【課題】基板とそれに対向する対向部材との間の気流の乱れを抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック３と、基板Ｗの上面周縁部の一部に向けて処理液を吐出するノズル５と、ノズル５を回転軸線Ｌ２まわりに自転させるノズル回転機構３５と、ノズル５に処理液を供給する処理液供給機構６と、基板Ｗの上面に対向する対向面２６、および対向面２６で開口し、ノズル５が挿入されるノズル挿入孔２９を有する遮断板４とを含む。ノズル５は、ノズル５の下面５ａに形成された吐出口を有している。ノズル５の吐出口は、回転軸線Ｌ２から離れた位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】改良されたシール手段を有する処理チャンバーを開示する。
【解決手段】処理チャンバー１０１は下部要素１５０と上部要素１１０とシール付勢器とを有する。シール付勢器は処理空間１４０を維持するために下部要素１５０に対して上部要素１１０を維持するように構成されている。シール付勢器はさらに処理空間１４０内で発生する処理圧力に対して非線形に変化するシール付勢空洞１１５内のシール圧力を発生させるように構成されている。一つの実施形態において、シール付勢器は上部要素１１０および下部要素１５０の一方に対して負ではない最終的な力を閾値以上において最小化するように構成されている。Ｐ１がシール圧力であり、Ｐ２が処理圧力であり、Ａ１がシール付勢空洞の断面積であり、Ａ２が処理空間の断面積であるとした場合に、最終的な力は、式Ｐ１＊Ａ１−Ｐ２＊Ａ２に従う。 （もっと読む）

【課題】ロール電極の内部を流通する冷却液が、ロール電極を構成する部材どうしの接合面を通してロール電極の外面へ漏れ出たとしても、処理の安定性が損なわれるのを防止するプラズマ表面処理装置の提供。
【解決手段】ロール電極１の円筒部２０の端壁部３０Ｌを構成する複数の部材３１Ｌ，３３Ｌどうしの接合面５４Ｌが、冷却液路６０に達して内側接合線５５Ｌを形成し、かつ端壁部３０Ｌの外面に達して外側接合線５６Ｌを形成している。端壁部３０Ｌの外面における、放電面２１ａとの境界１ｂと外側接合線５６Ｌとの間に、端壁部３０Ｌの周方向に沿って延びる溝４１Ｌを形成する。 （もっと読む）

【課題】
多層膜成膜した基板を、回転させながら基板に裏面側から処理液を供給する基板処理方法では、基板の回転数を一定にした従来の基板の周辺処理方法では、周辺部の多層膜のエッチングレートの差により、庇（ひさし）が発生し、次工程への汚染拡散の原因となる。
【解決手段】
処理対象の層を変更し、基板処理液を変更するごとに基板の回転数を増加させながらエッチングすることで、外周のエッチング領域を外側に狭めていくエッチング処理が出来、周辺部の庇の発生を防止し、汚染拡散のない周辺洗浄が可能となる。 （もっと読む）

【課題】処理空間の開閉動作に伴う基板の汚染を抑制しつつ開閉動作を行うことが可能な高圧処理装置を提供する。
【解決手段】上部材２２と下部材２１とを重ね合わせることにより形成される処理空間２０内にて、基板Ｗに対して高圧の処理流体により処理を行う高圧処理装置において、係止用突起部２１１は前記処理空間２０の外側にて下部材２１に固定して設けられ、前記下部材２１の周方向に沿って互いに間隔をおいて複数配置されると共に、各々横方向に突出してその下面が係止面２１２を形成し、押圧部材２３は上部材２２を下部材２１側に押圧する。また被係止用突起部２３１は押圧部材２３に前記複数の係止用突起部２１１に夫々対応して設けられ、各々横方向に突出してその上面が前記係止面２１２に係止される被係止面２３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】透過窓とチャンバとの間で気密保持するＯリングの損傷を防止することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波透過窓２０の下面２０ａの外周部であって円柱体１５の上面１５ａと連結する部分に位置する領域に、環状の導電性膜２５を形成し、マイクロ波透過窓２０の外周部分を透過するマイクロ波を該導電性膜２５にてシールドしてトッププレート側に透過させないようにした。そして、間隔保持板２３によってＯリング２１の内側に生じるマイクロ波透過窓２０の下面２０ａと円柱体１５の上面１５ａとの隙間Ｄにマイクロ波が導入されないようにした。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理中におけるエッチングレートの低下を抑制することにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ふっ硝酸処理開始後、処理時間の経過に従って、ベース昇降用モータ２０が制御されて、吸着ベース１０が上昇される。この吸着ベース１０の上昇は、ウエハＷの上面とリング上面２８との間の間隔が一定範囲内に保たれるように行われる。ふっ硝酸処理の結果ウエハＷは薄くなるが、吸着ベース１０が上昇されるために、ウエハＷの上面に形成されるふっ硝酸の液膜の厚みをほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】 スタブ導波管を備えたスロットアンテナ方式のマイクロ波プラズマ処理装置において、スタブ導波管の直下の電界強度を高めることにより、スロットアンテナ付近の電界分布を効果的に調節し、スロットアンテナ全体に均一な電界分布を形成させる。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００は、偏平導波管を構成する平面アンテナ板３１の上に形成される電界分布を調整する第２の導波管としてのスタブ４３Ａを備えている。スタブ４３Ａは、導電性のカバー部材３４に設けられている。スタブ４３Ａは、平面アンテナ板３１の最外周に配列されたスロット対を構成するスロット３２と上下に重なるように配置されている。透過板２８の下面には、スタブ４３Ａと上下に重なるように環状溝２８ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】大型化することなく、処理室内からの処理流体を含む排気を、所望の個別排気管に良好に導くことができる基板処理装置を提供すること。また、３つの個別排気管が全て閉塞することを確実に防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室からの排気が集合管４５に導入される。排気切換器５０は、集合管４５から排気が導入される排気導入室５４と、排気導入室５４の内部に回転可能に設けられた回転板５５とを備えている。排気導入室５４の側壁５９には、３つの導出接続孔６２，７２，８２が、回転軸線Ｃを中心とする円周上に等角度間隔に貫通して形成されている。各導出接続孔６２，７２，８２には、個別排気管６０，７０，８０の上流端が接続されている。回転板５５の回転軸線Ｃまわりの回転に伴って、選択孔４９が３つの導出接続孔６２，７２，８２と順に対向する。 （もっと読む）

【課題】 ライン状のプラズマを生成するマイクロ波ラインプラズマ発生装置であっても、比較的安価に製造できるものとする。
【解決手段】 マイクロ波を導入される偏平な矩形状導波管１の周面壁１ｂの一部に開口部１ａが形成され、この開口部１ａが誘電体からなる平板体２ａを介して閉鎖されると共に、この平板体２ａの導波管外領域が容器３で包囲され、この容器３内の前記平板体２ａ寄り位置にプラズマ生成用ガスを連続的に供給するためのガス供給手段３ａが設けられる。導波管１内に導入されたマイクロ波の電磁エネルギーが前記平板体２ａを透過することで前記容器３内の前記平板体２ａ寄り位置に供給された前記ガスが励起されラインプラズマとなって前記容器３の放出口から放出される。 （もっと読む）

本発明は、高圧処理器に関し、本発明による高圧処理器は、高圧の二酸化炭素が内側に供給され、該高圧の二酸化炭素でウェーハを洗浄することができる収納空間部と、該収納空間部の前段で該収納空間部の高さよりさらに高い空間である開閉空間部とを備える本体と；前記本体の収納空間部に固定設置されて前記ウェーハを実装し、前記流入された高圧の二酸化炭素を前記ウェーハの表面に沿って流れるようにして洗浄するウェーハ支持部と；前記本体の開閉空間部の一側を密閉し、且つ、前記ウェーハのローディング及びアンローディングが可能な開口部が設けられたドアカバーと；前記開閉空間部内で上下移動が可能であり、前記ドアカバー側に前後移動が可能なドアと；前記ドアを上下方向に駆動させるドア駆動部と；を含む。このような構成の本発明は、気密部分が高圧の二酸化炭素に露出することを最小化し、気密部の寿命を延長させることができるという効果があり、ドアを上下及び前後に移動させることができるようにして、気密性を向上させると共に、上下駆動時に周辺との摩擦を最小化し、摩耗量を低減し、高圧処理器の寿命を延長させることができ、異物の発生を防止することができるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】上下に分割されて上側のカップが昇降自在なカップ内にて基板を回転させながら、液処理を行う液処理装置において、上下のカップの間からミストが外部に飛散することを防止できる液処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを吸着保持するスピンチャック１と、ウエハＷに現像液を供給する現像液ノズル１４及び洗浄液を供給する洗浄液ノズル１５と、スピンチャック１の側方を覆うように設けられ、下カップ４と、昇降自在な上カップ３とを組み合わせて構成されたカップ体２と、上カップ３が上昇したときに下カップの屈曲部４２が嵌入するように全周に亘って形成され、洗浄液を貯留するための溝部３２と、ウエハＷの回転によって振り切られた洗浄液を溝部３２に案内する液受容槽３４及び貫通孔３８と、を備え、溝部３２に貯留された洗浄液により、下カップ４と上カップ３との間を気密にシールしてカップ体２からミストが漏れ出すことを防止する。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の処理室内に渦流やガス溜りが形成されるのを防止する。
【解決手段】処理容器１０の処理室１０ａ内に支持部２１を設け、この支持部２１にて被処理物９を支持する。処理ガス供給系６０によって処理ガスを被処理物９に供給する。排気系７０によって、処理室１０ａ内のガスを排出する。排気系７０の排気孔７１を被処理物９と直交する方向から見て被処理物９（処理領域）を囲むように環状に分布させて設ける。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れの発生を抑えると共に、簡素な構成の基板搬送装置等を提供する。
【解決手段】基板搬送装置の搬送トレイ５０は基板を保持する底板５１１、５２１と、その周囲に設けられた側周壁５１２、５２２とから構成されると共に、底板５１１、５２１には基板の受け渡しを行う相手である昇降部材が通過するための開口部５３が設けられている。さらに搬送トレイ５０には、開口部５３内の昇降部材を搬送トレイ５０の外側に通り抜けさせる空間５４が一時的に形成されると共に、基板の搬送時には搬送トレイ５０内に液体が溜められ、基板の上面側が当該液体に接した状態で基板を搬送する。 （もっと読む）

【課題】処理室内の試料台の結露を抑制し信頼性を向上させる。
【解決手段】真空容器内部に配置されガスが供給されてプラズマが形成される処理室２００と、前記処理室内に配置されウエハが載置される前記略円筒形の試料台２５０と、前記試料台の下方で前記ガスが排気される開口２０４と、前記試料台内部に配置され熱交換媒体が流れる媒体用通路３０４と、前記処理室内で水平方向に前記試料台を支持する梁２１６と、前記試料台内の前記通路の下方に配置され内部が大気圧にされた円筒形の空間２１４と、前記空間の内側壁と前記真空容器外とを連通する連結路３０９と、この連結路内に配置された前記熱交換媒体用管路と、前記空間内に配置された中央側のウエハ用ピンの駆動機構３０８及びこの外周側で複数の前記媒体用管路の前記試料台との接続部を覆う複数の金属製ブロックとの間から高温のガスを供給し前記連結路を通り前記空間内のガスが外部に排出する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの被処理面に対する裏面の汚染が被処理面側へ回り込んでしまうことを抑制し、且つ、ウェハの被処理面に対する処理を清浄な処理液によって十分に且つ均一に行う。
【解決手段】ウェハ１を保持するウェハ保持部３と、内部に貯留している処理液１９によりウェハ１の被処理面１５に対し、剥離処理、洗浄処理又はエッチング処理が行われる処理槽２とを備える。処理槽２の上端２ｂから処理液１９がオーバーフローするように処理液１９を処理槽２へ供給する処理液供給手段（例えば、循環ポンプ７及び供給配管５１からなる）を備える。処理槽の上端２ｂの開口２ｃはウェハ１よりも大径に形成されている。ウェハ保持部３は、ウェハ１の被処理面１５を下向きにして保持し、その被処理面１５を処理槽２に貯留されている処理液１９に浸漬させる。 （もっと読む）

【課題】耐食性に優れた表面保護膜を有するＡｌ合金部材を少なくとも一部に用いた電子装置製造装置を提供する。
【解決手段】Ａｌ合金部材７４を少なくとも一部に用いた電子装置製造装置において、前記Ａｌ合金部材７４の表面の少なくとも一部が非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜７３で覆われ、かつ該陽極酸化膜７３はフロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜７２で覆われ、前記Ａｌ合金部材の表面の前記少なくとも一部は、腐食性の液体に触れることになる部分であることを特徴とする電子装置製造装置。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハと接着シートとの間に洗浄水等の異物が侵入することを防止できるようにすること。
【解決手段】シート貼付装置１０は、保護シートＨが一方の面に貼付された半導体ウエハＷを保持する保持手段１１と、帯状の剥離シートＲＬに所定間隔を隔てて侵入防止シートＳが仮着された原反Ｒを支持する支持手段１２と、原反Ｒを繰り出す繰出手段１３と、剥離シートＲＬから侵入防止シートＳを剥離するピールプレート１５と、侵入防止シートＳをウエハＷ及び保護シートＨに押圧して貼付する押圧手段１６とを備えている。侵入防止シートＳは、半導体ウエハＷの外縁に沿う閉ループ形状に形成される。押圧手段１６は、侵入防止シートＳの平面形状に対応する形状の凸部３１を備え、当該凸部３１で侵入防止シートＳを押圧することにより、半導体ウエハＷの外縁をカバーするよう当該半導体ウエハＷと保護シートＨに侵入防止シートＳを貼付する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にて被処理体を回転させながら処理する処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、処理源１５５を用いて内部にて基板Ｇを処理する処理容器１００と、処理容器１００の壁部に配設され、基板Ｇを処理容器内に搬入又は処理容器内から搬出する複数のバルブＶと、処理容器１００の底面に対して鉛直方向の中心軸Ｏを中心に点対称に配置され、処理容器内にて中心軸Ｏを中心に回転可能な複数のステージ１１０ａ，１１０ｂと、複数のステージ１１０ａ，１１０ｂを支持し、複数のステージ１１０ａ，１１０ｂのうちのいずれかのステージを複数のバルブのうちのいずれかの搬送口近傍まで回転させるタイミングに併せて、複数のステージ１１０ａ，１１０ｂのうちの他のいずれかのステージを複数のバルブＶのうちの他のいずれかのバルブＶの近傍まで回転させるステージ支持部材１１５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】スピンナテーブルに保持して洗浄した半導体ウェーハ等のワークをスピンナテーブルから離反させる時に、ワークのスピンナテーブルへの接触面に発生する剥離帯電を確実に除去する。
【解決手段】スピンナテーブル２０を回転させながら、スピンナテーブル２０の吸着部２２に吸着して保持したウェーハ１に洗浄水を噴出して洗浄し、次いで、エアノズル４０から乾燥エアを吹き付けてウェーハ１を乾燥させる。この後、イオン化エア生成手段４４を作動させながらエア供給手段４２を運転し、吸着部２２の保持面２３からイオン化したエアを吹き上げて、ウェーハ付きフレーム７をスピンナテーブル２０から離反させる。吸着部２２の保持面２３から離反する時にウェーハ１の裏面に発生する剥離帯電を、イオン化エアを吹き付けることにより除去する。 （もっと読む）