【課題】表面に凹凸パターンが形成されたウェハのパターン倒れを防止する洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１の表面に凸部３及び凹部４からなる凹凸パターンを形成し、該凹凸パターンの少なくとも凹部４に液体９が保持された状態で、ジアルキルシリル化合物を含有しかつ酸及び塩基を含有しない撥水性保護膜形成用薬液を表面に保持させて、撥水性保護膜１０を形成し、該撥水性保護膜１０がウェハ１の表面に保持されている状態で、液体９を凹部４から除去する。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄工程中に電析の発生を防止しつつ基板の状態を観察することが可能な基板洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発電層が形成された基板１２を洗浄する洗浄部と、それらの上流側に設けられて、基板１２を基板搬入口から洗浄部に搬入する搬入部と、洗浄された基板１２の発電層を乾燥させる乾燥部と、乾燥部の下流側に設けられて乾燥した基板１２を基板搬出口へ搬出する搬出部と、基板搬入口を除く搬入部、洗浄部、乾燥部、基板搬出口を除く搬出部内に入射する光を遮断する光遮断手段９と、それに設けられる観察窓１０と、観察窓１０から入射する光のうち発電層の発電に寄与する波長の少なくとも一部を遮断し、発電層の発電電圧を波長の少なくとも一部を遮光しない場合の発電電圧の１／１０以下にする光透過手段と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ポストエッチング後に有機および無機の残留物およびフォトレジストを半導体基材にダメージを与えることなく除去する処方の提供
【解決手段】アセタールまたはケタール溶媒、水、多価アルコール、および少なくとも７かそれより大きなｐＨを有するように調整するｐＨ調整剤を含み、さらには共溶媒としての水溶性の有機溶媒、腐食防止剤およびフッ化物を随意的に含む。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、表面に凹凸パターンを有し該凹凸パターンの凹部表面にチタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を有するウェハ（金属系ウェハ）のパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】金属系ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、Ｇｒｉｆｆｉｎ法によるＨＬＢ値が０．００１〜１０であり炭素数が６〜１８の炭化水素基を含む疎水部を有する界面活性剤と、水を含み、薬液中の前記界面活性剤の濃度が、該薬液の総量１００質量％に対して０．００００１質量％以上、飽和濃度以下であることを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】洗浄液の液滴が噴射されるべき箇所における基板の表面の洗浄液の液膜の厚さを制御して所望の厚さで一定にすることができ、基板のデバイスパターンの破壊を抑制しながら、基板の表面に付着したパーティクル等を十分に除去することができ、基板に対する洗浄性能を向上させることができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、保持部１２により保持された基板Ｗに対して洗浄液の液滴を噴射する二流体ノズル３０と、保持部１２により保持された基板Ｗにガスを噴射するガスノズル４０と、を備えている。保持部１２により保持された基板Ｗにおいてガスノズル４０によりガスが噴射される位置が二流体ノズル３０により洗浄液の液滴が噴射される位置よりも基板Ｗの回転方向において上流側となるよう、二流体ノズル３０およびガスノズル４０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板に供給される液体の力が小さい場合であっても基板の表面に付着したパーティクル等を十分に除去することができ、基板のデバイスパターンの破壊を抑制しつつ基板に対する洗浄性能を向上させることができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、保持部１２により保持された基板Ｗの表面に洗浄液の液膜を形成するための洗浄液供給部２０と、洗浄液供給部２０により基板Ｗの表面に形成された洗浄液の液膜内において、温度の異なる部分を発生させることにより当該洗浄液の液膜内に対流を生じさせる対流発生機構４０と、洗浄液の液膜に対して物理力を与える液体を供給する液体供給部３０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターンへのダメージを抑制しながら基板表面を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板保持手段１１に保持され、洗浄液としてのＤＩＷの液膜が形成された基板Ｗの表面Ｗｆに対し、媒介液供給機構５５から媒介液としてのトルエンを供給し、ＤＩＷの液膜の上にトルエンの液膜を更に形成する。その後、超音波付与機構５１によりトルエンを介してＤＩＷに超音波を付与しながら、凝固手段３１から基板表面Ｗｆに凍結用の窒素ガスを吐出し、ＤＩＷを凝固させる。これにより、結晶サイズの小さいＤＩＷの凝固体を形成し、その後のリンス工程で短時間に解凍することを可能とし、リンス液中に遊離するＤＩＷの結晶を減少し、パターンへのダメージを防止する。 （もっと読む）

【課題】スピンナ乾燥時にチャンバー内に発生する気流に淀みを生じさせることのないスピンナ洗浄装置を提供することである。
【解決手段】洗浄水供給手段６２は、ウエーハＷを洗浄する洗浄位置と退避位置との間で移動する駆動手段に接続された回転軸６６と、該回転軸６６と一体的に連結され水平方向に伸長するアーム６８と、該アーム６８の先端に形成され該スピンナテーブル３８に保持されたウエーハＷに洗浄水を噴射する洗浄水噴射ノズル７０とを含み、該環状外周側壁４８ａには、該洗浄水供給手段６２を退避位置に位置づけた際、該洗浄水供給手段６２を収容する収容開口部７１が形成されており、該洗浄水供給手段６２には、該洗浄水供給手段６２が該収容開口部７１に収容された際、該収容開口部７１を閉塞する閉塞カバー７２が配設されている。 （もっと読む）

【課題】洗浄対象となる基板近傍にて光触媒反応を利用してＯＨラジカルを潤沢に発生させることによって、基板上に付着した有機物等のパーティクルを効果的に除去することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象である基板Ｗ上の被処理面Ｗ１を洗浄する第１のノズル１１と、被処理面Ｗ１上に液を供給する第２のノズル１２と、を備え、第１のノズル１１は、被処理面Ｗ１に対向し液に接触する光触媒１１ａと、光触媒１１ａを保持する保持部材１１ｂと、保持部材１１ｂを透過して光触媒１１ａに光を照射する光源１１ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】表面構造体に付着した第１の液体を迅速に凝固させ、一度に複数個の表面構造体の乾燥を可能とする表面構造体の乾燥方法を提供する。
【解決手段】第１の液体が付着した表面構造体の乾燥方法であって、該第１の液体の凝固点より低い温度で、該温度で液体である第２の液体中に前記表面構造体の表面構造部を置く工程、第１の液体を前記第２の液体中で凝固する工程、第１の液体を凝固させた状態で、第２の液体を表面構造部から取り除く工程、および凝固させた第１の液体を昇華させる工程を含む表面構造体の乾燥方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコンを含むウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、ウェハの凹凸パターン部の毛細管力を低減させる保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコンを含むウェハの洗浄時に、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、一般式Ｒ^１_ａＳｉ（Ｈ）_ｂＸ_{４−ａ−ｂ}で表されるケイ素化合物Ａを０．０１〜３０質量％、および、非プロトン性有機溶媒を含む保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】水分濃度が低い有機溶媒を処理部又は被処理体に供給して処理を行うことにより、被処理体や処理部の腐食を抑えること。
【解決手段】イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の供給源３０からＩＰＡを貯留タンク３に供給し、貯留タンク３内のＩＰＡを、水分除去フィルタ４及び濃度測定部５を備えた循環路３２を介して循環供給する。ＩＰＡは、循環路３２内を循環させることにより、水分除去フィルタ４により徐々に水分が除去される。そして、濃度測定部５により測定された水分濃度が０．０１重量％以下であるときには、中間タンク６にＩＰＡを送液する。中間タンク６からは、処理チャンバ１１に水分濃度が０．０１重量％以下のＩＰＡが供給され、処理チャンバ１１では、当該ＩＰＡを高温、高圧状態として、ウエハＷの処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、表面の微細な凹凸パターンの少なくとも一部にチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハのパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部がチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハの洗浄時に、少なくとも前記凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤を含む薬液であり、該撥水性保護膜形成剤が非水溶性の界面活性剤であることを特徴とするウェハの撥水性保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】微細パターンが形成された半導体基板を、パターン倒壊を防止しつつ、低コストに乾燥させる基板乾燥方法を提供する。
【解決手段】表面が薬液たとえばイソプロピルアルコールで濡れ、アスペクト比１０以上のパターンが形成された半導体基板Ｗをチャンバ３１内に導入する。そして、前記薬液を前記半導体基板上に残留させつつ、１６０℃以上かつ前記薬液の臨界温度未満の所定温度まで昇温し、気化した前記薬液を前記チャンバから排出する。 （もっと読む）

【課題】可動部材及び作動機構の数を減らし、簡便な構造で被処理基板を保持する基板処理装置等を提供する。
【解決手段】回転する被処理基板１に対する処理を行う処理装置１において、被処理基板Ｗを保持しながら鉛直軸周りに回転する基板保持部２、３には、被処理基板Ｗの側周面を規制する規制部材５２と、回動軸５１３周りに回動自在であり、被処理基板Ｗを規制部材５２側に押し付けて保持する可動部材５１と、当該可動部材５１を回動させる可動部材作動機構と、を備えている。そして回動軸５１３には、被処理基板Ｗの中央部寄りの位置側に回動軸５１３を付勢する付勢力が付与され、ガイド部５１７に沿って水平方向に移動することにより大きさの異なる被処理基板Ｗを保持する。 （もっと読む）

【課題】基板のリンス処理時に、基板が熱変形したり、処理液とリンス液とが反応したりするのを防止して、リンス液の飛散を防止すること。
【解決手段】本発明では、基板の表面を処理液で液処理した後に処理液よりも低温のリンス液でリンス処理する基板液処理において、液処理とリンス処理との間に基板の表面の温度を処理液の液温未満かつリンス液の液温より高い温度にする中間処理を行うことにした。中間処理は、処理液の液温未満かつリンス液の液温より高い温度の中間処理液を基板に供給することにした。また、中間処理液を基板の裏面のみに供給することにした。また、処理液及びリンス液の供給を停止した状態で基板を回転させることにした。また、液処理時に処理液として反応熱の生成を伴う化学反応を行う複数種類の薬液の混合液を基板に供給するとともに、中間処理時にいずれかの薬液の供給を停止することにした。 （もっと読む）

【課題】断面矩形状のエキシマランプを収容し、光取出用し開口が形成されたハウジングと、該ハウジングの内部に不活性ガスを供給するガス供給機構とからなる光照射装置において、エキシマランプによって加熱された不活性ガスが、そのままワークに吹き付けられることのないようにした構造を提供することである。
【解決手段】前記ケーシングの光取出し開口に伝熱性スクリーンが設けられ、該伝熱性スクリーンを冷却する冷却機構が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の中心と回転中心とを一致させ基板を処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板に処理流体を供給して基板処理を行う基板処理部と、前記被処理基板の側面に接触させ、前記被処理基板の位置を定める位置決め機構部と、前記位置決め機構部を駆動する位置決め駆動部と、前記位置決め機構部の位置を検出する検出部と、前記被処理基板の基準となる基準基板に対する前記位置決め機構部の位置を基準位置情報として記憶する記憶部と、前記基準位置情報と前記検出部において検出された前記位置決め機構部の位置情報との差を算出し、前記差より前記被処理基板の実測情報を算出する演算部と、を有することを特徴とする基板処理装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】メガソニック洗浄方法及び洗浄装置を提供すること。
【解決手段】メガソニック洗浄方法として、洗浄対象体と区分される空間で、メガソニックによって洗浄液を起電させてマイクロ空洞を生成させる。生成されたマイクロ空洞のうち、安定な振動のマイクロ空洞のみを洗浄対象体がロードされた空間に移動させる。また、前記安定な振動のマイクロ空洞を利用して前記洗浄対象体の表面を洗浄する。前記方法によると、洗浄対象体内のパターンの損傷を防ぎ且つ洗浄対象体表面のパーティクルを効果的に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理装置において、処理室減圧時のウエハの移動を抑制する。
【解決手段】真空処理室１０１に処理ガスを供給するガス供給装置１０９，１１０，１１１と、前記真空処理室内で試料を載置して保持する試料台１０４と、前記真空処理室内を排気する排気装置１０６と、前記真空処理室に高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成装置１０７，１０８とを備え、前記試料台上に配置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は載置した試料を上方に押し上げるプッシャーピンを備え、プラズマ処理の終了後、前記プッシャーピンを操作して試料を試料台から押し上げた状態で真空排気する。 （もっと読む）