【課題】抵抗率が低く、光透過性に優れる複合酸化物結晶質膜を提供すること。
【解決手段】主として、インジウム、ストロンチウム及び酸素から構成される複合酸化物焼結体であって、上記複合酸化物焼結体中のインジウム、ストロンチウム及び錫の総原子数に対する、錫及びストロンチウムの原子数の比が、それぞれ０〜０．３及び０．０００１〜０．０５であり、相対密度が９７％以上であり、平均粒径が７μｍ以下である、複合酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】高い透過率を有すると共に、その透明導電性薄膜のパターンが視認できないようになっている透明導電性積層体の提供を目的とし、且つ、前記透明導電性積層体を形成する過程における透明導電性積層体の色度均一性改善法の提供をも目的とする。
【解決手段】基材１の一面上に、前記基材１の側から第１の薄膜２、第２の薄膜３及び透明導電性薄膜４が順に形成されている透明導電性積層体において、前記第２の薄膜３は、前記第１の薄膜１より低い屈折率を有し、前記透明導電性積層体において、前記透明導電性薄膜４が形成されていない部分の色度（ｂ１^＊）と、前記透明導電性薄膜４が形成されている部分の色度（ｂ２^＊）と、該二つの色度の間の色度差（Δｂ^＊）とは、下記式（１）〜式（３）：
式（１） ｂ１^＊ ＜ １．１５
式（２） ｂ２^＊ ＜ １．１５
式（３） Δｂ^＊＝｜ｂ１^＊−ｂ２^＊｜ ＜ ０．３５
を満たすようにして、透明導電性積層体を形成する。 （もっと読む）

【課題】より入手しやすいＴｉを母体材料とした透明導電膜を提供する。
【解決手段】透明導電膜は、ＴｉＯＮの結晶から構成されてる。この結晶は、後述するように、面心立方格子構造のＴｉＯもしくはＴｉＮの回折点（２００）と同じ位置にＸ線の回折ピークを示す結晶性を有するものである。また、透明導電膜は、金属Ｔｉターゲットを用いた反応性スパッタ法により形成できる。このスパッタ法において、酸素ガスの流量は、ターゲットの表面に金属Ｔｉが露出した状態が定常的に保持される上限の流量よりも少ない流量とすればよい。 （もっと読む）

【課題】電気伝導性フィルムを提供する。
【解決手段】フレキシブルな支持体、伸張性のある金属または金属合金層、および架橋ポリマー保護層を含む電気伝導性フィルムが、少なくとも１つの恒久的に変形された曲面状領域を有する。フィルムは、光透過性とすることができ、また複合曲率の領域を有することができ、および金属または金属合金層は実質的に連続とすることができる。フィルムによって、破損または腐食に対する感受性が、市販の電磁干渉（ＥＭＩ）シールド・フィルムと比較して減る。 （もっと読む）

【課題】電気伝導性フィルムを提供する。
【解決手段】フレキシブルな支持体、伸張性のある金属または金属合金層、および架橋ポリマー保護層を含む電気伝導性フィルムが、少なくとも１つの恒久的に変形された曲面状領域を有する。フィルムは、光透過性とすることができ、また複合曲率の領域を有することができ、および金属または金属合金層は実質的に連続とすることができる。フィルムによって、破損または腐食に対する感受性が、市販の電磁干渉（ＥＭＩ）シールド・フィルムと比較して減る。 （もっと読む）

【課題】膜厚が薄く、低抵抗率及び高透過率を有する透明導電膜を提供する。
【解決手段】基板上に設けられる、酸化インジウム錫膜からなる透明導電膜であって、膜厚が８〜２０ｎｍの範囲であり、Ｘ線回折法における（２２２）面のピーク強度Ｉ_１と（４００）面のピーク強度Ｉ_２との比Ｉ_１／Ｉ_２が０．１〜１．０の範囲であり、抵抗率が１．５×１０^−４Ωｃｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な透明性及び導電性を有する透明導電膜を低コストで提供することを課題の一とする。また、亜鉛及びアルミニウムを含む導電性酸窒化物からなる透明導電膜の抵抗率を低減することを課題の一とする。また、亜鉛及びアルミニウムを含む導電性酸窒化物からなる透明導電膜を提供することを課題の一とする。
【解決手段】亜鉛を含む酸化物からなる透明導電膜において、アルミニウム及び窒素を含ませ、亜鉛及びアルミニウムを含む導電性酸窒化物からなる透明導電膜を形成することで、該透明導電膜の抵抗率を低減することができる。また、亜鉛及びアルミニウムを含む導電性酸窒化物からなる透明導電膜の成膜後に加熱処理を行うことにより、該透明導電膜の抵抗率を低減することができる。 （もっと読む）

本発明は、透明基材、および前記透明基材の少なくとも一面に備えられた電気伝導性パターンを含む伝導体であって、前記透明基材の全体面積の３０％以上が、前記電気伝導性パターンと交差する直線を描いた時、前記直線と前記電気伝導性パターンの隣接する交点間の距離の平均値に対する標準偏差の比率（距離分布比率）が２％以上である電気伝導性パターンを有することを特徴とする伝導体およびその製造方法を提供する。また、本発明は、透明基材、および前記透明基材の少なくとも一面に備えられた電気伝導性パターンを含む伝導体であって、前記透明基材の全体面積の３０％以上が、分布が連続的な閉鎖図形からなり、前記閉鎖図形の面積の平均値に対する標準偏差の比率（面積分布比率）が２％以上である電気伝導性パターンを有することを特徴とする伝導体およびその製造方法を提供する。
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【課題】導電性、透明性、耐環境変動性において良好な特性を示す透明電極付き基板を提供すること。
【解決手段】基材上に少なくとも１層からなる酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層を有する透明電極付き基板であって、上記透明導電性酸化物層が基材に対してｃ軸配向した結晶構造を有しており、更に上記透明導電性酸化物層中に水素がドーピングされている基板、並びに基材上に少なくとも１層からなる酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層を有する透明電極付き基板の製造方法であって、上記透明導電性酸化物層がプラズマ放電を利用したスパッタリングにより製膜され、且つスパッタリング時のキャリアガスとして、アルゴン及び水素を必須とし、さらに酸素、二酸化炭素から選択される１種以上を添加したものを使用し、且つ全キャリアガス中に水素が２〜３０体積％、酸素及び／又は二酸化炭素が１〜３０体積％含有されている基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】可撓性及び耐薬品性を具備して、フレキシブルディスプレイ装置に好適な透明導電膜を提案する。
【解決手段】可撓性の基板２上に設ける透明導電膜３であって、前記基板側に設けた結晶性の第１透明導電層３−１と、該第１透明導電層上に設けた非結晶性の第２透明導電層３−２とを含んで形成してある。前記第１透明導電層はＳｎＯ_２含有割合が１質量％以上１０質量％未満のＩＴＯ層であり、前記第２透明導電層はＳｎＯ_２含有割合が１０質量％以上のＩＴＯ層（インジウムスズ酸化物の透明膜）またはＩＺＯ層（インジウム亜鉛酸化物の透明膜）とするのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】可撓性と共に高い導電性とを備えながらも導電性の劣化が防止された透明導電性フィルム、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】光透過性のフィルム基材１１と、フィルム基材１１上に設けられたカーボンナノチューブ層１３と、カーボンナノチューブ層１３に積層された光透過性の金属酸化物層１５-1とを備えた透明導電性フィルム１-1であり、金属酸化物層１５-1はクラックＡが設けられたクラック含有金属酸化物層１５-1である。クラックＡは、フィルム基材１１の端縁と略平行で互いに垂直をはす２方向に延設されている。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜を結晶化させることにより透明電極の耐薬品性を高めることができると共に、透明導電膜の結晶化時に高分子材料基板を変形・劣化させることがない透明電極の製造方法を提供する。
【解決手段】高分子材料基板上に、Ｓｎを含有する非晶質透明導電膜を形成する工程と、非晶質透明導電膜を１１０℃以上１３０℃未満の温度で熱処理して結晶質透明電極とする工程とを含むことを特徴とする、透明電極の製造方法である。ここで、非晶質透明導電膜のＳｎ濃度は、ＳｎＯ_２換算で１〜５質量％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】可撓性及び耐薬品性を具備して、フレキシブルディスプレイ装置に好適な透明導電膜を提案する。
【解決手段】可撓性の基板２上に設ける透明導電膜３であって、前記基板側に設けた非結晶性の第１透明導電層３−１と、該第１透明導電層上に設けた結晶性の第２透明導電層３−２とを含んで形成してある。第１透明導電層３−１はＳｎＯ_２含有割合が１０質量％以上のＩＴＯ層（インジウムスズ酸化物の透明膜）またはＩＺＯ層（インジウム亜鉛酸化物の透明膜）であり、第２透明導電層３−２はＳｎＯ_２含有割合が１質量％以上１０質量％未満のＩＴＯ層とするのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、導電性が良好であり、なおかつ異常突起の少ない（平滑性のよい）、さらには乾燥時間が短縮でき、生産性が向上した透明導電膜の再現性がよい製造方法を提供することにある。
【解決手段】基材上に透明導電膜を形成し、次いで、該透明導電膜上に、少なくとも有機化合物層および対向電極層を形成する、有機エレクトロニクス素子の製造方法において、該透明導電膜を形成する前の基材の水分量を制御する工程を有することを特徴とする有機エレクトロニクス素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光透過性及び電気伝導度に優れ、かつ製造が容易な導電性フィルムの製造方法、及びその製造方法により製造される導電性フィルムを提供する。
【解決手段】導電性フィルム製造方法は、超音波による切断及び酸との化学反応の少なくとも一方により、カーボンナノチューブを前処理する段階と、前記カーボンナノチューブを溶媒に分散させる段階と、前記カーボンナノチューブ分散液にメタルワイヤを混合する段階と、前記メタルワイヤが混合されたカーボンナノチューブ分散液を基板上にコーティングして電極層を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】
高透明のインジウム複合酸化物薄膜の導電性、耐久性、またはリニアリティを向上させたタッチパネル用透明電極を提供することにある。
【解決手段】
透明基板の少なくとも一方の面に、酸化インジウムを主成分とした透明導電膜およびカーボン膜が積層された透明電極の製造方法であって、酸化インジウムを主成分とした透明導電膜が１０〜４０ｎｍの膜厚であり、カーボン膜が０．５〜５．０ｎｍの膜厚であるように製膜され、上記カーボン膜が水素を５０〜１００体積％含むガスを用いたスパッタリング法によって製膜され、かつ製膜後の透明電極が７０℃以上１７０℃以下の温度で熱アニール処理して透明電極を製造することにより、課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】従来の反応性スパッタ法によっては実現が困難であった、充分に低い抵抗率となる導電性透明化合物薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸素を含む雰囲気にて、金属ターゲットを用いてスパッタを行う反応性スパッタ法によって金属酸化物よりなる導電性透明化合物薄膜を成膜する方法であって、スパッタ時における放電のインピーダンス又は発光強度をモニタリングし、前記モニタリングの結果に基づいて導入酸素流量を制御し、フィードバック制御によって遷移領域内で導電性透明化合物薄膜を成膜する方法において、基板を加熱する。 （もっと読む）

【課題】
大掛かりな装置を必要とせず、高速かつ低コストで実施できる管体内面への透明導電膜成膜方法を提供する。
【解決手段】 管体内面への透明導電膜成膜方法は、非酸化金属からなる蒸着物質を管体とほぼ同じ長さにして管体内に挿通する工程と、蒸着物質が挿通された管体を真空チャンバ内に配置する工程と、真空蒸着法あるいはスパッタ法によって管体内面に蒸着物質からなる金属膜を形成する工程と、金属膜を酸化することで透明導電膜とする工程と含んでいる。 （もっと読む）

【課題】酸化インジウムを主成分とする透明導電性酸化物層の導電性を向上させ、透明導電性酸化物層の膜厚を大きくせず、透過率を向上させる透明電極付き基板を提供する。
【解決手段】透明導電性酸化物層(2-1,2-n,2-（n+1）)を水素プラズマ処理または水素化カーボン層製膜(3-1,3-n)することで、透明導電性酸化物層のキャリア濃度を向上し、且つ多層構造とすることで増加したキャリアの失活を防ぐことが可能となり、従来よりも薄膜で導電性を確保し透過率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ条件の適正化により低抵抗率のＺｎＯ系薄膜が得られる透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、Ａｌ、Ｇａ、Ｂの１種または２種以上を０．１〜５質量％含有するＺｎＯ系ターゲットを用いて、０．１Ｔを超える漏洩磁束かつ０．４Ｐａ以下のスパッタガス圧の条件で直流マグネトロンスパッタリングにより、１０ｎｍ以上の膜厚を有するＺｎＯ系薄膜を基板上に形成する透明導電膜の製造方法である。好ましくは、漏洩磁束を０．２Ｔ以下とし、スパッタガス圧の範囲を０．１〜０．３Ｐａとする。 （もっと読む）