【課題】本発明は、基板に対してヘリコン波プラズマを斜めから照射して洗浄箇所を効率的に洗浄できるようにした基板洗浄装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、減圧した真空チャンバ内に酸素と水蒸気を導入して高周波によりプラズマを発生させ、水平に保持した基板のレジストを剥離するプラズマアッシャーにおいて、前記真空チャンバを傾けて基板に対してプラズマを斜めから照射することを特徴とする基板洗浄装置の構成とした。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理において、プラズマ照射部の熱を効率的に利用し、処理効率を高める。
【解決手段】プラズマ照射部１０から処理位置Ｐに向けてプラズマを照射する。被処理物９を移動手段２０によって処理位置Ｐを横切るように一方向に移動させる。処理位置Ｐを挟んでプラズマ照射部１０側とは反対側に熱授受部材３０を設ける。熱授受部材３０の受熱部３０ａは、プラズマ照射部１０と対向するよう配置され、プラズマ照射部１０からの熱を受ける。この受熱部１０から前記移動方向の少なくとも上流側に放熱部３０ｂを延出する。放熱部３０ｂは、受熱部１０から伝播された熱を放射する。熱授受部材３０の裏面に凸条３２を設ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマ表面処理において、固体誘電体層がヒートショック等で破損するのを防止する。
【解決手段】処理ヘッド１０に電極１１，１２を設け、これら電極１１，１２の放電生成面を固体誘電体層１３，１４でそれぞれ覆う。電極１１，１２の長手方向の中央部に対応する箇所には温度センサ３０を設け、その検出結果を制御部５に入力する。制御部５は、センサ３０の検出値に基づき電源３からの供給電力を制御する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板を製造する装置に関することで、さらに詳しくは半導体基板を加工するための基板製造方法に関する。
【解決手段】基板製造方法は、まず、フォトレジストが形成される基板を加熱させた後に、１次プラズマアッシング処理する。 続き、基板の温度を大気圧状態で降下させた後、もう一度基板を２次プラズマアッシング処理する。このように、プラズマアッシング処理過程で、基板の温度を大気圧状態でしばらく降下させるので、フォトレジストの化学結合変化を減少させ、ポッピング及び残留物の発生を減少させ、製品の収率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理チャンバのパーツのための保護被覆およびその使用方法
【解決手段】フッ素ラジカルおよび酸素ラジカルなどのプラズマ生成ラジカルからＲＦストラップを保護するためにプラズマチャンバにおいて使用される、可撓性のポリマまたはエラストマを被覆されたＲＦ帰還ストラップと、プラズマ処理装置内において、粒子汚染を抑えられた状態で半導体基板を処理する方法。被覆されたＲＦストラップは、粒子の生成を最小限に抑え、被覆されていないベース・コンポーネントよりも低い浸食速度を呈する。伝導性で可撓性のベース・コンポーネント上に可撓性被覆を被覆された被覆部材は、ギャップを調整可能な静電結合プラズマリアクタチャンバ内において１つまたは２つ以上の電極の移動を可能にするように構成されたＲＦ地帰還を提供する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波放電プラズマを用いてウエハーの周縁部を処理するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】導波管の開口に放電管７が装着される。放電管の導波管から外側に露出する部分にスリット８が形成される。導波管に、放電管を取り囲むブロック９が取り付けられる。ブロックは、プラズマ生成室１０、第１の通路１１および第２の通路１２を有する。第１の通路の開口に放電管が収容され、第２の通路の開口はウエハー挿入口１２ａをなす。ブロックは、ガス供給管路１３およびガス排出管路１４を有する。ブロックの前方にターンテーブル１７が配置される。ターンテーブルの上に置かれたウエハー１６を被覆する被覆プレート２８と、被覆プレートを上下に移動させるアクチュエータ２３が備えられる。 （もっと読む）

【課題】量産用の常圧プラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】直流パルスまたは交流電源に連結される電源電極と、前記電源電極から離れて設けられ、プラズマガスが通過可能な噴射通孔を有する接地電極と、前記電源電極と接地電極を収容固定するフレームと、前記フレームの外部から電源電極と接地電極との間にガスを供給するガス供給部と、前記ガス供給部から配管により連結されてフレームの内部に流入するガスの温度を調節するガス恒温調節装置と、を備えてなる量産用の常圧プラズマ発生装置。本発明によれば、プラズマ発生装置の初期から前記プラズマ発生装置を量産に必要とされる所定の温度以上に昇温することができることから、初期段階から量産可能なプラズマ発生装置を提供することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板の特定部位を効率的に洗浄することのできる基板洗浄装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、真空チャンバ内に酸素と水蒸気を導入して高周波によりプラズマを発生させるヘリコンＲＦ部と、前記ヘリコンＲＦ部の下方に基板を載置してプラズマによりフォトレジストを剥離する基板設置部とからなるプラズマアッシャーにおいて、前記ヘリコンＲＦ部と基板設置部に間に押さえリングを固定し、前記押さえリングに矩形状スリットを空けたフォーカスプレートを載せることにより、前記基板設置部に載置したフォトマスクの表面及び端面を均一に洗浄することを特徴とする基板洗浄装置の構成とした。 （もっと読む）

【課題】インシチュでのチャンバ洗浄方法を提供する。
【解決手段】インシチュでのチャンバ洗浄方法は、ガス分布部材を有するチャンバ内で行われ、ガス分布部材は複数の開口部を備えている。洗浄ガス流は、これらの開口部の一部を介してチャンバに供給され、その間、残りの開口部を介しては洗浄ガス流は供給されない。洗浄ガス流はイオン化され、イオン化された洗浄ガスラジカルを用いてチャンバを洗浄する。 （もっと読む）

【課題】 放電方向に均一な放電を発生させ、放電効率を高める構造を提供すること。
【解決手段】 放電用電極体９，１０は電極２，３と電極２，３を覆う固体誘電体とを備えたものであって、固体誘電体の放電側表面が希土類元素を含む酸化物からなる。また、放電用電極アセンブリ１００は、放電用電極体を２つ備えてなり、これら放電用電極体を対向させてなる。放電処理装置は、放電用電極アセンブリを用いてプラズマを発生させるようになしたものである。これらにより、放電効率が向上するとともに、放電用電極体の放電側表面のプラズマに対する耐食性が向上する。 （もっと読む）

【課題】被処理物表面に対する親水化の処理効率を向上させる。
【解決手段】第１プラズマ生成部１１の第１電極１２，１２間に略大気圧の第１の放電空間１５を形成し、そこに第１処理ガスの窒素（Ｎ_２）を通してプラズマ化し、紫外領域の発光性を付与する。一方、第２空間形成部２１の第２空間２５で第２処理ガスの酸素（Ｏ_２）をオゾン化又はラジカル化して酸化能を付与又は強化する。第１放電空間１５を通過後の第１処理ガスを噴出部３０の第１噴出路３３から処理位置Ｐへ噴き付けるとともに、第２空間２５からの第２処理ガスを処理位置Ｐの近傍で前記第１処理ガスと合流させながら処理位置Ｐへ噴き付ける。第１放電空間１５を、第２空間２５より処理位置Ｐの近くに配置する。 （もっと読む）

【課題】大気圧下での多湿放電から発生する水酸基ラジカルを積極的に利用することで、高速処理が可能でかつ、環境にやさしい放電表面処理装置およびその方法を提供する。
【解決手段】 高電圧電極7と、前記高電圧電極に対向して配置され、前記高電圧電極との間にプラズマ生成領域18を形成する接地電極12A,12Bとを有し、前記高電圧電極と前記接地電極の少なくとも一方が誘電体で覆われた放電部10A,10Bと、前記高電圧電極と前記接地電極との間に高電圧を印加する高電圧電源5と、前記プラズマ生成領域にガスを供給するガス供給部3と、前記ガス供給部から供給されるガスに湿分を付与して多湿ガスとする多湿化装置2と、を具備し、前記高電圧電極7は、該高電圧電極7から前記接地電極12A,12Bまでの距離Ｃの５％以上の曲率半径で処理対象側の端部が凸曲面加工されている。 （もっと読む）

【課題】マガジン挿入基板や石英ボード挿入シリコンウエハ等を均一且つダメージレスに短時間でバッチ洗浄処理するマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】左右に分岐した導波管より導入されたマイクロ波がそれぞれ左右対向したスロット板を通した誘電体に伝播し減圧された処理室内に中空孔加工したガス噴出口から供給された反応ガスを励起し高密度で安定したプラズマ放電を実現する。 （もっと読む）

【課題】窒化シリコン−二酸化シリコン高寿命消耗プラズマ処理構成部品
【解決手段】プラズマエッチングチャンバの平均洗浄間隔時間及びチャンバパーツの寿命を延ばす方法が提供される。イオン衝撃及び／又はイオン化ハロゲンガスに曝される少なくとも１つの焼結窒化シリコン構成部品を使用しつつ、チャンバ内において一度に１枚ずつ半導体基板がプラズマエッチングされる。焼結窒化シリコン構成部品は、高純度の窒化シリコンと、二酸化シリコンからなる焼結助剤とからなる。焼結窒化シリコン構成部品を含むプラズマ処理チャンバが提供される。プラズマ処理時のシリコン基板の表面上における金属汚染を軽減する方法が、１つ又は２つ以上の焼結窒化シリコン構成部品を含むプラズマ処理装置によって提供される。プラズマエッチングチャンバ内においてイオン衝撃及び／又はプラズマ浸食に曝される構成部品を製造する方法は、高純度の窒化シリコンと二酸化シリコンとからなる粉末組成を成形することと、該成形構成部品を緻密化することとを含む。 （もっと読む）

【課題】複数個の処理部を備える処理装置において、被処理物の面内温度分布を改善する。
【解決手段】処理装置の被処理物入口４１側の処理部に供給される電力の搬送方向密度（被処理物の搬送方向の処理電極の単位長さ当りの電力の大きさ）が、被処理物出口４２側の処理部に供給される電力の搬送方向密度よりも小さくなるように、第１〜第３処理部３１〜３３に電力供給する各々の電源４５、及び第４〜第６処理部３７〜３９に電力供給する各々の電源４５を制御する電力制御部５，６を備える。 （もっと読む）

【課題】 基板洗浄方法及び装置が開示される。
【解決手段】 レーザービームを利用する基板洗浄方法及び装置において、工程チャンバー内にはレーザー誘起衝撃波が発生する空間を限定する内部チャンバーが配置される。前記レーザービームは前記内部チャンバー内に位置した焦点に集中され、これによってレーザー誘起プラズマ衝撃波が前記レーザー焦点の周囲に発生する。前記プラズマ衝撃波は内部チャンバーの内側表面によって反射され、前記内部チャンバーの下部を通じて基板上に照射される。結果的に基板上に照射されるプラズマ衝撃波の強度が増加し、これによって、基板上の汚染物質の除去効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】適用が容易で、標準のクリーニング手順との組合せが可能である、希ガスプラズマ反応を用いて水の残留物を除去する、改善した反応チャンバクリーニング処理を提供する。
【解決手段】水分子を破壊して電子励起した酸素原子を形成できる高エネルギーのＥＵＶフォトン（Ｅ＞２０ｅＶ）を放射する希ガスプラズマ（例えば、Ｈｅ）が、吸着された水を除去するために用いられる。該方法は、材料に吸収された水分子の光分解を引き起こすのに充分なエネルギーを有する、極端紫外及び／又は真空紫外のフォトンを放射して、酸素、水素及び／又は水酸基のラジカルを放出させることが可能である希ガスプラズマに対して該表面を露出することと、反応チャンバからラジカルを除去することとを含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＦ_４等の安定なハロゲン化炭素を十分に分解し、処理効率を高め、排ガス処理の負担を軽減する。
【解決手段】一次反応部２０の前段電極２２間に１００〜３００００Ｐａ、好ましくは１０００〜３００００Ｐａの一次プラズマ空間２２ａを形成し、この一次プラズマ空間２２ａでＣＦ_４等の安定なハロゲン化炭素を含む原料ガスをプラズマ化し、ＣＯＦ_２等の不安定なハロゲン系成分を含む一次反応ガスを生成する。この一次反応ガスをより低圧の二次プラズマ空間４２ａでプラズマ化し、被処理物９０との反応性を有するフッ素ラジカル等の反応性ハロゲン系成分を含む二次反応ガスを生成し、この二次反応ガスを被処理物９０に接触させる。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによって水素が離脱して硬化（炭化）したレジストを除去可能とする。
【解決手段】プラズマ発生ノズル３１からプラズマ化したガスを照射することで、ウエハＷに残存したレジストを分解・燃焼させて除去するにあたって、前記ウエハＷを搬送手段Ｃによって浸漬槽Ｔに貯留された純水８０中を通過させるようにし、前記ウエハＷが純水８０に浸漬された状態でプラズマ照射を行う。これによって、水酸基ラジカルを効率良く発生させ、前記水酸基ラジカルによって、前記硬化（炭化）したレジスト表面に水素を供給して改質した上で、その表面を含めて総てのレジストを分解・燃焼させて除去することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的に低温かつ簡便な処理工程で、上記高温水素プラズマ照射結果と同程度以上のクリーンな窒化物半導体の表面が得られる処理工程を提供することを課題とする。
【解決手段】窒化物半導体（Ｂ_zＡｌ_xＧａ_1-x-y-zＩｎ_yＮ_1-p-qＰ_pＡｓ_q、但し０≦ｘ、ｙ、ｚ、ｐ、ｑ＜１、かつｘ＋ｙ＋ｚ＜１、ｐ＋ｑ＜１）の表面に原子状水素を照射して自然酸化膜を除去する工程と、酸素プラズマを照射して人工酸化膜を形成する工程と、湿式エッチングにより人工酸化膜を選択的に除去する工程と、人工酸化膜が除去された窒化物半導体の表面を硫黄処理することにより表面保護層を形成する工程と、熱処理により表面保護層を除去する工程とを含む窒化物半導体の表面清浄化方法によって解決される。 （もっと読む）