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Fターム[5F157CF24]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) | シール (102)

Fターム[5F157CF24]に分類される特許

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【課題】処理チャンバ内を洗浄するための洗浄液による基板汚染を防止することができる基板処理装置および処理チャンバ内洗浄方法を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ2内においては、閉状態におけるシャッタ18上部の側方(水平でかつ側壁1に沿う方向)の一方側(図で示す右側)には、洗浄液を吐出するための第1洗浄液吐出ノズル32と、洗浄液を吐出するための第2洗浄液吐出ノズル33と、N2ガスを吐出するためのN2ガス吐出ノズル34とが設けられている。シャッタ18の上部に付着したSPMが、洗浄液によって洗い流される。また、洗浄に用いられた洗浄液がN2ガスによって除去される。 (もっと読む)


【課題】輸送や組み立て、メンテナンスを容易とした液処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置1は、基板が収納された容器の搬入出を行う容器搬入出部2と、基板に所定の液処理を施す液処理部3と、容器搬入出部2と液処理部3との間で基板を搬送する基板搬送部4と、液処理部3に供給する処理液の貯蔵および送液ならびに回収を行う処理液貯留部5と、基板搬送部4と液処理部3と処理液貯留部5をそれぞれ個別に制御する複数の制御部7a,7b,10と、基板搬送部4と液処理部3と処理液貯留部5に配設された電動駆動機構16,27および複数の制御部7a,7b,10を動作させるための電源部6と、複数の制御部7a,7b,10と電源部6からの排気を1箇所に集中させた後に外部に排気する排気システム8とを具備する。 (もっと読む)


【課題】非接触式シールを用いた構成において、非回転環と回転環との非接触状態を確実に維持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】非接触式シール機構29は、スピンベース10に固定された回転環34と、基部30によって鉛直方向に移動可能に保持され、回転環34に対向配置された非回転環32とを備えている。非回転環32は、基部30に保持された複数のばね31の付勢力によって上方に付勢されている。また、回転環32および非回転環34はそれぞれ互いに反発するように働く永久磁石によって構成されている。非回転環32は、永久磁石の反発力によって前記付勢力に抗して数μm〜数十μm回転環34から離間しており、これによって、非回転環32と回転環34とが互いに非接触になっている。 (もっと読む)


【課題】乾燥装置において、ワーク乾燥室内に設ける移送ロッドによりワークの移送を可能とし、且つ当該移送を行うためにワーク乾燥室に形成される孔状部をシールする構造を実現することによって、乾燥室内の熱気が外部に放出することを防止して、乾燥時の熱効率の向上を図る。
【解決手段】本発明に係る乾燥装置のシール構造は、密閉された室内に収容されたワークを移送しながら乾燥するワーク乾燥室と、ワーク乾燥室を閉止する仕切プレートから室内に挿入され、ワークを支持したまま、仕切プレートに形成されたガイド孔に沿って往復動する移送ロッドと、ガイド孔に重ねて設けられ、移送ロッドが貫通して、該送ロッドと共にスライドするスライドプレートと、スライドプレートの両側に、該スライドプレートのスライド動作に伴い開口するガイド孔の開口部を覆うように従動する従動プレートとが設けられる。 (もっと読む)


【課題】被処理体の表面上に処理流体が滞留するのを防止して表面処理の均一性を向上させることができる高圧処理装置を提供する。
【解決手段】回転軸J回りに回転駆動される基板Wに対して噴出管5から噴出されるSCCO2が基板Wの表面に平行に供給される。噴出管5は回転軸Jに平行な回動軸K回りに回動自在に設けられており、コントローラ4からの制御指令に基づき、サーボモータ73が作動することで噴出管5が回動駆動される。これにより、噴出管5からのSCCO2の噴出方向が変更可能となっている。このため、基板Wの表面処理のプロセス条件に応じてSCCO2の噴出方向を自在に調整することができ、基板Wの表面上におけるSCCO2の滞留を防止して表面処理の均一性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板、マスク基板、半導体ウェーハ等の基板をブラシで洗浄する際、ブラシ自体を劣化させずに清浄な状態で洗浄し、かつブラシ内部にまで入り込んだ汚染物を除去し、ブラシによる洗浄効果を安定させるとともに、ブラシの交換頻度を低減させうる機構を具備することによって、基板を清浄な状態で洗浄することができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】ブラシの裏面からブラシ内を被洗浄物に接触する面に向かって洗浄液を流すことによって、ブラシ内部にまで入り込んだ汚染物を除去しつつ、ブラシの劣化を避けることができる機構を備える洗浄装置。 (もっと読む)


【課題】純水洗浄の省略が許容される被洗浄物を洗浄する装置において、洗浄時間が長くなるのを防止しつつ洗浄液の長寿命化を図る。
【解決手段】外側容器14と、外側容器14内に配設され、洗浄液が貯溜されるとともに被洗浄物Wを出し入れ可能な開口部が設けられた内側容器38と、被洗浄物Wに付着した洗浄液が蒸発する程度に外側容器14の内部を減圧させるための減圧手段20と、洗浄液を浄化するためのフィルタ58と、内側容器38の開口部を気密状に塞ぐための蓋52と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】ArFレジスト膜等の難剥離性膜を容易に除去することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ArFレジスト膜を伴ったウエハからこのArFレジスト膜を除去する処理方法である。ArFレジスト膜に紫外線照射処理を施し、次にArFレジスト膜にオゾンガスと水蒸気を供給して処理することにより、このArFレジスト膜を水溶性に変性させる。その後、水溶性に変性したArFレジスト膜に純水を供給することにより、ArFレジスト膜を基板から剥離する。チャンバに水蒸気とオゾンを供給する際には、チャンバ内に収容されたウエハに結露が生じないように、チャンバへ水蒸気を一定流量で供給しながら、水蒸気に対するオゾンの供給量を減少させる。 (もっと読む)


プレート状物品の超音波湿式処理のための方法およびそれぞれの装置が開示され、この方法は、プレート状物品の表面に近接するトランスデューサに接続された固体要素を移送するステップであって、固体要素とプレート状物品との間に隙間が形成され、隙間は0.1mmと5mmとの間の距離d2を有するような、ステップと、固体要素とプレート状物品との間の隙間を満たすための液体を分配するステップと、超音波を検出するおよび/または距離d2を測定することによって距離d2を制御するステップと、測定された距離を所望の距離d0と比較し、それに応じて距離を調節するステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】基板に供給する処理液を十分に除電するとともに、処理液を接地するためのアース線の長寿命化が実現できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に供給される薬液の流路を形成する接地継手420に炭素電極CEの一端部E1が挿入される。接地継手420から突出する炭素電極CEの他端部E2には、第2のユニオンナット520が取り付けられ、炭素電極CEの第2の溝部d2にストッパリングSRが取り付けられる。そして、炭素電極CEの他端部E2側から接続樹脂FEが取り付けられる。さらに、炭素電極CEの他端部E2にアース線310の一端が接続される。アース線310の他端は接地されている。この状態で、炭素電極CEの他端部E2がアース線保護ブロック500に挿入される。そして、雄ねじを形成するアース線保護ブロック500の突出部601に第2のユニオンナット520が締め付けられる。 (もっと読む)


【課題】この発明は半導体ウエハの上面と下面とを同時に、しかも確実に洗浄することができる基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】一側面に出し入れ口2が形成された処理槽1と、この処理槽内の上記出し入れ口と対向する位置に設けられ処理槽内に搬入された半導体ウエハ10の搬入方向と交差する径方向の両端部を保持してこの半導体ウエハを回転駆動する保持駆動手段8と、保持駆動手段に保持された半導体ウエハに処理液を供給する洗浄ノズル124,125と、処理槽内の上記保持駆動手段よりも内方に設けられ先端部に上記半導体ウエハの板面を洗浄する洗浄ブラシ71,122を有するアーム63,121およびこのアームを上下方向に駆動するとともに洗浄ブラシが半導体ウエハの径方向に沿って移動するよう上記アームを揺動駆動する駆動手段を有するツールユニット61,62とを具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】閉じ込め式化学表面処理のための方法及び装置
【解決手段】プロキシミティヘッドを使用して基板の表面を前処理するための装置、システム、及び方法は、基板の表面とプロキシミティヘッドのヘッド表面との間に非ニュートン流体を塗布することを含む。非ニュートン流体は、ヘッド表面と基板の表面との間で1つまたは2つ以上のサイドに沿って閉じ込め壁を画定する。非ニュートン流体を提供された1つまたは2つ以上のサイドは、ヘッド表面と基板の表面との間の基板上に処理領域を画定する。閉じ込め壁によって画定される処理領域内に実質的に閉じ込められるように、基板の表面に、プロキシミティヘッドを通してニュートン流体が塗布される。閉じ込められているニュートン流体は、基板の表面から1種または2種以上の汚染物質を実質的に除去するのに役立つ。一例では、非ニュートン流体は、雰囲気制御された隔離領域を形成するために使用されてもよく、これは、領域内における制御式の表面処理を助けることができる。別の例では、ニュートン流体の代わりに第2の非ニュートン流体が処理領域に塗布される。第2の非ニュートン流体は、基板の表面上の1種または2種以上の汚染物質に作用し、それらを基板の表面から実質的に除去する。 (もっと読む)


プラズマ発生装置であって、マイクロ波を発生するマイクロ波発生部と、前記マイクロ波を伝搬させる導波管と、前記導波管にマイクロ波の伝搬方向に相互に間隔を開けて取付けられ、前記マイクロ波を受信し、そのマイクロ波のエネルギーに基づきプラズマ化したガスを生成して放出する複数のプラズマ発生ノズルと、前記プラズマ発生ノズルの一部または全部に対応して、前記マイクロ波の伝搬方向に所定距離だけ離間した後段位置において前記導波管にそれぞれ配置される複数のスタブとを含む。
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【課題】基板上に複数の薬液や気体を供給して、基板を洗浄・乾燥する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板が在置されるチャックを有する基板支持機構と、基板の上面に乾燥用流体を噴射する第1のノズルユニットと、上部が開放され、チャックの周辺を囲むような形状を有する下部カバーと、基板に対する乾燥工程が外部と隔離された状態で行なわれるように、下部カバーの上部を開閉する上部カバーと、を含むことを特徴とする基板処理装置。 (もっと読む)


マイクロ電子デバイスの製造において使用される半導体処理システムのコンポーネントから残留物を洗浄するための方法および装置。残留物を効果的に除去するために、コンポーネントは、十分な時間の間および十分な条件下において、気相反応物質に接触させられて、残留物を少なくとも部分的に除去する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが異なる場合には、気相反応物質は、残留物と選択的に反応し、イオン注入装置のコンポーネントを構成する物質とは最小限だけ反応する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが同一である場合には、気相反応物質は、残留物およびコンポーネントパーツの両方と反応し得る。
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【課題】基板表面の必要な範囲に均一なめっき処理を行うためのめっき前処理を確実に行うことができるようにする。
【解決手段】基板Wの表面に無電解めっきを施すに先だって、めっき前処理としての洗浄処理と触媒付与処理を行うにあたり、触媒付与処理によって基板W表面に触媒を付与する範囲より広範囲に洗浄処理を行う(触媒付与範囲S<洗浄範囲S)。触媒付与処理によって基板表面に触媒を付与する範囲は、例えば、基板W表面の均一にめっき処理を行う必要がある範囲と同じ範囲である。 (もっと読む)


【課題】ウェーハの後面処理およびウェーハとの物理的接触の困難な問題を解決できる新規な処理機および処理方法を提供することにある。
【解決手段】半導体ワークを保持しかつ回転させるヘッドを備えた遠心ワーク処理機。ヘッドはガスシステムを備えたロータを有している。ガスは、ロータの入口からスプレーされ、回転ガス流を発生する。回転ガス流は、ワークの第一面の縁部をロータの接触面に対して保持する圧力状態を形成する。ロータおよびワークは一緒に回転する。外周部に隣接するガイドピンが、ワークとロータとを整合させる補助をする。傾斜面が、消費されかつワークから飛散した処理液体を偏向させる補助をする。ヘッドは、ボウルとの多くの異なる係合位置に移動できる。ワークが回転されて処理されるとき、ボウル内のスプレーノズルがワークの第二面上に処理液体をスプレーする。 (もっと読む)


【課題】 枚葉式の回転式基板処理装置において、使用した薬液の回収率を高める。装置価格を引き下げる。振動を抑える。薬液と廃液の雰囲気分離を行う。
【解決手段】 基板1を水平に支持して回転させる回転機構10の周囲に、基板1から飛散する液体を受けるカップ20を設ける。カップ20に、筒状で昇降式の上段液体ガイド30及び下段液体ガイド40を組み合わせる。上段液体ガイド30は、下方の待機位置で下段液体ガイド40に重なって、両ガイド間に形成される液体導入口を閉じ、待機位置から上方への回収位置へ移動して、基板1から飛散する第1の液体をカップ20の外へ導く。下段液体ガイド40は、待機位置から上方への回収位置へ移動して、基板1から飛散する第2の液体をカップ20内へ導く。 (もっと読む)


基板エッジ領域を隔離して処理するための方法及び装置である。装置は、ドライ化学法によって基板のエッジ領域を含む基板の一部を隔離して処理するためのアイソレータを有する。アイソレータは、反応種の流れを基板のエッジ領域に供給するためのノズルと、基板をチャック上で回転させながら反応種の流れを排気プレナムに向けてバイアスさせるためのパージプレナムと、を有する。調節されたフロー制御により、反応種と反応副生成物が処理領域から移動することを防止する。アイソレータを使用して基板を処理するための方法は、反応種の流れを角度をなして基板のエッジ領域に供給しながら、パージプレナム及び排気プレナムによる流れ制御によって処理領域の周囲に境界を形成することを含む。
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第1の表面の平面W1、第2の表面の平面W2及び縁の表面を有するウェーハ状物品の決められた縁の領域をウエット処理するための方法及び装置である。装置は、ウェーハ状物品を保持するための支持具、ウェーハ状物品の支持具に面していない前記第1の表面W1の平面上に液体を分配するための液体分配手段、及びウェーハ状物品の縁の表面のまわりの前記液体の少なくも一部を、支持具に面しているウェーハ状物品の第2の表面の平面W2に向けて案内しこれにより少なくも縁の部分を濡らすために支持具に連結された液体案内部材を備える。
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