【課題】基板上でのパターン倒れを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、洗浄処理部５ａ〜５ｄを有する。洗浄処理部５ａ〜５ｄは、スピンベース２２、チャック回転駆動機構２４、チャンバ３１、真空ポンプ３３、蒸気供給管３４および液体供給ノズル４６を備える。チャンバ３１がスピンベース２２から離間した位置に設定されかつスピンベース２２が回転されている状態で、スピンベース２２上の基板Ｗに液体供給ノズル４６から薬液およびリンス液が供給される。スピンベース２２が停止されかつチャンバ３１がスピンベース２２に密着した位置に設定されている状態で、真空ポンプ３３によりチャンバ３１内が排気されるとともに蒸気供給管３４からチャンバ３１内にＩＰＡの蒸気が供給される。 （もっと読む）

【課題】 基板洗浄をさらに効率的に実行できる二流体ノズル、およびこの二流体ノズルによって洗浄処理を実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 流路形成部材３１および蓋部材３９は、主として圧縮空気供給源側から供給される気体の導入路を形成する部材である。流路形成部材４１および蓋部材４９は、主として圧縮空気供給源側から供給される気体の導入路を形成する部材である。また、各流路形成部材３１、４１の背面同士が合わせられると、洗浄液供給源７１から供給される液体の導入路が形成されるとともに、Ｙ軸方向を長手方向とし、Ｘ軸方向を幅方向とする略長方形状の液体吐出口が形成される。導出部材５１は、流路形成部材３１側から供給される気体の吐出口と、流路形成部材４１側から供給される気体の吐出口と、を形成する部材である。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染を抑制または防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、スピンベース６から離隔させた状態でウエハＷを水平に保持する複数個の挟持部材７を有するスピンチャック２を備えている。ウエハＷとスピンベース６との間には区画板３２が配置されている。ウエハＷとスピンベース６との間の空間は、区画板３２によって基板側の空間Ｓ１ａとベース部材側の空間Ｓ１ｂとに区画されている。下側処理液吐出口３７から処理液が吐出されることにより、基板側の空間Ｓ１ａに処理液が供給され、ウエハＷの下面が処理される。また、洗浄液吐出口３０から洗浄液が吐出されることにより、ベース部材側の空間Ｓ１ｂに洗浄液が供給され、スピンベース６の上面６ａおよび区画板３２の下面３２ｂが洗浄される。 （もっと読む）

【課題】基板の主面上でのエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して良好なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供する。基板の主面上でのエッチング液の滞留を防止または抑制することができる基板支持部材を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板支持部材３と、ウエハＷおよび基板支持部材３を回転させるスピンチャック４とを備える。基板支持部材３の上面には、円筒状の収容凹所１３および平坦な第１円環状面１２が形成されている。第１円環状面１２は、収容凹所１３内に保持されたウエハＷの上面に、第１円環状面１２上のフッ硝酸とウエハＷの上面上のフッ硝酸とが連続した液膜を形成するように接近して配置されている。第１円環状面１２には、サンドブラスト加工（親液化処理）が施されている。 （もっと読む）

【課題】被処理物の種々のサイズに対応可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置Ｍは、長手方向に連なる複数の電極ユニット１０，１０を備えている。各電極ユニット１０は、互いに対応する長さの第１、第２電極部材１１，１２と、第１誘電部材１３と、一対のサイドフレーム１６を有している。複数の電極ユニット１０，１０における第１電極部材１１，１１どうし、第１誘電部材１３，１３どうし、及び幅方向の同側のサイドフレーム１６，１６どうしが、それぞれ互いに同一規格に形成されるとともに長手方向に連ねられている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、ブラシから異物を確実に除去できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、ブラシ１８およびブラシ洗浄液供給機構５３を備えている。ブラシ１８は、基板に接触する接触面４５,４６を外表面に有し、内方から接触面４５,４６に向けてブラシ洗浄液を供給するためのブラシ洗浄液導入孔４７が形成されている。ブラシ１８は、所定の基板処理位置で接触面４５,４６を基板に接触させて当該基板を洗浄する。ブラシ１８が前記基板処理位置から退避して待機するときの待機位置には、当該ブラシ１８を収容するための待機ポッド２１が設けられている。また、ブラシ洗浄液供給機構５３は、待機ポッド２１の底部５１に設けられており、ブラシ洗浄液導入孔４７にブラシ洗浄液を供給する。 （もっと読む）

【課題】密封部材の異常消耗を防止することができる洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０において、最初のプラズマエッチングの際、チャンバ１１の構成部品等に付着したＣＦ系のデポ量が規定量より少ないときには、続く１ロット分のプラズマエッチングにおいて反応室１７内における構成部品等を加熱して該構成部品等に付着したＣＦ系のデポ量を減少させ、ドライクリーニングにおいて反応室１７内に酸素ラジカルを弗素ラジカルに比して過剰に存在させ、構成部品等に付着したＣＦ系のデポ量が規定量より多いときには、続く１ロット分のプラズマエッチングにおいて反応室１７内における構成部品等を冷却して該構成部品等に付着したＣＦ系のデポ量を増加させ、続くドライクリーニングにおいて反応室１７内に弗素ラジカルを酸素ラジカルに比して過剰に存在させる。 （もっと読む）

【課題】単純な構造でブラシを回転させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ブラシ２０は、ブラシホルダ４７およびホルダ取付部４８を介して、回転シャフト４５に一体回転可能に連結されている。また、ホルダ取付部４８の外周には、複数の羽根１０４からなる羽根車１０５が連結されている。ブラシ２０および羽根車１０５は一体回転可能に連結されている。ブラシ２０および羽根車１０５は、第１および第２ノズル１１５，１１６から吐出されたブラシ洗浄液が羽根１０４に当たることにより、一体的に回転させられる。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置の裏面を洗浄する洗浄液が半導体装置の表面に吸い込まれるのを防止する。
【解決手段】
本発明の吸着搬送装置は、複数の半導体装置２０を一括吸着して搬送する吸着搬送装置であって、空気を吸引する真空室８と、真空室８につながった吸引通路１９を備え、吸引通路１９の空気が真空室８に吸引されることにより、半導体装置２０の第１の主面を吸着する吸着パッドリング１と、半導体装置２０の第１の主面とは反対側の第２の主面に向けて洗浄液を噴射する洗浄手段２５と、空気を放出する空気室１２と、空気室１２から放出された空気を半導体装置２０の第１の主面から第２の主面に向かう方向に放出するため、吸着パッドリング１の周囲に設けられ空気室１２につながった空気通路１４とを有する。 （もっと読む）

ウエハのような半導体基材の表面を洗浄、調整する装置である。回転可能なチャックやチャンバー、１つ以上のドレン排出口を有して洗浄液を集める回転可能なトレイ、多数の洗浄液を集める多数の受容器、チャックを駆動する第１のモータ、トレイを駆動する第２のモータを含む。トレイのドレン排出口は、その下方に配置された所定の受容器の直上に位置させることができる。トレイに集められた洗浄液は、所定の受容器に導くことができる。最小限の相互汚染での確実で正確に制御された洗浄溶液の再利用がこの装置の１つの特徴である。
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【課題】薬液のガスの排気量を少なくすることができるとともにこの薬液のガスの排気のコントロールを容易に行うことができ、また、処理空間形成部や処理液供給部以外の周辺ユニットについて耐薬品性を考慮する必要がなくなり、さらに処理液供給部のメンテナンス性を向上させることができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗの周縁部の洗浄を行う基板洗浄装置は、被処理基板Ｗを支持するとともに回転させる回転支持部２２と、回転支持部２２により支持される被処理基板Ｗの周縁部を覆うような処理空間３６を形成する処理空間形成部３０と、を備えている。また、処理空間３６内にある被処理基板Ｗの周縁部に処理液を供給する処理液供給部４０が設けられている。処理液供給部４０は、処理空間形成部３０により形成される処理空間３６に外部から挿入可能となっている。 （もっと読む）

【課題】処理槽の上方に乾燥処理部を備えた処理装置において、乾燥処理部に薬液雰囲気が流入することを防止でき、さらに、乾燥処理部から処理ガスを確実に排気できる基板処理装置、基板処理方法、記録媒体およびソフトウエアを提供する。
【解決手段】基板処理装置１は基板Ｗを処理液によって処理する処理槽３と、処理槽３の上方に配置された乾燥処理部６と、処理槽３と乾燥処理部６との間で基板Ｗを移動させる移動機構８とを備えている。乾燥処理部６は、移動機構８によって基板Ｗが処理槽３内に移送されたとき、外気と連通する状態と、外気と遮断した状態とをとることができる。乾燥処理部６は制御部６５によって外気と連通する状態と、外気と遮断した状態とに切り換えられる。 （もっと読む）

【課題】 放電方向に均一な放電を発生させ、放電効率を高める構造を提供すること。
【解決手段】 放電用電極体９，１０は電極２，３と電極２，３を覆う固体誘電体とを備えたものであって、固体誘電体の放電側表面が希土類元素を含む酸化物からなる。また、放電用電極アセンブリ１００は、放電用電極体を２つ備えてなり、これら放電用電極体を対向させてなる。放電処理装置は、放電用電極アセンブリを用いてプラズマを発生させるようになしたものである。これらにより、放電効率が向上するとともに、放電用電極体の放電側表面のプラズマに対する耐食性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 チャンバー外部に処理液の流出を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板処理装置は、基板の処理空間を提供するチャンバー、チャンバーの内部に配置され、第１方向に延長されチャンバーの外部から両端部に提供された処理液が流れる第１供給ライン、第１供給ラインと連通され基板に向かうように延長され、処理液を基板に向かって噴射する噴射部、及び噴射部を第１方向と垂直な第２方向にスウィングさせるために、第１供給ラインと非接触方式で第１供給ラインを回転させる駆動ユニットを含む。従って、基板処理装置は、基板全体に均一に処理液を供給する。 （もっと読む）

【課題】ブラシの交換時期を適切に判断することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に対する裏面洗浄処理時には、ブラシ１６は、裏面処理時位置に配置され、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周縁部に対して押し込まれる。そして、その状態が所定時間にわたって維持された後、ブラシ１６は、ウエハＷから離間される。一方、ブラシに加わる荷重が圧力センサにより検出され、その検出される荷重に基づいて、制御部により、ブラシ１６が裏面側処理時位置に配置されたか否かが判断される。そして、ブラシ１６が裏面側処理時位置に配置されたと判断された時点からブラシ１６がウエハＷからの離間のために移動し始めるまでの時間が計測され、その時間がメモリに累積して記憶される。 （もっと読む）

【課題】複数の処理チャンバ全体を積層方向に関して小型化できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ハウジング２の内部の収容空間に、第１処理チャンバ１０、第２処理チャンバ２０および第３処理チャンバ３０が、下方から順に積層されている。第１処理チャンバ１０の上方には、第１蓋１１を介して、第２処理チャンバ２０が積層されている。第１蓋１１および第２処理チャンバ２０が、一体的に、第１処理チャンバ１０に対して相対的に昇降する。第２処理チャンバ２０の上方には、第２蓋２１を介して、第３処理チャンバ３０が積層されている。第２蓋２１および第３処理チャンバ３０が、一体的に、第２処理チャンバ２０に対して相対的に昇降する。 （もっと読む）

【課題】 高圧水噴射洗浄装置において、製造ラインで要求されるクリーン度への対応が容易であること、均一な洗浄を可能にすること、構造を簡単にし、コストダウンを図れること、ならびに洗浄時の装置の振動を低減することである。
【解決手段】 洗浄対象物を洗浄装置本体に対し一定速度で移動させながら、高圧水噴射ノズルから一斉に高圧水を前記洗浄対象物に噴射させて洗浄する装置で、洗浄対象物を横切る長さ以上の長さを有する支持フレーム６の一面に、複数の高圧水噴射ノズル７ａを洗浄対象物に向けかつ間隔をあけて配列し、支持フレーム６の両端延長部１１をその延長面に直交する駆動軸１５を介して偏心回転可能に支持するとともに、駆動軸１５を駆動装置１７にて回転させることにより支持フレーム６が偏心回転するように構成し、回転円運動する各高圧水噴射ノズル７ａから高圧水を一斉に噴射させるようにしている。 （もっと読む）

【課題】 微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 表面に酸化膜が発生している被処理体Ｗは、処理容器１０内に搬入され、該処理容器内は真空に維持され、Ｎ₂ とＨ₂ との混合ガスがプラズマ発生部３０に導入され、プラズマ化され、それぞれの活性ガス種が形成される。活性化ガス種は被処理体に向けてフローされ、これにＮＦ₃ ガスが添加され、活性化されたガスが形成される。被処理体は所定温度以下に冷却手段２２により冷却され、活性化されたＮＦ₃ ガスに曝され、該ガスと反応し、酸化膜は変質して反応膜が被処理体Ｗの表面に形成される。Ｎ₂ 、Ｈ₂ 及びＮＦ₃ ガスの供給が停止され、加熱手段１９で被処理体は所定の温度に加熱され、反応膜が昇華して除去される。 （もっと読む）

【課題】別の処理ユニットからのケミカル雰囲気の進入を抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を保持する基板保持部４２、及び基板に処理液を供給する供給ノズル６１と、この供給ノズル６１を待機位置から基板保持部４２の上方に旋回させるシャフト６３とを有する処理液供給部４１を備えた複数の基板処理部２２と、基板処理部２２の各々を互いに独立して収容する複数のチャンバ４３と、待機位置の各々に設けられ、供給ノズル６１から吐出される処理液を受ける排液ポート８２と、排液ポート８２の各々が接続され、複数の基板処理部２２で共有される主排液配管８１と、排液ポート８２と主排液配管８１との間の各々に設けられ、主排液配管８１からの気体の進入を防ぐ進入防止弁８５と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を精度よく処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を洗浄する基板処理装置は、固定アーム１９によって水平姿勢で保持された基板Ｗの下面を覆う下部板２１と、この下部板２１に対向配置されて基板Ｗの上面を覆う上部板３１とを備えて構成される処理部３３を、上下方向に複数積層し、さらに、固定アーム１９等を縦軸芯Ｐ周りに回転させる電動モータ１１と、下部板２１に対して上部板３１を上下方向に接離させて、下部板２１と上部板３１との間隔であるギャップＧを可変する昇降機構２３と、を備えている。この基板処理装置によれば、下部板２１に対して上部板３１を上昇または下降させることで、下部板２１と上部板３１との間隔であるギャップＧを可変する。これにより、固定アーム１９に基板Ｗを保持させる動作や、
基板の処理をそれぞれ適切に行うことができる。 （もっと読む）