【課題】出口部での清掃残りの発生を抑制し、マウンドやランプ加熱式成長装置の場合のスリップを抑制可能な枚葉式ＣＶＤ用チャンバのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内のクリーニング時、エッチングガスを成長ガスの流れ方向とは反対方向から内部流路へ供給するので、分解生成物が堆積し易い出口部の内壁に対して、充分な量のエッチングガスを供給できる。そのため、出口部における分解生成物の清掃残りの発生を抑制できる。その結果、分解生成物が内壁から剥がれて生じるパーティクルを原因としたマウンドや、ランプ加熱方式の気相成長装置を採用したときのスリップを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】例えばスピン式のウェットエッチング処理装置等の基板処理装置のチャンバ内を効率的に洗浄する。
【解決手段】基板処理装置の洗浄方法は、遮断板（３０）を回転させながら、遮断板の上方に設けられた洗浄液供給手段（７０）から洗浄液を遮断板に対して吐出させることにより、遮断板から飛散される洗浄液によってチャンバ（５００）内を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】周囲に飛散する薬液や水の跳ね返りを抑制することができる半導体基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗを保持する保持部２と、保持部を回転させる回転部３と、保持部の周囲を囲って設けられたカップ４とを備え、半導体基板Ｗの乾燥時には、回転部３を回転すると共に、エア吹き付け部５によってカップの内面にエアを吹き付ける。更に、ヒータ６によって少なくともカップ４の内面を１００℃程度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】実質的に粘着力を有さないクリーニング層を備えるクリーニング機能付搬送部材であって、搬送性能に優れ、エッジ付近を含むチャックテーブル全面にわたって均一に異物除去性能に優れ、さらに、ウェハのハンドリング部であるウェハエッジ部分付近への異物付着や汚れ付着が効果的に防止でき、機械式固定方式におけるウェハ接触部への異物付着や汚れ付着が効果的に防止できる、クリーニング機能付搬送部材を提供する。また、そのようなクリーニング機能付搬送部材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のクリーニング機能付搬送部材は、クリーニング層を有するクリーニング機能付搬送部材であって、該クリーニング層は実質的に粘着力を有さず、該クリーニング層は、搬送部材の一方の面の全面と、搬送部材のエッジ部分と、搬送部材のもう一方の面の一部とを連続的に覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】異物の他の構成部品への付着を防止しつつ容易に構成部品を洗浄することができる構成部品の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウエハドライクリーニング装置１０は、処理室１１と、該処理室１１内の下方に配置されてウエハＷを載置する載置台１２と、処理室１１内において載置台１２に対向配置された、パーティクルが付着した捕集板１３と、誘導結合プラズマ生成装置であるプラズマ生成装置１４とを備え、まず、処理室１１内へダミーウエハ２０を搬入し、該ダミーウエハ２０の表面に正電位を発生させ、ダミーウエハ２０よりも捕集板１３の近傍での表面波プラズマの生成、及び表面波プラズマの生成の中止を交互に繰り返し、その後、処理室１１内からダミーウエハ２０を搬出する。 （もっと読む）

【課題】短時間で多連バルブ内をリンス液で確実に洗い流し、ひいては、高いスループットでウエハを処理すること。
【解決手段】液処理方法は、薬液供給バルブ１１ａと、リンス液供給バルブ１２ａと、排出バルブ１１ｂを有する多連バルブ１０と、多連バルブ１０を経た薬液Ｃおよびリンス液Ｒを被処理体Ｗに向かって案内する洗浄液供給管５を介して、被処理体に薬液およびリンス液を供給して処理する。液処理方法は、薬液供給バルブ１１ａを開状態にして薬液Ｃを被処理体Ｗに供給する薬液供給工程と、当該薬液供給工程の後に行われ、リンス液供給バルブ１２ａと排出バルブ１２ｂの両方を開状態にして、リンス液供給部から供給されるリンス液Ｒの一部を被処理体Ｗに供給するとともに、該リンス液Ｒの残部を多連バルブ１０内で排出路２ｂに向かって流すバルブリンス工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板を洗浄処理した後、ＩＰＡ等の乾燥用溶剤を用いて乾燥した場合に、スループットを低下させることなく薬液を回収することができる洗浄装置および洗浄方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを回転させながら、ウエハＷに薬液洗浄を施し、リンス処理を施し、その後ＩＰＡによる乾燥処理を施す洗浄機構１は、排液カップ６および排液配管３１を洗浄するための洗浄液を、ウエハＷに供給されない状態で、排液カップ６に供給する洗浄液供給機構３９を有し、さらに洗浄機構１の各構成部を制御する制御部４０を有し、この制御部４０は、ウエハＷの洗浄処理、その後のリンス処理を実施させた後、ＩＰＡによる乾燥処理を行わせている際に、乾燥処理が実施されているタイミングで洗浄液を排液カップ６に供給させるように制御する。 （もっと読む）

【課題】対向して配置されたイオンビーム発生装置を備える基板処理装置をクリーニングする方法およびその機能を備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板が配置される面Ｓを挟むように第１および第２のイオンビーム発生装置１ａ，１ｂが対向して配置され、前記基板の両面を処理する基板処理装置１００のクリーニング方法は、前記第１のイオンビーム発生装置１ａと前記第２のイオンビーム発生装置１ｂとの間から基板を退避させる退避工程と、前記第１のイオンビーム発生装置から前記第２のイオンビーム発生装置にイオンビームを照射して、前記第２のイオンビーム発生装置をクリーニングするクリーニング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、プラズマ処理装置のクリーニング方法であり、プラズマ処理室表面を効率良く清浄化し、スループットを向上できるプラズマ処理装置のクリーニングの方法を提供する。また、クリーニング中にウエハを設置する電極表面がプラズマに曝されないので電極の劣化を防止することができる。更に、クリーニングと同時に被処理体である低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）上に形成されたレジストマスクを除去する方法を提供する。
【解決手段】
スループットを向上させる手法として、ＣｘＦｘ系ガスを用いてエッチングされた低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）を、そのまま下部電極に載置した状態でＣＯ₂ガスによりプラズマクリーニングを行い、プラズマ処理室表面に付着したデポ物を除去する。この時、同時にＬｏｗ−ｋ膜上にパターニングされたレジストマスクを除去できるため、処理時間の大幅な短縮化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】反応槽のクリーニングのためのドライエッチングの終点判断を正確に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】製造装置の反応槽内で基板上に構造膜を形成することにより半導体装置を製造するプロセスにおいて、反応槽内のクリーニングを行う。すなわち、反応槽の内壁にホウ素を含有したシリコン窒化膜からなるプレコート膜を堆積させ（ステップＳ１１）、反応槽内において基板上に構造膜としてホウ素を含まないシリコン窒化膜を形成し（ステップＳ１２）、反応槽の内壁をドライエッチングしてクリーニングする（ステップＳ１３）。このとき、ドライエッチングは、反応槽から排出されるガスにホウ素が検出された後で終了させる。 （もっと読む）

【課題】局所密閉型清浄化装置冷却部の性能を向上することなく、局所密閉型清浄化装置の冷却部に起こりうる急な負荷変動を低減できる技術を提供する。
【解決手段】電子部品を製造する電子部品製造装置と該電子部品を搬送する電子部品搬送装置との間で電子部品を移送するためのインターフェース部を気密に閉鎖するチャンバと、チャンバから排出される清浄空気を循環清浄空気として該チャンバへ導く清浄空気循環通路と、清浄空気循環通路を流れる循環清浄空気を循環させる送風部と、清浄空気循環通路上に設けられ、循環清浄空気を冷却する冷却部と、清浄空気循環通路上の、循環清浄空気の流れにおける、冷却部の上流側に設けられる蓄熱部と、を備える。蓄熱部は、循環清浄空気の熱を蓄熱して冷却部の負荷の低減を図ると共に、循環清浄空気に含まれる分子状の汚染物質を捕集する。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部を保持する保持溝の内部を好適に洗浄することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】起立させた基板５０を収容する処理槽１０と、基板５０の周縁部５２を保持する保持溝２２を有し処理槽１０に対して昇降移動する基板昇降部（リフタ）２０と、処理槽１０に収容された基板５０を保持溝２２の溝壁面および溝底面から脱離させるとともに、基板５０の外周面５４が保持溝２２の溝底面に対向した状態で基板５０を保持する槽内保持部１２と、槽内保持部１２に保持された基板５０の周縁部５２と保持溝２２との間に、周縁部５２に沿って洗浄液Ｗを流通させる保持溝洗浄部３０と、を備える基板処理装置１００。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れを生じることのない基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面に付着したパーティクルＰを洗浄、除去する基板洗浄方法において、ウエハＷを加熱してウエハＷの表面に付着するパーティクルＰを熱応力によってウエハＷの表面から剥離させる加熱ステップと、ウエハＷ表面の近傍に生じた温度勾配によりパーティクルＰをウエハＷの表面から脱離させる脱離ステップと、ウエハＷの表面から脱離したパーティクルＰを、ウエハＷに対向配置された捕集板１３によって捕集するパーティクルＰの捕集ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】吸着パッドの吸着面に偏磨耗を発生させることがないとともに、被加工物に貼着された保護テープを剥離することなく洗浄すること。
【解決手段】被加工物を研削する研削手段と、被加工物を吸引保持する吸着パッドを備えた被加工物搬出手段と、被加工物の被保持面および吸着パッドの吸着面を洗浄する洗浄機構８とを具備する研削装置であって、洗浄機構８は吸着パッドの吸着面に垂直な方向に配設された回転軸と、回転軸を回転駆動する回転駆動手段８３と、回転軸の上端部に径方向に突出して配設され吸着パッドの吸着面を洗浄するための研削部材８４２を備えた第１の洗浄手段８４と、被加工物の被保持面を洗浄ための柔軟部材を備えた第２の洗浄手段８５と、第１の洗浄手段８４と第２の洗浄手段８５のいずれか一方を軸方向に進退し他方の洗浄手段の上面より高い洗浄位置と他方の洗浄手段の上面より低い退避位置に位置付ける位置付け手段８６とを具備している。 （もっと読む）

【課題】装置の占有面積を抑制しながら、基板処理速度を向上する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板処理部と、払出機構７０と、搬入機構７１と、プッシャ６と、主搬送機構３とを含む。基板処理部は、複数枚の基板Ｗに対して一括して処理を施す。払出機構７０は、払出チャック７３を基板移載位置Ｓと基板受け渡し位置Ｐとの間で第１横行経路１０１に沿って横行させる。搬入機構７１は、搬入チャック７４を基板移載位置Ｓと基板受け渡し位置Ｐとの間で第１横行経路１０１よりも下方の第２横行経路１０２に沿って横行させる。プッシャ６は、昇降保持部１０５を基板移載位置Ｓにおいて昇降させる。主搬送機構３は、基板受け渡し位置Ｐと前記基板処理部との間で複数枚の基板Ｗを一括して搬送する。払出チャック７３、搬入チャック７４および昇降保持部１０５は、それぞれ、複数枚の基板Ｗを一括して保持することができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄手順が簡単である上に洗浄効果も高く安全に洗浄することができるチャンバ洗浄方法を提供する。
【解決手段】希塩酸蒸気ＰＳＭがチャンバ１９内を満たすので、チャンバ１９内に用いられているフッ素樹脂から金属成分が溶出する。バブリングを停止するとともに希塩酸蒸気ＰＳＭをチャンバ１９外へ排出し、チャンバ１９内に付着している希塩酸蒸気ＰＳＭの凝結分を洗浄除去する。希塩酸ＰＳを貯留した容器７１をチャンバ１９内に導入して、バブリングさせるだけで洗浄ができ、手順を大幅に簡単化できる。その上、希塩酸蒸気ＰＳＭによって洗浄するので、従来では洗浄できなかった部位の洗浄をも行うことができ、洗浄効果を向上させることができる。さらに、チャンバ１９に大量の塩酸を貯留する場合に比較して、希塩酸ＰＳの漏洩の恐れが極めて少なくなるので、安全に洗浄を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度を低減した処理液で基板を処理できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに対向する基板対向面３４を有し、基板対向面３４の周囲からスピンチャック３に向かって突出した周壁部３２が形成された遮断板６と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに処理液を供給する第１上側処理液供給管３５とを備えている。第１上側処理液供給管３５には、第２上側処理液供給管３８を介して第１配管内調合ユニット５１から薬液が供給される。この薬液は、薬液原液と、不活性ガス溶存水生成ユニット５０によって純水中の酸素が脱気され、当該純水中に不活性ガスが添加されて生成された不活性ガス溶存水とが第１混合部５９内で混合されることにより調合されたものである。 （もっと読む）

【課題】洗浄槽に純水を安定して供給でき、かつ、設備の大型化やコストアップを抑えることができるフープ洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽３に設けられたノズル２７に、フープ洗浄用に純水を収容する水タンク３２をバルブ４６を介して接続し、水タンク３２に水圧送用の圧気を供給するための圧気供給手段５３を接続し、洗浄槽３に、フープ洗浄後に洗浄槽３内の水を排出すると共に、フープ乾燥時に洗浄槽３内の空気を排出するための排気排水口３４を形成し、排気排水口３４に気液分離器９を介して空気吸引手段４２を接続し、空気吸引手段４２と水タンク３２を同一のケーシング４７内に収容してユニット化したものである。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハや熱処理炉内のシリコン系部材における汚染金属の濃度を十分に低減できる洗浄方法及びそれを用いたシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエハ６１やシリコンダミーウエハ６５、熱処理炉６の内部に配置されるシリコンウエハボート６２等のシリコン系部材の洗浄方法であって、シリコンウエハ６１及びシリコン系部材を、１０００℃以上の酸化性雰囲気下で熱処理する酸化熱処理工程中に、シリコンウエハ及びシリコン系部材に対して塩化水素ガスを接触させる洗浄工程を行う。これにより、鉄等の汚染金属濃度を充分に低減できる。 （もっと読む）

【課題】ノズルの稼働率を向上させて処理ユニットのスループットを向上させる。
【解決手段】現像処理ユニット１においては、ノズル２１を共用する複数個の現像処理セット１０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対する現像処理が行われる。進入領域Ｋ（現像処理ユニット１に対する基板Ｗの搬出入を行う搬送機構のハンドが現像処理ユニット１内に進入する領域）の上方には、現像処理セット１０間にわたって移動経路Ｌ２１が形成されている。制御部９１は、移動経路Ｌ２１に沿ってノズル２１を移動させることによって、ノズル２１を現像処理セット１０の間で移動させる。この構成によると、搬送機構が現像処理ユニット１に対する基板の搬出入を行っている間であってもそのハンドとの干渉を考慮せずにノズル２１を現像処理セット１０間で自由に移動させることができるので、ノズルの稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）