【課題】無負荷Ｑ値と機械的強度が高く、かつ焼成温度に対して非常に安定であり、十分な絶縁信頼性を有し、グリーンシートの作製も容易である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】組成式ｙＣａＯ−ｚＬｉＯ_1/2−ｗＭＯ_5/2−ｕＴｉＯ₂（Ｍは、ＮｂおよびＶからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素で、ｙ，ｚ，ｗ，ｕはｙ＋ｚ＋ｗ＋ｕ＝１、０．４５≦ｙ≦０．５５、０．１０≦ｚ≦０．２０、０．１６≦ｗ≦０．３８、０．０１≦ｕ≦０．２０で示される値）で表される第一成分と、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｔｉ，ＬａおよびＮｄからなる群から選ばれる少なくとも二種の元素を含むガラス組成物である第二成分とを含み、第二成分の含有率が２重量％以上５０重量％以下であり、さらに第三成分としてＣｕＯを前記第一、第二成分を合わせたものに対して０．２重量部以上５重量部以下含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

低温焼成磁器組成物は１０００℃以下で焼成可能であり、低い比誘電率（１６ＧＨｚ以上において９以下）と高いＱｆ値（10,000以上）を有する。組成物はＡｇ、ＡｕまたはＣｕなどの配線材料と同時焼成できる。セラミック組成物は（質量で）ＣａＯとＭｇＯとＳｉＯ₂とを合計量で６０質量％を超え９８.６質量％以下、Ｂｉ₂Ｏ₃を１質量％以上３５質量％未満及びＬｉ₂Ｏを０.４質量％以上６質量％未満含み、（ＣａＯ＋ＭｇＯ）とＳｉＯ₂の含有比が１：１以上１：２.５未満（モル比）含む。 （もっと読む）

【課題】 ９００℃以下での低温焼結が可能で、比誘電率εｒが３０〜４０の特性を備え、共振周波数の温度係数τｆが＋１０〜＋４０ｐｐｍ／Ｋの特性を備え、共振周波数とＱ値との積であるＱ・ｆ値が１５０００ＧＨｚ以上の特性を備える誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 誘電体磁器組成物の主成分としてＢａＯ、ＴｉＯ_２を所定の比率で含有させ、前記誘電体磁器組成物の副成分としてＺｎＯ、Ｂ_２Ｏ_３及びＣｕＯを所定の比率で含有させるとともに、これらの副成分の総和量を所定範囲にする。 （もっと読む）

【課題】 ９００℃以下での低温焼結が可能で、比誘電率εｒが３０〜４０の特性を備え、特に、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が２０ｐｐｍ／Ｋの特性を備え、共振周波数の温度係数τｆが改善された誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 誘電体磁器組成物の主成分としてＢａＯ、ＴｉＯ_２、ＷＯ_３を所定の比率で含有させ、前記誘電体磁器組成物の副成分としてＺｎＯ、Ｂ_２Ｏ_３及びＣｕＯを所定の比率で含有させる。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率εｒが１５０以上で、誘電率の温度特性τεが２００ｐｐｍ／Ｋ以下で、Ｑ特性にも優れた誘電体磁器組成物を実現する。
【解決手段】 基本組成成分が、ａＢａＴｉＯ_３−ｂＳｒＴｉＯ_３−ｃＣａＴｉＯ_３−ｄＬｉ_１／２ＲＥ_１／２ＴｉＯ_３−ｅＬｉ_１／２Ｎｄ_１／２ＴｉＯ_３［ただし、ＲＥはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒから選択される少なくとも１種を表し、ａ〜ｅは各成分の配合比率（モル％）を表す。］で表される誘電体磁器組成物である。各成分の組成は、０≦ａ≦５、１≦ｂ≦３０、５≦ｃ≦３０、１≦ｄ≦２０、４５≦ｅ≦７５、２０≦ａ＋ｂ＋ｃ＜３５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００である。配合比率ｄ，ｅは、ｄ：ｅ＝１：２〜１：１０であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 誘電体セラミックスが有する高い比誘電率εｒを十分に反映させることができ、これまでにない高い比誘電率εｒを実現することができ、しかも高いＱを有する低損失な複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料である。誘電体セラミックスとして、一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．１０≦ｘ≦０．９０である。）で表される組成を有する酸化物からなる第１の誘電体セラミックスと、Ｑ≧１０００の第２の誘電体セラミックスとを含有する。この場合、第１の誘電体セラミックスを一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．１０≦ｘ≦０．４５である。）で表される組成を有し比誘電率の温度変化係数が正である酸化物とし、第２の誘電体セラミックスの比誘電率の温度変化係数を負とすることで、複合誘電体材料全体の比誘電率の温度変化が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】 誘電体セラミックスが有する高い比誘電率εｒを十分に反映させることができ、これまでにない高い比誘電率εｒを実現することができ、しかも比誘電率εｒの温度変化率の小さな新規な複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料である。誘電体セラミックスとして、一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．１０≦ｘ≦０．４５である。）で表される組成を有し比誘電率の温度変化係数が正である酸化物を含有する。さらに、一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．６０≦ｘ≦０．９０である。）で表される組成を有し比誘電率の温度変化係数が負である酸化物を併用してもよい。本発明の複合誘電体材料は、プリプレグや金属箔塗工物、板状の成形体等に用いられ、さらにこれらプリプレグや金属箔塗工物、成形体を用いて複合誘電体基板や多層基板が作製される。 （もっと読む）

【課題】比誘電率（εｒ）、およびＱ値が高く、共振周波数の温度係数（τｆ）の絶対値が小さくて、しかも、レーザ加工を行った後、低い温度での熱処理によりＱ値を効率よく回復させることが可能な高周波用誘電体磁器組成物、それを用いた誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信機装置を提供する。
【解決手段】一般式：ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ₂−ｚ｛（１−ｓ−ｔ−ｕ）ＳｍＯ_3/2−ｓＮｄＯ_3/2−ｔＰｒＯ_11/6−ｕＣｅＯ₂｝）で表したとき、ｘ，ｙ，ｚ，ｓ，ｔおよびｕがそれぞれ、０．１０≦ｘ≦０．２０，０．５５≦ｙ≦０．６８，０．１５≦ｚ≦０．３５，０．２０≦ｓ≦０．６５，０≦ｔ≦０．２５，０≦ｕ≦０．０３，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係を満足する主成分１００重量部に対して、Ｆｅを、Ｆｅ₂Ｏ₃換算で１．０重量部を超え、２．５重量部を超えない範囲で含有させる。 （もっと読む）

【課題】 誘電体セラミックスが有する高い比誘電率εｒを十分に反映させることができ、これまでにない高い比誘電率εｒを実現することができ、しかも高いＱ値を有する新規な複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料である。誘電体セラミックスとして、一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．１０≦ｘ≦０．９０である。）で表される組成を有する酸化物を含有する。複合誘電体材料の比誘電率εｒは１２以上である。酸化物は、１１００℃以下の温度で焼成されたものであることが好ましい。本発明の複合誘電体材料は、プリプレグや金属箔塗工物、板状の成形体等に用いられ、さらにこれらプリプレグや金属箔塗工物、成形体を用いて複合誘電体基板や多層基板が作製される。 （もっと読む）

フォルステライトにルチル型酸化チタンを１５重量％以上３５重量％以下の割合で添加することにより、焼成温度を約１２００℃にまで低下させることができる。また、このような低温で焼成を行うことによって、フォルステライトとルチル型酸化チタンとがそれぞれの結晶相を保持しつつ焼結した焼結体を得ることができる。このような焼結体は、フォルステライトに由来する高い品質係数Ｑ・ｆの値が殆ど損われることなく、かつ、ルチル型酸化チタンによって温度係数τｆの絶対値が３０ｐｐｍ／℃以下に制御された、優れた高周波用磁器組成物となる。
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【課題】 低温で焼成しても良好な誘電特性を示す積層セラミックス基板及びその製造方法を得る。
【解決手段】 誘電体セラミックス材料の原料粉を仮焼成し、仮焼成粉を含むシートを複数積層した積層体を焼成して得られる積層セラミックス基板であり、誘電体セラミックス材料として少なくとも２種類の誘電体セラミックス材料を用い、そのうちの少なくとも１種類が一般式（Ｌｉ，Ｒ）ＴｉＯ₃−（Ｃａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃（Ｒ：希土類元素）で表されるペロブスカイト型結晶相を有する誘電体セラミックス材料である、各種類毎の仮焼成粉を混合した仮焼成混合粉を加熱後急冷することにより、仮焼成混合粉の誘電体セラミックス材料に結晶欠陥を導入したことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 低温で焼成することができ、且つ十分な誘電特性を有する誘電体磁器組成物及びそれを用いたセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】 本発明の誘電体磁器組成物は、ａＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｔａ_２／３）_２Ｏ_７−ｂＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_２Ｏ_７−ｃＢｉ_２Ｓｎ_２Ｏ_７（ａ、ｂ及びｃはモル％であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００モル％である。）により表し、且つａ、ｂ及びｃの各々の相関を三角図を用いて表した場合に、ａ、ｂ及びｃは、各々に対応する値が、図１における特定の領域内にあることを特徴とする。また、本発明のセラミック電子部品は、上記の誘電体磁器組成物からなる未焼成セラミック基体が焼成されてなるセラミック基体と、その内部及び／又は表面に設けられた未焼成導体層が未焼成セラミック基体と同時焼成されてなる導体層（Ａｇ等を主成分とする。）と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温焼成が可能で、マイクロ波やミリ波などの高周波領域で使用しても、高い比誘電率と、高いＱ値を有し、また共振周波数の温度係数（τ_f）の絶対値が小さい高周波用誘電体磁器組成物、それを用いた誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信機装置を提供する。
【解決手段】少なくとも希土類（Ｌｎ）、Ａｌ、Ｃａ、Ｔｉ，Ｍ１，Ｍ２およびＷを含有する組成物を主成分とし、Ｍ１がＺｎおよびＭｇのうち少なくとも１種、Ｍ２がＮｂおよびＴａのうち少なくとも１種であり、組成式を（１−ｙ）ｘＣａＴｉ_aＯ_1+2a−（１−ｙ）（１−ｘ）Ｃａ｛（Ｍ１）_1/3（Ｍ２_1-zＷ_z）_2/3｝_bＯ_1+2b−ｙＬｎＡｌ_cＯ_(3+3c)/2としたとき、
０．５６≦ｘ≦０．８
０．０８≦ｙ≦０．１８
０．０５≦ｚ≦０．５
（１−ｙ）ｘ≦０．６６０
０．９８５≦ａ≦１．０５
０．９≦ｂ≦１．０２
０．９≦ｃ≦１．０５
を満足するようにする。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波、ミリ波などの高周波用誘電体材料としての用途の拡大を図るべく、共振周波数の温度係数(τｆ)の絶対値を簡易な方法でかつ確実に小さな値（より零ｐｐｍ／℃に近づく小さな値）とでき、Ｑ・ｆ値の向上が図れる誘電体磁器組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系の誘電体磁器組成物の製造方法であって、Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系の誘電体磁器組成物を製造する原料を準備する原料準備工程と、準備された原料を混合する原料混合工程と、混合された原料を使用し成形した後、成形物を１３００℃以上の温度で焼成する焼成工程と、焼成後の成形物を９２０〜１１７０℃の温度で熱処理するアニ−ル工程とを含み、アニール工程におけるアニール時間は、２時間を越える時間で、アニール時間零におけるＱ・ｆの初期値をＮ₀とした場合に、アニール後のＱ・ｆの値が０．９Ｎ₀以上の値が得られるアニール時間とする。 （もっと読む）

【課題】 ７０〜８５程度のε_ｒを発現しつつ、大きなＱｕが得られる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式［ａＭ^１Ｏ−ｂＴｉＯ_２−（１／２）ｃＡｌ_２Ｏ_３−（１／２）ｄＭ^２_２Ｏ_５］（但し、Ｍ^１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ^２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たす。０．４３６≦ａ≦０．５００、０．３２５≦ｂ≦０．３７５、０．０５４≦ｃ<０．０８８且つ０．０６２<ｄ<０．１４３。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。 （もっと読む）

【課題】 ３０〜５０程度のε_ｒを発現しつつ、大きなＱｕが得られる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式［ａＭ^１Ｏ−ｂＴｉＯ_２−（１／２）ｃＡｌ_２Ｏ_３−（１／２）ｄＭ^２_２Ｏ_５］（但し、Ｍ^１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ^２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たす。０．４３６≦ａ≦０．５００、０．０９３≦ｂ<０．１２４、０．０９３<ｃ≦０．１５０且つ０．２５１≦ｄ<０．３６２。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。 （もっと読む）

【課題】比誘電率（εｒ）、Ｑｆ値が高い誘電体磁器組成物を提供することである。
【解決手段】（Ｂａ_１−ａＳｒ_ａ）_６Ｎｄ_８Ｔｉ_１８Ｏ_５４（０．２０≦ａ≦０．５０）の組成を有していることを特徴とする、誘電体磁器組成物を提供する。疑似タングステンブロンズ構造を有するＢａ_６Ｎｄ_８Ｔｉ_１８Ｏ_５４系の誘電体磁器組成物において、Ｂａの一部をＳｒで置換することによって、比較的高い比誘電率（εｒ）を維持しつつ、Ｑｆ値を著しく向上させ得る。また、Ｂａ_４Ｓｒ_２（Ｎｄ_１−ｂＹ_ｂ）_８Ｔｉ_１８Ｏ_５４（０≦ｂ≦０．４０）の組成を有している誘電体磁器組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】 中間域のε_ｒを発現でき、ε_ｒ及びＱｕのバランスを保持しながらτ_ｆを小さくコントロールできる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式［ａＭ^１Ｏ−ｂＴｉＯ_２−（１／２）ｃＡｌ_２Ｏ_３−（１／２）ｄＭ^２_２Ｏ_５］（但し、Ｍ^１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ^２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たす。０．４３６<ａ≦０．５００、０．１２４<ｂ≦０．３２５、０．０５４<ｃ≦０．１５０且つ０．１７０<ｄ<０．３４６。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。 （もっと読む）

【課題】 Ｂａ（Ｍｇ_１／３Ｔａ_２／３）Ｏ_３系材料において、該材料が有する高いＱｆ値、誘電率を維持したままで、温度係数τｆを正の方向へ制御することができる電子デバイス用誘電体磁器組成物とその製造方法の提供。
【解決手段】 Ｂａ（Ｍｇ_１／３Ｔａ_２／３）Ｏ_３系誘電体磁器組成物に、Ｚｎを加えたＢａ［（ＭｇＺｎ）_１／３Ｔａ_２／３］Ｏ_３系誘電体磁器組成物を、焼結温度１５７０℃以上、焼結時間５時間以上で焼結することにより、組成物中のＺｎＯを揮発させ、Ｚｎ及び／又はＭｇがドープされたＢａＴａ_２Ｏ_６を析出させ、該ＢａＴａ_２Ｏ_６の体積濃度を制御することにより、Ｑｆ値、誘電率を維持したままで、温度係数τｆを正の方向へ制御する。 （もっと読む）

【課題】 低温焼成でき、十分な比誘電率を保持しつつ、高い無負荷Ｑ値が得られるＢｉ−Ｚｎ−Ｎｂ系酸化物からなる低温焼成誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体部品を提供する。
【解決手段】 本低温焼成誘電体磁器組成物は、Ｂｉと、２価の金属元素であるＭ（例えばＺｎ）と、Ｎｂ及びＴａのうちの少なくともＮｂと、Ｏとを含有し、且つ、ｘＢｉＯ_３／２−ｙＭＯ−ｚ（Ｎｂ_ａＴａ_ｂ）Ｏ_５／２と表した場合に、０．４５５≦ｘ≦０．５４５、０．１５５≦ｙ<０．１９、０．３０５≦ｚ≦０．３６２、０<ａ≦１、且つ、０≦ｂ<１を満たす。更に、本発明の誘電体部品１は、本発明の低温誘電体磁器組成物からなる誘電体磁器部１１１、１１２及び１１３と、この誘電体磁器部の表面及び／又は内部に同時焼成された導体部１２１、１２２及び１２３とを備える。 （もっと読む）