【課題】パターン形成後の配線形状を維持しつつ、銅等の金属不純物と凝集粒子の異物とを除去する。
【解決手段】基材１０を準備する工程と、基材１０の上方に金属膜２０を形成する工程と、金属膜２０上にレジスト膜３０を形成する工程と、レジスト膜３０をマスクとして金属膜２０をエッチングして配線２０Ａを形成する工程と、レジスト膜３０を剥離する工程と、基材１０を洗浄する工程と、を含み、基材１０を洗浄する工程は、酸洗浄液を用いて基材１０を洗浄する第１の洗浄工程と、アルカリ洗浄液を用いて基材１０を洗浄する第２の洗浄工程とを含む。アルカリ洗浄液の濃度は、当該洗浄液の中に析出される粒子の表面電位が基材１０の表面電位と同一極性となる濃度以上で、かつ、配線２０Ａをエッチングしない濃度であり、酸洗浄液の濃度は、基材１０に残った金属微粒子２０ａが洗浄液中に溶解する濃度以上で、かつ、配線２０Ａをエッチングしない濃度である。 （もっと読む）

【課題】銅配線に対する腐食性が低いこととともに、酸化銅系の化合物残渣やシリコン酸化物系の化合物残渣に対する除去能力が優れた、銅配線工程で使用されるフォトレジスト又はフォトレジスト残渣除去組成物を提供する。
【解決手段】リン酸、リン酸塩、硫酸及び硫酸塩からなる群から選択される少なくとも１種と、クエン酸、リンゴ酸、乳酸、コハク酸、マロン酸及び酢酸からなる群から選択される少なくとも１種と、組成物全量に対して０．０１〜２重量％のフッ化水素酸及び／又はフッ化アンモニウム等のフッ化水素酸塩と水とを含有するレジスト残渣除去組成物。 （もっと読む）

【課題】基板からフォトレジスト及びエッチング残渣を選択的に除去できる組成物であって、上記組成物に対して同様に露出している可能性のある金属に破壊的化学作用を及ぼさない組成物を提供することを課題とする、また、極微量の酸化シリコンを呈し、一般的に絶縁体に対するエッチング速度の低い組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、フォトレジスト及びエッチング残渣を除去するのに適切な組成物であって、ａ）少なくとも約５０重量％の、テトラフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、１，４−シクロヘキサンジメタノール及びアルキレングリコールエーテルからなる群より選択される溶媒；ｂ）約０．００５〜約０．８重量％のフッ素ソース；ｃ）上限約４９．９重量％の水；及び、ｄ）上限約２０重量％の腐食抑制剤を含むことを特徴とする組成物を含む。また、本発明は、基板からフォトレジスト及び／又はエッチング残渣を除去する方法であって、上記の組成物と基板を接触させることを含むことを特徴とする方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】雰囲気が置換される空間の体積を減少させることができ、基板のエッチング量を面内全域で低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、内部空間Ｓ１を有するチャンバー２と、チャンバー２内で基板Ｗを保持して回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック３と、チャンバー２内で基板Ｗの上面に対向する遮断板４と、遮断板４と基板Ｗとの間に不活性ガスを供給するガス供給機構５と、基板Ｗに対して傾いた方向に処理液を吐出することにより、基板Ｗの上面中央部に斜めに処理液を供給する処理液ノズル２９と、処理液ノズル２９に供給される処理液から酸素を脱気する脱気手段とを含む。 （もっと読む）

【課題】蛋白質汚れに対して良好な洗浄力を示し、アルマイトに対する防食性に優れ、且つ保存安定性に優れたアルマイト用洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）アルカノールアミン、（Ｂ）脂肪族カルボン酸及び／又はその塩、並びに、（Ｃ）ポリカルボン酸及び／又はその塩を、それぞれ特定範囲の質量％で含有するアルマイト用洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用基板、特に表面にＣｕ配線を有する半導体デバイス用基板におけるＣＭＰ工程後の洗浄工程に用いられ、Ｃｕ配線に対する十分な防食性を有し、残渣の発生及び基板表面への残渣の付着を抑制することができる洗浄液を提供する。
【解決手段】以下の成分（Ａ）〜（Ｅ）を含有してなり、かつｐＨが１０以上である半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ａ）一般式（１）で表される有機第４級アンモニウム水酸化物
（Ｒ¹）₄Ｎ⁺ＯＨ^- （１）
（但し、Ｒ¹は水酸基、アルコキシ基、又はハロゲンにて置換されていてもよいアルキル基を示し、４個のＲ¹は全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。）
（Ｂ）界面活性剤
（Ｃ）キレート剤
（Ｄ）硫黄原子を有するアミノ酸
（Ｅ）水 （もっと読む）

【課題】 金属配線を腐食することなく、化学的機械研磨工程で発生した結晶シリコンやアモルファスシリコンシリコン表面に残留した金属残渣や砥粒残渣を除去することができる洗浄剤を提供することを目的とする
【解決手段】 表面に単結晶シリコン、多結晶シリコンもしくはアモルファスシリコンと銅配線を同一面に有する半導体用洗浄剤であって、４級アンモニウムヒドロキシド（Ａ）、オキシエチレン鎖を有する脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ｂ）および水を必須成分として含み、そのｐＨが１２．５〜１４．０であり、かつ単結晶シリコンの表面に滴下したときの接触角が３０°以下であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】防食剤として尿素を使用せず、しかも２０℃程度の常温で確実に防食性能を発揮できる剥離剤組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】ピロガロールを必須成分とする防食剤と、アルカノールアミンを含有し、ｐＨを８〜１０に調整する剥離剤組成物の構成とすることにより、アルカノールアミンが剥離機能を発揮して、レジスト膜やエッチング残渣が除去され、またｐＨ値が８〜１０にあれば、ピロガロールが水分の溶存酸素を強力に除去することができ、露出する銅膜などの金属表面に溶存酸素が反応するのを未然に防いで、防食機能を発揮する剥離剤組成物が得られる。 （もっと読む）

【課題】研磨後の表面粗さの悪化を抑制し、かつ、洗浄性に優れる酸性洗浄剤組成物の提供。
【解決手段】平均付加モル数が１０〜９０である炭素数２〜４のオキシアルキレン基と、アニオン性基（カルボン酸基を除く）又はその塩とを有する水溶性化合物、酸、及び水を含み、２５℃におけるｐＨが０．５を超え５．０未満である、シリカ研磨材及び／又はシリカ研磨屑が付着した電子材料基板を洗浄するための電子材料基板用酸性洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体製造における大型のメタル等の洗浄において、プラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去する高い洗浄力を発揮し、部材の剥離や変色を抑制し、さらには必要によりメタル材料の表面荒れをも抑制しうる半導体基板用洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】洗浄組成物により、エッチング工程及び／又は前記アッシング工程において半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣を洗浄除去する洗浄工程を含む半導体素子の製造方法であって、該洗浄組成物は、水と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、有機溶媒とを組み合わせて含有し、ｐＨが１．５〜５．０に調整されたことを特徴とする半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、銅配線を腐食させることなく、配線金属の腐食抑制の目的で添加されている防食剤などの有機残渣、および研磨された銅配線金属の銅の残渣の除去性に優れる銅および銅合金配線半導体用の洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 銅または銅合金配線を形成する半導体製造工程中の化学的機械的研磨工程に続く洗浄工程において使用される洗浄剤であって、ＨＬＢが１５〜３５であって分子内に少なくとも１個の水酸基を有するアミン（Ａ）、ＨＬＢが１０〜３０であって分子内に少なくとも１個の３級アミノ基を有しかつ水酸基を含まないアミン（Ｂ）、および水を必須成分とし、使用時のｐＨが７．５〜１３．０であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】基板の全面を十分に洗浄することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板を保持して回転させるスピンチャック２と、スピンチャック２に保持された基板Ｗに向けて処理液の液滴を吐出するノズル４とを含む。ノズル４には、処理液の液滴を吐出する複数の吐出口３３が一列に並べられた列Ｌ１が複数列配置されている。ノズル４はノズルアーム１８に保持されて、スピンチャック２に保持された基板Ｗの主面に垂直な垂直方向Ｄ１から見たときに基板Ｗの主面の回転中心Ｃ１を通る軌跡Ｘ１に沿って移動する。ノズル４は、垂直方向Ｄ１から見たときに複数の列Ｌ１と軌跡Ｘ１とが交差するようにノズルアーム１８に保持される。 （もっと読む）

【課題】基板の周端面への処理液の回り込みを制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平姿勢で保持して鉛直な回転軸線Ｃまわりに回転するスピンチャック１と、基板Ｗの上面に処理液を供給する処理液ノズル２，３と、リング部材１０とを含む。リング部材１０は、基板Ｗの周端面に回転半径外方から隙間を開けて対向する対向面を有し、この対向面に気体吐出口１１０を有している。スピンチャック１には、基板Ｗの周縁部下面に密接し、かつ気体吐出口１１０よりも下方においてリング部材１０に密接する周縁シール部材２１を有している。スピンチャック１は、センターチャック７と、回転ベース８とを有している。回転ベース８に形成された不活性ガス経路６８空、気体吐出口１１０への不活性ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板や金属配線の腐食や酸化を起こすことなく、基板表面の微細粒子や金属不純物を除去し得、金属腐食防止剤-Cu皮膜の除去せずに基板表面のカーボン・ディフェクトをも同時に除去し得る処理方法。
【解決手段】ベンゾトリアゾール又はその誘導体含有スラリーで処理された半導体基板を、〔I〕カルボキシル基を少なくとも１個有する有機酸０．０５〜５０重量％、〔II〕ポリホスホン酸類、アリールホスホン酸類、及びこれらのアンモニウム塩又はアルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも１種の錯化剤０．０１〜３０重量％、〔III〕炭素数１〜５の飽和脂肪族１価アルコール、炭素数３〜１０のアルコキシアルコール、炭素数２〜１６のグリコール、炭素数３〜２０のグリコールエーテル、炭素数３〜１０のケトン及び炭素数２〜４のニトリルからなる群より選ばれる少なくとも１種の有機溶媒０．０５〜５０重量％を含んでなる洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、有機残渣がベンゾトリアゾールが防錆剤の場合はもちろんのこと、カルボキシル基や水酸基などの官能基を有するHLBの高い防錆剤の場合においても、銅配線を腐食させることなく、有機残渣除去性に優れ、かつ金属残渣の除去性に優れる銅および銅合金配線半導体用の洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】
水酸基を１個以上有するアミン（Ａ１）、および特定の化学構造を有する脂肪族ポリアミン（Ａ２）からなる群より選ばれる１種以上のアミン（Ａ）、２〜５個の水酸基を有し、それらの水酸基のうちの少なくとも２個が芳香環のオルト位もしくはパラ位に結合し、かつＨＬＢが１５〜４０であるポリフェノール化合物（Ｂ）、塩基性化合物（Ｃ）、並びに水を必須成分とし、使用時のｐＨが８．０〜１３．０であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を使用する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、酸化セリウムが表面に付着した被洗浄物に対し、当該酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて洗浄除去することが可能な洗浄液及びそれを用いた洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 被洗浄物表面に残存する酸化セリウムを除去する洗浄液において、
（１）フッ化水素と、（２）塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硫酸テトラメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも1種のアンモニウム塩と、を含むことを特徴とする洗浄液。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、洗浄によるウェーハの表面粗さの悪化を低減し、かつ、効果的にウェーハの洗浄を行うことができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェーハを洗浄する方法であって、前記半導体ウェーハをＳＣ１洗浄液により洗浄する工程と、前記ＳＣ１洗浄液により洗浄された半導体ウェーハをフッ酸により洗浄する工程と、前記フッ酸により洗浄された半導体ウェーハを、オゾン濃度が３ｐｐｍ以上のオゾン水により洗浄する工程とを含み、前記ＳＣ１洗浄液による半導体ウェーハのエッチング代を０．１〜２．０ｎｍとすることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板における金属膜表面の酸化による腐食（浸食）を抑制ないし防止する酸化防止方法及び酸化防止液を提供する。また、酸化防止液の適用による金属膜や絶縁層の腐食がより短時間処理でより長期にわたり抑えられ、かつ、その酸化防止効果を利用して、特にダイシング工程において多量に付与される水の影響を緩和し、良好な金属膜表面の維持を可能とする酸化防止方法及び酸化防止液を提供する。
【解決手段】半導体基板の金属膜表面を酸化防止液により処理するに当たり、前記酸化防止液として、水に少なくともリン含有化合物及び塩基性化合物を含有させ、ｐＨを１０超に調整したものを用いる金属膜表面の酸化防止方法。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤ用剥離液組成物添加剤であるメルカプト基が含まれたアゾール系化合物を腐食防止剤として用いて、水の含有量変化時にもＣｕ及びＡｌの腐食防止及びフォトレジスト剥離能力を一定に維持する水系フォトレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】（ａ）１級アルカノールアミン１〜２０重量％；（ｂ）アルコール１０〜６０重量％；（ｃ）水０．１〜５０重量％；（ｄ）極性有機溶剤５〜５０重量％；及び（ｅ）腐食防止剤０．０１〜３重量％；を含むＬＣＤ製造用フォトレジスト剥離液組成物。 （もっと読む）