【課題】薄化される基板に貼り合わせることによって当該基板を支持するためのサポートプレートの洗浄後に廃溶液を発生させること無く、且つ安価に処理することが可能なサポートプレートの洗浄方法を実現する。
【解決手段】薄化される基板に貼り合せることによって当該基板を支持するためのサポートプレート１を洗浄する方法であって、サポートプレート１に酸素プラズマを接触させて、当該サポートプレート１に付着した有機物を除去する有機物除去工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 高い洗浄処理能力を得ることができ、しかも、結合エネルギーが高い化学結合を有する有機化合物についても確実に除去することができる照射装置を提供する。
【解決手段】 放電容器および一対の電極を有するエキシマランプと、エキシマランプにおける一方の電極に誘電体を介して対向するよう配置されたプラズマ放電用電極とを備え、エキシマランプにおける一方の電極およびプラズマ放電用電極を介してプラズマ発生回路が形成されてなり、エキシマランプにおける一対の電極間に印加される高周波電界によって放電容器内にエキシマ放電が発生されると共に、エキシマランプとプラズマ放電用電極との間にプラズマ発生用反応性ガスが流過された状態で、エキシマランプにおける一方の電極とプラズマ放電用電極との間に印加された高周波電界によってプラズマ放電が発生されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】直径の大きい基板のためのチャンバ内で、処理ガスを均一に散布するガス分配器を備えた処理チャンバを得る。
【解決手段】半導体基板を処理する処理チャンバ（２５）は、基板（５０）を支持する支持装置を含む。処理ガスをチャンバ（２５）に導入するガス分配器（９０）は、基板（５０）平面に対して所定の傾斜角度で処理ガスをチャンバ（２５）に噴射するガスノズルを有する。隋的に、ガス流制御装置（１００）は、処理ガスの流れを１つ又はそれ以上のガスノズル（１４０）を通して制御してパルス化する。排気装置はチャンバ（２５）からの処理ガスを排出するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】被処理物の被処理領域が均一に処理されるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１００２は、被処理領域１９０８の平面形状と同一の平面形状を有する第１の対向面１０２０を持つ第１の電極１０１２を備える第１の電極構造体１００４に支持されたワーク１９０２を線状の第２の対向面１０５０を持つ第２の電極１０４６を備える第２の電極構造体１０３６で走査する。また、プラズマ処理装置１００２は、第２の電極構造体１０３６でワーク１９０２を走査しながら第１の電極１０１２と第２の電極１０４６との間に電圧を印加し、第１の電極構造体１００４と第２の電極構造体１０３６との間隙１０３８にプラズマを発生させることにより、ワーク１９０２の上面１９０４にプラズマを作用させる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ等の被処理体の端部に付着した物質を迅速且つ確実に除去することができ、しかもチャンバ内の各部品のプラズマによる損傷を防止することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理方法は、上部電極５に第１の高周波電力を印加してプラズマを発生させると共に第１の高周波電力より周波数の低い第２の高周波電力をウエハＷの下部電極４に印加するプラズマ処理装置１を用いて、下部電極４上に載置されたウエハＷの端部に付着した堆積物Ｄを酸素ガスのプラズマによって除去する際に、酸素ガスの圧力を４００〜８００ｍＴｏｒｒに設定し、下部電極４からウエハＷを離した状態で上部電極５によって酸素ガスをプラズマ化することを特徴とする （もっと読む）

【課題】帯電粒子からウェハを遮蔽するためにウェハに磁場を印加する磁石を備えたウェハ・チャックを有するプラズマ・エッチング・システムを提供する。
【解決手段】磁場はウェハと平行であり、その強度はウェハ表面の近傍で最も強い。磁場は直線状であっても、円形状であってもよい。動作中には、電子はローレンツ力によってウェハから偏向され、ウェハは正電荷を帯び、イオンは静電反発力によって偏向される。中性化学種は磁場を通り抜けることができ、ウェハに衝突する。中性化学種は一般に、帯電粒子より等方性および材料選択性の高いエッチングを実現するので、本発明の磁場は、エッチングの等方性および材料選択性を高める傾向がある。また、シーズニング・プロセスは、通常は帯電粒子によるエッチングに依拠しているので、磁場により、チャンバ表面から望ましくない膜を除去するようになされたシーズニング・プロセスからウェハを遮蔽することができる。 （もっと読む）

【課題】透過窓とチャンバとの間で気密保持するＯリングの損傷を防止することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波透過窓２０の下面２０ａの外周部であって円柱体１５の上面１５ａと連結する部分に位置する領域に、環状の導電性膜２５を形成し、マイクロ波透過窓２０の外周部分を透過するマイクロ波を該導電性膜２５にてシールドしてトッププレート側に透過させないようにした。そして、間隔保持板２３によってＯリング２１の内側に生じるマイクロ波透過窓２０の下面２０ａと円柱体１５の上面１５ａとの隙間Ｄにマイクロ波が導入されないようにした。 （もっと読む）

【課題】電極を処理対象物の上方に位置させてプラズマ処理を施す構成をとりつつメンテナンス性の向上を図ることができるようにしたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ベース部４の上面に処理対象物Ｂを保持する保持部１４を備え、ベース部４の上方には、ベース部４の上面に上方から当接してベース部４の上面との間に保持部１４を覆う密閉空間ＳＰを形成する蓋部材５を移動自在に設ける。電極３１は、蓋部材５のベース部４と対向する面に電気絶縁部材３０を介して取り付けられ、密閉空間ＳＰ内で保持部１４の上方に位置する。ベース部４には、蓋部材５がベース部４の上面に当接したときに密閉空間ＳＰ内に露出した上端が電極３１と接触する導電部４０を設け、高周波電源部５２からベース部４の下方に設けた整合器５１及び導電部４０を通じて電極３１に高周波電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】 スタブ導波管を備えたスロットアンテナ方式のマイクロ波プラズマ処理装置において、スタブ導波管の直下の電界強度を高めることにより、スロットアンテナ付近の電界分布を効果的に調節し、スロットアンテナ全体に均一な電界分布を形成させる。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００は、偏平導波管を構成する平面アンテナ板３１の上に形成される電界分布を調整する第２の導波管としてのスタブ４３Ａを備えている。スタブ４３Ａは、導電性のカバー部材３４に設けられている。スタブ４３Ａは、平面アンテナ板３１の最外周に配列されたスロット対を構成するスロット３２と上下に重なるように配置されている。透過板２８の下面には、スタブ４３Ａと上下に重なるように環状溝２８ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】長尺の放電路を形成し、長尺のプラズマを発生、照射する大気圧プラズマ発生装置を提供。
【解決手段】噴出口２１１からアルゴン流が電極４１及び電極４２間の高周波電力によりプラズマ化され、予備プラズマとして筒状部１５内部に左端から右方向へ噴出される。噴出口２２１においては、アルゴン流が電極４３及び電極４４間の高周波電力によりプラズマ化され、予備プラズマとして筒状部１５内部に右端から左方向へ噴出される。電極４１と電極４３との間に高周波電力を印加すると、放電領域１５０の両端からなだれ込む２つのアルゴンプラズマ間で放電が生じ放電領域１５０全体が放電状態となる。導入口１３を介してアルゴン及び酸素の混合気体を供給すると、酸素プラズマＰ１５０が生じて、筒状部１５の下側に設けられた１７０個の第２の孔部１５２から下方向に照射される。即ち、長さ５０ｃｍに及ぶ長尺の酸素プラズマＰ１５０が生成し、照射される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、下地に与える影響を抑制することができるとともにレジストの剥離性を向上させることができるレジスト剥離装置およびレジスト剥離方法を提供する。
【解決手段】被処理物に形成されたレジストを剥離するレジスト剥離装置であって、前記レジストに亀裂液を供給する亀裂液供給手段と、前記レジストに供給された亀裂液を乾燥させて前記レジストに亀裂を発生させる乾燥手段と、前記亀裂が発生したレジストに剥離液を供給する剥離液供給手段と、を備えたことを特徴とするレジスト剥離装置が提供される。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアを中に導入することができる少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバと、プラズマ発生モジュールと、少なくとも１つのガス供給部と、少なくとも１つのガス排出部とを備える基板処理装置に関する。さらに、本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアが少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバに導入され、プロセス・チャンバ内で、プラズマ・プロセスにおいてプラズマ発生モジュールによってガスまたはガス混合物中でプラズマが発生され、基板のコーティング、エッチング、表面改質、および／または洗浄が行われる基板処理方法に関する。本発明の目的は、十分に表面テクスチャ加工された基板でさえ高いスループットおよび高品質で等方性エッチングすることができる、上記の一般的なタイプの基板処理装置および基板処理方法を提供することである。この目的は、まず、上記の一般的なタイプの基板処理装置であって、気相エッチング・モジュールがプロセス・チャンバ内に組み込まれた基板処理装置によって実現される。さらに、この目的は、上記の一般的なタイプの基板処理方法であって、プロセス・チャンバ内で、少なくとも１つの基板の気相エッチングが、プラズマ・プロセスの前に、および／またはプラズマ・プロセスの後に、および／またはプラズマ・プロセスと交互に行われる基板処理方法によって実現される。
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【課題】 太陽電池用シリコン基板の表面に微細な凹凸を形成するための反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置で、エッチング処理する際に生じるエッチングのムラを低減すること。
【解決手段】 アースに接続された筐体２と筐体２内に配置された高周波電圧を印加する平板電極１３と平板電極１３上に配置される複数の基板４を覆蓋するプレート部材５とを具備する反応性イオンエッチング装置において、プレート部材５がアースに接続されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の処理室内に渦流やガス溜りが形成されるのを防止する。
【解決手段】処理容器１０の処理室１０ａ内に支持部２１を設け、この支持部２１にて被処理物９を支持する。処理ガス供給系６０によって処理ガスを被処理物９に供給する。排気系７０によって、処理室１０ａ内のガスを排出する。排気系７０の排気孔７１を被処理物９と直交する方向から見て被処理物９（処理領域）を囲むように環状に分布させて設ける。 （もっと読む）

【課題】高周波電力を伝送する伝送線路上に発生するプラズマからの高調波による定在波を低減し、プロセスの再現性および信頼性を確保する。
【解決手段】処理ガス供給装置を備えた処理容器３７と、該処理容器内に配置され、処理ガスにプラズマ生成用高周波電源からの高周波エネルギを供給してプラズマを生成するアンテナ３８と、前記処理容器内に配置された基板電極１を備え、前記基板電極にイオン引き込み用高周波電圧を供給して前記プラズマ中のイオンを加速して前記基板電極上に載置した試料にプラズマ処理を施す処理装置において、ケーブル９ａ，９ｂ，９ｃの長さを切り換えるケーブル長切換手段１５ａ，１５ｂと、基板電極側からの反射波を検出する反射波検出手段１３と、前記ケーブル長切換手段を制御する切換制御手段１４を備え、プロセス処理に先立って前記ケーブル長をプロセス条件毎に予め設定した長さに切換えて前記反射波の高調波レベルを抑制する。 （もっと読む）

半導体基板が半導体基板支持部上に支持されたベベルエッチング装置内において、プラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行う際にアーク放電を防止する方法は、３〜１００Ｔｏｒｒの圧力までベベルエッチング装置を排気した状態で、ウェーハにおいて見られるＲＦ電圧を、アーク放電が回避される十分に低い値に維持しつつ、ベベルエッチング装置においてプラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行うステップを備える。 （もっと読む）

【課題】処理容器内のクリーニング性能を確保しつつ、被処理体を載置する高周波電極に設けられる静電チャックのエロージョンを効率的に低減する。
【解決手段】真空排気可能な処理容器１０に上部電極３８と下部電極１２とが平行に配置され、下部電極１２には第１高周波電源３２より第１整合器３４を介して第１の高周波が印加される。制御部６８は、半導体ウエハＷの無い処理容器１０内で行われるプラズマクリーニングに際して、プラズマ生成に寄与する第１の高周波が、プラズマを生成させる第１の振幅を有する第１の期間と、プラズマを実質的に生成させない第２の振幅を有する第２の期間とを所定の周期で交互に繰り返すように、第１高周波電源３２を制御する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の電極構造をコンパクトにし、かつ電極が放電で熱変形しても電極と固体誘電体との間に異常放電が起きるのを防止する。
【解決手段】電極１１の放電面１１ａに誘電体からなる誘電部材１２を被せる。電極１１の背面１１ｂに固定部材１３を対面させる。固定部材１３を誘電部材１２に対し位置固定する。背面１１ｂと、固定部材１３の背面対向面１３ｂの一方に収容凹部１５を形成し、他方を平坦面にする。板ばね１４の基部１４ｂを収容凹部１５に収容する。板ばね１４の弾性接触部１４ａを上記平坦面に弾力的に当てる。 （もっと読む）

【課題】電極を保護する部材を用いることなく、クリーニング時の電極のエッチングを抑制すると共にクリーニング作業時間を大幅に短縮でき、電極保護による経済性の向上と、クリーニング作業時間の短縮化とを両立させて、クリーニング作業の高品位化を図ったプラズマ処理装置及びそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】カソード電極３の上面部及び側面部にはガス噴出穴１３が複数開口されており、カソード電極３の下面部にはガス噴出穴１３と連通するガス供給口１４が形成されている。ガス供給口１４にはＨｅ又はＯ_２などのエッチング抑制ガス１５が供給されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、プラズマ処理装置のクリーニング方法であり、プラズマ処理室表面を効率良く清浄化し、スループットを向上できるプラズマ処理装置のクリーニングの方法を提供する。また、クリーニング中にウエハを設置する電極表面がプラズマに曝されないので電極の劣化を防止することができる。更に、クリーニングと同時に被処理体である低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）上に形成されたレジストマスクを除去する方法を提供する。
【解決手段】
スループットを向上させる手法として、ＣｘＦｘ系ガスを用いてエッチングされた低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）を、そのまま下部電極に載置した状態でＣＯ₂ガスによりプラズマクリーニングを行い、プラズマ処理室表面に付着したデポ物を除去する。この時、同時にＬｏｗ−ｋ膜上にパターニングされたレジストマスクを除去できるため、処理時間の大幅な短縮化が可能となる。 （もっと読む）