【課題】被処理基板のベベル部に付着した不要な堆積膜を、パターンが存在する被処理基板の内側部分にダメージを与えず、重金属汚染を引き起こさず、低コストで高効率に除去する。
【解決手段】被処理基板２の直径よりも小さい直径を有し、被処理基板を載置する回転ステージ１と、被処理基板２の上方に配置され、被処理基板上面に形成されたパターンを保護するためのガス流を形成するためのガス供給構造部３と、ガス供給構造部３に非反応性ガスを供給する第一のガス供給系１１と、不要な堆積物を除去するためのラジカルを被処理基板外周部に供給するノズルを備えた大気圧マイクロプラズマ源４と、大気圧マイクロプラズマ源４にガスを供給する第二のガス供給系１４と、大気圧マイクロプラズマ源４に電力を投入する高周波電源１３と、被処理基板２の外周部から反応生成物を吸引除去するための排気手段５を備えた基板処理装置。 （もっと読む）

常圧プラズマと洗浄液とを用いてウェーハを洗浄して、洗浄工程収率を増加させ、洗浄されたウェーハのボンディング時に、ボンディング特性を向上させるウェーハ洗浄方法とそれを利用したウェーハボンディング方法に関する。ウェーハ洗浄方法は、工程チャンバにウェーハの接合面が上部に向かうように、ウェーハを装入し、ウェーハの接合面に常圧プラズマと洗浄液とを供給して、ウェーハの接合面を洗浄及び表面処理し、ウェーハを工程チャンバから引き出してなされる。また、ウェーハボンディング方法は、第１工程チャンバに第１ウェーハの接合面が上部に向かうように、第１ウェーハを装入し、第１ウェーハの接合面に常圧プラズマと洗浄液とを供給して、第１ウェーハの接合面を洗浄及び表面処理し、第１ウェーハを第１工程チャンバから引き出して、第２工程チャンバに装入し、第３工程チャンバに第２ウェーハの接合面が上部に向かうように、第２ウェーハを装入し、第２ウェーハの接合面に常圧プラズマと洗浄液とを供給して、第２ウェーハの接合面を洗浄及び表面処理し、第２ウェーハを第３工程チャンバから引き出して、第２工程チャンバに第２ウェーハの接合面が第１ウェーハの接合面と互いに対向するように装入し、第１ウェーハの接合面と第２ウェーハの接合面とをボンディングする。
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【課題】プラズマ発生部のメンテナンス作業を容易に行うことが可能なワーク処理装置を提供する。
【解決手段】このワーク処理装置Ｓは、供給される所定のガスをプラズマ化するプラズマ発生部１８を有し、このプラズマ発生部１８からプラズマ化したガスを放出するプラズマ発生装置６と、プラズマ発生部１８の下方で処理対象であるワークＷを支持する搬送装置２とを備え、ワークＷに対してプラズマ化したガスを照射することにより所定の処理を施与するものであって、プラズマ発生部１８がワークＷ上に位置するようにプラズマ発生装置６を据え付けるための据付枠４を備えている。そして、プラズマ発生装置６は、プラズマ発生部１８がワークＷ上に配置される据付位置から水平方向に引き出し可能に据付枠４に対して取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッチング処理直後に被処理物から反応生成物やハードマスクなどの除去を行うことのできる表面処理方法、エッチング処理方法、および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】多層膜を有する被処理物の各層を順次エッチングすることでフッ化炭素を含む反応生成物が堆積した場合に、酸素ガスプラズマ処理を行うことで前記反応生成物を除去し、前記反応生成物の除去の後、酸化物を含む反応生成物をフッ化水素ガスを用いて除去すること、を特徴とする表面処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】誘電体カバーを伴うエッジ電極
【解決手段】実施形態は、ポリマ副生成物および堆積膜の蓄積を回避してプロセス歩留まりを向上させるために基板ベベルエッジ付近およびチャンバ内部のエッチング副生成物、誘電体膜、および金属膜を除去するための装置と方法とを提供する。代表的実施形態では、基板のベベルエッジをクリーニングするように構成されたプラズマ処理チャンバが提供される。プラズマ処理チャンバは、基板を受けるように構成された基板支持部を含む。プラズマ処理チャンバは、また、基板支持部を取り囲むボトムエッジ電極を含む。ボトムエッジ電極と基板支持部とは、ボトム誘電体リングによって互いに電気的に絶縁される。基板に面するボトムエッジ電極の表面は、ボトム誘電体膜によって覆われる。プラズマ処理チャンバは、さらに、基板支持部と向かい合うトップ絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極を含む。トップエッジ電極は、電気的に接地される。基板に面するトップエッジ電極の表面は、トップ誘電体膜によって覆われる。トップエッジ電極とボトムエッジ電極とは、互いに相対し、基板のベベルエッジをクリーニングするためにクリーニング用プラズマを生成するように構成される。 （もっと読む）

【課題】不純物の取り込みや平坦性の悪化を抑制できる酸化物基板の清浄化方法、及び該方法によって清浄化された基板を用いた酸化物薄膜の製造方法の提供。
【解決手段】真空雰囲気中に置いた酸化物基板を加熱することなしに、その表面に原子状水素および原子状重水素のうち少なくとも一方を接触させて該酸化物基板の表面を清浄化処理することを特徴とする酸化物基板の清浄化方法。この酸化物基板の清浄化方法によって酸化物基板の表面を清浄化する工程と、清浄化した酸化物基板の表面に酸化物半導体結晶を成長させて酸化物半導体薄膜を得る工程とを有することを特徴とする酸化物半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ウエハのベベル上の材料を除去するための装置が開示されている。ウエハの直径よりも小さい直径を有するウエハ支持体が設けられており、ウエハ支持体はウエハの第１の側に位置し、ウエハの外周エッジはウエハの周囲においてウエハ支持体を越えて広がる。ＲＦ電源が、ウエハに対して電気的に接続される。中央カバーが、ウエハ支持体から離間して配置されている。第１の導電リングが、ウエハから離間してウエハの第１の側に配置される。第２の導電リングが、ウエハから離間して配置される。導電ライナが、ウエハの外周エッジを囲んでいる。スイッチが、ライナと接地との間に配置され、ライナを接地状態から浮遊状態に切り替えることを可能にする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハー基板上に形成されたシリコン含有有機膜を除去するリワークプロセスにおいて、シリコン化合物残渣が発生し、この除去が困難であった。
【解決手段】半導体ウェハー基板上に形成されたシリコン含有有機膜を除去した表面を、アンモニア水溶液により洗浄処理を行う第１のステップと、希釈フッ酸水溶液により洗浄処理を行う第２のステップを少なくとも有する方法で処理する。アンモニア水溶液中のアンモニア濃度は、０．０１重量パーセント以上、３０重量パーセント以下であることが好ましい。希釈フッ酸水溶液中のフッ酸濃度は、０．０１重量パーセント以上、２．０重量パーセント以下であることが好ましい。 （もっと読む）

半導体基板のベベル端部を洗浄するためのデバイス。このデバイスは、シリンダ状上部部分を有する下方サポートと、上部部分の外方端部を囲み、基板を支持するようになされた、下方プラズマ排斥区域（ＰＥＺ）リングと、下方サポートに対向し、シリンダ状下部部分を有する、上方誘電体部品と、下部部分の外方端部を囲み、下方ＰＥＺリングに対向する上方ＰＥＺリングと、上方ＰＥＺリングおよび下方ＰＥＺリングによって画定された環状スペース内で、プロセスガスにエネルギーを与えてプラズマ化させるように作動する、少なくとも１つの高周波（ＲＦ）電源とを備え、この環状スペースには、ベベル端部が含まれる。
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【課題】被処理物に処理流体を噴き付けて表面処理する装置において、処理流体が処理領域から外に漏れたり、外部の雰囲気ガスが処理領域に入ったりするのを効率的に防止する。
【解決手段】処理ヘッド１０の被処理物Ｗと対向すべき側部４０に、処理領域８０の画成部４１と、その両側の処理外領域８１，８２の画成部４２，４３とを設ける。第１処理外領域８１と処理領域８０との境に処理流体の噴き出し口５０ａを形成し、処理領域８０と第２処理外領域８２との境に吸い込み口５０ｅを形成する。検出手段７０にて第１処理外領域８１における処理領域８０に近い箇所と遠い箇所との差圧を検出する。吸い込み流量調節手段５４にて、上記検出差圧がゼロになるように吸い込み口５０ｅからの吸い込み流量を調節する。 （もっと読む）

電子源カソード（５）およびアノード機器（７）を備えたプラズマ放電機器を用いることによって、基板のプラズマエッチ洗浄が実行される。アノード機器（７）は、一方ではアノード電極（９）を、他方では、自身から電気的に孤立されている閉じ込め部（１１）を備えている。この閉じ込め部（１１）は、洗浄されるべき基板（２１）の領域（Ｓ）に向けられた、開口部（１３）を備えている。電子源カソード（５）およびアノード電極（９）は、供給源（１９）を有する供給回路によって、電気を供給されている。この回路は、電気的に浮遊して操作される。
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残留物よりも下にポリマーコーティングを有する基板処理構成部品の表面から、残留物を除去する。一変形例においては、構成部品表面を有機溶媒と接触させて、ポリマーコーティングに損傷を与えることなく、またはポリマーコーティングを除去することなく残留物を除去する。残留物はプロセス残留物でも可能であり、または接着剤残留物でも可能である。この洗浄プロセスは、改装プロセスの一部として行うことができる。別の変更形態においては、構成部品表面にわたってレーザを走査させることによって、残留物をアブレーションする。さらに別の変形例においては、ことによって、構成部品の表面にわたってプラズマ切断機を走査させることによって、残留物を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】電極無損耗の処理システムとプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】処理システムは、第一流体を利用し、被処理物体に対し処理を実行する。処理システムはベースとプラズマ生成装置を有する。ベースは被処理物体を載置する。プラズマ生成装置は第一流体をイオン化する。プラズマ生成装置は少なくとも一つの導引素子と少なくとも一つの電極素子を有する。導引素子は経路を有し、第一流体は経路に沿って第一位置と第二位置を順に通過する。電極素子は第一電極と第二電極を有し、第一電極は第一位置に対応し、第二電極は第二位置に対応する。第一電極、第二電極は第一位置と第二位置の間の第一流体を励起して第二流体を生成し、第二流体はベース上の物体に対し表面処理、活性化、洗浄、フォトレジスト灰化、あるいは、エッチング処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置１は、基板を支持する支持部１０と、基板上部のフォトレジストを除去する乾式処理部２０と、基板上部のフォトレジストを除去する湿式処理部３０を有する。基板は、支持部によって支持された状態で、基板上部のフォトレジストは、乾式処理部２０によって１次的に除去され、湿式処理部３０によって２次的に除去される。乾式処理部２０は、基板上面にプラズマを供給するプラズマ供給ユニット２００と移動ユニットを有し、移動ユニットは、プラズマ供給ユニット２００と基板の相対的な位置を変化させる。 （もっと読む）

【課題】リードタイムを短くし、処理性能において従来よりも信頼性のある処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１と、チャンバー内に設けられ、被処理物２を保持する保持手段３と、チャンバー内に活性原子を供給する活性原子供給手段４と、チャンバー内に薬液を供給する薬液供給手段５とを有し、被処理物の表面に対し、活性原子供給手段から供給される活性原子によるドライ処理及び薬液供給手段から供給される薬液によるウェット処理を行なう。 （もっと読む）

フッ素と、窒素および／またはアルゴンのような不活性ガスとの混合物を、半導体、ソーラーパネル、およびフラットパネル（ＴＦＴおよびＬＣＤ）をエッチングするため、ならびに半導体表面およびプラズマチャンバーをクリーニングするために使用することができる。二元混合物の中にフッ素が、１５〜２５容積％の量で含まれているのが好ましい。それらのガス混合物は、ＮＦ_３を含むそれぞれの混合物に対する、代替物またはドロップインとして使用することが可能であり、プラズマ装置の運転を極めてフレキシブルとすることができる。たとえば、ＮＦ_３／Ａｒ混合物用に調整された装置を、さらなる調整をすることなく、フッ素とアルゴン、場合によっては窒素も加えて使用して運転することが可能である。フッ素、窒素およびアルゴンの三元混合物を使用する場合、そのフッ素含量は、１〜５容積％の範囲とするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 基板から残渣を除去する方法を提供することである。
【解決手段】 エッチングプロセス中に形成されるフォトレジストおよびエッチング残渣を除去するエッチング後の処理システムを使用する方法は、記載されている。たとえば、エッチング残渣は、ハロゲンを含む材料を含むことができる。エッチング後の処理システムには、真空チャンバ、真空チャンバに結合されたラジカル発生システム、ラジカル発生システムに結合され、基板より上に反応性のラジカルを分配するように構成されたラジカルガス分配システム、および真空チャンバに結合されるように構成された高温の台が設けられ、基板を支持するように構成されている。方法は、Ｎ_ｘＯ_ｙベースのプロセスガスをラジカル発生システムに導入することを具備する。 （もっと読む）

【課題】 エッチング後の処理システムのためのガス分配システムを提供することである。
【解決手段】 エッチングプロセス中に形成されるフォトレジストおよびエッチング残渣を除去するエッチング後の処理システムは、記載されている。たとえば、エッチング残渣は、ハロゲンを含む材料を含むことができる。エッチング後の処理システムには、真空チャンバ、真空チャンバに結合されたラジカル発生システム、ラジカル発生システムに結合され、基板より上に反応性のラジカルを分配するように構成されたラジカルガス分配システム、および真空チャンバに結合されるように構成された高温の台が設けられ、基板を支持するように構成されている。 （もっと読む）

ワーク処理装置Ｓは、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生するマイクロ波発生装置２０と、マイクロ波を伝搬する導波管１０と、導波管１０のワークＷとの対向面に設けられたプラズマ発生部３０とを具備するプラズマ発生装置ＰＵと、プラズマ発生部３０を通過するようにワークＷを搬送するワーク搬送手段Ｃとを備える。プラズマ発生部３０は、マイクロ波を受信しそのマイクロ波のエネルギーに基づきプラズマ化したガスを生成して放出するプラズマ発生ノズル３１が、複数個配列して取り付けられてなる。ワークＷは、ワーク搬送手段Ｃで搬送されつつ、プラズマ発生部３０においてプラズマ化したガスが照射される。
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基板エッジ領域を隔離して処理するための方法及び装置である。装置は、ドライ化学法によって基板のエッジ領域を含む基板の一部を隔離して処理するためのアイソレータを有する。アイソレータは、反応種の流れを基板のエッジ領域に供給するためのノズルと、基板をチャック上で回転させながら反応種の流れを排気プレナムに向けてバイアスさせるためのパージプレナムと、を有する。調節されたフロー制御により、反応種と反応副生成物が処理領域から移動することを防止する。アイソレータを使用して基板を処理するための方法は、反応種の流れを角度をなして基板のエッジ領域に供給しながら、パージプレナム及び排気プレナムによる流れ制御によって処理領域の周囲に境界を形成することを含む。
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