【課題】 低温焼成化が可能であり、比誘電率εｒやＱ×ｆ値等の誘電特性に優れ、しかも誘電率の温度安定性に優れた誘電体磁器組成物の製造を可能とする。
【解決手段】 一般式ＣａＯ−Ｍ^ＩＯ_１／２−Ｍ^IIIＯ_３／２−ＴｉＯ_２［ただし、Ｍ^Ｉは酸化数（原子価）が＋１となる元素を表し、Ｍ^IIIは酸化数（原子価）が＋３となる元素を表す。］で表される組成物を８５０℃以上の温度で仮焼した後、副成分を混合し、前記仮焼の温度よりも低い温度で焼成する。 （もっと読む）

【課題】 誘電体フィルタや共振器に用いられる誘電体磁器組成物は、誘電率が高く、Ｑ値が高いことが望まれる。
【解決手段】 一般式ｘＭｇＴｉＯ_３・ｙＭｇ_２ＴｉＯ_４・ｚＣａＴｉＯ_３と表され、ｘ、ｙ、ｚがモル％でそれぞれ、６９．３≦ｘ≦８４．０、１４．１≦ｙ≦３０．０、０．８≦ｚ≦６．１の範囲にある組成物１００重量部に対して、Ｌｉ系ガラスが２５重量部〜３５重量部添加される。
【効果】 ｘＭｇＴｉＯ_３・ｙＭｇ_２ＴｉＯ_４・ｚＣａＴｉＯ_３と表され、ｘ、ｙ、ｚがモル％でそれぞれ、６９．３≦ｘ≦８４．０、１４．１≦ｙ≦３０．０、０．８≦ｚ≦６．１の範囲にある組成物１００重量部に対して、Ｌｉ系ガラスを２５重量部〜３５重量部添加するので、誘電率とＱ値を向上できると共に、焼結温度を導体パターンを構成する金属の融点よりも低くできる。 （もっと読む）

【課題】９００℃以下で焼成可能であり、１６ＧＨｚ以上の高周波領域において低い比誘電率と、低い誘電損失を有する低温焼成磁器組成物及び低温焼成磁器の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯとＭｎＯとＳｉＯ₂の含有比が（２−ｘ）：ｘ：ｙで表され、ｘは0.03〜1.0、ｙは1.2〜１０であるＭｇＯとＭｎＯとＳｉＯ₂の混合物及び／または複合酸化物６３〜98.7質量％と、Ｂi₂Ｏ₃1.0〜３５質量％及びＬｉ₂Ｏ0.3〜2.0質量％とを含む原料粉を仮焼(７５０℃〜８５０℃)後粉砕して粉末とし、これにバインダー等を加え所定形状に成形後、８５０℃〜９００℃で焼成し、ＭｇとＭｎとＳｉを含む結晶相、Ｂｉ₂Ｏ_3-ＳｉＯ₂系結晶相及びＬｉ₂Ｏ-ＳｉＯ₂系結晶相とを含むミリ波領域（１６ＧＨｚ）での誘電率（εｒ）が９以下、Ｑｆ値が10,000以上の誘電体磁器を得る。 （もっと読む）

【課題】 低温焼成可能で、比誘電率εｒ等の誘電特性にも優れた誘電体磁器組成物を実現する。
【解決手段】 下記組成式（１）で表される酸化物誘電体を主組成成分とし、ホウ素酸化物及びガラス組成物から選ばれる少なくとも１種を含有する誘電体磁器組成物である。
ａＣａＯ−ｂＬｉＯ_１／２−ｃＢｉＯ_３／２−ｄＲＥＯ_３／２−ｅＴｉＯ_２・・・（１）
ただし、式中、ＲＥはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙｂ，Ｄｙ，Ｙから選択される少なくとも１種を表す。また、ａ〜ｅは各成分の比率（モル％）を表し、
１０≦ａ≦２５
１０≦ｂ≦２０
８≦ｃ≦１５
２≦ｄ≦１０
５０≦ｅ≦６０
０．６５≦ｂ／（ｃ＋ｄ）＜１．０
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００
なる関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】焼成後の組成ばらつきが少ないばかりでなく、焼結体の曲げ強度が高く、かつマイクロ波帯でのＱ値が高い、誘電体セラミック組成物を提供する。
【解決手段】たとえば、多層セラミック基板１の誘電体セラミック層２を構成するために用いられる誘電体セラミック組成物であって、Ｓｉ成分をＳｉＯ_２に換算して２５〜５５重量％、Ｂａ成分をＢａＣＯ_３に換算して２０〜５０重量％、Ａｌ成分をＡｌ_２Ｏ_３に換算して１１〜２５重量％、Ｃａ成分および／またはＺｒ成分を、Ｃａ成分についてはＣａＣＯ_３に換算して、およびＺｒ成分についてはＺｒＯ_２に換算して、０．３〜３重量％、ならびに、Ｍｎ成分をＭｎＣＯ_３に換算して５〜２０重量％含み、かつＣｒを実質的に含まない。 （もっと読む）

【課題】１０００℃以下の温度で焼成可能であり、その焼結体は、比誘電率が低く、共振周波数の温度係数が小さく、Ｑ値が高く、さらに電気的絶縁信頼性が高い、ガラスセラミック組成物を提供する。
【解決手段】セラミック多層モジュール１に備える多層セラミック基板２において積層されるガラスセラミック層３のためのガラスセラミック組成物。フォルステライトを主成分とする第１のセラミック粉末と、ＣａＴｉＯ₃ 、ＳｒＴｉＯ₃ およびＴｉＯ₂ より選ばれる少なくとも１種を主成分とする第２のセラミック粉末と、Ｌｉ₂ Ｏ、ＭｇＯ、Ｂ₂ Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＺｎＯおよびＡｌ₂ Ｏ₃ を含むホウケイ酸ガラス粉末とを含む。ホウケイ酸ガラス粉末は、３重量％以上を占めており、ＣａＯ、ＢａＯおよびＳｒＯからなる群より選ばれる少なくとも１種の添加成分をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】低温での焼成が可能であり、Ｑ値および絶縁抵抗に優れ、しかも高温加速寿命特性が改善された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】誘電体酸化物を含む主成分と、Ｌｉの酸化物を含む第１成分およびＭ１の酸化物（ただし、Ｍ１は、Ｖ族、ＶＩ族元素から選択される少なくとも１種の元素）を含む第２成分を有する焼結助剤と、を含有する誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物は、複数の誘電体粒子と、隣り合う前記誘電体粒子間に存在する結晶粒界と、を有しており、複数の前記誘電体粒子は、粒子表面から粒子内部に向かって、Ｍ１元素の濃度が低くなっているとともに、前記誘電体粒子の粒径をＤとし、前記結晶粒界におけるＭ１元素の含有割合を１００％とした場合に、粒子表面からの深さが前記粒径Ｄの５０％である深さＴ_５０における、Ｍ１元素の含有割合が、３〜５５％であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 高いε_rと高いＱ×ｆ値を有し、またτ_fの絶対値が小さい、優れた誘電特性を示す高周波用誘電体磁器組成物を提供しようとする。
【解決手段】 組成式：Ｂａ｛（Ｍｇ_aＣｏ_1-a）_x（Ｔａ_bＮｂ_1-b）_1-x｝_vＯ_w（ただし、ｗは磁器としての電気的中性を保つのに必要な正の数）で表わされる組成を有し、上記組成式におけるａ、ｂ、ｘ、およびｖが、
０．１≦ａ≦０．９、
０．１≦ｂ≦０．９、
０．３１５≦ｘ≦０．３４５、
０．９８≦ｖ≦１．０３
の範囲内にある主成分１００重量部に対して、ＣｕＯおよび／またはＣｅＯ₂である副成分を０．００１〜１．０重量部含有する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＴｉＯ_３相を有する緻密な焼結体からなる誘電体磁器組成物を製造する。
【解決手段】所定組成の原料粉末からなる成形体を焼成して、Ｚｎ_２ＴｉＯ_４相及びＴｉＯ_２相を含み、かつＺｎ_２ＴｉＯ_４相を主相とする焼結体を作製し、焼結体に熱エネルギを付与することによって、Ｚｎ_２ＴｉＯ_４相及びＴｉＯ_２相からＺｎＴｉＯ_３相を生成させ、かつ焼結体の主相をＺｎＴｉＯ_３相とする。熱エネルギの付与は、焼結体を所定温度域まで昇温し、かつ所定時間保持する熱処理とすることができるし、また、焼成の降温過程における焼結体を、所定温度域で所定時間保持することによってもできる。焼成は９００〜１０００℃の温度域で保持し、熱エネルギの付与は７５０〜９００℃の温度域で保持することが、品質係数向上にとって好ましい。 （もっと読む）

【課題】 低い誘電率を示し、かつ、60ＧＨｚもの高い高周波帯域においても、高いＱ値を有する誘電体磁器組成物およびそれを用いた誘電体共振器、非放射性誘電体線路並びに高周波用配線基板を提供すること。
【解決手段】 Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉの複合酸化物を主成分とし、前記複合酸化物のモル比組成式がｘＭｇＯ・ｙＡｌ₂Ｏ₃・ｚＳｉＯ₂（但し、ｘ＝10〜40モル％、ｙ＝10〜40モル％、ｚ＝20〜80モル％、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100モル％を満足する）で表され、希土類元素を酸化物換算で0.1〜15重量部含み、主結晶相である２ＭｇＯ・２Ａｌ₂Ｏ₃・５ＳｉＯ₂の粒界に、ＭｇＯ・Ａｌ₂Ｏ₃と一般式ＲＥ₂Ｏ₃・ｗＳｉＯ₂（式中、ＲＥは希土類元素であり、ｗは１または２である）で表される結晶相が析出しており、ガラス相が析出していない。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波領域で使用するのに好適な電気的特性を有するとともに、低温焼成可能なマイクロ用誘電体磁器組成物及びそれを用いて作成される電子部品を提供する。
【解決手段】 ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＯ、Ｂ_２Ｏ_３を含有する誘電体磁器組成物であって、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの、ＺｎＯと、ＳｉＯ_２と、ＢａＯとの合計質量に対する質量割合が、図１に示すＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの三元図において、それぞれ５０％：３０％：２０％（点Ａ）、３０％：５０％：２０％（点Ｂ）、２０％：３０％：５０％（点Ｃ）、４５％：２０％：３５％（点Ｄ）の点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａを順に結ぶ直線によって囲まれる四辺形領域内にあり、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＯ及びＢ_２Ｏ_３の合計質量に対し、Ｂ_２Ｏ_３を１〜６質量％含有する誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、更にＡｌ_２Ｏ_３及びＭｇＯを含有してよく、Ｂ_２Ｏ_３を一部〜全部Ｌｉ_２Ｏに置換しても良い。それを用いて作成される電子部品。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率εｒが２００以上で、誘電率の温度特性τεが２００ｐｐｍ／Ｋ以下で、Ｑ特性にも優れた誘電体磁器組成物を実現する。
【解決手段】 基本組成成分が、ａＭＯ−ｂＬｉＯ_１／２−ｃＢｉＯ_３／２−ｄＲＥＯ_３／２−ｅＴｉＯ_２［ただし、ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇから選択される少なくとも１種を表し、ＲＥは希土類元素から選択される少なくとも１種を表し、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００（モル％）である。］で表され、１０≦ａ≦２５、１０≦ｂ≦２０、８≦ｃ≦１５、２≦ｄ≦１０、５０≦ｅ≦６０、であり、かつ０．６５≦ｂ／（ｃ＋ｄ）≦１．０である誘電体磁器組成物を製造するに際し、大気より酸素濃度の高い高酸素濃度雰囲気中で焼結を行う。或いは、焼結後の焼結体に対し、大気より酸素濃度の高い高酸素濃度雰囲気中でアニール処理を行ってもよい。高酸素濃度雰囲気の酸素濃度は２５％以上とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 低温焼成可能な誘電体磁器組成物、及びそれを用いて作製される電子部品を提供する。
【解決手段】 （ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ_３系磁器組成物１００質量部に対し、重量によりＢｉ_２Ｏ_３ ６〜１５部、ＳｉＯ_２ １〜５部、ＺｎＯ １〜５部、ＭｇＯ ０〜３部、Ｂ_２Ｏ_３ ０．２〜５部（Ｂ_２Ｏ_３ ０．２〜５部をＬｉ_２Ｏ ０．０８〜２．０質量部で置換してよい）を添加した誘電体磁器組成物、それを用いて作製される電子部品。 （もっと読む）

【課題】低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物の製造方法及びそれから得られる低温焼成用マイクロ波誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】複合ビスマスニオブ酸化物（ＢｉＮｂＯ_４）または亜鉛ニオブ酸化物（Ｚｎ_３Ｎｂ_２Ｏ_８）前駆体粉末を溶液反応に基づいた粉末合成工程である共沈法を用いて製造し、ここに０．１〜１質量％のＣｕＯ及び０．２〜２質量％のＶ_２Ｏ_５を焼結助剤として添加し、粉砕及び焼結する低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物の製造方法。該製造方法によって得られる低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物。該低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物は、高誘電率及び品質係数、及び安定した共振周波数の温度係数を有するのみならず、７００〜７５０℃の低い温度の範囲で焼成が可能である。 （もっと読む）

【課題】 高い比誘電率εｒ及びＱ値を有し、比誘電率の温度変化率τｆの小さな複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料である。誘電体セラミックスとして、組成式｛Ｂａ_６−３ｘ［（Ｌａ_１−ｗＲＥ_ｗ）_１−ｙＢｉ_ｙ］_８＋２ｘ｝_ｚＴｉ_１８Ｏ_{３６＋１８ｚ}（ただし、０．２８≦ｗ≦０．９９、０．５≦ｘ≦０．９、０．１０≦ｙ≦０．２７、０．８≦ｚ≦１．２であり、ＲＥはＬａ以外の希土類元素を表す。）で表され、希土類元素全体のイオン半径の平均値が１．０８Å〜１．１３Åである誘電体磁器組成物を用いる。この組成式において、０．８≦ｚ＜１．０であることが好ましい。また、誘電体磁器組成物には、ＭｎＯ換算で０．０４〜１．００モル％のＭｎが添加されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】 希土類元素としてＬａを使用し、比誘電率εｒやＱｆが高く、温度特性τｆが十分に小さな誘電体磁器組成物を実現する。
【解決手段】 組成式｛Ｂａ_６−３ｘ［（Ｌａ_１−ｗＲＥ_ｗ）_１−ｙＢｉ_ｙ］_８＋２ｘ｝_ｚＴｉ_１８Ｏ_{３６＋１８ｚ}（ただし、０．２８≦ｗ≦０．９９、０．５≦ｘ≦０．９、０．１０≦ｙ≦０．２７、０．８≦ｚ≦１．２であり、ＲＥはＬａ以外の希土類元素を表す。）で表され、希土類元素全体のイオン半径の平均値が１．０８Å〜１．１３Åである誘電体磁器組成物である。この組成式において、０．８≦ｚ＜１．０であることが好ましい。また、ＭｎＯ換算で０．０４〜１．００モル％のＭｎが添加されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】高い比誘電率εｒを実現し、高いＱ値を有するとともに、比誘電率の温度変化率の小さな複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料であって、前記誘電体セラミックスとして、一般式（Ｍ，Ｌｉ，Ｂｉ，ＲＥ）_ｘＴｉＯ_３（ただし、ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選択される少なくとも１種を表し、ＲＥはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙ，Ｙｂ，Ｄｙから選択される少なくとも１種を表す。また、０．９≦ｘ≦１．０５である。）で表される組成を有する酸化物粉末を含有する。 （もっと読む）

【課題】 高い比誘電率εｒとＱ値を有し、比誘電率の温度変化率の小さな複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料であって、前記誘電体セラミックスは、一般式（Ｍ，Ｌｉ，ＲＥ）_ｘＴｉＯ_３（ただし、ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選択される少なくとも１種、ＲＥはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙｂ，Ｄｙから選択される少なくとも１種、０．９≦ｘ≦１．０５。）で表される組成を有する酸化物粉末を含有する。前記酸化物粉末の基本組成成分は、ａＢａＴｉＯ_３−ｂＳｒＴｉＯ_３−ｃＣａＴｉＯ_３−ｄＬｉ_１／２ＲＥ_１／２ＴｉＯ_３−ｅＬｉ_１／２Ｎｄ_１／２ＴｉＯ_３［ただし、ＲＥはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒから選択される少なくとも１種、ａ〜ｅは各成分の配合比率（モル％）。］で表され、０≦ａ≦３、０≦ｂ≦３０、５≦ｃ≦３５、０≦ｄ≦２０、５５≦ｅ≦８０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００、である。 （もっと読む）

【課題】無負荷Ｑ値と機械的強度が高く、かつ焼成温度に対して非常に安定であり、十分な絶縁信頼性を有し、グリーンシートの作製も容易である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】組成式ｙＣａＯ−ｚＬｉＯ_1/2−ｗＭＯ_5/2−ｕＴｉＯ₂（Ｍは、ＮｂおよびＶからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素で、ｙ，ｚ，ｗ，ｕはｙ＋ｚ＋ｗ＋ｕ＝１、０．４５≦ｙ≦０．５５、０．１０≦ｚ≦０．２０、０．１６≦ｗ≦０．３８、０．０１≦ｕ≦０．２０で示される値）で表される第一成分と、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｔｉ，ＬａおよびＮｄからなる群から選ばれる少なくとも二種の元素を含むガラス組成物である第二成分とを含み、第二成分の含有率が２重量％以上５０重量％以下であり、さらに第三成分としてＣｕＯを前記第一、第二成分を合わせたものに対して０．２重量部以上５重量部以下含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 ＢａＯ、希土類酸化物及びＴｉＯ₂が主成分として含有された組成系であっても、Ａｇ又はＡｇを主成分とする合金等の導体を内部導体として確実に使用できるように、低温での焼結性をより安定・確実なものとした誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 誘電体磁器組成物の主成分としてＢａＯ、Ｎｄ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ及びＳｉＯ₂を所定の比率で含有し、前記誘電体磁器組成物の副成分としてＺｎＯ、Ｂ₂Ｏ₃、ＣｕＯ及びアルカリ土類金属酸化物ＲＯ（Ｒ：アルカリ土類金属）を所定の比率で含有させ、さらに好ましくは、副成分としてＡｇを含有させるように構成する。 （もっと読む）