説明

Fターム[5F157CF52]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) | 遠隔操作、ネットワーク (14)

Fターム[5F157CF52]に分類される特許

1 - 14 / 14


【課題】 回転機構を持たない基板処理装置であっても、基板と接触する部位を清掃することができる基板処理装置の清掃装置を提供する。
【解決手段】 清掃装置2は、処理されるウエハWと同じ外形のベース400と、ベース400の下面の周縁部に下向きに植設された清掃具であるブラシ402と、ブラシ402を動かす駆動源の振動発生装置404とからなり、ハンド11上で清掃装置2の振動発生装置404が振動してブラシ402が振動し、ハンド11のウエハ支持部材81の支持面86aを清掃する。 (もっと読む)


【課題】ノズルの動作を簡単に教示することができる基板処理装置およびティーチング方法を提供する。
【解決手段】記録開始指令が制御部4に入力されると、CPU23は、記録開始指令が入力されてからの経過時間をタイマー25によって計測させる。さらに、CPU23は、ノズルの位置を検出するエンコーダ22の出力と経過時間とをメモリー24に記憶させる。そして、記録終了指令が制御部4に入力されると、CPU23は、エンコーダ22の出力と経過時間の記憶を終了させる。記録開始指令の発生から記録終了指令の発生までのエンコーダ22の出力は、経過時間と関連付けられて1つの動作データとしてメモリー24に記憶される。 (もっと読む)


【課題】半導体装置のウェット処理において、エッチングを制御しながら薬液使用量を削減する。
【解決手段】薬液を用いて複数の基板を順次処理するウェット処理方法は、次の各工程を備える。つまり、第1の基板をウェット処理する際の設備パラメータの値を収集する工程(a)と、設備パラメータに基づいて、工程(a)における基板の被処理層のエッチングレートを算出する工程(b)と、エッチングレートと、被処理層に対して予定したエッチング量とに基づいて、処理時間を算出する工程(c)と、工程(a)の後に、第1の基板とは異なる他の基板について、処理時間のウェット処理を行なう工程(d)とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体製造装置の内部や、半導体製造装置のガス給排気系に配設されている排気バルブあるいは半導体製造装置やガス給排気系に配設されている圧力制御バルブなど複雑な構造部分に付着している付着物を安全に取り除く汚染表面清掃技術を提供する。
【解決手段】半導体製造装置1およびそれにつながるガス給排気系の内部壁面部分を、多関節型に形成したアーム12部分の先端部に清掃具14を装着してなる清掃ロボット2で清掃するようにした。 (もっと読む)


【課題】処理槽を洗浄している間に異常が発生した場合に、安全を確実に確保できる技術を提供する。
【解決手段】処理槽10を洗浄している間に異常検知部96が異常を検知した場合に、リカバー制御部97が、比抵抗計14から取得した計測値に基づいて処理槽10が純水状態であるか否かを判定し、処理槽10が純水状態でない場合には、比抵抗回復処理を行って、処理槽10を薬液状態から純水状態に移行させる。一方、処理槽10が純水状態である場合には、基板処理装置1をスローリーク状態とする。 (もっと読む)


【課題】形成されたパターンに与えるダメージが少ない基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板の表面にドライエア又は不活性ガスの気流にのせた洗浄用の微粒子を基板に衝突させて、前記基板の洗浄を行う洗浄工程と、前記洗浄用の微粒子を除去する除去工程と、を有することを特徴とする基板洗浄方法を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】洗浄用途や洗浄プロセスに応じて制御方式を容易に変更できる超音波発振器を提供する。
【解決手段】本発明に係る超音波発振器は、超音波素子に超音波振動用信号を発振させるための超音波発振器において、信号を発生させる信号発生回2dを有するプログラマブルマルチ制御回路2と、前記プログラマブルマルチ制御回路からの信号の出力を調整する出力調整回路5とを具備し、前記プログラマブルマルチ制御回路は、前記出力調整回路に電気的に接続された電力制御回路2aと、前記出力調整回路に電気的に接続された位相比較回路2bと、前記位相比較回路に電気的に接続された周波数制御回路2cと、前記周波数制御回路に前記信号発生回路を介して電気的に接続された信号変調回路2eと、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板処理動作の停止を要することなく必要な装置情報を複製でき、かつ、必要な装置情報のバックアップに要する時間を短縮できるようにする。
【解決手段】基板処理装置の動作に関する履歴情報を含む装置情報を記憶する第1記憶手段41と、前記装置情報の複製情報を記憶するための第2記憶手段42とが設けられている。第1記憶手段41に記憶された装置情報の複製情報の格納先であるミラーリングフォルダ50が第2記憶手段42の記憶領域内に設定される。操作者がデバッグログ保存ボタン45を操作すると、ミラーリングフォルダ50Aが新規作成され、従前のミラーリングフォルダ50はリネームされてデバッグログフォルダ54となる。第1記憶手段41に記憶されている最新の装置情報の複製情報は、ミラーリングフォルダ50,50Aに格納され、かつ、定期的に更新される。 (もっと読む)


【課題】ユーザの作業負担を増加させることなく、レシピの最適化を自動的に行い、基板の処理品質の低下やばらつきを防止できるレシピ最適化方法及び基板処理システムを提供する。
【解決手段】複数の候補レシピをデータベース部31に記憶させ、各候補レシピを順次に使用して、基板Wの処理および検査を行う。レシピ最適化装置30は、基板検査装置20から送信された品質パラメータQPに基づいて、複数の候補レシピの中から仮最良レシピを選択する。また、レシピ最適化装置30は、仮最良レシピに基づいて新たに複数の候補レシピを作成する。このような候補レシピの作成と、基板Wの処理及び検査とを、品質パラメータが所定の基準値以上となるまで繰り返し、最良レシピを得る。これにより、ユーザの作業負担を増加させることなくレシピを自動的に最適化でき、基板の処理品質の低下やばらつきを防止できる。 (もっと読む)


【課題】ノズルの稼働率を向上させて処理ユニットのスループットを向上させる。
【解決手段】現像処理ユニット1においては、ノズル21を共用する複数個の現像処理セット10のそれぞれにおいて1枚の基板Wに対する現像処理が行われる。進入領域K(現像処理ユニット1に対する基板Wの搬出入を行う搬送機構のハンドが現像処理ユニット1内に進入する領域)の上方には、現像処理セット10間にわたって移動経路L21が形成されている。制御部91は、移動経路L21に沿ってノズル21を移動させることによって、ノズル21を現像処理セット10の間で移動させる。この構成によると、搬送機構が現像処理ユニット1に対する基板の搬出入を行っている間であってもそのハンドとの干渉を考慮せずにノズル21を現像処理セット10間で自由に移動させることができるので、ノズルの稼働率を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】ウェーハを、凹部が形成された裏面を露出した状態に全面載置型のスピンナテーブルに保持して洗浄した後に、該ウェーハを安全、かつ確実に取り上げて所定の搬送先に円滑に搬送する。
【解決手段】スピンナテーブル71に保持して洗浄したウェーハ1の環状凸部5Aをウェーハ取り上げ機構90の吸着パッド94で吸着して取り上げ、次いで、露出した表面側を搬送ロボット23のロボットピック23cで受け取って吸着、保持し、搬送ロボット23を作動させてウェーハ1を回収カセット22B内に移送して収容する。 (もっと読む)


【課題】ワンバス式の洗浄槽を有するバッチ洗浄装置において、洗浄槽内の洗浄液の平均液温をバッチ間で一定となるように制御する。
【解決手段】ワンバス式の洗浄槽20は、被洗浄物を洗浄するメガソニック発振器を備える。制御コンピュータ30は、メガソニック照射の際に発生する液温変化を補償するために、純水加温装置40から供給され薬液を希釈する純水の供給温度を制御する。被洗浄物は、各バッチが平均液温一定の元で洗浄され、高い洗浄効率が維持される。 (もっと読む)


【課題】基板自体を研磨してしまうことなく、基板のエッジ部に強固に付着した異物を良好に除去することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置1は、0.3MPa以上かつ2.7MPa以下の圧縮弾性率を有する弾性材料により構成された当接部材32を、基板Wのエッジ部Eに当接させることにより、エッジ部Eに付着した異物を除去する。このため、基板Wのエッジ部を研磨してしまうことなくエッジ部Eに強固に付着した金属膜やスラリー等の異物を良好に除去することができる。また、当接部材32を構成する弾性材料の中には、砥粒としてのシリカが混入されているため、エッジ部Eに強固に付着した異物を良好に剥離しつつ除去することができる。 (もっと読む)


【課題】ナノスケールの半導体処理のためにバブルフリーの液体を生成するためのシステムおよび方法
【解決手段】バブルフリーの液体を生成するためのシステムは、連続液体ソースと非バブル化チャンバとを含む。非バブル化チャンバは、出口と入口とを含む。入口は、供給管によって連続液体ソースの出口につながれる。非バブル化チャンバは、また、非バブル化チャンバの側壁内に少なくとも1つの口を含む。少なくとも1つの口は、非バブル化チャンバの入口から少なくとも長さLの位置にある。バブルフリーの液体を生成するための方法も説明される。 (もっと読む)


1 - 14 / 14