【課題】酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、その製造方法、および酸化亜鉛系薄膜を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、Ｉｎ_ｘＨｏ_ｙＯ_３（ＺｎＯ）_Ｔの組成を有し、ｘ＋ｙ＝２、ｘ：ｙは１：０．００１〜１：１であり、Ｔは０．１〜５である。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の電極等に適用されその導電性が改善された酸化亜鉛系透明導電膜積層体を提供する。
【解決手段】スパッタリング法等により基板上に成膜され、ガリウム含有量が異なる複数層の酸化亜鉛系透明導電膜により構成された酸化亜鉛系透明導電膜積層体であって、最も基板側に成膜される酸化亜鉛系透明導電膜が、Ｇａ／（Ｚｎ＋Ｇａ）の原子数比でガリウム含有量が５．６〜１０．０％に設定されかつ膜厚が２０〜４０ｎｍに設定された酸化亜鉛系薄膜層（１）により構成され、この酸化亜鉛系薄膜層（１）上に成膜される単一若しくは複数の酸化亜鉛系透明導電膜が、上記酸化亜鉛系薄膜層（１）よりガリウム含有量が少ない酸化亜鉛系薄膜層（２）により構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
ＩＴＯを積層した透明導電性基材に比して、低いシート抵抗値を有すると同時に外部からの熱に対して耐熱性を備えてなるような、長期間にわたり安定した性能を発揮できる耐性を備えた透明導電性基材を提供する。
【解決手段】
高分子樹脂フィルムよりなる透明基板と、導電性を備えた物質を積層してなる導電性層と、導電性を備えると同時に耐熱性をも備えた物質を積層してなる耐熱導電性層と、をこの順に積層してなるものであり、前記導電性層と前記耐熱導電性層とは共に物理的蒸着法（ＰＶＤ）により積層されてなり、前記導電性層を積層する際の第１成膜雰囲気における酸化度よりも前記耐熱導電性層を積層する際の第２成膜雰囲気における酸化度の方が高くなるようにしてなる、透明導電性基材とした。 （もっと読む）

【課題】
低い電気抵抗値を有すると同時に外部からの熱に対して耐熱性を備えてなるような、つまり長期間にわたり安定した性能を発揮できる耐性を備えた透明導電性基材を得られる製造方法、製造装置、及びかかる方法又は装置により得られる透明導電性基材を提供する。
【解決手段】
少なくとも、カソード部と、基材装着部と、高周波印加部と、が設けられており、かつ前記高周波印加部が前記カソード部と前記アノード部との間に設置されてなる、スパッタリング装置を用いてなり、かつ前記カソード部近傍に向けてアルゴンガスを、前記基材装着部近傍又は前記高周波印加部近傍のいずれか若しくは双方に向けてアルゴンと反応性ガスとの混合ガス又は反応性ガスのいずれかを、それぞれ流す成膜雰囲気醸成工程を含んでなる、透明電極製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜の高性能化には、光学設計による反射防止が有効であるが、該透明導電膜には十分な導電性を備え、かつ光学設計の自由度の高い材料が必要である。
【解決手段】水素またはアルゴンに二酸化炭素を５０体積％以下添加したガスをキャリアガスとして使用するマグネトロンスパッタにより、透明基板上に酸化亜鉛を主成分とする透明導電酸化物層の表面に屈折率を１．３５〜１．８５に制御したカーボン膜を形成することが可能となる。
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【課題】 透明導電酸化物は、抵抗を低く設定するためには膜厚を大きくする必要があり、そのため光線透過率が犠牲になり、「高光線透過率」「低抵抗」を同時に達成することができなかった。
【解決手段】 酸化亜鉛透明導電酸化物層を予め所望の膜厚よりも厚めに製膜し、メタンと水素を含むガスを用いてプラズマ処理することで、酸化亜鉛透明導電酸化物層のエッチングおよび粒径の巨大化が起こり、その結果「高光線透過率」「低抵抗」を同時に達成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルやＰＤＰ，ＬＣＤやエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレイ材料等に用いられる透明電極の材料において、高い耐環境変動と高い光線透過率を同時に達成可能な透明導電膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】屈折率が１．３５〜１．７０を示す、低屈折率のカーボン層３を透明金属酸化物層４の中間層に使用し、さらにその上に極薄膜厚の透明金属酸化物層を形成することで、「導電性」「透明性」という課題を解決することが可能な透明導電膜を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶化した透明導電層を基材フィルム上に形成することができ、高強度で機械的耐久性に優れた透明導電性フィルムを製造しうる方法、この方法により得られたフィルムを有するタッチパネルおよびこのタッチパネルを有する表示装置を提供すること。
【解決手段】 ガラス転移温度が１３０℃以上の環状オレフィン系重合体を有する基材フィルムを、１００℃以上、上記ガラス転移温度−２０℃以下の温度に加熱した状態で、スパッタリングにより透明導電層を形成することを特徴とする、透明導電性フィルムの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ペン書き耐久性を高めるとともに、ペンでの書き心地を改善する透明導電性フィルム、透明導電性フィルムの製造方法、タッチパネル及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】透明基材と、透明基材上の一方の面に形成されたクッション層と、クッション層上に形成されたハードコート層と、透明基材上のもう一方の面に形成された第１の透明導電膜と、を備え、クッション層の弾性係数は１０^４Ｎ／ｍ^２以上１０^６Ｎ／ｍ^２以下であり、クッション層の層厚は１μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】安定した一定量の酸素欠陥を導入することができ、光透過率が良好であり、低い電気抵抗及び良好な導電性を有する透明導電膜を形成するスパッタリング複合ターゲット及びこれを用いた透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング複合ターゲット１は、酸化亜鉛を含む酸化物系成分２と、炭素系成分３ａ〜３ｄとを有し、酸化物系成分２と炭素系成分３ａ〜３ｄが各々別体の場合は、酸化物系成分２の表面の少なくとも一部に炭素系成分３ａ〜３ｄを積層して用いる。
透明導電膜の製造方法は、酸化亜鉛を含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有するスパッタリング複合ターゲットを用いて、基板上に透明導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性を有する導電層を高精細なパターンにて形成し、高性能な抵抗膜式のタッチパネルを得る。
【解決手段】酸化物セラミックス、非酸化物セラミックス及び金属からなる群から選ばれる少なくとも１種を主成分として含有する透明多孔質層を備えた透明性樹脂基材の該透明多孔質層面に、体積平均粒子径が１ｎｍ〜２μｍである導電性粒子の表面に界面活性剤が吸着された粉末を含む導電性ペーストを用いて幾何学パターンを形成する印刷工程と、
該透明性樹脂基材上に形成された導電性ペーストを加熱処理して該透明多孔質層面に幾何学パターンの導電部を形成する工程により、透明導電性フィルムを製造する。 （もっと読む）

【課題】基体上での抵抗率分布を大幅に改善するスパッタリングターゲットの作製方法及びそれを用いる透明導電膜形成方法を提供する。
【解決手段】亜鉛、および、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｓｉ、Ｙ、Ｓｎ、Ｈｆ、ＭｏおよびＶからなる群より選ばれた２種以上の元素をそれぞれ０．１から８原子％、および、Ｃを０．１〜１０原子％含有されてなる複合物、もしくは、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｓｉ、Ｙ、Ｓｎ、Ｈｆ、ＭｏおよびＶからなる群より選ばれた１種以上の元素をそれぞれ０．１から８原子％含有してなるＺｎＯ系複合酸化物に、炭化珪素、炭化硼素、炭化バナジウム、炭化モリブデン、炭化ハフニウムおよび炭化チタンからなる群より選ばれた１種もしくは２種以上の炭化物を０．１〜５重量％添加されてなる複合物焼結体を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明性に優れ、異導体に対する接触抵抗が小さい導電性シートを容易に製造できる導電性シートの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の導電性シートは、透明基材と、該透明基材の片面または両面に形成され、π共役系導電性高分子およびポリアニオンを含有する有機導電層と、該有機導電層の表面に形成され、金属および導電性金属酸化物の一方または両方を含有する厚さ１〜５０００ｎｍの無機導電層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空槽内における残留ガスや基板からの脱ガスによる過剰エッチングを回避するため脱ガスを最小限にすることが可能な薄膜製造技術を提供する。
【解決手段】本発明方法は、成膜対象物上に設けられた有機層に対して真空中でプラズマ雰囲気に曝すプラズマ（エッチング）処理工程Ｓ３と、この成膜対象物の有機層上に真空中でＳiＯ₂膜層を形成するＳiＯ₂膜形成工程Ｓ４を有する薄膜形成方法である。本発明では、プラズマ暴露工程であるプラズマ処理（エッチング）工程Ｓ３の前に、真空中で成膜対象物上の有機層を加熱する加熱工程Ｓ２を有する。本発明では、加熱工程Ｓ２における雰囲気温度が、プラズマ処理工程Ｓ３及びＳiＯ₂膜形成工程Ｓ４における雰囲気温度より高くする。 （もっと読む）

【課題】所望とする量のＧａやＡｌが、均一にドープされた状態にＺｎＯ膜が形成できるようにする。
【解決手段】ＥＣＲプラズマ源１０２とターゲット１０３とからなるＥＣＲスパッタ源と、ＲＦマグネトロンプラズマ発生部１０４とターゲット１０５とからなるＲＦマグネトロンスパッタ源とを備え、ターゲット１０５の表面（スパッタされる面）の法線と基板Ｗの表面の法線とのなす角度が、６０°以上９０°未満にされている。ＥＣＲプラズマ源１０２からのプラズマが流れる方向を基板Ｗの法線方向としており、ターゲット１０５の表面の法線と、ＥＣＲプラズマ源１０２からのプラズマが流れる方向とのなす角度がθであり、これが６０°以上９０°未満にされている。 （もっと読む）

【課題】酸化インジウムスズターゲットおよびこの製造方法、酸化インジウムスズ透明導電膜およびこの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムスズターゲットは、酸化サマリウムおよび酸化イッテルビウムからなる群から選択された少なくとも１つの酸化物を含み、酸化物の含量がターゲットの重量対比０．５〜１０重量％である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による成膜時において、電子や酸素イオンが基板に入射することを防ぎ、基板や基板上の膜へのダメージを低減することで、膜特性を向上させることができるスパッタ装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜材料を備えたターゲット２２と、ターゲット２２の表面２２ａと基板Ｗの表面Ｗ１とを略平行に配置しつつ、基板Ｗをターゲット２２に対して相対移動させる搬送手段と、を有し、基板Ｗの表面Ｗ１の長辺方向の長さより、ターゲット２２の表面２２ａの短手方向における長さが短く形成されたスパッタ装置において、ターゲット２２と基板Ｗとの間において、ターゲット２２の短手方向に磁場を印加する永久磁石２６を有し、基板Ｗをターゲット２２の短手方向に沿って搬送させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡便に膜の高透過性と低比抵抗性を両立させることができる透明導電性薄膜の製造方法を提供し、さらに該製造方法により製造されてなる透明導電性薄膜を提供する。
【解決手段】スパッタリング法により透明導電性薄膜を基板１１上に成膜する透明導電性薄膜の製造方法において、Ａｌ_２Ｏ_３がドープされたＺｎＯまたはＧａ_２Ｏ_３がドープされたＺｎＯからなるターゲット３を用い、Ａｒガス雰囲気下で酸素ガスを導入することなく、基板１１とターゲット３との間にパルスＤＣ電源５より高周波のパルス状の直流電圧を印加してスパッタ成膜する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ膜の可視域の透過率を低下させることなく、ＺｎＯ膜の抵抗率を低下させるようにする新たな処理（形成方法）を提供する。
【解決手段】基板１０１の上にＺｎＯ膜１０２が形成された後、ターゲットに対するターゲットバイアスの印加を停止した状態で、ＥＣＲプラズマを生成させた状態とし、この状態でシャッターを開け、ＺｎＯ膜１０２にＡｒプラズマ１０３が照射された状態とする。Ａｒプラズマ１０３の照射を所定時間継続し、この後、シャッターを閉じ、プラズマ生成室に対するマイクロ波と磁場との供給を停止してプラズマ生成を停止し、また、ターゲットバイアス印加を停止するなどにより、ＥＣＲスパッタ装置の動作を停止する。 （もっと読む）

【課題】高い耐環境変動性と高い光線透過率とを同時に達成可能な透明導電膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜は、透明基板（１）上において１層以上の透明導電層（２）と、その上の複数層の水素含有カーボン層（３、４）とを含み、透明導電層の少なくとも１層は酸化亜鉛を含み、水素含有カーボン層の少なくとも２層はその構造と組成との少なくともいずれかにおいて互いに異なっており、１層以上の透明導電層が堆積された透明基板の光線透過率をＴ₀としかつ複数層の水素含有カーボン層まで堆積された透明基板の光線透過率をＴ₁とした場合に波長５５０ｎｍの光に関してＴ₁／Ｔ₀≧１．０２の関係が成り立つことを特徴としている。 （もっと読む）