マイクロ電子デバイスの製造において使用される半導体処理システムのコンポーネントから残留物を洗浄するための方法および装置。残留物を効果的に除去するために、コンポーネントは、十分な時間の間および十分な条件下において、気相反応物質に接触させられて、残留物を少なくとも部分的に除去する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが異なる場合には、気相反応物質は、残留物と選択的に反応し、イオン注入装置のコンポーネントを構成する物質とは最小限だけ反応する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが同一である場合には、気相反応物質は、残留物およびコンポーネントパーツの両方と反応し得る。
（もっと読む）

【課題】基板表面の必要な範囲に均一なめっき処理を行うためのめっき前処理を確実に行うことができるようにする。
【解決手段】基板Ｗの表面に無電解めっきを施すに先だって、めっき前処理としての洗浄処理と触媒付与処理を行うにあたり、触媒付与処理によって基板Ｗ表面に触媒を付与する範囲より広範囲に洗浄処理を行う（触媒付与範囲Ｓ_１＜洗浄範囲Ｓ_２）。触媒付与処理によって基板表面に触媒を付与する範囲は、例えば、基板Ｗ表面の均一にめっき処理を行う必要がある範囲と同じ範囲である。 （もっと読む）

フッ素と、窒素および／またはアルゴンのような不活性ガスとの混合物を、半導体、ソーラーパネル、およびフラットパネル（ＴＦＴおよびＬＣＤ）をエッチングするため、ならびに半導体表面およびプラズマチャンバーをクリーニングするために使用することができる。二元混合物の中にフッ素が、１５〜２５容積％の量で含まれているのが好ましい。それらのガス混合物は、ＮＦ_３を含むそれぞれの混合物に対する、代替物またはドロップインとして使用することが可能であり、プラズマ装置の運転を極めてフレキシブルとすることができる。たとえば、ＮＦ_３／Ａｒ混合物用に調整された装置を、さらなる調整をすることなく、フッ素とアルゴン、場合によっては窒素も加えて使用して運転することが可能である。フッ素、窒素およびアルゴンの三元混合物を使用する場合、そのフッ素含量は、１〜５容積％の範囲とするのが好ましい。 （もっと読む）

静電チャック（ESC）の洗浄方法であって、ESCのセラミック表面を誘電性流体に浸す工程と、ESCのセラミック表面を導電性表面から離して、誘電性流体がESCのセラミック表面と導電性表面との間に満たされる工程と、誘電性流体を超音波攪拌すると同時にESCに電圧を印加する工程と、を含む。 （もっと読む）

加圧・排出サイクルを用いて基材に化学種を挿入および除去する方法が本発明の実施形態において開示される。様々な実施形態が圧力を高いレベルに設定しながら基材を含む容器に流体を導入する。圧力はあらかじめ決定した時間にわたり高いレベルに維持され、容器から流体を除去することによって下げられる。流体を導入し、圧力を維持し、また圧力を下げるステップが少なくとも１回繰り返される。本発明の実施形態では、基材のボイドから化学種を除去することを可能にし、ボイド内に新しい化学種を挿入することを可能にする。特定の実施形態では、前調整、活性化、および／または、ガス精製基材再生のまたは半導体基材に対して化学種を除去および／または送達することに特定の適用例も有する。本発明の実施形態では、パージまたは充てん流体の少ない使用量で、基材へ、また基材から化学種を迅速に移動することを可能にする。 （もっと読む）

洗浄後にプラズマエッチングチャンバで誘電体材料をエッチングするために使用することができる電極アセンブリの洗浄方法は、好ましくは黒色シリコン汚染をシリコン表面から除去するように、電極アセンブリのシリコン表面を研磨することを含む。 （もっと読む）

膜除去システム（２００、２０１）中の基板（１７８、２６５）を処理するための方法及びシステムである。本方法は、膜除去システム（２００、２０１）の基板チャンバ（２５０）内にミクロフィーチャ（１７０）の側壁（１８３）上の誘電体膜（１８２）及び誘電体膜（１８２）の一部を覆うフォトレジスト膜（１８４）を有するミクロフィーチャを有する基板（１７８、２６５）を提供する段階と、フォトレジスト膜（１８４）によって覆われていない誘電体膜（１８２）の部分（１８６）を除去するため超臨界ＣＯ_２処理を用いた第一の膜除去プロセスを実施する段階と、を含む。第一の膜除去プロセスの後、フォトレジスト膜（１８４）を除去するため超臨界ＣＯ_２処理を用いた第二の膜除去プロセスが実行されてよい。他の実施形態では、第一の膜除去プロセスまたは第二の膜除去プロセスの一つを実行するため湿式処理が用いられてよい。
（もっと読む）

エッチングチャンバ、レジスト剥離チャンバ等の、半導体基板が処理されるプラズマ処理チャンバ用の構成要素の石英表面のウェット洗浄方法は、石英表面を、少なくとも一つの有機溶媒、塩基溶液及び複数の異なる酸溶液と接触させて、石英表面から有機汚染物質及び金属汚染物質を除去する工程を含む。石英表面は、好ましくは、少なくとも２回酸溶液の一つと接触させられる。 （もっと読む）

本発明は、電子デバイスを製造する際に使用される堆積チャンバの内部などの表面から表面堆積物を除去するための改良されたリモートプラズマクリーニング方法に関する。改良は、遠隔チャンバから表面堆積物までの経路の内面のフルオロカーボンリッチプラズマ前処理を伴う。
（もっと読む）