【課題】基板の処理条件が変わっても、最適な発振周波数の超音波により、微小気泡を圧壊して基板の最適な処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、微小気泡Ｈを含む液体Ｌ内に基板を浸漬して処理する処理槽２３と、微小気泡Ｈを含む液体Ｌをサンプリングして微小気泡Ｈの粒径の度数分布を計測する微小気泡の粒径度数分布計測器１８と、得られた微小気泡の粒径の度数分布から選択された微小気泡の粒径と固有周波数との相関近似式ＰＬから選択された微小気泡の固有周波数を得る制御部１００と、処理槽２３に配置されて微小気泡Ｈを含む液体Ｌに対して超音波を付与する超音波振動子２０と、制御部１００からの微小気泡Ｈの固有周波数から発振周波数情報を得て、超音波振動子２０を発振周波数で振動させて微小気泡Ｈに超音波を付与させる超音波発振器１９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ユーザの作業負担を増加させることなく、レシピの最適化を自動的に行い、基板の処理品質の低下やばらつきを防止できるレシピ最適化方法及び基板処理システムを提供する。
【解決手段】複数の候補レシピをデータベース部３１に記憶させ、各候補レシピを順次に使用して、基板Ｗの処理および検査を行う。レシピ最適化装置３０は、基板検査装置２０から送信された品質パラメータＱＰに基づいて、複数の候補レシピの中から仮最良レシピを選択する。また、レシピ最適化装置３０は、仮最良レシピに基づいて新たに複数の候補レシピを作成する。このような候補レシピの作成と、基板Ｗの処理及び検査とを、品質パラメータが所定の基準値以上となるまで繰り返し、最良レシピを得る。これにより、ユーザの作業負担を増加させることなくレシピを自動的に最適化でき、基板の処理品質の低下やばらつきを防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させながら基板に処理液を供給して該基板に対して所定の処理を施す基板処理装置および方法において、基板表面への処理液の再付着を効果的に防止する。
【解決手段】基板Ｗの下面周縁部に当接しつつ基板Ｗを支持する支持部７が複数個、スピンベース５の周縁部に上方に向けて突設され、この複数個の支持部７によって基板Ｗの下面と対向するスピンベース５から離間させた状態で基板Ｗが水平に支持されている。スピンベース５はモータ３により回転される。また、基板Ｗの上面と雰囲気遮断板９の対向面９ａとの間に形成される空間に対向面９ａに設けられた複数のガス噴出口９ｂから不活性ガスを噴出する。基板Ｗに働く遠心力より基板Ｗの下面と支持部７との間に発生する摩擦力が大きくなる押圧支持条件が満たされるように制御して、支持部７に押圧させた基板Ｗをスピンベース５に保持させながら回転させる。 （もっと読む）

【課題】高濃度の処理ガスを用いる場合であっても、濃度計を用いることなく処理ガスの濃度を求めることができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部６９は、記憶部７１に予め記憶してある、有機溶剤の飽和蒸気圧曲線に基づく圧力ごとの温度対濃度の露点情報と、圧力計５６からの測定圧力と、温度計５７からの測定温度とに基づき、処理ガス中における有機溶剤の濃度を算出濃度として算出する。この算出濃度は、表示部７３に表示される。したがって、濃度計を用いることなく処理ガス中におけるイソプロピルアルコールの濃度を求めることができ、装置のオペレータに知らせることができる。また、強い減圧力のポンプ及び処理ガスの採取部を必要としないので、構成を簡単化することができて装置コストを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】流量計により安定して正確な流量検出が可能な液供給機構および液処理装置を提供すること。
【解決手段】処理液供給機構は、薬液を吐出するノズル孔１６ａを有する表面洗浄用ノズル５と、表面洗浄用ノズル５に薬液を供給する薬液供給配管２１と、ノズル孔１６ａと薬液供給配管２１をつなぐ薬液流路１９ａと、薬液供給配管２１に設けられた流量計３４と、薬液供給配管２１における流量計３４の下流に位置する分岐部３６から分岐し、ノズル孔１６ａ、薬液流路１９ａ、薬液供給配管２１の分岐部３６より下流側部分の薬液を抜液する抜液配管３７と、薬液の供給と抜液とを切り替える開閉バルブ３３，３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供する。
【解決手段】ウエハＷの処理を行う処理部１０に接続された第１のライン２２から第２のライン４４が分岐している。第２のライン４４から複数の第３のライン（アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６）が分岐している。これらの第３のラインには、第２のライン４４からの分岐箇所にそれぞれバルブ４８ａ、５２ａ、５６ａが介設されている。各第３のラインにはそれぞれ薬液供給源（アンモニア水供給源４６、塩酸供給源５０およびフッ酸供給源５４）が接続されており、これらの薬液供給源から各第３のラインに薬液が供給されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の洗浄面の大径化に容易に対応できる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る超音波洗浄装置は、伝搬液１５に超音波エネルギーを与える超音波振動子１３と、前記超音波振動子によって超音波エネルギーが与えられた伝搬液を流す超音波伝搬管１２と、前記超音波伝搬管の下方に配置された、被洗浄物２１を保持する保持機構と、前記保持機構によって保持された被洗浄物の洗浄面に洗浄液を供給する洗浄液供給機構と、を具備し、前記超音波伝搬管１２は、その側面が、前記洗浄液供給機構によって前記洗浄面に洗浄液を供給することで該洗浄面に形成される該洗浄液の液膜１９に接触するように配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高スループットを実現することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、基板Ｗを研磨する研磨部３と、基板Ｗを搬送する搬送機構５，６と、研磨された基板Ｗを洗浄し乾燥する洗浄部４とを備えている。洗浄部４は、複数の基板を洗浄するための複数の洗浄ラインを有する。この洗浄ラインは、複数の洗浄モジュール２０１Ａ，２０１Ｂ，２０２Ａ，２０２Ｂを備えており、基板は複数の搬送ロボット２０９，２１０によって搬送される。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の基板処理部に所定流量・所定濃度の処理液を精度良く供給すること。
【解決手段】本発明では、処理液供給部(24)から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部(11〜22)で基板(２)を処理する基板処理装置(１)において、各基板処理部(11〜22)に基板（２）を順次搬送し、１個の基板処理部(11〜22)で使用する処理液の流量が処理液供給部(24)で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部(24)で制御可能な流量以上になるまで複数個の基板処理部(11〜22)に基板（２）が搬送されるのを待った後に複数個の基板処理部(11〜22)で処理液を同時に使用するように処理開始時間を制御することにした。 （もっと読む）

【課題】装置を複雑化、大型化させることなく、ウエハのエッジに付着した異物を洗い落とす。
【解決手段】洗浄ブラシ３は、円柱状である。洗浄ブラシ３の外周面上には、その中心軸Ｐ方向の高さ位置を連続的に変化させながら周方向に延びるＶ字状の切り込み部１１が設けられている。ウエハＷの下面の周縁部及び端面部を洗浄する場合には、切り込み部１１における高さ位置が最も高い部分ＡがウエハＷと当接するように、洗浄ブラシ３の中心軸Ｐ回りの回転位置を位置決めする。また、ウエハＷの上面の周縁部及び端面部を洗浄する場合には、切り込み部１１における高さ位置が最も低い部分ＢがウエハＷと当接するように、洗浄ブラシ３の回転位置を位置決めする。 （もっと読む）

【課題】ウェハの洗浄処理に用いる液体の不必要な使用を抑える。
【解決手段】洗浄装置１は、貯留槽１０に貯留されている薬液を処理槽２０に送液してウェハＷの洗浄処理を行い、使用した薬液を回収ライン９０で貯留槽１０に回収し、その回収で不足する分を供給ライン３０から補充する。この供給ライン３０から補充される薬液流量を検出部４１で検出し、演算部４２によって単位時間当たりの積算流量を求め、それを判定部４３によって閾値と比較して、供給ライン３０からの薬液補充量を監視する。これにより、貯留槽１０への薬液の回収不足、薬液から析出した結晶物による回収溝２４ａの閉塞を早期に発見し、不必要な薬液補充を抑えることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて効率良く洗浄作業を行うことができ、かつ、高い洗浄効果を得ることのできる半導体製造装置の洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の洗浄装置１００は、純水から純水スチームを生成する純水スチーム生成容器２と、純水スチームを被洗浄部位へ供給する供給口５と、純水スチーム生成容器と供給口とを接続する供給ライン４と、洗浄に使用された使用済みスチームを被洗浄部位から回収する回収口６と、使用済みスチームを凝縮させて回収する回収容器８と、回収口６と回収容器８とを接続する回収ライン７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】装置稼働状態を適正に監視するための真空ポンプの排気能力や真空配管系の異常をオンライン状態で簡便に監視することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】処理室３ａ内の基板８を対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置１において、処理室３ａ内部の到達真空度を計測する第１の真空センサ１５に加えて、排気配管系１２において処理室３ａと真空ポンプ１４とを断接する真空バルブ１３と真空ポンプ１４との間に第２の真空センサ１７を設け、真空バルブ１３を閉にした状態での第２の真空センサ１７の計測結果に基づいて、真空ポンプ１４の排気能力の異常や、真空排気配管１２ｂの真空リークなどの異常の有無を、制御部２２によって検出する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング後の所定の膜の表面に残存するエッチング残渣またはアッシング残渣をその膜にダメージを与えずに確実に除去することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板にドライエッチングを施した後に所定の膜の表面に残存するエッチング残渣、またはエッチング残渣をアッシングした後にその膜の表面に残存するアッシング残渣を除去する基板処理方法は、基板表面に液体状の有機酸を形成し、液体状の有機酸によりＣＦポリマーを分解するとともに液体状の有機酸にその分解物を溶解させる第１工程と、その後、基板をアニールして、有機酸および有機酸に溶解したＣＦポリマーの溶解物を気化させて基板から除去する第２工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ランプの通算点灯時間に応じて、適切な初期点灯電力で点灯させることができる紫外線照射装置及び該装置の制御方法を提供すること。
【解決手段】エキシマランプ１に設けられたＩＣタグ１ａに、該ランプの点灯時間の積算値である通算点灯時間、点灯履歴情報などの情報に加え、初期電圧規定値、初期周波数規定値、定常電圧規定値、定常周波数規定値等の該ランプに固有の電気的特性値を記録しておく。装置を起動する際、制御部４は、ＩＣタグ１ａから上記情報を読み取り、ランプの通算点灯時間と該ランプに固有の電気的特性値に基づき、初期点灯時にランプに印加する電圧、周波数などを設定してランプを初期点灯させる。初期点灯後、定常点灯に移行させ、ランプ１へ印加する電力の定電力制御を行なう。 （もっと読む）

【課題】表面に酸化銅が形成された銅膜を有する基板に対し、有機酸にてドライクリーニングを施して酸化銅を除去する際に、その終点を簡便にかつ高精度で、迅速に検出することができる終点検出方法を提供すること。
【解決手段】処理室内に有機酸ガスを導入してドライ洗浄処理を行っている際の処理室内のガスまたは処理室から排出されたガスの分析を行って、酸化銅が形成されている際と酸化銅が除去された際との所定のガス成分の濃度変化に基づいて終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】リソースの使用が延長されたことを判別できるようにすることにより、スケジュールに起因して処理が停止するのを防止して、装置の稼働率が低下するのを防止できる。
【解決手段】制御部２５は、単バッチのスケジュールにて、温水ユニットＨＤＩＷを使用する処理工程からロットが払い出されるタイミングに合わせて、温水ユニットＨＤＩＷの仮想リソースの使用終了時を表す仮想終了マークを付加しておく。全体スケジュールを作成する際に、払出が時間的に後ろにずれる場合には仮想リソースの仮想終了マークも時間的に後ろにずらし、仮想リソースの使用を仮想終了マークまで延長しておく。その結果、その後に配置される単バッチのスケジュールは、温水ユニットＨＤＩＷの仮想リソースによって排他される。リソースの競合によりアラームが発生して処理が停止するのを防止でき、装置稼働率の低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板の端面を含む周縁部に付着した付着物を適切かつ効果的に除去することができる基板洗浄装置を提供すること。
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板Ｗを回転可能に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗを回転するモーター４と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗに洗浄液を供給する洗浄液供給機構１０と、基板Ｗの端面を含む周縁部を洗浄するブラシ２１とを具備する。ブラシ２１は、その周面に形成された、洗浄液で膨潤した際にその厚さが基板Ｗの厚さよりも狭くなる切り込み２１ａを有し、ブラシ２１を洗浄液で膨潤させた状態で、切り込み２１ａに基板Ｗを挿入して基板Ｗの端面を含む周縁部を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ放電の状態を適正に監視して、異常放電の予兆を検出することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置における放電状態監視方法を提供することを目的とする。
【解決手段】処理室内のプラズマ放電の変化に応じて放電検出センサ２３に誘発され、信号記録部２０に記録された電位変化の信号を信号解析部３０によって検出して行われる放電状態監視のための解析処理において、電極部と処理対象物との間で発生する異常放電（第一アーク放電）の信号を第一検出部３３によって検出したカウンタ値Ｎ３と、処理室内の異物堆積により発生する微小アーク放電（第二アーク放電）の信号を第二検出部３５によって検出したカウンタ値Ｎ４に基づき、異常放電判定部３９によって差（Ｎ３−Ｎ４）を求めて判定用のしきい値ａ２と比較して、処理室内における異常放電の発生の可能性の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】基板の端面を含む周縁部に付着した付着物を付着状況に応じて適切かつ効果的に除去することができる基板洗浄装置を提供すること。
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板Ｗを回転可能に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗを回転するモーター４と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗに洗浄液を供給する洗浄液供給機構１０と、基板Ｗの端面を含む周縁部を洗浄するブラシ２１とを具備する。ブラシ２１は洗浄機能が異なる複数の洗浄部２１ｄ，２１ｆを有し、基板Ｗの付着物の付着状況に応じて適切な洗浄部を選択し、その洗浄部にて基板Ｗの端面を含む周縁部を洗浄する。 （もっと読む）