【課題】プレッシャークッカー試験での外観不良がなく、かつ電気的特性が優れた誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】本発明による誘電体磁器組成物は、主成分として組成式が｛α（ｘＢａＯ・ｙＮｄ₂Ｏ₃・ｚＴｉＯ₂）＋β（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）｝で表される成分を含み、ＢａＯ、Ｎｄ₂Ｏ₃、及びＴｉＯ₂のモル比率を表すｘ、ｙ、及びｚが、それぞれ特定のモル比率の範囲内にあり、主成分における各成分の体積比率を表すα、及びβが、それぞれ特定の体積比率の範囲内にあり、主成分に対して副成分として、亜鉛酸化物、ホウ素酸化物、コバルト酸化物及び銀を含むとともに、主成分に対する各副成分の質量比率を表すａ、ｂ、ｃ及びｄが、それぞれ特定の質量比率の関係を有するものである。 （もっと読む）

【課題】 応力が繰り返し加わってもＱ値が低下しにくい誘電体セラミックスおよび誘電体共振器を提供すること。
【課題手段】 金属元素として少なくともＲＥ（ＲＥは、ＬａおよびＮｄの１種以上）、Ａｌ、ＣａおよびＴｉを含有してなるペロブスカイト型構造の第１酸化物と、Ｃａ、ＡｌおよびＳｉを含有してなる第２酸化物とを有し、かつ前記第１酸化物および前記第２酸化物を含みＳｉを除く酸化物の組成式をａＲＥ_２Ｏ_３・ｂＡｌ_２Ｏ_３・ｃＣａＯ・ｄＴｉＯ_２と表したとき、ａ、ｂ、ｃ、ｄが、０．０５６≦ａ≦０．２１４、０．０５６≦ｂ≦０．２１４、０．２８６≦ｃ≦０．５００、０．２３０≦ｄ≦０．４６０およびａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満足する誘電体セラミックスからなる誘電体磁器６を用いた誘電体共振器２０とする。 （もっと読む）

【課題】破壊電圧のばらつきが少なく、かつ電気的特性が優れた誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】本発明による誘電体磁器組成物は、主成分として組成式が｛α（ｘＢａＯ・ｙＮｄ₂Ｏ₃・ｚＴｉＯ₂）＋β（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）｝で表される成分を含み、ＢａＯ、Ｎｄ₂Ｏ₃、及びＴｉＯ₂のモル比率を表すｘ、ｙ、及びｚが、それぞれ特定のモル比率の範囲内にあり、主成分における各成分の体積比率を表すα、及びβが、それぞれ特定の体積比率の範囲内にあり、主成分に対して副成分として、亜鉛酸化物、ホウ素酸化物、軟化点が特定の温度以下であるガラス、及び銀を含むとともに、主成分に対する各副成分の質量比率を表すａ、ｂ、ｃ及びｄが、それぞれ特定の質量比率の関係を有するものである。 （もっと読む）

【課題】高いQ・f値と低いε_rを持つマイクロ波誘電体磁器組成物を低い焼成温度により提供する。
【解決手段】xMgO-(1-ｘ)B₂O₃（0.75≦ｘ≦0.99）の一般式で示され、400,000GHz以上のQ・f値を示すMgO多結晶体であるマイクロ波誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】所望の誘電率３０〜４０を有するＬｉＮｂ_３Ｏ_８セラミックスの低損失特性を維持しつつ低温焼成化が可能な誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】誘電体磁器組成物は、主成分として、組成式ＬｉＮｂ_３Ｏ_８で表される成分を含み、主成分に対する副成分として、Ｂ_２Ｏ_３を０．５〜３．０重量％の範囲で含む。さらに、副成分として、必要に応じて、Ｂｉ_２Ｏ_３をわずかに含む。また、電子部品は、上記誘電体磁器組成物と内部配線とを含む。 （もっと読む）

【課題】 高温超伝導フィルタに適した高Qf値を有する電子デバイス用誘電体を提供する。
【解決手段】 組成式を(1-X)LaAlO₃-XSrTiO₃と表し、0<X≦0.2を満足し、誘電率が24以上、Qf値が300,000GHz以上の誘電体特性を有する複合酸化物の単結晶材料の（110）面を電界面としたことを特徴とする電子デバイス用誘電体。この電子デバイス用誘電体は、準ミリ波以上の高周波帯域で誘電体材料としてQf値が大幅に向上するとともに高温超伝導フィルタに適用できる。 （もっと読む）

【課題】高いＱ値を有し、２５℃に対する１２５℃でのＱ値の低下率が小さく、共振周波数の温度係数τｆの曲がりが小さい高周波用誘電体磁器組成物を得る。
【解決手段】金属元素として少なくともＭｇ、Ｃａ、Ｔｉを含有する主成分とＮｂとを有する高周波誘電体磁器組成物であって、主成分は、金属元素のモル比による組成式をａＭｇＯ・ｂＣａＯ・ｃＴｉＯ₂と表したとき、ａ、ｂおよびｃが、０．４２≦ａ≦０．５１、０．０１≦ｂ≦０．０６、０．４５≦ｃ≦０．５３（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）を満足する。１ＧＨｚでのＱｆ値が、７９０００以上である。 （もっと読む）

【課題】ガラス成分の含有量を比較的に減らしつつ、低温（たとえば９５０℃以下）での焼結を可能とし、しかも良好な特性（比誘電率、ｆ・Ｑ値、絶縁抵抗）を示し、異材質同時焼成をも可能とする誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分として、Ｚｎの酸化物単独ならびにＭｇの酸化物およびＺｎの酸化物から選ばれる１つと、Ｃｕの酸化物と、Ｓｉの酸化物と、副成分として、Ｓｉの酸化物、Ｚｎの酸化物、Ｂａの酸化物、Ｃａの酸化物、Ｓｒの酸化物およびＬｉの酸化物から選ばれる少なくとも１つと、Ｂの酸化物と、を含み、ガラス軟化点が７５０℃以下であるガラス成分と、を含有し、前記ガラス成分の含有量が、前記主成分１００重量％に対して、１．５〜１５重量％である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】より低温で焼成を行っても所望の比誘電率やＱ値を得ることができ、かつ焼成後の機械的強度が良好な高周波用誘電体磁器組成物、及び低温焼成と電極の密着強度の両立が可能な誘電体部品を実現する。
【解決手段】高周波用誘電体磁器組成物は、主成分が、一般式ｘＭｇＯ・ｙＳｉＯ_２（ただし、ｘはＭｇＯのモル数、ｙはＳｉＯ_２のモル数を示す。）で表されると共に、前記ｘとｙの比ｘ／ｙが、１．８≦ｘ／ｙ＜２．０を満足し、かつ、Ｂａ及びＳｒのうちの少なくともいずれか一方が、前記主成分１００重量部に対し、炭酸塩に換算して総計で３．０重量部を超え、かつ１０．０重量部以下の含有量で含まれている。また、誘電体部品としての誘電体アンテナは、磁器素体１が高周波用誘電体磁器組成物で形成され、また電極部２はめっき形成されている。 （もっと読む）

【課題】 直径１０ｍｍ、厚み５ｍｍのサイズの成形体を焼成して得られた焼結体からなる試料において、誘電体磁器のサイズが大きい場合でも、優れた誘電特性を有する誘電体磁器が要求されており、この要求を満たすことができるか不明であった。
【解決手段】 誘電体磁器４内部のＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で０．００７質量％以下（ゼロを含まず。）含有し、内部におけるＡｌの濃度を１としたとき、誘電体磁器４の表面近傍におけるＡｌの濃度の比が０．５〜２であり、かつ平均気孔径が８μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アスベスト（クリソタイル：Mg₃Si₂O₅(OH)₄）を使って、高周波フォルステライト（Mg₂SiO₄）磁器を作製する。アスベストは天然鉱物であるため不純物が多く、そのままフォルステライトの原料に使っては、その高周波特性の性能指標であるQ・ｆ値の大きなものが得られない。そのためアスベストから酸処理により鉄などの不純物を取り除くことで得た原料を使って高品質なフォルステライトを作製する。
【解決手段】アスベスト（クリソタイル：Mg₃Si₂O₅(OH)₄）を塩酸処理することによってMg²⁺イオンと同時に不純物の鉄を溶出でき、高純度の非晶質SiO₂ファイバーとすることができた。このSiO₂ファイバーと反応活性なMgOとを固相反応させることによりフォルステライト粉末を作製できた。得られたフォルステライト粉末をパルス通電焼結させることにより緻密なフォルステライト磁器が得られ、その磁器のQ・ｆ値は100,000GHzを超えた。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率εｒが高く、Ｑ×ｆ値が大きな誘電体磁器を実現でき、低温焼成が可能な誘電体磁器組成物及び誘電体磁器を提供すること。
【解決手段】 下記組成式（１）で表される酸化物誘電体を主成分とし、ホウ素酸化物及びガラス組成物から選ばれる少なくとも１種を副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。
ａ・ＣａＯ−ｂ・ＬｉＯ_１／２−ｃ・ＢｉＯ_３／２−ｄ・ＲＥＯ_３／２−ｅ・ＴｉＯ_２…（１）
［但し、上記式（１）中、ＲＥは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｙｂ及びＹからなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。また、ａ〜ｅは、各成分の比率（モル％）を表し、
２６＜ａ≦４５、
０＜ｂ≦１２、
０≦ｃ≦（ａ＋ｄ）／４、
０≦ｄ≦１２．５、
５０≦ｅ≦６０、
０．６５≦ｂ／（ｃ＋ｄ）＜１．０、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００
となる関係を満たす値である。］ （もっと読む）

【課題】 高い誘電率を保ちつつ、高容量であり、均一で所望の絶縁性を有する誘電体薄膜の工業的製造に好適に用いることができる複合誘電体用組成物、複合誘電体、及び、該複合誘電体を構成部位として含む電気回路基板を提供する。
【解決手段】 無機誘電体、フッ素化芳香族系重合体及び溶媒成分を含んでなる複合誘電体用組成物であって、該溶媒成分は、吸水率が２０質量％以下の溶媒を含むものである複合誘電体用組成物。前記溶媒成分は、沸点が１００℃以上である複合誘電体用組成物。 （もっと読む）

本発明は、ガラスフリットまたは誘導体セラミック組成物が核形成剤を含むことで、特定の結晶構造をなし、低い誘電率、低い誘電損失、高いＱ値と、高い強度を有する、ガラスフリット及び充填材が所定の成分比で含有される誘電体セラミック組成物に関する。本発明による高強度及び高Ｑ値を有する低温焼成用誘電体セラミック組成物は、サイズを増大でき、低温焼成用多層基板の製造を向上でき、衝撃耐久性が優れた電子部品のモジュール化を可能とする。
（もっと読む）

【課題】 温度によって共振周波数が変化しにくい誘電体磁器組成物により共振器のフィルタを構成することが望まれている。
【解決手段】 Ｌａ、Ａｌ、ＣａおよびＴｉを含有し、組成式を、αＬａ_２Ｏ_Ｘ・βＡｌ_２Ｏ_３・γＣａＯ・δＴｉＯ_２（但し、３≦Ｘ≦４）と表したとき、モル比α、β、γおよびδが、次の式、０．０５６≦α≦０．２１４、０．０５６≦β≦０．２１４、０．２８６≦γ≦０．５００、０．２３０＜δ＜０．４７０、α＋β＋γ＋δ＝１、を満足し、かつＭｎをＭｎＯ_２換算で０．０１質量％以上１質量％未満含有するものであって、リートベルト法によって求めたＣａＴｉＯ_３の格子定数のａが５．４０６以上５．４０８以下、ｂが７．６５０以上７．６５２以下、およびｃが５．４０５以上５．４０７以下である誘電体磁器組成物からなる誘電体磁器４とする。 （もっと読む）

【課題】薄層化に対応可能としつつ、良好な特性（比誘電率、損失Ｑ値、絶縁抵抗）を示す低温焼結誘電体磁器組成物およびこの誘電体磁器組成物から構成されている誘電体層を有する積層型フィルタなどの複合電子部品あるいは積層セラミックコンデンサを提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムおよびチタン酸カルシウムから選ばれる少なくとも１つを含む主成分と、副成分として、Ｂｉの酸化物と、Ｂの酸化物と、Ｃｕの酸化物と、を含有する誘電体磁器組成物であって、主成分１００重量％に対して、Ｂｉの酸化物の含有量が、Ｂｉ_２Ｏ_３換算で、０．５〜１０重量％であり、Ｂの酸化物の含有量が、Ｂ_２Ｏ_３換算で、０．５〜１．５重量％であり、Ｃｕの酸化物の含有量が、ＣｕＯ換算で、０．５〜１０重量％である。 （もっと読む）

【課題】ガラス成分等の含有量を比較的に減らすことで薄層化に対応可能としつつ、良好な特性（比誘電率、損失Ｑ値、絶縁抵抗）を示す誘電体磁器組成物およびこの誘電体磁器組成物から構成されている誘電体層を有する積層型フィルタなどの複合電子部品あるいは積層セラミックコンデンサを提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムおよびチタン酸カルシウムから選ばれる少なくとも１つを含む主成分と、副成分として、Ｂの酸化物を含むガラス成分と、を含有する誘電体磁器組成物であって、前記ガラス成分の含有量が、前記主成分１００重量％に対して、２〜７重量％であること。 （もっと読む）

【課題】 Ｍｇ_２ＳｉＯ_４（フォルステライト）を主成分とする誘電体磁器組成物の抗折強度を向上する。
【解決手段】 Ｍｇ_２ＳｉＯ_４を主成分とするとともに、ＺｎＯ、Ｂ_２Ｏ_３、ＣｕＯ及びＲＯ（ただし、Ｒはアルカリ土類金属を表す。）を副成分として含む。Ｍｇ_２ＳｉＯ_４の質量をａ、ＺｎＯの質量をｂ、Ｂ_２Ｏ_３の質量をｃ、ＣｕＯの質量をｄ、ＲＯの質量をｅとしたときに、全体の質量（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）に対するＺｎＯの質量ｂの比率ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）が８％〜２０％、Ｂ_２Ｏ_３の質量ｃの比率ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）が３％〜１０％、ＣｕＯの質量ｄの比率ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）が２％〜８％、ＲＯの質量ｅの比率ｅ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）が１％〜４％である。 （もっと読む）

【課題】低温で焼成可能、十分な誘電特性を有する誘電体磁器組成物及びそれを用いたセラミック電子部品の提供。
【解決手段】誘電体磁器組成物は、ａＢｉ_２Ｏ_３−ｂＺｎＯ−ｃＴａ_２Ｏ_５−ｄＮｂ_２Ｏ_５−ｅＺｒＯ_２（ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅはモル比を示す。）との組成式で表記され、３９．５≦ａ≦４２．５、１８．５≦ｂ≦２８．０、０≦ｃ≦２８、０≦ｄ≦２８、０＜ｅ≦２３で示され、また、酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化タンタル、酸化ニオブ及び酸化ジルコニアよりなる組成物を、ｘＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｔａ_２／３）_２Ｏ_７−ｙＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_２Ｏ_７−ｚＢｉ_２Ｚｒ_２Ｏ_７（ただし、ｘ、ｙ及びｚはモル比を示す。）と表し、前記ｘ、ｙ及びｚの各々の相関を三角図を用いて示した場合に、特定の領域にあり、セラミック電子部品は、前記誘電体磁器組成物を焼成してなるセラミック基体と、その内部及び／又は表面に設けられた未焼成導体層が誘電体磁気組成物と同時焼成されてなる導体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】多層セラミック基板を製造するにあたり、無収縮プロセスを用いて焼成するのに適した誘電体セラミック原料組成物を提供する。
【解決手段】１００重量部の（Ｃａ_１−ｘＳｒ_ｘ）ＷＯ_４系セラミック（０≦ｘ≦１．０）と、ＬｉをＬｉ_２Ｏ換算で３〜１０重量％、ＭｇをＭｇＯ換算で３１〜４９重量％、ＺｎをＺｎＯ換算で６〜１０重量％、ＢをＢ_２Ｏ_３換算で１７〜２９重量％、およびＳｉをＳｉＯ_２換算で１８〜３４重量％含有する、２５〜７０重量部のホウケイ酸ガラスとを含み、ＣａＷＯ_４結晶相、ＳｒＷＯ_４結晶相および（Ｃａ，Ｓｒ）ＷＯ_４結晶相の少なくとも１種ならびにＬｉ_２（Ｍｇ，Ｚｎ）ＳｉＯ_４結晶相が析出している、誘電体セラミック原料組成物。この誘電体セラミック原料組成物は、無収縮プロセスによって焼成される複合積層構造物２１において、基板用セラミックグリーンシート２５の材料として好適に用いられる。 （もっと読む）