【課題】ノズルの稼働率を向上させて処理ユニットのスループットを向上させる。
【解決手段】現像処理ユニット１においては、ノズル２１を共用する複数個の現像処理セット１０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対する現像処理が行われる。進入領域Ｋ（現像処理ユニット１に対する基板Ｗの搬出入を行う搬送機構のハンドが現像処理ユニット１内に進入する領域）の上方には、現像処理セット１０間にわたって移動経路Ｌ２１が形成されている。制御部９１は、移動経路Ｌ２１に沿ってノズル２１を移動させることによって、ノズル２１を現像処理セット１０の間で移動させる。この構成によると、搬送機構が現像処理ユニット１に対する基板の搬出入を行っている間であってもそのハンドとの干渉を考慮せずにノズル２１を現像処理セット１０間で自由に移動させることができるので、ノズルの稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】超音波を用いた枚葉式の洗浄装置において、洗浄速度に優れ、かつ、被洗浄物（ウエハ）の全面を均一に洗浄できる洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置１０に、超音波振動子２１から伝搬する超音波を照射する照射面２０ａを両側に備え、かつ、それら２つの照射面２０ａ内に洗浄液を噴出する噴出口２０ｂをそれぞれ備えた振動体２０と、照射面２０ａのそれぞれと対向するウエハ５０を平行に並べて保持するガイドローラ１１ｃとを設ける。照射面２０ａ内に配置された噴出孔２０ｂから洗浄液を噴出させつつ、超音波を照射面２０ａからウエハ５０に照射して洗浄を行うことで２つの被洗浄面を同時に洗浄できる。 （もっと読む）

【課題】チャックテーブルの吸着面に付着したシリコンダストを容易に除去することができ、これによりチャックテーブルの吸着面を汚れていない状態に再生することができるチャックテーブル洗浄方法、チャックテーブル洗浄装置及び半導体ウェーハ平面加工装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハを吸着するチャックテーブル８の吸着面１３に付着しているシリコンダストを除去するチャックテーブル洗浄方法において、チャックテーブル８の吸着面１３を、六フッ化硫黄ガス、酸素ガス、アルゴンガスを含む混合ガスを用いて、プラズマ洗浄する。 （もっと読む）

【課題】
ウェハキャリア洗浄／乾燥装置と方法を開示する。
【解決手段】
キャリアを洗浄および乾燥させる装置であって、キャリアを保持するチャンバを含んでおり、該チャンバはその内部にキャリア外部噴射システムとキャリア内部噴射システムとを含んでおり、該キャリア外部噴射システムは、流体を前記キャリアの外面上に噴射する少なくとも１つのスロットを含んでおり、前記キャリア内部噴射システムは、流体を前記キャリア内部に噴射する少なくとも１つのスロットを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】基板表面のパターンが破壊されるのを防止することができ、また、ウォータマークの発生を防止することができる半導体装置の製造方法及び基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板を回転させながら基板表面を洗浄する洗浄工程を有する半導体装置の製造方法において、前記洗浄工程は、前記基板に対して洗浄液を供給して前記基板表面を洗浄する工程（ステップＳ１６）と、前記基板に対して純水を含むリンス水を供給して前記洗浄後の前記基板表面をリンスする工程（ステップＳ１８）と、前記リンス後の前記基板を乾燥させる工程（ステップＳ２２）と、を有し、前記基板表面をリンスする工程では、前記リンス水にＨＦを添加する。 （もっと読む）

【課題】フッ素含有ガスを用いたプラズマエッチング工程で発生するプラズマ重合物を有する被洗浄物を、良好に除去できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】フッ素含有ガスを用いたプラズマエッチング工程で発生するプラズマ重合物を有する被洗浄物を、含フッ素化合物を含有する洗浄液に浸す浸漬工程を有する洗浄方法であって、前記含フッ素化合物が、炭素数５以上の直鎖または分岐構造のパーフルオロアルキル基を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プリディスペンスに要する時間の短縮、および加熱または冷却される第１流体の消費量の低減を図ることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】硫酸過水ノズル４に接続される硫酸供給配管１４の上流端は、処理液キャビネット２内の循環配管２２に分岐接続されている。処理液キャビネット２内において、硫酸供給配管１４には、第１配管継手３０が介装されている。また、処理室１内のノズルアーム１０の先端部において、硫酸供給配管１４には、硫酸過水ノズル４に近接して配置された第２配管継手３１が介装されている。第１および第２配管継手３０，３１の間において、循環配管２２および硫酸供給配管１４は、循環配管２２内に硫酸供給配管１４が挿通されることにより二重配管構造を形成している。 （もっと読む）

【課題】収容部材内の薬液ミストを含む雰囲気が処理室内に拡散することを防止できる、基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ２内において、ウエハＷを保持するウエハ回転機構３は、カップ８内に収容された状態で設けられている。カップ８の上端部には、カーテン形成ノズル３０が設けられている。また、処理チャンバ２内には、ウエハＷの表面にＳＰＭを供給するための移動ノズル１４が設けられている。少なくともウエハＷの表面へのＳＰＭの供給中は、カップ８の上方に水カーテンＷＣが形成され、水カーテンＷＣによって、カップ８の内側の空間を含む水カーテンＷＣの内側の空間と水カーテンＷＣの外側の空間とが遮断される。 （もっと読む）

【課題】清浄な状態で対象物に成膜処理を行い、且つ、装置稼働率と成膜処理効率とを向上させた成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】金属基板が収容されたチャンバ内を所定の圧力に減圧する減圧工程（ステップＳ１２）と、チャンバ内に収容された金属基板にシリコン系薄膜を成膜する成膜工程（ステップＳ１５）との間に、金属基板が収容された状態で、チャンバ内をクリーニングするクリーニング工程（ステップＳ１３）を設けた。クリーニング工程（ステップＳ１３）では、チャンバに付着している成膜処理による残膜を除去する残膜除去処理と、残膜除去処理による生成物の残渣を除去する残渣除去処理とが実行される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、輸送管内部の金属付着物の状況を知ることができるプラズマ処理装置の検査方法、検査装置、プラズマ処理装置、プラズマ処理装置のクリーニング方法、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】放電管とマイクロ波導入手段とを有し、前記放電管内に導入されたガスにマイクロ波を作用させてプラズマを生成するプラズマ発生室と、被処理物を収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なプラズマ処理室と、前記プラズマ発生室と前記プラズマ処理室とを接続する輸送管と、を有するプラズマ処理装置の検査方法であって、前記放電管内に検査ガスを導入し、前記放電管内にマイクロ波を導入して前記検査ガスのプラズマを生成し、前記プラズマ処理室における光の強度を測定すること、を特徴とするプラズマ処理装置の検査方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の稼働率の低下を防止することができるクリーニング基板及びクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プロセスモジュール１１のチャンバ１７内に、円板状のシリコン基材４３と、該シリコン基材４３上に設けられた不織布４４とを有するクリーニング基板４５を搬入し、チャンバ１７内を排気する排気システムによりチャンバ１７内を真空引きすると共に、チャンバ１７の壁面や構成部品の表面に付着しているパーティクルを剥離させて、チャンバ１７内のパーティクルをクリーニング基板４５の不織布４４に入射させ、その後、不織布４４内にパーティクルを捕捉したクリーニング基板４５をチャンバ１７内から搬出する。 （もっと読む）

【課題】安全処理部におけるメンテナンスを考慮してスケジューリングすることにより、ロットに対する過剰処理を防止することができる。
【解決手段】乾燥処理部ＬＰＤにてメンテナンスＭ１が行われる場合には、仮想リソースＶＩＬの使用を一連の処理工程Ｐ２〜Ｐ５に対して排他することができるので、乾燥処理部ＬＰＤのメンテナンスＭ１に並行して薬液処理部ＣＨＢ１のリソースが使用されることを防止できる。その結果、乾燥処理部ＬＰＤにおけるメンテナンスＭ１が時間的に後ろに延びた場合であっても、ロットに対する過剰処理を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】処理液案内部材の内方に処理液雰囲気を保持することができ、処理液案内部材外への処理液雰囲気の流出を抑制または防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】内構成部材１９は、スピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられ、第１案内部２５、廃棄溝２６、内側回収溝２７および外側回収溝５２を一体的に有している。中構成部材２０は、内構成部材１９の外側においてスピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられ、第２案内部４８を有している。外構成部材２１は、中構成部材２０の第２案内部４８の外側においてスピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられている。外構成部材２１には、スカート部８０が備えられている。スカート部８０の垂下部８１の下端部は、液体貯留部７０に貯留された液体中に浸漬されていて、液封構造を形成している。 （もっと読む）

【課題】クリーンルーム内での半導体ウエハの製造工程に対して、イオナイザーの使用を伴う清浄ガスの吹き付けによる有害パーティクルの付着防止工程を加えても、腐食性のある反応生成不純物が生成され難い半導体装置の製造方法および吹き付けエアーの有害パーティクル除去装置を提供すること。
【解決手段】微粒子エアーフィルター５およびケミカルエアーフィルター６を通過するクリーンルーム外空気または窒素ガスを主体とするエアーにコロナ放電型イオナイザー８を機能させてイオン化し、その後、イオン化されたエアーをクリーンルーム１内の半導体製造のための作業ブース４内の作業ワーク１４に吹き付ける工程を有する半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の処理テーブルや基板搬送系に付着している種々の大きさの異物を簡便かつ確実に除去するクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、シリコンウェハのミラー面搬送による異物捕集能力とは異なる異物捕集能力を有するクリーニング部材を搬送すること、および、該クリーニング部材の搬送の後、シリコンウェハのミラー面搬送を行うことを含む。好ましくは、異物捕集能力は、異物の大きさにより規定される。 （もっと読む）

【課題】ジクロロエチレンを熱分解させて、又はジクロロエチレンと酸素とを反応させて得られたクリーニングガスを使用して、カーボンや水が処理管の中に導入されないように、半導体処理装置の処理管内部の金属汚染をクリーニングできるクリーニングガス供給装置を提供する。
【解決手段】ジクロロエチレンを収容する容器部１０と、ジクロロエチレンと酸素とを反応させて又はジクロロエチレンを熱分解させてクリーニングガスを調製するジクロロエチレン反応部２０と、該容器部１０中のキャリアガスのバブリングが生ずるように連結されたキャリアガス導入路３０と、該容器部１０から混合ガスを該ジクロロエチレン反応部２０に供給するための混合ガス供給路４０と、該ジクロロエチレン反応部２０に酸素を供給するための酸素供給路５０と、該ジクロロエチレン反応部２０から処理管にクリーニングガスを供給するためのクリーニングガス供給路６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染を抑制または防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、スピンベース６から離隔させた状態でウエハＷを水平に保持する複数個の挟持部材７を有するスピンチャック２を備えている。ウエハＷとスピンベース６との間には区画板３２が配置されている。ウエハＷとスピンベース６との間の空間は、区画板３２によって基板側の空間Ｓ１ａとベース部材側の空間Ｓ１ｂとに区画されている。下側処理液吐出口３７から処理液が吐出されることにより、基板側の空間Ｓ１ａに処理液が供給され、ウエハＷの下面が処理される。また、洗浄液吐出口３０から洗浄液が吐出されることにより、ベース部材側の空間Ｓ１ｂに洗浄液が供給され、スピンベース６の上面６ａおよび区画板３２の下面３２ｂが洗浄される。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム金属又はアルミニウム合金よりなる半導体製造装置部品にダメージを与えることなく、堆積した付着物を除去することができ、安全な洗浄方法を提供する。
【解決手段】ａ）半導体製造装置部品を、フッ化物：カルボン酸：ホウ酸とを例えば、１ｐｐｍ〜４％：０．１〜２０％：０．１〜５％の組成比（重量比）で含んでなる組成物で洗浄する工程、ｂ）半導体製造装置部品を非イオン系界面活性剤及び／又は酸化剤を、０．０１〜１０重量％含んでなる組成物で洗浄する工程、のａ）、ｂ）両工程で洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置内の搬送性および装置内に付着している異物の除去性の両者に優れている、クリーニングシートに好適な粘着剤層を提供すること。
【解決手段】アクリル系粘着剤を含有してなる平面状の表面を有する粘着剤層であって、前記アクリル系粘着剤が、アクリル系モノマー及び／又は前記アクリル系モノマーを重合してなるアクリル系ポリマーを含有し、前記粘着剤層の表面に不連続な凹部を有し、前記粘着剤層の引張り弾性率が１０ＭＰａ未満であることを特徴とする粘着剤層。 （もっと読む）

【課題】基板から排出された処理液が蒸気となることを抑制または防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、スピンチャック３、処理液ノズルおよびカップ５を備えている。スピンチャック３によりウエハＷが回転された状態で、当該ウエハＷの上面に処理液ノズルから処理液が供給される。ウエハＷに供給された処理液は、遠心力によりウエハＷから排出され、カップ５により受け止められる。このとき、処理液ノズルからの処理液の吐出と並行して、洗浄液ノズル３８から洗浄液が吐出されており、カップ５により受け止められた処理液は、速やかに洗い流されて排液口３２から排液される。 （もっと読む）