リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
【課題】ＥＵＶリソグラフィ装置のスループットを向上し、リソグラフィ装置の所有コストを減らすこと。
【解決手段】リソグラフィ装置は、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを保持するように構成されたパターンサポートであって、パターニングデバイスが放射ビームをパターニングし、パターン付き放射ビームを形成するように構成される、パターンサポートと、基板を保持するように構成された基板ホルダであって、基板ホルダは基板と接触する支持表面を含む、基板ホルダと、基板上にパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムと、洗浄ユニットを含む洗浄システムであって、洗浄ユニットは基板ホルダの支持表面上にラジカルを発生させ、そこから汚染を除去するように構成される、洗浄システムを含む。
【解決手段】リソグラフィ装置は、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを保持するように構成されたパターンサポートであって、パターニングデバイスが放射ビームをパターニングし、パターン付き放射ビームを形成するように構成される、パターンサポートと、基板を保持するように構成された基板ホルダであって、基板ホルダは基板と接触する支持表面を含む、基板ホルダと、基板上にパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムと、洗浄ユニットを含む洗浄システムであって、洗浄ユニットは基板ホルダの支持表面上にラジカルを発生させ、そこから汚染を除去するように構成される、洗浄システムを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001] 本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003] フォトリソグラフィは、ＩＣおよび他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。現在、同様の精度、速度、および経済的な生産性で所望のパターンアーキテクチャを提供する代替技術はないようである。しかしながら、フォトリソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、フォトリソグラフィは小型ＩＣまたは他のデバイスおよび／または構造を非常に大量に製造可能にするには、最も重大な、最もでないにしても重大な障害（critical gating factors）の１つに
なりつつある。
【０００４】
[0004] パターン印刷の限界の理論的推定値は、式（１）に示される解像度についてのレイリー（Rayleigh）基準によって与えられることができる。
ＣＤ＝ｋ１×λ／ＮＡＰＳ （１）
【０００５】
ここで、λは、使用される放射の波長であり、ＮＡＰＳは、パターンを印刷するのに使用される投影システムの開口数であり、ｋ１は、プロセス依存調節係数であり、レイリー定数とも呼ばれ、ＣＤは、印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンション）である。
【０００６】
[0005] 式（１）から判断すると、フィーチャの最小印刷可能サイズの縮小が、３つの方法：露光波長λを短くすることによって、開口数ＮＡＰＳを増加させることによって、または、ｋ１の値を減少させることによって、達成することができる、と言える。
【０００７】
[0006] 露光波長を顕著に短くするため、そしてそれにより、最小印刷可能ピッチを縮小するために、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されてきている。従来の紫外線源が、約１９３ｎｍより大きい放射波長を出力するように構成されているのとは対照的に、ＥＵＶ放射源は約１３ｎｍの放射波長を出力するように構成されている。したがって、ＥＵＶ放射源は極小フィーチャ印刷を達成するための重要なステップを構成し得る。このような放射は、極端紫外線または軟Ｘ線と称され、可能な放射源には、例えば、レーザー生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングからのシンクロトロン放射が挙げられる。
【０００８】
[0007] ＥＵＶリソグラフィ装置のスループットを向上し、リソグラフィ装置の所有コストを減らすことが望ましい。多数の要因がＥＵＶシステムのスループットに影響し得る。
【発明の概要】
【０００９】
[0008] ＥＵＶリソグラフィ装置内の汚染を除去することが望ましい。汚染の除去によりリソグラフィ装置の有用性が向上する。
【００１０】
[0009] 本発明の一態様において、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを保持するように構成されたパターンサポートであって、パターニングデバイスは放射ビームをパターニングし、パターン付き放射ビームを形成するように構成される、パターンサポートと、基板を保持するように構成された基板ホルダであって、基板ホルダは基板と接触する支持表面を含む、基板ホルダと、パターン付き放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムと、洗浄ユニットを含む洗浄システムであって、洗浄ユニットは基板ホルダの支持表面上にラジカルを発生させ、そこから汚染を除去するように構成される、洗浄システムと、を含むリソグラフィ装置が提供される。
【００１１】
[0010] 本発明の一態様において、放射ビームを調整することと、放射ビームをパターニングしてパターン付き放射ビームを形成することと、基板ホルダの支持表面により支持される基板上にパターン付き放射ビームを投影することと、基板ホルダの支持表面上にラジカルを発生させてそこから汚染を除去することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
[0011] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】[0012] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２ａ】[0013] 図２ａは、本発明の一実施形態による基板テーブルを概略的に示す。
【図２ｂ】[0013] 図２ｂは、本発明の一実施形態による基板テーブルを概略的に示す。
【図３】[0014] 図３は、本発明の一実施形態による、図１のリソグラフィ装置の露光領域およびメトロロジ領域を概略的に示す。
【図４】[0015] 図４は、本発明の一実施形態による洗浄ユニットを概略的に示す。
【図５】[0016] 図５は、本発明の一実施形態による洗浄ユニットを概略的に示す。
【図６】[0017] 図６は、本発明の一実施形態による洗浄ユニットを概略的に示す。
【図７】[0018] 図７は、本発明の一実施形態による洗浄ユニットを概略的に示す。
【詳細な説明】
【００１３】
[0019] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置１を概略的に示している。このリソグラフィ装置１は、放射を発生するように構成された放射源ＳＯ、および放射源ＳＯから受けた放射から放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬを備える。放射源ＳＯは独立したユニットとして設けられてよい。サポートまたはパターンサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴが、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１位置決めデバイスＰＭに連結されている。基板テーブルまたは基板サポート（例えばウェーハテーブル）ＷＴが、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２位置決めデバイスＰＷに連結されている。投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳが、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている。
【００１４】
[0020] リソグラフィ装置１は、リソグラフィ装置の様々な要素を囲む真空壁ＥＮも含む。真空壁ＥＮは、例えば、照明システムＩＬ、投影システムＰＳ、およびリソグラフィ装置１の他の要素を含む様々なチャンバ（図１では図示せず）を囲んでよい。放射源ＳＯがリソグラフィ装置１の一部である場合、真空壁ＥＮは、放射源ＳＯを含むチャンバも囲んでよい。これらチャンバは、放射源ＳＯにより出力された放射ビームの吸収を防ぎ、かつ様々な光エレメントの汚染を防ぐために選択されたガスで充填され得る。ガスは、リソグラフィ装置１の構造に基づいて選択され得る。例えば、一実施において、リソグラフィ装置１は極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィシステムであり、真空壁ＥＮの様々なチャンバは、真空状態となるよう排気され、また、水素分子（Ｈ２）の小さなバックグラウンド圧力を有してよい。別の実施において、真空壁の様々なチャンバは、窒素のバックグラウンド圧力を有してよい。本発明の他の実施形態において、追加のガスも使用してよいことは理解されよう。
【００１５】
[0021] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せ等の様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１６】
[0022] サポートまたはパターンサポートは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポートは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポートは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポートは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１７】
[0023] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路等のターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００１８】
[0024] パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レゼンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフト等のマスク型、ならびに様々なハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００１９】
[0025] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２０】
[0026] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置１は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２１】
[0027] リソグラフィ装置１は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２２】
[0028] また、リソグラフィ装置１は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間、例えば、マスクと投影システムとの間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるための技術においてよく知られている。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、例えば、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２３】
[0029] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射は、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２４】
[0030] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成された調節デバイスを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。更に、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサ（図１では図示せず）といった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２５】
[0031] 放射ビームＢは、サポート（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡにより反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に投影する。第２位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決めデバイスＰＭおよび別の位置センサＩＦ１（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、サポートＭＴの移動は、第１位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２位置決めデバイスＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は、スキャナとは対照的に、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２６】
[0032] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００２７】
[0033] ステップモードにおいては、サポートＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２８】
[0034] スキャンモードにおいては、サポートＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポートＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００２９】
[0035] 別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポートＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、更にプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３０】
[0036] 上述の使用モードの組合せおよび／もしくはバリエーション、または完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３１】
[0037] 図２ａは、本発明の一実施形態による、図１の基板テーブルＷＴの断面を概略的に示す。基板テーブルＷＴは、以下ミラーブロックＭＢとも称するメインブロック、および基板ホルダＷＨを含む。基板ホルダＷＨは、メインブロック、すなわちミラーブロックＭＢ上に位置付けされ、基板Ｗを支持する複数の突出部２００を含む。ミラーブロックＭＢは、その１つ以上の側面上に配置された１つ以上のミラーおよび／または格子を含んでよい。１つ以上のミラーおよび／または格子は、干渉計および／またはエンコーダシステムと協働し、基板ホルダＷＨの位置を制御するように構成されている。突出部２００の先端にラフネス（例えばナノラフネス）が与えられ、基板Ｗが基板ホルダＷＨ上に付着するのを防ぐ。基板Ｗと接触する突出部２００の先端は、支持表面２１０を集合的に画定しており、それは図２ａ中の破線で概略的に示されている。基板Ｗが基板テーブルＷＴの支持表面２１０上にロードされる場合、例えば、突出部２００間に画定された空間に真空を与えることにより、基板Ｗを支持表面２１０に対して吸い付けることができる。あるいは、基板Ｗは、例えば静電気力を使用して、基板ホルダＷＨ上にクランプされてもよい。これらの方法を使用することで、基板Ｗは、支持表面２１０により定められる形をとる。特に、基板Ｗの形は、全て同一面内に置かれた突出部２００の接触表面により定められる。
【００３２】
[0038] 図２ｂを参照すると、１つ以上の汚染粒子２２０が支持表面２１０と基板Ｗの裏面との間に存在する場合、基板Ｗの形は、支持表面２１０の形によってだけでなく、汚染粒子２２０によっても左右される。図２ｂは、ｘ方向に沿った様々な位置における基板ホルダの断面を示す。図２ｂが示すように、汚染粒子２２０は基板の容認できない変形を引き起こし、これは、基板頂面上へのパターニングデバイスにおけるパターンの結像中のフォーカスエラーおよびオーバーレイエラーをもたらし得る。これらのエラーにより、製造された基板が不合格品として廃棄され、そしてそれにより、リソグラフィ装置１のスループットを下げてしまいうる。これにより、リソグラフィ装置１の全体の運用コストが増加してしまいうる。
【００３３】
[0039] 基板テーブルＷＴ上に存在し得る汚染粒子を減少させるために、リソグラフィ装置１は、汚染粒子を除去するように構成された洗浄システムを含んでよい。図３は、本発明の一実施形態による洗浄システム３００の略図を示す。洗浄システム３００は、基板テーブルＷＴを洗浄するように構成された洗浄ユニット３１０を含む。洗浄システム３００は、リソグラフィ装置１のメトロロジ領域中に位置付けされ得るその場（in situ)システムである。洗浄ユニット３１０を使用して、基板テーブルＷＴからの基板のアンローディングと基板テーブルＷＴ上への別の基板のローディングとの間に、基板テーブルＷＴを洗浄してよい。
【００３４】
[0040] 図３に示すように、洗浄ユニット３１０は、フレーム３３０に取り付けられ、リソグラフィ装置１のメトロロジ領域中に位置付けされる。一実施形態において、フレーム３３０は、メトロロジ要素（例えば干渉計および／またはエンコーダシステム）を支持するように構成されたメトロロジフレームである。メトロロジ領域３４０は、複数の測定（例えば基板アライメント、露光されたパターンのキャラクタライゼーション）が基板Ｗに対して行われ得るリソグラフィ装置１内の領域である。実際には、基板テーブルＷＴは、露光領域３５０からメトロロジ領域３４０へ、およびその逆へも移動可能である。リソグラフィ装置１は、並行して使用され得る複数の基板テーブルＷＴも含むことができる。例えば、第１基板テーブル上で測定または洗浄を行う一方で、１つ以上の他のテーブルが露光に使用されていてもよい。
【００３５】
[0041] 洗浄システム３００は、フレーム３３０に対して洗浄ユニット３１０を移動するまたは駆動するように構成された駆動ユニット３２０も含む。駆動ユニット３２０は、垂直ｚ方向（つまり、基板テーブルの上面に対して実質的に垂直な方向）および／または水平ｘ方向に沿って洗浄ユニット３１０を移動させるように構成され得る。本構成において、洗浄処置中に、洗浄ユニット３１０が基板ホルダＷＨの支持表面２１０に近接した位置へと下げられ、次に、基板テーブルＷＴは、支持表面全体が確実に洗浄されるように、洗浄ユニット３１０に対して移動させられる。１つ以上の突出部２００上に存在し得る汚染は、洗浄ユニット３１０によって実質的に除去されることになる。あるいは、本発明の別の実施形態において、基板テーブルＷＴは、洗浄処置中に固定され、洗浄ユニット３１０が基板テーブルＷＴの全面（つまりｘ方向およびｙ方向）に亘って移動させられてもよい。洗浄動作は、自動化することができ、また、リソグラフィ装置１を開かず行われるので、ダウンタイムを相当に下げ、リソグラフィ装置１のスループットを相当に増加させることができる。
【００３６】
[0042] 図４を参照すると、当該図は、本発明の一実施形態による洗浄ユニット３１０の略図を示す。洗浄ユニット３１０は、基板ホルダＷＨの上面または支持表面２１０から有機汚染物質を選択的にエッチング除去する中性ラジカル（例えば水素）を含むプラズマを生成するように構成されている。通常、有機汚染は、基板ホルダＷＨの全汚染の約９０から９５％に相当する。この有機汚染は、コーティングプロセス中に残ったフォトレジスト粒子から通常生じる。図４の実施形態によるプラズマ洗浄は、基板ホルダＷＨの全体の汚染を、容認できるレベルまで大幅に減少させ得る。
【００３７】
[0043] 洗浄ユニット３１０は、ガス供給源（図４では図示せず）に連結した第１インレット４１０および真空ユニット（図４では図示せず）に連結したアウトレット４２０を有するハウジングまたはフード４００を含む。ガス供給源および真空ユニットは、リソグラフィ装置１の一部であっても、または、リソグラフィ装置の外部に配置されてもよい。洗浄ユニット３１０は、フード４００のハウジング内に配置されて、ＲＦ電源４４０に連結したＲＦ電極４３０またはプラズマジェネレータも含む。動作中、ガス流、例えば水素分子が、ハウジングまたはフード４００に供給され、プラズマ４５０がＲＦ電極４３０によりハウジング内で発生される。反応性の高い水素ラジカルＨ・が、プラズマ４５０により生成される。これらの中性ラジカルは、基板ホルダＷＨの表面２１０上に存在し得る汚染物質、例えば有機汚染物質と反応する。そして、これらの汚染物質は表面２１０から脱着し、続けて真空ユニットにより取り出される。
【００３８】
[0044] 有機汚染物質の除去は、プラズマ中に含まれる荷電粒子によっても達成され得る。これら荷電粒子は、表面２１０に衝突するように、電極と基板ホルダＷＨとの間の電場により加速させられる。
【００３９】
[0045] 実際には、ハウジングまたはフード４００は、基板ホルダＷＨの表面２１０に近接して置かれる。シール４６０が、リソグラフィ装置１の構造によって、ハウジングまたはフード４００の間に設けられても、設けられなくてもよい。例えば、リソグラフィ装置１がＥＵＶリソグラフィ装置の場合、水素雰囲気が、真空壁ＥＮによって囲まれかつ洗浄ユニット３１０の外部の空間内（または、少なくとも真空壁ＥＮによって囲まれたいくつかのチャンバ内）に維持され得る。この構造では、ハウジングまたはフード４００と、基板ホルダＷＨの表面２１０との間にシールは必要ない。しかし、真空状態、またはプラズマを発生させるため使用されたガスと異なるガスの雰囲気を維持することが望ましい場合、ハウジングまたはフード４００と、基板ホルダＷＨの表面２１０との間にシール４６０が設けられてよい。
【００４０】
[0046] 図４の実施形態で、ラジカル、例えば水素ラジカルを使用すると、突出部の機械的侵食が制限されるために、洗浄石とは対照的に、突出部２００へ損傷を与える可能性を相当に減少させ得る。通常、基板Ｗと基板ホルダＷＨとの間に十分なラフネスを維持するために、洗浄プロセスは、突出部２００の侵食をできる限り制限することが望ましい。ラフネスが減少すると、基板Ｗは基板ホルダＷＨに付着し、基板ホルダＷＨから基板Ｗを取り外すためにより強力な力が必要になり得る。このより強力な力は、基板Ｗを潜在的に破砕、および／または破壊し得る。
【００４１】
[0047] 追加のガス、例えば酸素を本発明の別の実施形態において使用してよいことが理解されよう。このガスは、基板ホルダＷＨ上に存在し得る汚染粒子と反応するラジカルを生成する適性があることにより選択される。複数のインレットおよび／またはアウトレットを、本発明の別の実施形態において使用してもよいことも理解されよう。例えば、一実施形態では、複数のアウトレットおよびインレットが、ハウジングまたはフード４００の周囲に配置されてよい。インレットおよびアウトレットの位置、形、およびサイズも、形成されるプラズマに依存して本発明の他の実施形態において異なってよい。更に、電極４３０を介して、ガスをハウジングまたはフード４００内部に導入することも可能である。この構成において、電極はシャワーヘッドとして機能する。
【００４２】
[0048] 更に、洗浄ユニット３１０は、図４の実施形態におけるＲＦ電極およびＲＦ放射源を有するプラズマジェネレータを含む一方で、プラズマ４５０は、洗浄ユニット３１０中で異なる方法で生成され得ることが理解されよう。例えば、ＤＣ電圧を用いてガス放電およびプラズマ４５０を生成してよい。別の実施形態において、ＲＦコイルを使用してプラズマ４５０を生成してよい。ＲＦコイルは、ハウジングまたはフード４００内部のプラズマ４５０が形成される領域周辺に位置付けされ得る。
【００４３】
[0049] 図４の実施形態では、洗浄ユニット３１０は、基板ホルダＷＨの局所領域でプラズマを生成するように構成されている。この実施形態において、基板テーブルＷＴおよび洗浄ユニット３１０は、互いに移動させられ（例えば、基板テーブルＷＴ、洗浄ユニット３１０、または両方が移動させられ）、基板ホルダＷＨの実質的に全領域をプラズマ４５０に確実にさらすようにし得る。しかし、基板ホルダＷＨの実質的に全領域に亘ってプラズマ４５０を生成するように、洗浄ユニット３１０を必要な大きさにすることも可能である。この代替実施形態において、基板ホルダＷＨの全表面を実質的に覆うように、ハウジングまたはフード４００の大きさが調整され得る。
【００４４】
[0050] 図５を参照すると、当該図は本発明の一実施形態による洗浄ユニット５００を示す。洗浄ユニット５００は、例えば、ハウジングまたはフード５１０周辺で水素分子雰囲気が維持されるＥＵＶシステムにおいて、例えば洗浄システム３００および基板テーブルＷＴが置かれている領域で、使用されるよう構成されている。図４の実施形態と同様に、洗浄ユニット５００は、真空ユニット（図５では図示せず）に連結したアウトレット５２０を有するハウジングまたはフード５１０を含む。洗浄ユニット５１０は、フード５００のハウジング内に収容されて、ＲＦ電源５４０に連結したＲＦ電極５３０も含む。
【００４５】
[0051] ハウジングまたはフード５１０は、ハウジング５１０の外部と内部との間にガス連通を可能にするよう構成された複数の開口５６０を含むメッシュ材料により形成される。この構成では、真空壁ＥＮにより囲まれた空間内部、つまりハウジング５１０の外部に維持される水素雰囲気は、洗浄ユニット５００への水素供給源または水素源として機能するように構成されている。したがって、動作中、ハウジング５１０の外部に存在するガス、例えば水素分子Ｈ２は、開口５６０を通過し、そしてプラズマ５５０が、ＲＦ電極５３０によってハウジング内で発生される。ハウジング５１０を介したガス連通は、図５に矢印により概略的に表されている。反応性の高い水素ラジカルＨ・が、プラズマ５５０により生成され、例えば有機汚染物質である、基板ホルダＷＨの表面２１０上に存在し得る汚染物質と反応する。そして、これらの汚染物質は表面２１０から脱着し、続けて真空ユニットによって取り出される。有機汚染物質の除去は、プラズマ中に含まれる荷電粒子によっても達成させ得ると理解されよう。これら荷電粒子は、表面２１０に衝突するように、電極と基板ホルダＷＨとの間の電場により加速させられる。本発明の別の実施形態において、追加のガス、例えば酸素も使用してよいことは理解されよう。
【００４６】
[0052] 真空壁ＥＮによって囲まれた空間中に存在する水素分子の雰囲気圧力は、約１ｍｂａｒ（例えば、約０．１ｍｂａｒと１０ｍｂａｒの間の範囲）であり得る。この圧力は、表面２１０を洗浄するのに必要なだけの中性ラジカルを提供するのに十分であり得る。あるいは、プラズマ形成を促進し、ハウジング５１０内のラジカル量を増加させるために、洗浄ユニット５００が置かれている領域で水素分子の雰囲気圧力を局所的に増加させることも可能である。例えば、一実施形態において、水素分子の圧力は、露光領域３５０よりもメトロロジ領域３４０において高いレベルに保たれ得る。
【００４７】
[0053] メッシュ材料における開口５６０の数およびサイズは、変化し得ることが理解されよう。例えば、一実施形態において、開口のサイズは、約０．１ｍｍと１０ｍｍの間の範囲である。あるいは、メッシュ材料を使用する代わりに、ハウジング５１０は、ハウジング５１０の外部と内部との間でガス連通を可能にする１つ以上の開口を有する金属（例えばステンレス鋼）から作られた囲いで形成されてもよい。
【００４８】
[0054] 図６は、本発明の一実施形態による洗浄ユニット６００を示す。この洗浄ユニットは、チューブ６１０、およびプラズマジェネレータ６２０を含む。プラズマジェネレータ６２０は、チューブ６１０の領域６４０でプラズマ６３０を生成するように構成されている。プラズマジェネレータ６２０は、例えば、チューブ６１０に沿って置かれたＲＦコイル、または、マイクロ波もしくはＲＦキャビティを含み得る。プラズマ６３０を発生させるように構成された他のシステムも、本発明の他の実施形態において使用してよい。あるいは、ラジカルは、連続モードまたはバーストモードのＤＣ放電において生成され得る。水素分子、または酸素等他のガスの流れ６５０が、チューブ６１０を通って流れるように提供される。水素は、プラズマ６３０を流れ、それにより中性水素ラジカルの流れが作り出される。プラズマ６３０中で、中性およびイオン化された活性粒子が生成される。イオン化された粒子は、チューブ６１０の壁、または、例えばチューブ開口部に設けられ得るファラデー（Faraday）グリッド６６０に衝突することにより中性になり得る。中性ラジカルは、ビーム６７０としてチューブ６１０を出る。中性ラジカルは、基板ホルダ２１０の表面２１０に存在し得る有機汚染物質と反応する。中性ラジカルによって脱着させられた汚染粒子は、真空ユニット（図６では図示せず）のアウトレット６８０により排出させられ得る。
【００４９】
[0055] 図７は、図６に示される装置の変形を示す。この場合、洗浄ユニット７００は、例えばグローワイヤ等の高温要素７１０でラジカルを発生させるように構成されている。加熱要素７１０は、効率的な熱解離のために、例えば約１５００℃から約１９００℃の温度であり得る。この装置および方法は、水素ガスの流れ６５０から水素ラジカルのビーム７２０を発生させるのに特に有用である。
【００５０】
[0056] 複数のアウトレット６８０が、洗浄ユニット６００、７００内に設けられ、脱着された粒子を排出し得ることが理解されよう。あるいは、または、更に、排出ハウジングまたはフードが、リソグラフィ装置の残りの部分へのガス流を最小限にするために、チューブ６１０に取り付けられ得る。シールが、真空排気フードまたはハウジングと、基板ホルダＷＨの表面２１０との間に設けられ得る。
【００５１】
[0057] 一実施形態において、基板ホルダＷＨの表面２１０の洗浄は、中性ラジカルによる洗浄と、研磨洗浄とを組み合わせて無機粒子を除去し得る。研磨洗浄は、洗浄石により行われ得る。洗浄石は、メトロロジ領域３４０に置かれた独立した洗浄ブロック内に配置され得る。洗浄石は、セラミック材料を含んでよく、導電性を持ち得る。例えば、セラミック材料は、アルミナまたはチタン酸化物、および添加物として金属を含んでよい。洗浄石は、グラウンド電位に電気的に連結され、洗浄動作中に静電荷が蓄積することを防ぎ得る。この様な静電荷の蓄積は、表面２１０と洗浄石との間で静電気引力を引き起こし得る。
【００５２】
[0058] 再び図３を参照すると、洗浄システム３００は、基板ホルダＷＨの表面上の汚染粒子を検出する汚染検出ユニット３６０も含み得る。汚染検出ユニット３６０および基板テーブルＷＴは、互いに移動させられ、基板ホルダＷＨの表面２１０全体がスキャンされ、潜在的な汚染粒子が検出され得る。洗浄ユニット３１０および汚染検出ユニット３６０は、コントローラ３７０によって動作可能に制御され得る。汚染検出ユニット３６０によって提供される汚染測定値に基づいて、コントローラ３７０は、洗浄ユニット３１０に命令して、基板ホルダＷＨの表面２１０の特定の領域または位置を洗浄させる。例えば、コントローラは、基板テーブルＷＴ、洗浄ユニット３１０、またはその両方に命令して、互いに移動するようにさせ、洗浄ユニット３１０が、汚染粒子が検出された領域に近接して位置付けされるようにする。このようにして、洗浄時間を実質的に減少させることが可能である。あるいは、基板ホルダＷＨの表面全体を洗浄することも可能である。
【００５３】
[0059] 汚染検出ユニット３６０には、放射源を含むレベルセンサ、レンズシステム、およびディテクタ（図３では図示せず）が設けられ得る。レベルセンサは、基板ホルダＷＨの支持表面２１０にその裏側が接して保持される基板Ｗの表面の表面形状を検出するために使用され得る。レベルセンサが使用される場合、放射源は基板Ｗの表面上に向けられる放射ビームを生成する。そして、放射ビームは、基板Ｗの表面で反射され、その後ディテクタに向けられる。ディテクタは、基板Ｗの頂面の表面形状の変形を示す、ビーム方向の変化を測定するように構成されている。このような変形は、基板が特定の位置で厚くなることによって、または基板Ｗの裏側と支持表面２１０との間に存在する汚染物質によって引き起こされ得る。少なくとも２つの基板の表面形状をデータ記憶ユニットに格納し、これらの表面形状を比較することによって、同様の位置において繰り返し生じる表面形状の変形が検出され得る。これは、この位置における支持表面２１０の汚染を示し得る。レベルセンサは、フォーカス検出システムであってよい。
【００５４】
[0060] 上記記載は、リソグラフィ装置内の単一の下流ラジカル源のみを明記しているが、必要な全洗浄時間を、リソグラフィ装置１内に２つ以上の下流ラジカル源を設けることによって減少し得ることは理解されよう。
【００５５】
[0061] プログラミングを含むコンピュータシステムのソフトウエア機能は、実行コードを含み、上記洗浄プロセスを実施するために使用され得る。ソフトウエアコードは、汎用コンピュータによって実行可能であり得る。動作中、コードおよび場合により関連するデータ記録は、汎用コンピュータプラットフォーム内に格納され得る。しかし、他の場合、ソフトウエアは、他の記憶場所に格納され得る、および／または適切な汎用コンピュータシステム内にロードするために搬送され得る。したがって、上述した実施形態は、少なくとも１つの機械可読媒体が有する１つ以上のコードモジュールの形態の１つ以上のソフトウエアまたはコンピュータ製品が関連する。コンピュータシステムのプロセッサによりこれらのコードを実行することで、プラットフォームが、本明細書で説明および例示された実施形態において実行される方法で実質的に機能を実施することを可能にする。
【００５６】
[0062] 本明細書で使用される場合、コンピュータまたは機械「読取可能媒体」等の用語は、プロセッサに実行のための命令を与えることに関与するあらゆる媒体を指す。そのような媒体は、不揮発性媒体、揮発性媒体、および伝送媒体を含むが、これらに限定されない多くの形態を取ってよい。不揮発性媒体は、例えば、上述のように動作するあらゆるコンピュータにおける任意の記憶デバイス等の光ディスクまたは磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、コンピュータシステムのメインメモリ等のダイナミックメモリを含む。物理的な伝送媒体は、同軸ケーブル、銅線、および光ファイバを含み、コンピュータシステム内のバスを構成するワイヤを含んでいる。搬送波伝送媒体は、電気もしくは電磁信号、または無線周波数（ＲＦ）および赤外線（ＩＲ）データ通信中に発生される音波もしくは光波等の音波もしくは光波の形態を取ることができる。したがって、コンピュータ読取可能媒体の一般的な形態は、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、任意の他の磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、あらゆる他の光媒体、パンチカード、紙テープ、孔のパターンを有するあらゆる他の物理媒体などあまり一般的に使用されない媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、およびＥＰＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ−ＥＰＲＯＭ、あらゆる他のメモリチップまたはカートリッジ、搬送波輸送データまたは命令、搬送波等を送るケーブルまたはリンク、またはコンピュータがプログラミングコードおよび／またはデータを読み取り、または送ることができるあらゆる他の媒体を含む。コンピュータ読取可能媒体のこれら形態の多くは、実行のためにプロセッサに１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスを搬送することを含み得る。
【００５７】
[0063] 本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。当該記載は、本発明を限定することを意図していない。
【００５８】
[0064] 本明細書で、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。そのような代替用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよいことが当業者には理解されるだろう。本明細書に記載される基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールにより処理され得る。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用し得る。更に基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよく、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００５９】
[0065] リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を満たすように、例えば水といった比較的高い屈折率を有する液体に基板の表面を浸漬するタイプのものであってもよい。液浸液は、例えば、パターニングデバイスと投影システムの第１要素との間といったリソグラフィ装置の他の空間に加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるための技術においてよく知られている。
【００６０】
[0066] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビーム等の微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００６１】
[0067] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々なタイプの光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００６２】
[0068] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械可読命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
【００６３】
[0069] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【技術分野】
【０００１】
[0001] 本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003] フォトリソグラフィは、ＩＣおよび他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。現在、同様の精度、速度、および経済的な生産性で所望のパターンアーキテクチャを提供する代替技術はないようである。しかしながら、フォトリソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、フォトリソグラフィは小型ＩＣまたは他のデバイスおよび／または構造を非常に大量に製造可能にするには、最も重大な、最もでないにしても重大な障害（critical gating factors）の１つに
なりつつある。
【０００４】
[0004] パターン印刷の限界の理論的推定値は、式（１）に示される解像度についてのレイリー（Rayleigh）基準によって与えられることができる。
ＣＤ＝ｋ１×λ／ＮＡＰＳ （１）
【０００５】
ここで、λは、使用される放射の波長であり、ＮＡＰＳは、パターンを印刷するのに使用される投影システムの開口数であり、ｋ１は、プロセス依存調節係数であり、レイリー定数とも呼ばれ、ＣＤは、印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンション）である。
【０００６】
[0005] 式（１）から判断すると、フィーチャの最小印刷可能サイズの縮小が、３つの方法：露光波長λを短くすることによって、開口数ＮＡＰＳを増加させることによって、または、ｋ１の値を減少させることによって、達成することができる、と言える。
【０００７】
[0006] 露光波長を顕著に短くするため、そしてそれにより、最小印刷可能ピッチを縮小するために、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されてきている。従来の紫外線源が、約１９３ｎｍより大きい放射波長を出力するように構成されているのとは対照的に、ＥＵＶ放射源は約１３ｎｍの放射波長を出力するように構成されている。したがって、ＥＵＶ放射源は極小フィーチャ印刷を達成するための重要なステップを構成し得る。このような放射は、極端紫外線または軟Ｘ線と称され、可能な放射源には、例えば、レーザー生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングからのシンクロトロン放射が挙げられる。
【０００８】
[0007] ＥＵＶリソグラフィ装置のスループットを向上し、リソグラフィ装置の所有コストを減らすことが望ましい。多数の要因がＥＵＶシステムのスループットに影響し得る。
【発明の概要】
【０００９】
[0008] ＥＵＶリソグラフィ装置内の汚染を除去することが望ましい。汚染の除去によりリソグラフィ装置の有用性が向上する。
【００１０】
[0009] 本発明の一態様において、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを保持するように構成されたパターンサポートであって、パターニングデバイスは放射ビームをパターニングし、パターン付き放射ビームを形成するように構成される、パターンサポートと、基板を保持するように構成された基板ホルダであって、基板ホルダは基板と接触する支持表面を含む、基板ホルダと、パターン付き放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムと、洗浄ユニットを含む洗浄システムであって、洗浄ユニットは基板ホルダの支持表面上にラジカルを発生させ、そこから汚染を除去するように構成される、洗浄システムと、を含むリソグラフィ装置が提供される。
【００１１】
[0010] 本発明の一態様において、放射ビームを調整することと、放射ビームをパターニングしてパターン付き放射ビームを形成することと、基板ホルダの支持表面により支持される基板上にパターン付き放射ビームを投影することと、基板ホルダの支持表面上にラジカルを発生させてそこから汚染を除去することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
[0011] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】[0012] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２ａ】[0013] 図２ａは、本発明の一実施形態による基板テーブルを概略的に示す。
【図２ｂ】[0013] 図２ｂは、本発明の一実施形態による基板テーブルを概略的に示す。
【図３】[0014] 図３は、本発明の一実施形態による、図１のリソグラフィ装置の露光領域およびメトロロジ領域を概略的に示す。
【図４】[0015] 図４は、本発明の一実施形態による洗浄ユニットを概略的に示す。
【図５】[0016] 図５は、本発明の一実施形態による洗浄ユニットを概略的に示す。
【図６】[0017] 図６は、本発明の一実施形態による洗浄ユニットを概略的に示す。
【図７】[0018] 図７は、本発明の一実施形態による洗浄ユニットを概略的に示す。
【詳細な説明】
【００１３】
[0019] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置１を概略的に示している。このリソグラフィ装置１は、放射を発生するように構成された放射源ＳＯ、および放射源ＳＯから受けた放射から放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬを備える。放射源ＳＯは独立したユニットとして設けられてよい。サポートまたはパターンサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴが、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１位置決めデバイスＰＭに連結されている。基板テーブルまたは基板サポート（例えばウェーハテーブル）ＷＴが、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２位置決めデバイスＰＷに連結されている。投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳが、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている。
【００１４】
[0020] リソグラフィ装置１は、リソグラフィ装置の様々な要素を囲む真空壁ＥＮも含む。真空壁ＥＮは、例えば、照明システムＩＬ、投影システムＰＳ、およびリソグラフィ装置１の他の要素を含む様々なチャンバ（図１では図示せず）を囲んでよい。放射源ＳＯがリソグラフィ装置１の一部である場合、真空壁ＥＮは、放射源ＳＯを含むチャンバも囲んでよい。これらチャンバは、放射源ＳＯにより出力された放射ビームの吸収を防ぎ、かつ様々な光エレメントの汚染を防ぐために選択されたガスで充填され得る。ガスは、リソグラフィ装置１の構造に基づいて選択され得る。例えば、一実施において、リソグラフィ装置１は極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィシステムであり、真空壁ＥＮの様々なチャンバは、真空状態となるよう排気され、また、水素分子（Ｈ２）の小さなバックグラウンド圧力を有してよい。別の実施において、真空壁の様々なチャンバは、窒素のバックグラウンド圧力を有してよい。本発明の他の実施形態において、追加のガスも使用してよいことは理解されよう。
【００１５】
[0021] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せ等の様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１６】
[0022] サポートまたはパターンサポートは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポートは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポートは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポートは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１７】
[0023] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路等のターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００１８】
[0024] パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レゼンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフト等のマスク型、ならびに様々なハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００１９】
[0025] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２０】
[0026] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置１は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２１】
[0027] リソグラフィ装置１は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２２】
[0028] また、リソグラフィ装置１は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間、例えば、マスクと投影システムとの間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるための技術においてよく知られている。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、例えば、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２３】
[0029] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射は、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２４】
[0030] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成された調節デバイスを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。更に、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサ（図１では図示せず）といった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２５】
[0031] 放射ビームＢは、サポート（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡにより反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に投影する。第２位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決めデバイスＰＭおよび別の位置センサＩＦ１（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、サポートＭＴの移動は、第１位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２位置決めデバイスＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は、スキャナとは対照的に、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２６】
[0032] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００２７】
[0033] ステップモードにおいては、サポートＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２８】
[0034] スキャンモードにおいては、サポートＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポートＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００２９】
[0035] 別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポートＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、更にプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３０】
[0036] 上述の使用モードの組合せおよび／もしくはバリエーション、または完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３１】
[0037] 図２ａは、本発明の一実施形態による、図１の基板テーブルＷＴの断面を概略的に示す。基板テーブルＷＴは、以下ミラーブロックＭＢとも称するメインブロック、および基板ホルダＷＨを含む。基板ホルダＷＨは、メインブロック、すなわちミラーブロックＭＢ上に位置付けされ、基板Ｗを支持する複数の突出部２００を含む。ミラーブロックＭＢは、その１つ以上の側面上に配置された１つ以上のミラーおよび／または格子を含んでよい。１つ以上のミラーおよび／または格子は、干渉計および／またはエンコーダシステムと協働し、基板ホルダＷＨの位置を制御するように構成されている。突出部２００の先端にラフネス（例えばナノラフネス）が与えられ、基板Ｗが基板ホルダＷＨ上に付着するのを防ぐ。基板Ｗと接触する突出部２００の先端は、支持表面２１０を集合的に画定しており、それは図２ａ中の破線で概略的に示されている。基板Ｗが基板テーブルＷＴの支持表面２１０上にロードされる場合、例えば、突出部２００間に画定された空間に真空を与えることにより、基板Ｗを支持表面２１０に対して吸い付けることができる。あるいは、基板Ｗは、例えば静電気力を使用して、基板ホルダＷＨ上にクランプされてもよい。これらの方法を使用することで、基板Ｗは、支持表面２１０により定められる形をとる。特に、基板Ｗの形は、全て同一面内に置かれた突出部２００の接触表面により定められる。
【００３２】
[0038] 図２ｂを参照すると、１つ以上の汚染粒子２２０が支持表面２１０と基板Ｗの裏面との間に存在する場合、基板Ｗの形は、支持表面２１０の形によってだけでなく、汚染粒子２２０によっても左右される。図２ｂは、ｘ方向に沿った様々な位置における基板ホルダの断面を示す。図２ｂが示すように、汚染粒子２２０は基板の容認できない変形を引き起こし、これは、基板頂面上へのパターニングデバイスにおけるパターンの結像中のフォーカスエラーおよびオーバーレイエラーをもたらし得る。これらのエラーにより、製造された基板が不合格品として廃棄され、そしてそれにより、リソグラフィ装置１のスループットを下げてしまいうる。これにより、リソグラフィ装置１の全体の運用コストが増加してしまいうる。
【００３３】
[0039] 基板テーブルＷＴ上に存在し得る汚染粒子を減少させるために、リソグラフィ装置１は、汚染粒子を除去するように構成された洗浄システムを含んでよい。図３は、本発明の一実施形態による洗浄システム３００の略図を示す。洗浄システム３００は、基板テーブルＷＴを洗浄するように構成された洗浄ユニット３１０を含む。洗浄システム３００は、リソグラフィ装置１のメトロロジ領域中に位置付けされ得るその場（in situ)システムである。洗浄ユニット３１０を使用して、基板テーブルＷＴからの基板のアンローディングと基板テーブルＷＴ上への別の基板のローディングとの間に、基板テーブルＷＴを洗浄してよい。
【００３４】
[0040] 図３に示すように、洗浄ユニット３１０は、フレーム３３０に取り付けられ、リソグラフィ装置１のメトロロジ領域中に位置付けされる。一実施形態において、フレーム３３０は、メトロロジ要素（例えば干渉計および／またはエンコーダシステム）を支持するように構成されたメトロロジフレームである。メトロロジ領域３４０は、複数の測定（例えば基板アライメント、露光されたパターンのキャラクタライゼーション）が基板Ｗに対して行われ得るリソグラフィ装置１内の領域である。実際には、基板テーブルＷＴは、露光領域３５０からメトロロジ領域３４０へ、およびその逆へも移動可能である。リソグラフィ装置１は、並行して使用され得る複数の基板テーブルＷＴも含むことができる。例えば、第１基板テーブル上で測定または洗浄を行う一方で、１つ以上の他のテーブルが露光に使用されていてもよい。
【００３５】
[0041] 洗浄システム３００は、フレーム３３０に対して洗浄ユニット３１０を移動するまたは駆動するように構成された駆動ユニット３２０も含む。駆動ユニット３２０は、垂直ｚ方向（つまり、基板テーブルの上面に対して実質的に垂直な方向）および／または水平ｘ方向に沿って洗浄ユニット３１０を移動させるように構成され得る。本構成において、洗浄処置中に、洗浄ユニット３１０が基板ホルダＷＨの支持表面２１０に近接した位置へと下げられ、次に、基板テーブルＷＴは、支持表面全体が確実に洗浄されるように、洗浄ユニット３１０に対して移動させられる。１つ以上の突出部２００上に存在し得る汚染は、洗浄ユニット３１０によって実質的に除去されることになる。あるいは、本発明の別の実施形態において、基板テーブルＷＴは、洗浄処置中に固定され、洗浄ユニット３１０が基板テーブルＷＴの全面（つまりｘ方向およびｙ方向）に亘って移動させられてもよい。洗浄動作は、自動化することができ、また、リソグラフィ装置１を開かず行われるので、ダウンタイムを相当に下げ、リソグラフィ装置１のスループットを相当に増加させることができる。
【００３６】
[0042] 図４を参照すると、当該図は、本発明の一実施形態による洗浄ユニット３１０の略図を示す。洗浄ユニット３１０は、基板ホルダＷＨの上面または支持表面２１０から有機汚染物質を選択的にエッチング除去する中性ラジカル（例えば水素）を含むプラズマを生成するように構成されている。通常、有機汚染は、基板ホルダＷＨの全汚染の約９０から９５％に相当する。この有機汚染は、コーティングプロセス中に残ったフォトレジスト粒子から通常生じる。図４の実施形態によるプラズマ洗浄は、基板ホルダＷＨの全体の汚染を、容認できるレベルまで大幅に減少させ得る。
【００３７】
[0043] 洗浄ユニット３１０は、ガス供給源（図４では図示せず）に連結した第１インレット４１０および真空ユニット（図４では図示せず）に連結したアウトレット４２０を有するハウジングまたはフード４００を含む。ガス供給源および真空ユニットは、リソグラフィ装置１の一部であっても、または、リソグラフィ装置の外部に配置されてもよい。洗浄ユニット３１０は、フード４００のハウジング内に配置されて、ＲＦ電源４４０に連結したＲＦ電極４３０またはプラズマジェネレータも含む。動作中、ガス流、例えば水素分子が、ハウジングまたはフード４００に供給され、プラズマ４５０がＲＦ電極４３０によりハウジング内で発生される。反応性の高い水素ラジカルＨ・が、プラズマ４５０により生成される。これらの中性ラジカルは、基板ホルダＷＨの表面２１０上に存在し得る汚染物質、例えば有機汚染物質と反応する。そして、これらの汚染物質は表面２１０から脱着し、続けて真空ユニットにより取り出される。
【００３８】
[0044] 有機汚染物質の除去は、プラズマ中に含まれる荷電粒子によっても達成され得る。これら荷電粒子は、表面２１０に衝突するように、電極と基板ホルダＷＨとの間の電場により加速させられる。
【００３９】
[0045] 実際には、ハウジングまたはフード４００は、基板ホルダＷＨの表面２１０に近接して置かれる。シール４６０が、リソグラフィ装置１の構造によって、ハウジングまたはフード４００の間に設けられても、設けられなくてもよい。例えば、リソグラフィ装置１がＥＵＶリソグラフィ装置の場合、水素雰囲気が、真空壁ＥＮによって囲まれかつ洗浄ユニット３１０の外部の空間内（または、少なくとも真空壁ＥＮによって囲まれたいくつかのチャンバ内）に維持され得る。この構造では、ハウジングまたはフード４００と、基板ホルダＷＨの表面２１０との間にシールは必要ない。しかし、真空状態、またはプラズマを発生させるため使用されたガスと異なるガスの雰囲気を維持することが望ましい場合、ハウジングまたはフード４００と、基板ホルダＷＨの表面２１０との間にシール４６０が設けられてよい。
【００４０】
[0046] 図４の実施形態で、ラジカル、例えば水素ラジカルを使用すると、突出部の機械的侵食が制限されるために、洗浄石とは対照的に、突出部２００へ損傷を与える可能性を相当に減少させ得る。通常、基板Ｗと基板ホルダＷＨとの間に十分なラフネスを維持するために、洗浄プロセスは、突出部２００の侵食をできる限り制限することが望ましい。ラフネスが減少すると、基板Ｗは基板ホルダＷＨに付着し、基板ホルダＷＨから基板Ｗを取り外すためにより強力な力が必要になり得る。このより強力な力は、基板Ｗを潜在的に破砕、および／または破壊し得る。
【００４１】
[0047] 追加のガス、例えば酸素を本発明の別の実施形態において使用してよいことが理解されよう。このガスは、基板ホルダＷＨ上に存在し得る汚染粒子と反応するラジカルを生成する適性があることにより選択される。複数のインレットおよび／またはアウトレットを、本発明の別の実施形態において使用してもよいことも理解されよう。例えば、一実施形態では、複数のアウトレットおよびインレットが、ハウジングまたはフード４００の周囲に配置されてよい。インレットおよびアウトレットの位置、形、およびサイズも、形成されるプラズマに依存して本発明の他の実施形態において異なってよい。更に、電極４３０を介して、ガスをハウジングまたはフード４００内部に導入することも可能である。この構成において、電極はシャワーヘッドとして機能する。
【００４２】
[0048] 更に、洗浄ユニット３１０は、図４の実施形態におけるＲＦ電極およびＲＦ放射源を有するプラズマジェネレータを含む一方で、プラズマ４５０は、洗浄ユニット３１０中で異なる方法で生成され得ることが理解されよう。例えば、ＤＣ電圧を用いてガス放電およびプラズマ４５０を生成してよい。別の実施形態において、ＲＦコイルを使用してプラズマ４５０を生成してよい。ＲＦコイルは、ハウジングまたはフード４００内部のプラズマ４５０が形成される領域周辺に位置付けされ得る。
【００４３】
[0049] 図４の実施形態では、洗浄ユニット３１０は、基板ホルダＷＨの局所領域でプラズマを生成するように構成されている。この実施形態において、基板テーブルＷＴおよび洗浄ユニット３１０は、互いに移動させられ（例えば、基板テーブルＷＴ、洗浄ユニット３１０、または両方が移動させられ）、基板ホルダＷＨの実質的に全領域をプラズマ４５０に確実にさらすようにし得る。しかし、基板ホルダＷＨの実質的に全領域に亘ってプラズマ４５０を生成するように、洗浄ユニット３１０を必要な大きさにすることも可能である。この代替実施形態において、基板ホルダＷＨの全表面を実質的に覆うように、ハウジングまたはフード４００の大きさが調整され得る。
【００４４】
[0050] 図５を参照すると、当該図は本発明の一実施形態による洗浄ユニット５００を示す。洗浄ユニット５００は、例えば、ハウジングまたはフード５１０周辺で水素分子雰囲気が維持されるＥＵＶシステムにおいて、例えば洗浄システム３００および基板テーブルＷＴが置かれている領域で、使用されるよう構成されている。図４の実施形態と同様に、洗浄ユニット５００は、真空ユニット（図５では図示せず）に連結したアウトレット５２０を有するハウジングまたはフード５１０を含む。洗浄ユニット５１０は、フード５００のハウジング内に収容されて、ＲＦ電源５４０に連結したＲＦ電極５３０も含む。
【００４５】
[0051] ハウジングまたはフード５１０は、ハウジング５１０の外部と内部との間にガス連通を可能にするよう構成された複数の開口５６０を含むメッシュ材料により形成される。この構成では、真空壁ＥＮにより囲まれた空間内部、つまりハウジング５１０の外部に維持される水素雰囲気は、洗浄ユニット５００への水素供給源または水素源として機能するように構成されている。したがって、動作中、ハウジング５１０の外部に存在するガス、例えば水素分子Ｈ２は、開口５６０を通過し、そしてプラズマ５５０が、ＲＦ電極５３０によってハウジング内で発生される。ハウジング５１０を介したガス連通は、図５に矢印により概略的に表されている。反応性の高い水素ラジカルＨ・が、プラズマ５５０により生成され、例えば有機汚染物質である、基板ホルダＷＨの表面２１０上に存在し得る汚染物質と反応する。そして、これらの汚染物質は表面２１０から脱着し、続けて真空ユニットによって取り出される。有機汚染物質の除去は、プラズマ中に含まれる荷電粒子によっても達成させ得ると理解されよう。これら荷電粒子は、表面２１０に衝突するように、電極と基板ホルダＷＨとの間の電場により加速させられる。本発明の別の実施形態において、追加のガス、例えば酸素も使用してよいことは理解されよう。
【００４６】
[0052] 真空壁ＥＮによって囲まれた空間中に存在する水素分子の雰囲気圧力は、約１ｍｂａｒ（例えば、約０．１ｍｂａｒと１０ｍｂａｒの間の範囲）であり得る。この圧力は、表面２１０を洗浄するのに必要なだけの中性ラジカルを提供するのに十分であり得る。あるいは、プラズマ形成を促進し、ハウジング５１０内のラジカル量を増加させるために、洗浄ユニット５００が置かれている領域で水素分子の雰囲気圧力を局所的に増加させることも可能である。例えば、一実施形態において、水素分子の圧力は、露光領域３５０よりもメトロロジ領域３４０において高いレベルに保たれ得る。
【００４７】
[0053] メッシュ材料における開口５６０の数およびサイズは、変化し得ることが理解されよう。例えば、一実施形態において、開口のサイズは、約０．１ｍｍと１０ｍｍの間の範囲である。あるいは、メッシュ材料を使用する代わりに、ハウジング５１０は、ハウジング５１０の外部と内部との間でガス連通を可能にする１つ以上の開口を有する金属（例えばステンレス鋼）から作られた囲いで形成されてもよい。
【００４８】
[0054] 図６は、本発明の一実施形態による洗浄ユニット６００を示す。この洗浄ユニットは、チューブ６１０、およびプラズマジェネレータ６２０を含む。プラズマジェネレータ６２０は、チューブ６１０の領域６４０でプラズマ６３０を生成するように構成されている。プラズマジェネレータ６２０は、例えば、チューブ６１０に沿って置かれたＲＦコイル、または、マイクロ波もしくはＲＦキャビティを含み得る。プラズマ６３０を発生させるように構成された他のシステムも、本発明の他の実施形態において使用してよい。あるいは、ラジカルは、連続モードまたはバーストモードのＤＣ放電において生成され得る。水素分子、または酸素等他のガスの流れ６５０が、チューブ６１０を通って流れるように提供される。水素は、プラズマ６３０を流れ、それにより中性水素ラジカルの流れが作り出される。プラズマ６３０中で、中性およびイオン化された活性粒子が生成される。イオン化された粒子は、チューブ６１０の壁、または、例えばチューブ開口部に設けられ得るファラデー（Faraday）グリッド６６０に衝突することにより中性になり得る。中性ラジカルは、ビーム６７０としてチューブ６１０を出る。中性ラジカルは、基板ホルダ２１０の表面２１０に存在し得る有機汚染物質と反応する。中性ラジカルによって脱着させられた汚染粒子は、真空ユニット（図６では図示せず）のアウトレット６８０により排出させられ得る。
【００４９】
[0055] 図７は、図６に示される装置の変形を示す。この場合、洗浄ユニット７００は、例えばグローワイヤ等の高温要素７１０でラジカルを発生させるように構成されている。加熱要素７１０は、効率的な熱解離のために、例えば約１５００℃から約１９００℃の温度であり得る。この装置および方法は、水素ガスの流れ６５０から水素ラジカルのビーム７２０を発生させるのに特に有用である。
【００５０】
[0056] 複数のアウトレット６８０が、洗浄ユニット６００、７００内に設けられ、脱着された粒子を排出し得ることが理解されよう。あるいは、または、更に、排出ハウジングまたはフードが、リソグラフィ装置の残りの部分へのガス流を最小限にするために、チューブ６１０に取り付けられ得る。シールが、真空排気フードまたはハウジングと、基板ホルダＷＨの表面２１０との間に設けられ得る。
【００５１】
[0057] 一実施形態において、基板ホルダＷＨの表面２１０の洗浄は、中性ラジカルによる洗浄と、研磨洗浄とを組み合わせて無機粒子を除去し得る。研磨洗浄は、洗浄石により行われ得る。洗浄石は、メトロロジ領域３４０に置かれた独立した洗浄ブロック内に配置され得る。洗浄石は、セラミック材料を含んでよく、導電性を持ち得る。例えば、セラミック材料は、アルミナまたはチタン酸化物、および添加物として金属を含んでよい。洗浄石は、グラウンド電位に電気的に連結され、洗浄動作中に静電荷が蓄積することを防ぎ得る。この様な静電荷の蓄積は、表面２１０と洗浄石との間で静電気引力を引き起こし得る。
【００５２】
[0058] 再び図３を参照すると、洗浄システム３００は、基板ホルダＷＨの表面上の汚染粒子を検出する汚染検出ユニット３６０も含み得る。汚染検出ユニット３６０および基板テーブルＷＴは、互いに移動させられ、基板ホルダＷＨの表面２１０全体がスキャンされ、潜在的な汚染粒子が検出され得る。洗浄ユニット３１０および汚染検出ユニット３６０は、コントローラ３７０によって動作可能に制御され得る。汚染検出ユニット３６０によって提供される汚染測定値に基づいて、コントローラ３７０は、洗浄ユニット３１０に命令して、基板ホルダＷＨの表面２１０の特定の領域または位置を洗浄させる。例えば、コントローラは、基板テーブルＷＴ、洗浄ユニット３１０、またはその両方に命令して、互いに移動するようにさせ、洗浄ユニット３１０が、汚染粒子が検出された領域に近接して位置付けされるようにする。このようにして、洗浄時間を実質的に減少させることが可能である。あるいは、基板ホルダＷＨの表面全体を洗浄することも可能である。
【００５３】
[0059] 汚染検出ユニット３６０には、放射源を含むレベルセンサ、レンズシステム、およびディテクタ（図３では図示せず）が設けられ得る。レベルセンサは、基板ホルダＷＨの支持表面２１０にその裏側が接して保持される基板Ｗの表面の表面形状を検出するために使用され得る。レベルセンサが使用される場合、放射源は基板Ｗの表面上に向けられる放射ビームを生成する。そして、放射ビームは、基板Ｗの表面で反射され、その後ディテクタに向けられる。ディテクタは、基板Ｗの頂面の表面形状の変形を示す、ビーム方向の変化を測定するように構成されている。このような変形は、基板が特定の位置で厚くなることによって、または基板Ｗの裏側と支持表面２１０との間に存在する汚染物質によって引き起こされ得る。少なくとも２つの基板の表面形状をデータ記憶ユニットに格納し、これらの表面形状を比較することによって、同様の位置において繰り返し生じる表面形状の変形が検出され得る。これは、この位置における支持表面２１０の汚染を示し得る。レベルセンサは、フォーカス検出システムであってよい。
【００５４】
[0060] 上記記載は、リソグラフィ装置内の単一の下流ラジカル源のみを明記しているが、必要な全洗浄時間を、リソグラフィ装置１内に２つ以上の下流ラジカル源を設けることによって減少し得ることは理解されよう。
【００５５】
[0061] プログラミングを含むコンピュータシステムのソフトウエア機能は、実行コードを含み、上記洗浄プロセスを実施するために使用され得る。ソフトウエアコードは、汎用コンピュータによって実行可能であり得る。動作中、コードおよび場合により関連するデータ記録は、汎用コンピュータプラットフォーム内に格納され得る。しかし、他の場合、ソフトウエアは、他の記憶場所に格納され得る、および／または適切な汎用コンピュータシステム内にロードするために搬送され得る。したがって、上述した実施形態は、少なくとも１つの機械可読媒体が有する１つ以上のコードモジュールの形態の１つ以上のソフトウエアまたはコンピュータ製品が関連する。コンピュータシステムのプロセッサによりこれらのコードを実行することで、プラットフォームが、本明細書で説明および例示された実施形態において実行される方法で実質的に機能を実施することを可能にする。
【００５６】
[0062] 本明細書で使用される場合、コンピュータまたは機械「読取可能媒体」等の用語は、プロセッサに実行のための命令を与えることに関与するあらゆる媒体を指す。そのような媒体は、不揮発性媒体、揮発性媒体、および伝送媒体を含むが、これらに限定されない多くの形態を取ってよい。不揮発性媒体は、例えば、上述のように動作するあらゆるコンピュータにおける任意の記憶デバイス等の光ディスクまたは磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、コンピュータシステムのメインメモリ等のダイナミックメモリを含む。物理的な伝送媒体は、同軸ケーブル、銅線、および光ファイバを含み、コンピュータシステム内のバスを構成するワイヤを含んでいる。搬送波伝送媒体は、電気もしくは電磁信号、または無線周波数（ＲＦ）および赤外線（ＩＲ）データ通信中に発生される音波もしくは光波等の音波もしくは光波の形態を取ることができる。したがって、コンピュータ読取可能媒体の一般的な形態は、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、任意の他の磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、あらゆる他の光媒体、パンチカード、紙テープ、孔のパターンを有するあらゆる他の物理媒体などあまり一般的に使用されない媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、およびＥＰＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ−ＥＰＲＯＭ、あらゆる他のメモリチップまたはカートリッジ、搬送波輸送データまたは命令、搬送波等を送るケーブルまたはリンク、またはコンピュータがプログラミングコードおよび／またはデータを読み取り、または送ることができるあらゆる他の媒体を含む。コンピュータ読取可能媒体のこれら形態の多くは、実行のためにプロセッサに１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスを搬送することを含み得る。
【００５７】
[0063] 本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。当該記載は、本発明を限定することを意図していない。
【００５８】
[0064] 本明細書で、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。そのような代替用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよいことが当業者には理解されるだろう。本明細書に記載される基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールにより処理され得る。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用し得る。更に基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよく、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００５９】
[0065] リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を満たすように、例えば水といった比較的高い屈折率を有する液体に基板の表面を浸漬するタイプのものであってもよい。液浸液は、例えば、パターニングデバイスと投影システムの第１要素との間といったリソグラフィ装置の他の空間に加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるための技術においてよく知られている。
【００６０】
[0066] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビーム等の微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００６１】
[0067] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々なタイプの光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００６２】
[0068] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械可読命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
【００６３】
[0069] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを保持するように構成されたパターンサポートであって、前記パターニングデバイスは前記放射ビームをパターニングし、パターン付き放射ビームを形成するよう構成される、パターンサポートと、
基板を保持するように構成され、前記基板と接触する支持表面を含む基板ホルダと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板上に投影するように構成された投影システムと、
洗浄ユニットを含み、前記基板ホルダの前記支持表面上にラジカルを発生させ、そこから汚染を除去するように構成される洗浄システムと、
を備えるリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記放射ビームは極端紫外線範囲内の波長を有する、
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ラジカルは水素ラジカルである、
請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記洗浄ユニットは、
水素供給源に連通しているインレットおよび真空ユニットに連通しているアウトレットを含むハウジングと、
前記ハウジング内に配置され、前記ハウジング内で水素プラズマを生成して前記ラジカルを発生させるように構成されたプラズマジェネレータと、
を含む、
請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記プラズマジェネレータはＲＦ電極、ＤＣ放電電極、またはＲＦコイルを含む、
請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記ハウジングは、使用する際に、前記基板ホルダに近接して位置付けられ、前記支持表面の少なくとも一部上に前記ラジカルを発生させる、
請求項４または５に記載の装置。
【請求項７】
前記ハウジングは、前記支持表面により画定された全領域を実質的に覆うように構成される、
請求項６に記載の装置。
【請求項８】
使用する際に、前記基板ホルダおよび前記洗浄ユニットは互いに移動可能である、
先行する請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記洗浄ユニットは、前記支持表面に実質的に垂直な方向に沿って移動可能である、
請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記洗浄システムは、前記支持表面上の汚染を検出するように構成された汚染検出システム、前記汚染検出システムおよび前記洗浄ユニットに連通したコントローラを更に含み、
前記コントローラは、前記汚染検出システムの検出結果に基づいて、前記洗浄ユニット、前記基板ホルダ、またはその両方の位置を制御するように構成される、
先行する請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記洗浄システムは、水素雰囲気が維持されている前記装置内の領域に置かれ、
前記洗浄ユニットは、
複数の開口と、真空ユニットに連通したアウトレットとを含むハウジングであって、前記複数の開口は前記水素雰囲気と前記ハウジングの内部との間の連通を可能にする、ハウジングと、
前記ハウジングの前記内部に配置され、水素プラズマを生成して前記ラジカルを発生させるように構成されたプラズマジェネレータであって、前記水素雰囲気が前記プラズマジェネレータ用の水素供給源として機能するように構成される、プラズマジェネレータと、
を含む、
先行する請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
前記ハウジングはメッシュ材料で作られている、
請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記洗浄ユニットは水素の流れ内に置かれた高温要素を含み、
前記高温要素は前記ラジカルを生成する熱解離を引き起こすのに十分な温度である、
先行する請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
放射ビームを調整することと、
前記放射ビームをパターニングしてパターン付き放射ビームを形成することと、
基板ホルダの支持表面により支持される基板上に前記パターン付き放射ビームを投影することと、
前記基板ホルダの前記支持表面上にラジカルを発生させそこから汚染を除去することと、
を含むデバイス製造方法。
【請求項１５】
前記放射ビームは極端紫外線範囲内の波長を有する、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ラジカルは水素ラジカルである、
請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ラジカルを発生させることは、
ハウジングの内部に水素を供給することと、
前記ハウジング内に水素プラズマを生成して前記ラジカルを発生させることと、
を含む、
請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記水素を供給することは、前記基板ホルダが置かれる領域において水素雰囲気を維持することを含み、
前記水素雰囲気は水素供給源として機能して前記ハウジング内で前記プラズマを生成するように構成される、
請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ハウジングはメッシュ材料で作られている、
請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記水素は前記基板ホルダが置かれている領域の外部に置かれた水素源から供給される、
請求項１７から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記プラズマは、ＲＦ電極、ＤＣ放電電極、またはＲＦコイルにより生成される、
請求項１７から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記支持表面の少なくとも一部上に前記ラジカルを発生させるために、前記ハウジング、前記基板ホルダ、または両方を移動して前記ハウジングを前記基板ホルダに近接して位置付けること、を更に含む、
請求項１７から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記ハウジングは、前記支持表面により画定された全領域を実質的に覆うように構成される、
請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記支持表面の汚染を検出することと、前記検出に基づいて、前記支持表面の少なくとも一部上に前記ラジカルを発生させるために、前記洗浄ユニット、前記基板ホルダ、またはその両方の位置を制御して前記ハウジングを前記基板ホルダに近接して位置付けることと、を更に含む、
請求項１７から２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
前記発生させることは、高温要素内に水素の流れを提供することを含み、
前記高温要素は前記ラジカルを生成する熱解離を引き起こすのに十分な温度である、
請求項１４から２４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１】
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを保持するように構成されたパターンサポートであって、前記パターニングデバイスは前記放射ビームをパターニングし、パターン付き放射ビームを形成するよう構成される、パターンサポートと、
基板を保持するように構成され、前記基板と接触する支持表面を含む基板ホルダと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板上に投影するように構成された投影システムと、
洗浄ユニットを含み、前記基板ホルダの前記支持表面上にラジカルを発生させ、そこから汚染を除去するように構成される洗浄システムと、
を備えるリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記放射ビームは極端紫外線範囲内の波長を有する、
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ラジカルは水素ラジカルである、
請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記洗浄ユニットは、
水素供給源に連通しているインレットおよび真空ユニットに連通しているアウトレットを含むハウジングと、
前記ハウジング内に配置され、前記ハウジング内で水素プラズマを生成して前記ラジカルを発生させるように構成されたプラズマジェネレータと、
を含む、
請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記プラズマジェネレータはＲＦ電極、ＤＣ放電電極、またはＲＦコイルを含む、
請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記ハウジングは、使用する際に、前記基板ホルダに近接して位置付けられ、前記支持表面の少なくとも一部上に前記ラジカルを発生させる、
請求項４または５に記載の装置。
【請求項７】
前記ハウジングは、前記支持表面により画定された全領域を実質的に覆うように構成される、
請求項６に記載の装置。
【請求項８】
使用する際に、前記基板ホルダおよび前記洗浄ユニットは互いに移動可能である、
先行する請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記洗浄ユニットは、前記支持表面に実質的に垂直な方向に沿って移動可能である、
請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記洗浄システムは、前記支持表面上の汚染を検出するように構成された汚染検出システム、前記汚染検出システムおよび前記洗浄ユニットに連通したコントローラを更に含み、
前記コントローラは、前記汚染検出システムの検出結果に基づいて、前記洗浄ユニット、前記基板ホルダ、またはその両方の位置を制御するように構成される、
先行する請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記洗浄システムは、水素雰囲気が維持されている前記装置内の領域に置かれ、
前記洗浄ユニットは、
複数の開口と、真空ユニットに連通したアウトレットとを含むハウジングであって、前記複数の開口は前記水素雰囲気と前記ハウジングの内部との間の連通を可能にする、ハウジングと、
前記ハウジングの前記内部に配置され、水素プラズマを生成して前記ラジカルを発生させるように構成されたプラズマジェネレータであって、前記水素雰囲気が前記プラズマジェネレータ用の水素供給源として機能するように構成される、プラズマジェネレータと、
を含む、
先行する請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
前記ハウジングはメッシュ材料で作られている、
請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記洗浄ユニットは水素の流れ内に置かれた高温要素を含み、
前記高温要素は前記ラジカルを生成する熱解離を引き起こすのに十分な温度である、
先行する請求項のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
放射ビームを調整することと、
前記放射ビームをパターニングしてパターン付き放射ビームを形成することと、
基板ホルダの支持表面により支持される基板上に前記パターン付き放射ビームを投影することと、
前記基板ホルダの前記支持表面上にラジカルを発生させそこから汚染を除去することと、
を含むデバイス製造方法。
【請求項１５】
前記放射ビームは極端紫外線範囲内の波長を有する、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ラジカルは水素ラジカルである、
請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ラジカルを発生させることは、
ハウジングの内部に水素を供給することと、
前記ハウジング内に水素プラズマを生成して前記ラジカルを発生させることと、
を含む、
請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記水素を供給することは、前記基板ホルダが置かれる領域において水素雰囲気を維持することを含み、
前記水素雰囲気は水素供給源として機能して前記ハウジング内で前記プラズマを生成するように構成される、
請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ハウジングはメッシュ材料で作られている、
請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記水素は前記基板ホルダが置かれている領域の外部に置かれた水素源から供給される、
請求項１７から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記プラズマは、ＲＦ電極、ＤＣ放電電極、またはＲＦコイルにより生成される、
請求項１７から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記支持表面の少なくとも一部上に前記ラジカルを発生させるために、前記ハウジング、前記基板ホルダ、または両方を移動して前記ハウジングを前記基板ホルダに近接して位置付けること、を更に含む、
請求項１７から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記ハウジングは、前記支持表面により画定された全領域を実質的に覆うように構成される、
請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記支持表面の汚染を検出することと、前記検出に基づいて、前記支持表面の少なくとも一部上に前記ラジカルを発生させるために、前記洗浄ユニット、前記基板ホルダ、またはその両方の位置を制御して前記ハウジングを前記基板ホルダに近接して位置付けることと、を更に含む、
請求項１７から２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
前記発生させることは、高温要素内に水素の流れを提供することを含み、
前記高温要素は前記ラジカルを生成する熱解離を引き起こすのに十分な温度である、
請求項１４から２４のいずれか一項に記載の装置。
【図１】
【図２ａ】
【図２ｂ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２ａ】
【図２ｂ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公表番号】特表２０１０−５３４９４６（Ｐ２０１０−５３４９４６Ａ）
【公表日】平成２２年１１月１１日（２０１０．１１．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５１８５５０（Ｐ２０１０−５１８５５０）
【出願日】平成２０年７月２５日（２００８．７．２５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００８／００６１４５
【国際公開番号】ＷＯ２００９／０１５８３８
【国際公開日】平成２１年２月５日（２００９．２．５）
【出願人】（５０４１５１８０４）エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． (1,856)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２２年１１月１１日（２０１０．１１．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年７月２５日（２００８．７．２５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００８／００６１４５
【国際公開番号】ＷＯ２００９／０１５８３８
【国際公開日】平成２１年２月５日（２００９．２．５）
【出願人】（５０４１５１８０４）エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． (1,856)
【Ｆターム（参考）】
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