【課題】銀及び／又は銀合金を含む基板に適用できるフォトレジスト剥離液組成物を提供する。
【解決手段】銀および／または銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物であって、−式（Ｉ）ＮＨ_２−Ａ−Ｙ−Ｂ−Ｚ式中、Ａ、Ｂは、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝鎖状の炭素数１〜５のアルキレン基であり、Ｙは、ＮＨまたはＯのいずれかであり、Ｚは、ＮＨ_２、ＯＨ、ＮＨ−Ｄ−ＮＨ_２（ここでＤは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数１〜５のアルキレン基である、）で表される化合物、−式（ＩＩ）ＮＨ_２−Ａ−Ｎ(−Ｂ−ＯＨ)_２式中、Ａ，Ｂは式（Ｉ）と同じで表される化合物、−モルホリン、−Ｎ−置換モルホリン、−ピロカテコール、−ハイドロキノン、−ピロガロール、−没食子酸、及び−没食子酸エステルからなる群から選択される１種または２種以上と、１種または２種以上の極性有機溶剤とを含有する、前記フォトレジスト剥離液組成物。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面をＩＰＡなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面にウォーターマークが発生したり、基板表面上のパターンが倒壊するなどの不具合を防止する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに付着しているリンス液をＩＰＡ液に置換する間、低露点空気（ＣＤＡ）が間隙空間ＳＰに供給されて基板表面Ｗｆの周囲雰囲気が低湿度雰囲気に保たれる。これによって、ＩＰＡ液吐出口９７ａから吐出されたＩＰＡ液への水分の吸湿が抑制される。そして、ＩＰＡ液への置換後に、基板表面ＷｆからＩＰＡ液が除去されて基板表面Ｗｆが乾燥されるが、上記したようにＩＰＡ液への水分吸湿が抑制されていることから、当該乾燥処理によりＩＰＡ液中の水分が基板表面Ｗｆに残留するのが確実に抑えられてウォーターマークやパターン倒壊を効果的に抑制している。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの表面からフォトレジスト、エッチング残留物又はアッシング残留物を除去するためのフォトレジスト剥離剤配合物及び方法を提供する。
【解決手段】ヒドロキシルアミンと、水と、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリジン、ジメチルアセトアミド、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、モノエタノールアミン及びそれらの混合物からなる群より選択される溶媒と、水酸化コリン、モノエタノールアミン、水酸化テトラメチルアンモニウム、アミノエチルエタノールアミン及びそれらの混合物からなる群より選択される塩基と、カテコール、没食子酸、乳酸、ベンゾトリアゾール及びそれらの混合物からなる群より選択される金属腐食防止剤と、グリセリン、プロピレングリコール及びそれらの混合物からなる群より選択される浴寿命延長剤とを含むフォトレジスト剥離剤配合物が提供される。さらに、上記配合物を使用する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】「パターン剥がれ」が生じない条件で、高いパーティクル除去比を期待できる半導体基板等の洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄槽として、主洗浄槽１を用意し、主洗浄槽１内において、洗浄対象となるウェーハ２の表面に、導入口３からエッチング液を供給してエッチングを行い、その後、ｐＨ調整用媒体として、ｐＨが９．５〜１０．５未満に保たれたアルカリイオン水を供給して洗浄を行い、次いで、洗浄媒体として、ｐＨが１０．５〜１２．５に保たれたアルカリイオン水を供給して洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】フロンの代替となる程度に洗浄能力の高く、簡便に取り扱うことができる洗浄組成物と、その使用方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ジメチルエーテルと脂肪族炭化水素とを含有する洗浄組成物とし、さらに水を含有する構成とする。液体状態で存在する条件下で、洗浄浴として、あるいは、噴出口より前記洗浄組成物を前記洗浄対象物に向けて噴出させて用いる。 （もっと読む）

【課題】従来の銅配線半導体用洗浄剤は、銅配線に付着する研磨剤由来の有機残渣を除去する効果が不十分であるばかりか、金属配線材料（銅、タングステン等）が腐食するという問題がある。
【解決手段】有機アミン（Ａ）、下記（Ｉ）〜（ＩＶ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の多価水酸基含有化合物（Ｂ）及び水（Ｗ）を含有してなり、２５℃でのｐＨが２〜１４であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤。
（Ｉ）分子量が１，０００未満の多価水酸基含有炭化水素
（ＩＩ）エーテル基、エステル基、ホルミル基、スルホ基、スルホニル基、ホスホノ基、チオール基、ニトロ基及びアミド基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を有する分子量が１，０００未満の多価水酸基含有炭化水素
（ＩＩＩ）上記（Ｉ）、（ＩＩ）を脱水縮合した分子構造を有する多価水酸基含有化合物
（ＩＶ）糖類
（Ｖ）変性されていてもよいポリビニルアルコール （もっと読む）

【課題】本発明は、微細構造体の表面に形成された突起間に残留する液体の表面張力の影響で突起が変形、破壊されるのを抑制することができる微細構造体の処理方法、微細構造体の処理システムおよび電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】表面に突起を有する微細構造体の前記表面に水よりも表面張力が小さくかつ水と実質的に相溶性のない液体を供給し、前記微細構造体の表面の処理を行うこと、を特徴とする微細構造体の処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】銅を含む配線の腐食を抑制できる洗浄工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず半導体基板１上に銅を含む配線５ｗが形成される（（Ａ）工程）。配線５ｗ上にエッチングストッパ膜６ｅｓが形成される（（Ｂ）工程）。エッチングストッパ膜６ｅｓ上に絶縁層６が形成される（（Ｃ）工程）。絶縁層６に、エッチングストッパ膜６ｅｓに達するビアホール６ｖが形成される（（Ｄ）工程）。ビアホール６ｖおよび絶縁層６の表面が有機溶剤Ｃで洗浄される（（Ｅ）工程）。配線５ｗが露出するようにエッチングストッパ膜６ｅｓが除去される（（Ｆ）工程）。露出した配線５ｗに電気的に接続する配線６ｗがさらに形成される（（Ｇ）工程）。 （もっと読む）

【課題】 疎水性基板に対し腐食することなく、表面の粒子および金属を効果的に除去できる洗浄液組成物を提供する。
【解決手段】 水を滴下したときの表面の接触角が７０度以上である半導体基板に用いられる、脂肪族ポリカルボン酸類と界面活性剤とを含む洗浄液組成物であって、前記半導体基板に滴下したときの接触角が５０度以下となる、前記洗浄液組成物。 （もっと読む）

【課題】
現像処理した後ウエハ周辺部を、現像液やイソプロピルアルコールのようなアルコール類の溶剤でリンスしても、ウエハ周辺部に異物が付着している。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、被加工層を有する半導体ウエハの表面上方に、周辺部を除いて、レジスト膜を塗布し、塗布したレジスト膜にパターンを露光し、潜像を形成し、潜像を形成したレジスト膜を現像し、現像後の半導体ウエハの周辺部にシンナを供給し、クリーニングした後、現像したレジスト膜を用いて半導体ウエハの被加工層に加工処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】塗布膜に対する洗浄液の浸透を抑制し、それにより有効領域における塗布膜の隆起や傾斜を抑制することができる洗浄液供給装置、端縁洗浄装置、端縁洗浄液、および端縁洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板の端縁からレジスト膜を除去するための洗浄液として、有機溶剤と純水との混合液を使用する。これにより、有機溶剤を単独で使用した場合と比べてレジスト膜に対する洗浄液の浸透が抑制される。したがって、基板の端縁に向けて吐出された洗浄液が有効領域のレジスト膜中に浸透することが抑制され、その結果、有効領域におけるレジスト膜の隆起や傾斜が抑制される。洗浄液中の純水の比率は、１．０重量％以上かつ５．０重量％未満とすればよく、３．０重量％以上かつ４．０重量％未満とすればより望ましい。 （もっと読む）

レジスト、エッチング残留物、平滑化残留物、金属フッ化物および／または金属酸化物を基板から除去するための組成物であって、組成物は金属イオンを含まないフッ化物化合物および水を含む組成物が提供される。レジスト、エッチング残留物、平滑化残留物、金属フッ化物および／または金属酸化物は、金属ハードマスクが使用される１つまたは複数のパターニングプロセス中に発生する。
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【課題】純水の除去率を向上させることにより、基板に形成された微細パターンの倒壊を防止することができる。
【解決手段】制御部９７は、基板Ｗを純水で洗浄する純水洗浄処理を行わせ、ＩＰＡを注入して純水をＩＰＡで置換する置換処理を行わせる。その後、油水分離フィルタ５１によって処理液中の純水を除去する分離除去処理を行わせ、ミキシングバルブ３３から供給配管１１にＨＦＥを注入して置換促進処理を行わせ、ミキシングバルブ３３から供給配管１１に少量のＩＰＡを注入して仕上げ処理を行わせた後、リフタ７を上方位置に移動させる。仕上げ処理では、基板Ｗの微細パターンの奥に入り込んだ純水を少量のＩＰＡで引き出すことができるので、基板Ｗの微細パターン中に純水が残留するのを防止できる。その結果、基板Ｗに形成されている微細パターンの倒壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する不純物を、銅配線の腐蝕や酸化を引き起こすことなく、有効に除去するできる半導体デバイス用洗浄剤を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造工程において、表面に銅配線を有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有することを特徴とする。さらに、ポリカルボン酸を含有することが好ましい。下記一般式（Ｉ）中、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、少なくとも一つの窒素原子を含有するヘテロ環から水素原子１つを除いて形成される一価の置換基を表し、Ｌは二価の連結基を表す。
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【課題】 アルミニウムを腐食させることなく、レジスト除去ができる洗浄液を提供する。
【解決手段】 苛性ソーダ等の塩基性物質、塩化カルシウム等のアルカリ土類金属塩、ポリアクリル酸類及び水を含んでなる成分の組合せによる洗浄液ではアルミニウムを腐食させることなく、さらにアルミニウムの腐食を防止するアルカリ土類金属塩の水酸化物が沈殿として析出することなく用いることができる。さらに必要に応じてアルコール系、エーテル系、アミド系、含硫黄系、イミダゾリジノン系、ラクトン系の水溶性有機溶媒を用いることができる。洗浄液全体に対して、塩基性物質が０．０１〜２０重量％の範囲、アルカリ土類金属塩が０．００１〜５重量％の範囲、ポリアクリル酸類が０．００１〜５重量％の範囲、水が５０〜９９．９９重量％の範囲、水溶性有機溶媒が５０重量％以下の範囲であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング後のフォトレジスト残渣、及びポリマーの除去が容易で、しかも低誘電率絶縁膜を浸食、酸化しない成分組成のレジスト用剥離剤組成物を提供する。
【解決手段】少なくともホスホン酸（Ｈ_２ＰＨＯ_３）と水溶性有機溶媒とを含有する水溶液であるレジスト用剥離剤組成物を提供する。そして、（ａ）このレジスト用剥離剤組成物を用いて、灰化処理を施してレジストマスク２２を除去した後に、（ｂ）前記レジストマスクの残渣及び副生ポリマーの少なくともいずれかを剥離、除去する。 （もっと読む）

【課題】金属配線材料に対する優れた孔食防止効果を有する洗浄剤組成物、なかでも、フォトレジストの剥離・除去性に優れ、金属配線材料に対する優れた防食性と孔食防止効果を有する洗浄剤組成物を提供する。
【解決の手段】（Ａ）フッ化水素酸及びフッ化水素酸塩のうち少なくとも１種と、（Ｂ）亜硫酸塩及び二亜硫酸塩のうち少なくとも１種と、（Ｃ）水とを含有する、半導体集積回路又は液晶ディスプレイの製造工程で用いられる洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】窒化チタン被膜を剥離するための窒化チタン剥離液であって、特にタングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体においても、この層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離できる窒化チタン剥離液を提供すること。
【解決手段】フッ酸、過酸化水素、及び水を含有し、更に、フッ酸以外の無機酸を含有する窒化チタン剥離液。本発明によれば、窒化チタン剥離液が、フッ酸以外の無機酸を含むので、半導体多層積層体がタングステン又はタングステン合金を含む層を有する場合においても、窒化チタン剥離液がこの層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】窒化チタン被膜を剥離するための窒化チタン剥離液であって、特にタングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体においても、この層が浸食されることなく、窒化チタン被膜が剥離できる窒化チタン剥離液を提供すること。
【解決手段】過酸化水素、フッ酸、水溶性有機溶剤、及び防食剤を含有し、前記防食剤が環内に窒素原子を２個有する含窒素５員環化合物である、窒化チタン剥離液。本発明によれば、窒化チタン剥離液が、環内に窒素原子を２個有する含窒素化合物を含むので、半導体多層積層体がタングステン又はタングステン合金を含む層を有する場合においても、窒化チタン剥離液がこの層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】灰化工程を必要とせず、基板の表面に存在するレジストの剥離性能を向上させることができるレジスト剥離方法を提供すること。特にイオンインプランテーションされたレジストの剥離性能に優れた、レジスト剥離方法を提供すること。
【解決手段】酸化剤を含むレジスト改質液でレジストを改質して改質レジストを得る改質工程と、酸化剤を含まない剥離液で前記改質レジストを剥離する剥離工程とをこの順で含み、前記レジスト改質液及び／又は前記剥離液が、アルコール性水酸基又はエーテル結合を有するフッ素化合物を少なくとも１つ含有することを特徴とするレジストの剥離方法。 （もっと読む）