【課題】半導体装置の製造コストを低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、高誘電率膜が形成された基板を処理室内に搬入するステップと、前記処理室に接続されたプラズマユニットによるプラズマによって活性化した窒素原子を含むガスを前記処理室内に供給して前記高誘電率膜に対してプラズマ窒化処理を施すステップと、前記処理室内に成膜ガスを供給して前記プラズマ窒化処理後の高誘電率膜上に電極膜を形成するステップと、前記電極膜形成後の基板を前記処理室内から搬出するステップと、前記プラズマユニットによるプラズマによって活性化したクリーニングガスを前記処理室内に供給して前記処理室内をクリーニングするステップと、を有する。
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【課題】リモートプラズマクリーニングは、成膜時と異なりプラズマ励起に適合した条件でないため、局所的にプラズマを励起すること自体が困難であり、また、光を使う方法では検出窓の曇りと言うCVDプロセスでは不可避の問題があり、量産工程に適合していない。
【解決手段】これらの問題を解決するための本願発明の概要は反応室においてプラズマを用いて反応ガスを励起して所望の膜を堆積するステップと同反応室にリモートプラズマ励起室で励起されたクリーニングガスを導入して非プラズマ励起雰囲気で同反応室をリモート・プラズマ・クリーニングするステップを繰り返す半導体集積回路装置の製造方法において、容量結合型のプラズマ励起システムにより反応室または反応室の排気のための真空系に局所プラズマを生成し、そのプラズマの電気的特性をモニタすることにより、リモート・プラズマ・クリーニングの終点を検出するものである。 （もっと読む）

【課題】ロットに含まれる基板に対して所定の処理を施す際に、装置の稼働率を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】各処理ユニット１〜４では、予め規定された３つの測定清浄度レベルＭＡ〜ＭＣからパーティクルカウンタ４１〜４４の測定結果に対応する清浄度レベルが測定レベルとして設定される。一方で、ロット側でも、予め規定された３つの要求清浄度レベルから基板Ｗが属するロットに要求される清浄度レベルが要求レベルとして設定される。３つの測定清浄度レベルＭＡ〜ＭＣと３つの要求清浄度レベルＲＡ〜ＲＣとの間の対応関係に基づいて、要求レベルに応じて処理ユニット１〜４のいずれかが選択され、選択された処理ユニットで基板Ｗが処理される。 （もっと読む）

【課題】リモートプラズマクリーニングは、成膜時と異なり成膜反応室はプラズマ励起されておらず、従来のように発光で終点を検出することが原理的にできないと考えられている。そこで成膜用の励起電極を利用して検出用にプラズマ励起したり、局所的にプラズマを励起することが考えられるが、もともと励起に適合した条件でないため、局所的にプラズマを励起すること自体が困難であり、また、大域的にプラズマ励起することはリモートプラズマクリーニングの目的に反する。
【解決手段】これらの問題を解決するための本願発明の概要は非プラズマ励起状態の成膜反応室からの微弱な発光をモニタしてリモートプラズマクリーニングの終点を検出するものである。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内を洗浄するための洗浄液による基板汚染を防止することができる基板処理装置および処理チャンバ内洗浄方法を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ２内においては、閉状態におけるシャッタ１８上部の側方（水平でかつ側壁１に沿う方向）の一方側（図で示す右側）には、洗浄液を吐出するための第１洗浄液吐出ノズル３２と、洗浄液を吐出するための第２洗浄液吐出ノズル３３と、Ｎ₂ガスを吐出するためのＮ₂ガス吐出ノズル３４とが設けられている。シャッタ１８の上部に付着したＳＰＭが、洗浄液によって洗い流される。また、洗浄に用いられた洗浄液がＮ₂ガスによって除去される。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶリソグラフィ装置のスループットを向上し、リソグラフィ装置の所有コストを減らすこと。
【解決手段】リソグラフィ装置は、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを保持するように構成されたパターンサポートであって、パターニングデバイスが放射ビームをパターニングし、パターン付き放射ビームを形成するように構成される、パターンサポートと、基板を保持するように構成された基板ホルダであって、基板ホルダは基板と接触する支持表面を含む、基板ホルダと、基板上にパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムと、洗浄ユニットを含む洗浄システムであって、洗浄ユニットは基板ホルダの支持表面上にラジカルを発生させ、そこから汚染を除去するように構成される、洗浄システムを含む。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制することができる薄膜形成装置の洗浄方法を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置の洗浄方法は、薄膜形成装置から洗浄する部品を取り外す部品取り外し工程（Ｓ１）と、取り外した部品をウエット洗浄を行う位置まで搬送する洗浄位置搬送工程（Ｓ２）と、搬送された部品の外表面に付着したアルミニウムを除去するアルミニウム除去工程（Ｓ３）と、アルミニウムが除去された部品を洗浄液を用いてウエット洗浄し、当該部品を洗浄する洗浄工程（Ｓ４）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】テラス部に酸化膜を有するＳＯＩウェーハのＳＯＩ層上にシリコンエピタキシャル層を簡単に成長させることができ、製造されるＳＯＩウェーハの反りを抑制することができ、また、デバイス製造等といった後の工程においてもパーティクルの発生を低減することができ、さらにそのようなＳＯＩウェーハ製造のコスト削減を図ることができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】テラス部に酸化膜を有するＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の全面にシリコンエピタキシャル層を形成する工程（ｆ）において、反応ガスにＨＣｌガスを混合することを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。 （もっと読む）

基板洗浄チャンバは、基板支持体に面する弧状面を有する輪郭付けされた天井電極を含み、弧状面と基板支持体との間のギャップの大きさを変えて基板支持体にわたり変化するプラズマ密度を与えるための可変断面厚みを有している。洗浄チャンバのための誘電体リングは、ベースと、峰部と、基板支持体の周囲リップをカバーする半径方向内方の張出部とを含む。ベースシールドは、少なくとも１つの周囲壁を有する円形ディスクを含む。洗浄チャンバのための洗浄及びコンディショニングプロセスについても説明する。 （もっと読む）

【課題】水分量が１ＰＰＢ以下というこれまで実現しえなかった環境下での脱水を行うことができ、これにより、脱水時間を顕著に短縮し、残留水分を低減化する顕著な効果が得られ、また、極めて水の少ない環境下で半導体装置の製造を行い、半導体装置に不純物として残留する水を極限まで低減させることが可能となる処理システムを提供する。
【解決手段】酸素分子排出時に電圧印加をＯＮにし、酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置と、を備えるガス中の水分量を１ＰＰＢ以下に生成する極低水分ガス生成装置と、その極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が１ＰＰＢ以下の極低水分ガスが導入され、該装置内部の水分が除去されてなる処理装置と、を備える処理システムとした。 （もっと読む）

【課題】処理部中の塵埃を除去でき、装置の小型化、処理のスループットの向上及び歩留まりの向上を図れるようにすること。
【解決手段】搬送手段によって搬送されるウエハを処理部に搬送して処理を施す基板搬送処理において、ウエハＷの処理前に、搬送手段であるメインアームＡ２によって搬送される、塵埃を捕集可能な状態の捕集プレートＰＬを塗布処理ユニット３２に搬入して、塗布処理ユニット内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集する。塵埃を捕集した捕集プレートを洗浄ユニット８０内に搬入し、この洗浄ユニット内において捕集した塵埃を洗浄により除去し、塵埃が除去された捕集プレートを、塵埃を捕集可能な状態例えばイオナイザ２００によって帯電して再生する。塵埃を捕集可能な状態に再生された捕集プレートを、メインアームによって処理前の処理部に搬入して、この処理部内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集する。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置の真空処理室内の洗浄時に処理室内壁等に付着する水分を早期に除去し、装置のダウンタイムを短縮させることにより、生産性の向上を図ることのできる半導体製造装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 真空の処理室１と、ガス導入口２と、排気口３とを備える。処理室１内部には、ウェハを載置し処理するステージ１ａが設けられ、このステージ１ａは処理室外部の高周波電源と接続されている。排気口３の下流側には、処理室１の排気量を制御する圧力制御装置４および圧力計６と、処理室１内の空気を排気するポンプ５とが設けられている。洗浄後の処理室１内を真空排気する場合に、ガス導入口２から水分を含んでいないパージガスを流し、同時にポンプ５を稼動させ真空排気を行い、かつ使用しているポンプ５を排気速度が大きい範囲で使用する。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理に使用される液体の量を低減しつつ、基板処理装置の内部に付着した薬液成分を確実に除去することができる基板処理装置の中和洗浄装置および中和洗浄方法を提供する。
【解決手段】中和洗浄装置１は、基板処理装置９０の内部との間で希釈液の循環経路を構成し、希釈液を循環させつつ希釈液中に中和剤を添加する。また、中和洗浄装置１は、循環される希釈液のｐＨ値をｐＨセンサ１６により計測し、その計測値が所定の数値範囲内に入るまで中和剤の添加を継続する。このため、希釈液を循環させることにより希釈液の使用量を低減させることができ、また、ｐＨセンサ１６の計測値に基づいて希釈液中の薬液成分を確実に中和することができる。 （もっと読む）

プラズマ処理チャンバ構成要素を洗浄する方法は、洗浄液による構成要素の他の表面または領域の損傷を回避しながら構成要素の表面を洗浄液に接触させることを含む。洗浄すべき例示的なプラズマ処理チャンバ構成要素は、プラズマ露出シリコン表面をもつシリコン部材と、バッキング部材と、シリコン表面とバッキング部材の間のエラストマー結合材とを有するエラストマー結合電極アセンブリである。
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【課題】誘電体カバーを伴うエッジ電極
【解決手段】実施形態は、ポリマ副生成物および堆積膜の蓄積を回避してプロセス歩留まりを向上させるために基板ベベルエッジ付近およびチャンバ内部のエッチング副生成物、誘電体膜、および金属膜を除去するための装置と方法とを提供する。代表的実施形態では、基板のベベルエッジをクリーニングするように構成されたプラズマ処理チャンバが提供される。プラズマ処理チャンバは、基板を受けるように構成された基板支持部を含む。プラズマ処理チャンバは、また、基板支持部を取り囲むボトムエッジ電極を含む。ボトムエッジ電極と基板支持部とは、ボトム誘電体リングによって互いに電気的に絶縁される。基板に面するボトムエッジ電極の表面は、ボトム誘電体膜によって覆われる。プラズマ処理チャンバは、さらに、基板支持部と向かい合うトップ絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極を含む。トップエッジ電極は、電気的に接地される。基板に面するトップエッジ電極の表面は、トップ誘電体膜によって覆われる。トップエッジ電極とボトムエッジ電極とは、互いに相対し、基板のベベルエッジをクリーニングするためにクリーニング用プラズマを生成するように構成される。 （もっと読む）

【課題】電力を可変であるエッジ電極
【解決手段】実施形態は、ポリマ副生成物および堆積膜の蓄積を回避してプロセス歩留まりを向上させるために基板ベベルエッジの上および付近ならびにチャンバ内部のエッチング副生成物、誘電体膜、および金属膜を除去するための構造とメカニズムとを提供する。代表的実施形態では、基板のベベルエッジをクリーニングするように構成されたプラズマ処理チャンバが提供される。プラズマ処理チャンバは、基板を受けるように構成されたボトム電極を含み、該ボトム電極は、高周波（ＲＦ）電源に接続される。プラズマ処理チャンバは、また、ボトム電極と向かい合う絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極を含む。トップエッジ電極は、電気的に接地される。プラズマ処理チャンバは、さらに、ボトム電極を取り囲むボトムエッジ電極を含む。ボトムエッジ電極は、トップエッジ電極と向かい合う。トップエッジ電極、ボトム電極の上に配された基板、およびボトムエッジ電極は、基板のベベルエッジをクリーニングするためにクリーニング用プラズマを生成するように構成される。ボトムエッジ電極とボトム電極とは、ボトム電極の上に配された基板とボトムエッジ電極とトップエッジ電極との間を流れるＲＦ電流の量を調整するように調節可能であるＲＦ回路を通して、互いに電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】被加工物を保持するチャックテーブルの保持面に付着している塵埃等を確実に除去することができる清掃装置を備えた加工機を提供する。
【解決手段】チャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に移動可能に支持されたローラ支持枠体２１と、ローラ支持枠体に回転可能に支持された第１の粘着ローラ２２と、第１の粘着ローラと接触して配設されローラ支持枠体に回転可能に支持され第１の粘着ローラの粘着力より大きい粘着力を有する第２の粘着ローラ２３と、ローラ支持枠体を第１の粘着ローラがチャックテーブルの保持面に接触する作用位置と保持面から離隔する退避位置に移動させる進退手段２４と、ローラ支持枠体をチャックテーブルの保持面と平行に移動させる移動手段２５とからなる。チャックテーブル上の塵埃は第１の粘着ローラの外周面に粘着し、さらに第１の粘着ローラに粘着した塵埃は第２の粘着ローラの外周面に粘着転移する。 （もっと読む）

【課題】ウォーターマークの発生を抑制することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置１は、ウエハＷを保持するスピンチャック５９と、ウエハＷに処理液および乾燥ガスを吐出口から吐出方向に吐出する吐出ノズル７５と、吐出口よりも上流側で吐出ノズル７５に接続された吐出ノズルへ処理液を供給する処理液供給機構と、吐出口よりも上流側で吐出ノズル７５に接続された吐出ノズルへ乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給機構と、吐出口よりも上流側で吐出ノズルに接続され、ウエハＷに処理液を吐出させた後で乾燥ガスを吐出する前に、吐出ノズルの内部に残留する処理液を吐出方向と逆方向に吸引する処理液吸引機構１０３ａと、処理液吸引機構に接続され、処理液供給機構と乾燥ガス供給機構から処理液および前記乾燥ガスの一方が吐出ノズルへ供給されるように、処理流体を切り替える開閉バルブ１０２ａ・１０２ｂ・１０２ｄとを具備する。 （もっと読む）

残留物よりも下にポリマーコーティングを有する基板処理構成部品の表面から、残留物を除去する。一変形例においては、構成部品表面を有機溶媒と接触させて、ポリマーコーティングに損傷を与えることなく、またはポリマーコーティングを除去することなく残留物を除去する。残留物はプロセス残留物でも可能であり、または接着剤残留物でも可能である。この洗浄プロセスは、改装プロセスの一部として行うことができる。別の変更形態においては、構成部品表面にわたってレーザを走査させることによって、残留物をアブレーションする。さらに別の変形例においては、ことによって、構成部品の表面にわたってプラズマ切断機を走査させることによって、残留物を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】クリーニング部位に汚染を生じることなく、微細な異物、好ましくはサブミクロンレベルの異物を簡便、確実、十分に除去できるクリーニング部材を提供すること。該クリーニング部材を有するクリーニング機能付搬送部材、および該クリーニング機能付搬送部材を用いた基板処理装置のクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】本発明のクリーニング部材は、表面に柱状構造の凸部を複数備えたクリーニング層を有するクリーニング部材であって、該柱状構造の凸部のアスペクト比が５以上である。 （もっと読む）