。


（Ｒ^１は一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の１価の炭化水素基、Ｒ^２はそれぞれ互いに独立して一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の炭化水素基を含む１価の有機基、ａは０〜２の整数である。） （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された凹部の内部を薬液により処理するにあたって、凹部の内部に速やかに薬液を侵入させること。
【解決手段】液処理方法は、薬液より表面張力が小さい有機溶剤を基板に供給して凹部の内部を濡らすプリウエット工程と、その後、薬液からなる洗浄液を基板に供給して、凹部の内部の液体を薬液で置換して、この薬液によって前記凹部の内部を洗浄する薬液洗浄工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】金属膜が形成された基板においてパターンの倒壊を抑制すること。
【解決手段】水を含むリンス液が、金属膜が形成された基板に供給される（Ｓ２）。その後、水酸基を含まない第１溶剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が第１溶剤に置換される（Ｓ４、Ｓ５）。その後、水酸基を含まない第２溶剤を含み金属を疎水化する疎水化剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が疎水化剤に置換される（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部がチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、及びルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハ（金属系ウェハ）の凹部表面に撥水性保護膜を形成し、該凹部に保持された液体と該凹部表面との相互作用を低減せしめることによって、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善する前記金属系ウェハの洗浄方法、及び、前記保護膜を形成する撥水性保護膜形成剤を含有する撥水性保護膜形成薬液を提供すること。
【解決手段】前記金属系ウェハの洗浄方法であって、
該ウェハ表面を酸化処理する、酸化処理工程
撥水性保護膜形成薬液を、ウェハの少なくとも凹部に保持し、該凹部表面に撥水性保護膜を形成する、撥水性保護膜形成工程
を含むウェハの洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸パターンを形成されたウェハにおいて、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部が、チタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、及びルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハ（金属系ウェハ）の凹部表面に撥水性保護膜を形成する撥水性保護膜形成剤を含有する撥水性保護膜形成薬液を提供すること、及び、前記薬液を用いて凹部表面に保護膜を形成することで、該凹部に保持された液体と該凹部表面との相互作用を低減せしめることによって、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善する前記ウェハの洗浄方法を提供すること。
【解決手段】前記金属系ウェハの洗浄において、
該ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤を含有する撥水性保護膜形成薬液。 （もっと読む）

【課題】リンス液を乾燥する際、被処理基板の凸状部が倒壊することを防止することが可能な液処理方法、液処理装置および記憶媒体を提供する。
【解決手段】基板本体部Ｗ_ｉと、基板本体部Ｗ_ｉに突設された複数の凸状部Ｗ_ｍとを有し、基板本体部Ｗ_ｉ上であって凸状部Ｗ_ｍ間に下地面Ｗ_ｆが形成された被処理基板Ｗに対して表面処理を行うことにより、被処理基板Ｗの下地面Ｗ_ｆが親水化し、かつ凸状部Ｗ_ｍの表面が撥水化した状態となるようにする。次に、表面処理された被処理基板Ｗに対してリンス液を供給する。その後、被処理基板Ｗからリンス液を除去する。 （もっと読む）

【課題】 砥粒に対する洗浄性が非常に高く、かつ、悪影響を及ぼす界面活性剤などの有機物の基板表面の残留が極めて少ない電子材料用洗浄剤、または悪影響を及ぼす界面活性剤を含有せずに非常に高い洗浄性を発揮する電子材料用洗浄剤および電子材料の製造方法を提供する。
【解決手段】 還元性を有するレダクトン類（Ａ）０．０１〜１０重量％と水を含有し、１重量％に希釈したときの２５℃での表面張力が５０ｍＮ／ｍ以下である界面活性剤（Ｂ）の含有量が０．０１重量％未満であることを特徴とする電子材料用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ウエハ形状の物品、特にウエハの規定された領域に対する液体処理のための装置を提供する。
【解決手段】 マスク（２）は、毛管作用力によってマスクとウエハ形状の物品の規定された領域との間に液体が保持されるように、ウエハ形状の物品までの規定された短い距離で維持される。 （もっと読む）

【課題】流体メニスカス内の活性空洞によってウェハ表面を処理可能である基板処理装置を提供する。
【解決手段】該装置は、作動時に基板１０８の表面に近接するプロキシミティヘッド１０６ａ,１０６ｂを有する。装置は、また、プロキシミティヘッド１０６ａ,１０６ｂの表面に、プロキシミティヘッド１０６ａ,１０６ｂ内に形成された空洞に通じる開口を有し、空洞は、開口を通じて基板１０８の表面に活性剤を送る。装置は、更に、プロキシミティヘッド１０６ａ,１０６ｂの表面に、開口を取り囲む流体メニスカスを基板１０８の表面上に生成するように構成された複数の導管を有する。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸パターンが形成されたウェハのパターン倒れを防止する洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１の表面に凸部３及び凹部４からなる凹凸パターンを形成し、該凹凸パターンの少なくとも凹部４に液体９が保持された状態で、ジアルキルシリル化合物を含有しかつ酸及び塩基を含有しない撥水性保護膜形成用薬液を表面に保持させて、撥水性保護膜１０を形成し、該撥水性保護膜１０がウェハ１の表面に保持されている状態で、液体９を凹部４から除去する。 （もっと読む）

【課題】複雑な機構を用いることなく液が基板の表面に到達することを阻止した状態で基板の裏面を液処理することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】液処理装置１００は、ウエハ保持部２と、ウエハ保持部２をウエハＷとともに回転させる回転機構３と、ウエハＷの裏面に液を供給する裏面側液供給ノズル６と、排液カップ５１と、裏面側液供給ノズル６からウエハＷ裏面に供給された液がウエハＷ表面側に回り込むことを阻止するように環状に設けられ、ウエハＷから振り切られた液を排液カップ５１に導く仕切り部材３５とを具備する。仕切り部材３５は、ウエハ保持部２およびウエハＷとともに回転するとともに、ウエハＷと連続するように設けられており、ウエハＷの端面に対向する面が、その面とウエハ端面との間に液が保持されない形状を有しており、裏面側液供給ノズル６から供給された液によりウエハＷ裏面のみを液処理可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板をリンスした後、半導体基板を乾燥させるときに微細なパターンに及ぶ影響を著しく低減する。
【解決手段】洗浄液で半導体基板を洗浄する洗浄工程と、この洗浄工程の後にリンス水で前記半導体基板をリンスするリンス工程と、このリンス工程の後に前記半導体基板を乾燥させる乾燥工程とを行う半導体基板の洗浄方法であって、リンス工程の際、リンス水の温度を７０℃以上に設定すると共に、リンス水を酸性に設定する。 （もっと読む）

【課題】
多層膜成膜した基板を、回転させながら基板に裏面側から処理液を供給する基板処理方法では、基板の回転数を一定にした従来の基板の周辺処理方法では、周辺部の多層膜のエッチングレートの差により、庇（ひさし）が発生し、次工程への汚染拡散の原因となる。
【解決手段】
処理対象の層を変更し、基板処理液を変更するごとに基板の回転数を増加させながらエッチングすることで、外周のエッチング領域を外側に狭めていくエッチング処理が出来、周辺部の庇の発生を防止し、汚染拡散のない周辺洗浄が可能となる。 （もっと読む）

【解決手段】一実施形態例では、ウェットシステムは、プロキシミティヘッドと、基板（例えば半導体ウエハ）のためのホルダとを含む。プロキシミティヘッドは、メニスカスとしての水性流体の流れをプロキシミティヘッドの表面にわたって生じさせるように構成される。プロキシミティヘッドの表面は、流れを通じて基板の表面に作用する。ヘッドの表面は、流れを閉じ込める、維持する、及び／又は促進する表面形状変更を伴った非反応性材料（例えば熱可塑性プラスチック）で構成される。表面形状変更は、（例えばダイヤモンド又はＳｉＣの先端を伴った）円錐状のスクライブによって表面に彫り込まれてよい、又はテンプレートを使用して表面上にメルトプリントされてよい。これらの変更は、準ウィッキング又は超疎水性を生じさせえる。ホルダは、基板の表面を流れに曝す。 （もっと読む）

【課題】基板の下面への処理液による処理時にのみ対向部材を当該基板の下面に近接させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】下面処理液配管１０の管壁の途中部には、ベローズ部２４が設けられている。下面処理液配管１０内を処理液が流通するときは、その処理液の圧力によってベローズ部２４が伸長状態となり、下面処理液配管１０内を処理液が流通しないときよりも、下面処理液配管１０の配管長が長くなる。下面処理液配管１０の上端部に、対向棒２０が固定されている。処理液の吐出時には、対向棒２０を前記近接位置に位置し、また、処理液を吐出しないときは、対向棒２０を前記離間位置に位置する。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物にダメージを与えることなく、洗浄液の使用量を抑えることが可能な超
音波洗浄ユニット及び超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明の超音波洗浄ユニット２０は、間隙を持って被洗浄物Ｓの被洗浄面Ｓ
ａに対向するように配置された超音波伝達手段２５と、前記超音波伝達手段２５に設けら
れ前記超音波伝達手段２５を介して前記被洗浄面Ｓａ上の洗浄液Ｌに超音波を与える超音
波振動子２３と、前記洗浄液Ｌが流通する流路４０ａを前記超音波伝達手段２５の外周側
面に有して囲み前記超音波伝達手段２５よりも前記被洗浄面Ｓａに近接するように配置さ
れ前記洗浄液Ｌを前記間隙に吐出する導液手段４０とを具備していることを特徴とする。
この超音波洗浄ユニット２０により、超音波伝達手段２５と被洗浄物Ｓとの間で洗浄液Ｌ
を維持され、被洗浄物にダメージを与えることなく、少量の洗浄液で効率のよい超音波洗
浄を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不揮発性記憶装置の表面に形成された壁体間に残留する液体の表面張力の影響を抑制することができるとともに、ガルバニック腐食を抑制することができる不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の状態と第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記憶層を有する不揮発性記憶装置の製造方法であって、壁体が形成された基体の表面に水よりも表面張力が小さくかつ水と実質的に相溶性のない液体を供給し、前記基体の洗浄を行う工程を有すること、を特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】樹脂容器の表面およびその内部に含まれる不純物を洗浄する樹脂容器の洗浄方法およびその方法により洗浄された樹脂容器を提供する。
【解決手段】本発明は、樹脂の表面張力の値よりも１０ｍＮ／ｍ以上低い表面張力の値を有する溶剤を用いて、樹脂または樹脂からなる樹脂容器を浸漬洗浄することを特徴とする樹脂容器の洗浄方法である。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンが形成された基板に対しても適切に洗浄することができる基板処理装置、および、基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、単一の基板Ｗを水平姿勢で保持する保持部１１と、微細気泡を含んだ気泡含有洗浄液を基板に供給する洗浄液ノズル１５と、洗浄液ノズル１５によって基板Ｗに気泡含有洗浄液を供給させて基板を洗浄する制御部１９と、を備える。気泡含有洗浄液によれば、基板面に与える衝撃を抑制しつつ、微細気泡の表面張力によって基板Ｗ上のゴミ、塵埃、その他の異物を除去することができる。したがって、基板Ｗに形成されたパターンを破壊することなく、基板を好適に洗浄することができる。 （もっと読む）