【課題】残留物よりも下にポリマーコーティングを有する基板処理構成部品の表面から、残留物を除去する。
【解決手段】一変形例においては、構成部品表面を有機溶媒と接触させて、ポリマーコーティングに損傷を与えることなく、またはポリマーコーティングを除去することなく残留物を除去する。残留物はプロセス残留物でも可能であり、または接着剤残留物でも可能である。この洗浄プロセスは、改装プロセスの一部として行うことができる。別の変更形態においては、構成部品表面にわたってレーザを走査させることによって、残留物をアブレーションする。さらに別の変形例においては、ことによって、構成部品の表面にわたってプラズマ切断機を走査させることによって、残留物を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の不要部位を、基板の有効領域への悪影響を抑えた状態で良好に洗浄することができる技術を提供すること。
【解決手段】エッチング工程にて曝されて表面側ベベル部に針状突起群Ｔが生成され、また裏面側のベベル部に複合化合物Ｐが付着したウエハＷを真空室内の回転ステージに載置する。真空室内には、ウエハＷの上方側及び下方側にガスクラスターノズルが設けられ、これらノズルから洗浄処理に対応した洗浄ガスのクラスターＣをウエハＷの表面側及び裏面側のベベル部に照射し、ガスクラスターＣの衝突による物理的作用とガスと除去対象部位との化学的作用とにより、針状突起群Ｔ及び複合化合物Ｐを除去する。さらに、パージガスをガスクラスターＣの照射箇所に吐出することで、洗浄により生じた飛散物のウエハＷへの再付着を防止する。 （もっと読む）

【課題】基板のダメージを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持するスピンチャックと、基板Ｗの上面内の噴射領域Ｔ１に吹き付けられる処理液の液滴を生成する液滴ノズル５と、基板Ｗを保護する保護液を基板Ｗの上面に向けて吐出する保護液ノズル６とを含む。保護液ノズル６は、保護液が基板Ｗの上面に沿って噴射領域Ｔ１の方に流れるように基板Ｗの上面に対して斜めに保護液を吐出し、噴射領域Ｔ１が保護液の液膜で覆われている状態で処理液の液滴を噴射領域Ｔ１に衝突させる。 （もっと読む）

【課題】 処理液による処理中の基板への処理液の飛沫の付着を防止して清浄に保つことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 気体吐出ノズル１１は中心に開口１１ｇを有する円環状で、本体１１ａの外側の側面１１ｂには上下２列に並んだ多数の外側気体吐出穴１１ｃが、開口１１ｇの側面１１ｄには１列に並んだ多数の内側気体吐出穴１１ｅが形成される。処理中に、基板Ｗは外側気体吐出穴１１ｃ、内側気体吐出穴１１ｅからの気体により覆われて液の飛沫が付着することがない。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の接触角が小さい場合であっても、パーティクルの除去率を増大させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗは、表面Ｗｆを上方に向けた略水平姿勢の状態でスピンチャック２に保持される。その後、疎水化剤吐出ノズル５から基板Ｗの表面Ｗｆに疎水化剤が供給されて、基板Ｗの表面Ｗｆが疎水化される。その後、処理液吐出ノズル９７から基板Ｗの表面Ｗｆに処理液が供給されることにより処理液の液膜が形成される。その後、冷却ガス吐出ノズル３から基板Ｗの表面Ｗｆに冷却ガスが吐出されて、液膜が凍結される。その後、融解液吐出ノズル６から基板Ｗの表面Ｗｆに融解液が吐出されて、凍結膜が融解、除去される。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理において、基板への不必要なダメージや回路パターン倒れを防ぎつつ、特定箇所の異物を除去できる洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】洗浄処理に用いるための処理流体を基板５に噴出する処理流体ノズル７と、基板５から処理流体を回収する回収装置８とを具備している。基板５を処理流体ノズル７からの処理流体により局所的に洗浄処理することができるため、基板５に対して不必要なダメージ、回路パターン倒れを防ぎつつ、特定箇所の異物を除去できる。 （もっと読む）

【課題】金属膜が形成された基板においてパターンの倒壊を抑制すること。
【解決手段】水を含むリンス液が、金属膜が形成された基板に供給される（Ｓ２）。その後、水酸基を含まない第１溶剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が第１溶剤に置換される（Ｓ４、Ｓ５）。その後、水酸基を含まない第２溶剤を含み金属を疎水化する疎水化剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が疎水化剤に置換される（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターンの倒壊を発生させることなく、短時間で乾燥処理を行う。
【解決手段】ウエハＷを乾燥させる際に、まず、Ｎ2供給ノズル２８からＮ2を供給させた状態で表面にパターンが形成された複数枚のウエハＷを垂直姿勢で保持したリフタ８の表面に対して垂直方向にウエハＷを傾けるように、第１の傾斜手段３３は、リフタ８を制御する。次に、ウエハＷの表面に対して水平方向にリフタ８を傾けるように、第２傾斜手段４０によりリフタ８を制御する。これにより、パターン溝７２に残存した液溜り８０が溝底面７３を流れパターン側面７１から排出されるため、残存した液を効率よく排出できる。 （もっと読む）

【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、ミスト等に起因する基板へのウォーターマークの発生を抑制することのできる技術を提供する。
【解決手段】スピンベース２３に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに形成される液膜を、該液膜を構成する液体の凝固点よりも低温の冷却ガスにより凍結させる。、冷却ガスを吐出するノズル３を基板の回転中心ＡＯから基板周縁まで回動アーム３５によりスキャンさせる。これ以外のタイミングでは、ノズル３を基板上方から離れた待機位置（点線）に待機させるとともに、低流量で冷却ガスを吐出させてアイドリングを行う。吐出される冷却ガスについては、待機位置のノズル３直下に設けたガス回収ユニット３００により回収し、処理空間ＳＰに冷却ガスが流出するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】処理液が微細パターンの先端側から抜けるのを抑制することにより、基板に形成された微細パターンの倒壊を防止することができる。
【解決手段】純水ＤＩＷによる洗浄処理においては、図３（ａ）に示すように基板Ｗの微細パターンｍｐが純水ＤＩＷで覆われているが、乾燥処理時においては、図３（ｂ）に示すように基板Ｗの微細パターンｍｐの側方に純水ＤＩＷが排出される。したがって、基板Ｗの上面に形成されている隣接した微細パターンｍｐの先端部同士が引き合う方向の力を極めて小さくすることができる。その結果、純水ＤＩＷの表面張力によって微細パターンｍｐが倒壊することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】保持部材の長寿命化を実現することができる基板保持装置、基板洗浄装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持するスピンチャックにおいて、鉛直方向に平行な回転軸の周りで回転可能にスピンプレート５２０が設けられる。スピンプレート５２０には、基板保持機構７００の支持部７２０が取り付けられる。支持部７２０により軸部７３０が軸部７３０の中心軸の周りで回転可能に支持される。略円柱形状を有する保持ピン７１０が、軸部７３０により周方向に回転可能に保持される。軸部７３０が回転することにより、保持ピン７１０の外周面が基板の外周端部に当接する状態と保持ピン７１０の外周面が基板の外周端部から離間する状態とに移行する。軸部７３０においては、ねじＮ１が締め込まれることにより保持ピン７１０の周方向の回転が阻止され、ねじＮ１が緩められることにより保持ピン７１０の周方向の回転が許容される。 （もっと読む）

【課題】複数の処理液供給部を基板の裏面側に配置することが可能な液処理装置、及びこの液処理装置における液処理方法を提供する。
【解決手段】基板の裏面周縁を支持し、前記基板を回転する基板支持部材と、前記基板支持部材により支持される前記基板の一方の面に対して処理を行う少なくとも２つの処理部と、前記基板支持部により支持される基板の中心に対応する位置に配置され、第１の回転軸の周りを回転する第１の回転部と、前記第１の回転部から第１の方向に離間して配置され、前記第１の回転軸と平行な第２の回転軸の周りを回転する第２の回転部とを備える液処理装置が提供される。少なくとも前記第１の回転部の回転により、前記少なくとも２つの処理部が前記第１の方向に沿って互いに平行に、且つ前記第１の方向と直交する第２の方向に移動できるように前記第１の回転部及び前記第２の回転部に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】基板に対する処理性能を低下させることなく処理ユニットの占有スペースを減少し、より多くの処理ユニットが搭載できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに対し、シート部材２３１を基板表面Ｗｆに沿うように近接して張設し、基板表面Ｗｆの上方の空間を外気から遮断する。基板表面Ｗｆとシート部材２３１の間の空間には窒素ガスが供給され、基板表面Ｗｆと外気との接触を遮断する。基板表面Ｗｆが外気と接触しない状態になった時点で、基板表面Ｗｆに対して処理液を供給して処理を行う。これにより、外気に接触することによって生ずるウォーターマークや金属配線の腐食等を防止することができる。また、処理液等が付着したシート部材２３１は、処理に応じて基板表面Ｗｆに沿った方向に移動され、清浄な面を基板対向面とすることができるため、シート部材２３１から液体等が落下して基板表面Ｗｆを汚染することがない。 （もっと読む）

【課題】基板の周端面への処理液の回り込みを制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平姿勢で保持して鉛直な回転軸線Ｃまわりに回転するスピンチャック１と、基板Ｗの上面に処理液を供給する処理液ノズル２，３と、リング部材１０とを含む。リング部材１０は、基板Ｗの周端面に回転半径外方から隙間を開けて対向する対向面を有し、この対向面に気体吐出口１１０を有している。スピンチャック１には、基板Ｗの周縁部下面に密接し、かつ気体吐出口１１０よりも下方においてリング部材１０に密接する周縁シール部材２１を有している。スピンチャック１は、センターチャック７と、回転ベース８とを有している。回転ベース８に形成された不活性ガス経路６８空、気体吐出口１１０への不活性ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】誘電率値に不利に影響せずに基板を効果的に洗浄することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置は、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を有する活性ガスを形成するために水素含有ガスを遠隔励起するリモートソースを有する。本装置は、基板支持体と、遠隔励起ガスをろ過して、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種の第二比率を有し、第二比率が第一比率と異なる、ろ過された励起ガスを形成するイオンフィルタと、チャンバにろ過された励起ガスを導入するガス分配器とを備えたプロセスチャンバを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェット処理対象のうちのチャックに対向するチャック対向面にウェット処理液が付着することを低減すること。
【解決手段】チャック１は、噴出口１６から気体２４を噴出させることによりウェット処理対象７を保持する。ノズル３は、ウェット処理対象７のうちのチャック１に対向するチャック対向面２２の裏側のウェット処理対象面２３にウェット処理液８を供給する。噴出口１６は、閉曲線に沿って形成されている。その閉曲線は、その閉曲線のうちの任意の点からウェット処理対象７の外周１４、１５までの距離が一定であるように、形成されている。このようなウェット処理装置１０は、噴出口１６から噴出した気体２４がウェット処理対象７の外周１４、１５とチャック１とに挟まれた隙間からに均一に噴出されることにより、チャック１に対向するチャック対向面２２にウェット処理液８が付着することを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の反転を必要とせず、且つ基板の周縁部にダメージを与えないように基板の裏面を洗浄することの可能な基板洗浄装置等を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にダメージを与えることなく良好に液処理することができる２流体ノズルや同２流体ノズルを用いた基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを提供すること。
【解決手段】本発明では、第１の液体を吐出する第１の液体吐出口（４５）と、気体を吐出する気体吐出口（４７）とを有し、第１の液体吐出口（４５）から吐出した第１の液体と気体吐出口（４７）から吐出した気体とを外部で混合して被処理体（基板２）に向けて混合流体（５２）を噴霧する２流体ノズル（３４）において、被処理体（基板２）に噴霧された混合流体（５２）の被処理体上での外縁部に第２の液体を供給するための第２の液体吐出口（５３）を有することにした。 （もっと読む）

【課題】イオン注入後の洗浄工程における酸化膜の膜厚の減少を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に酸化膜を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）の後、半導体基板の第１の領域に、第１の元素を含む第１の不純物を注入し、その後、半導体基板及び酸化膜を洗浄する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、半導体基板の第２の領域に、第１の元素より質量が大きい第２の元素を含む第２の不純物を注入し、その後、半導体基板及び酸化膜を洗浄する工程（ｃ）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】濃度測定後の過硫酸含有硫酸溶液の利用を妨げることなく、過硫酸含有硫酸溶液中の過硫酸濃度を的確に測定することができる過硫酸濃度の測定方法及び過硫酸濃度測定装置並びに該測定装置を有する過硫酸供給装置を提供する。
【解決手段】過硫酸含有硫酸溶液に接液される作用極３ａ及び参照極３ｂと、参照極３ｂに対する作用極３ａの電位を掃引し、その際の応答電流を測定するポテンショスタット４と、作用極３ａの電位が予め設定した負の電位にあるときにポテンショスタット４により測定された第１の電流値に基づいて全酸化剤濃度を求めるとともに、作用極３ａの電位が予め設定した正の電位であるときにポテンショスタット４により測定された第２の電流値に基づいて過酸化水素濃度を求める酸化剤濃度判定部５と、酸化剤濃度判定部５で求められた全酸化剤濃度と過酸化水素濃度とに基づき過硫酸濃度を判定する過硫酸濃度判定部６とを有する。 （もっと読む）