【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、モリブデンおよび酸素からなる酸化物焼結体であって、モリブデンが原子数比でＭｏ／（Ｚｎ＋Ｍｏ）＝０．０２以上０．１以下となるよう含有されている。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、ニオブおよび／またはタンタルおよび酸素からなる酸化物焼結体であって、ニオブおよび／またはタンタルが原子数比でＸ／（Ｚｎ＋Ｘ）＝０．０２以上０．１以下（式中、Ｘはニオブおよび／またはタンタル）となるよう含有されている。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と成膜時に異常放電を抑制した透明導電膜の成膜を可能にするチタン（低原子価）ドープ酸化亜鉛系透明導電膜形成材料を提供する。
【解決手段】低原子価酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉、またはチタン酸亜鉛化合物粉を含み、チタンの原子数の全金属原子数に対する割合が２％超１０％以下である原料粉末を用いて、真空中または不活性雰囲気中にて７００℃以上１２００℃以下の焼結温度で放電プラズマ焼結を行う。 （もっと読む）

【課題】耐久性、光学特性に優れると共に、配線精度の高精度化を容易に図ることができる透明配線層を備えた透明導電フィルム及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明導電フィルム１は、透明な樹脂からなる基材フィルム１１と、基材フィルム１１の表面に形成され、基材フィルム１１よりも光屈折率の高い高屈折コート層１２と、高屈折コート層１２の表面に形成され、高屈折コート層１２よりも光屈折率の低い低屈折コート層１３と、低屈折コート層１３の表面に形成された酸化形素からなる防湿性の下地層１４と、下地層１４の表面においてパターン形成され、下地層１４よりも光屈折率の高い結晶質のＩＴＯからなる透明配線層１５とを有する。透明配線層１５は、ＩＴＯの結晶子サイズが９ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 光電変換効率の高い表面電極付透明導電基板の製造方法及び薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 透光性ガラス基板１上に、スパッタリング法により、表面に凹凸構造２ａが形成された酸化亜鉛系の結晶質透明導電膜（凹凸膜２２）が表面電極２として形成された表面電極付透明導電基板１１ｂを、０．１〜１００Ｐａの水素ガス雰囲気で、４００〜５５０℃で熱処理を施す。結果として、より光閉じ込め効果の高い表面電極２を提供することが可能となり、より光電変換効率の高い薄膜太陽電池１０を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により、不連続被膜を形成する。
【解決手段】真空槽内で基板とターゲットとを対向させ、スパッタリング法により、前記基板上に成膜処理をする成膜方法であって、前記ターゲットの表面温度が常温よりも所定温度以上になるように制御し、前記ターゲットの表面温度を所定温度としない場合に比べ、高抵抗な被膜を前記基板上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、作製工程と作製時間の短縮化を図ったうえで、パターンの位置合わせを容易に実現することにある。
【解決手段】第一の透明基板層１ａの片面に少なくとも透明導電層２ａを形成する工程と、第二の透明基板層１ｂの片面に少なくとも透明導電層２ｂを形成する工程と、透明導電層３ａ，３ｂを外側にして、第一の透明基板層１ａと第二の透明基板層１ｂとを粘着剤６で貼り合わせる工程と、第一の透明基板層１ａの透明導電層２ａ及び第二の透明基板層１ｂの透明導電層２ｂを加熱処理する工程とを備えて構成したものである。 （もっと読む）

【課題】短時間で透明導電層を結晶化させること、及び、基板の熱収縮処理を行い、導電層のパターニング、貼り合せの前に、後工程で加えられる熱による寸法変化を抑制することで、複数の透明導電性フィルムのパターン位置合わせ精度を向上させる透明導電性積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板の片面に少なくとも透明導電層を形成する工程と、前記透明基板上に形成された透明導電層を加熱処理する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 得られる結晶性透明導電性膜の抵抗値のばらつきを低減し、安定生産を可能とする透明導電性膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】 酸化インジウム・酸化スズを主成分とするターゲットを用いて、気相法により透明導電性薄膜を透明フィルム基材上に形成する透明導電性薄膜の製造方法であって、アルゴンガスと窒素ガスと水蒸気ガスとを含み、窒素ガスの含有量がアルゴンガスに対して２５００ｐｐｍ〜８５００ｐｐｍの範囲内であり、かつ、水蒸気ガスの含有量がアルゴンガスに対して１４５０ｐｐｍ〜１３５００ｐｐｍの範囲内であるアルゴン雰囲気中で成膜が行われる透明導電性薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】薄板ガラスの一方の表面に保護フィルムを貼付け他方の面に透明導電膜を形成した透明導電性ガスバリヤフィルムにおいて、保護フィルムとしてＰＰフィルムのように耐熱性のないものを用いても、透明導電膜を低抵抗に形成できるようにする。
【解決手段】透明導電性ガスバリヤフィルム１は、ガスバリヤ層となる基材フィルム１０の裏面に保護フィルム（ＰＰフィルム）２０が貼付けられ、表面に透明導電膜３０が形成されている。透明導電膜３０は、ＩＴＯ層３１、Ａｇ合金からなるＡｇ層３２、ＩＴＯ層３３の３層を順次積層してなる積層膜であって、ＩＴＯ層，Ａｇ層は、スパッタリング法で形成できる。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗で高透過性の透明導電膜積層体及びその製造方法、並びに薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明導電膜（Ｉ）上に、透明導電膜（ＩＩ）が積層された透明導電膜積層体において、透明導電膜（Ｉ）は、アルミニウム及びガリウムから選ばれる１種以上の添加元素を含み、添加元素の含有量が、−２．１８×［Ａｌ］＋１．７４≦［Ｇａ］≦−１．９２×［Ａｌ］＋６．１０で示される範囲内である。透明導電膜（ＩＩ）は、アルミニウム及びガリウムから選ばれる１種以上の添加元素を含み、添加元素の含有量が、−［Ａｌ］＋０．３０≦［Ｇａ］≦−２．６８×［Ａｌ］＋１．７４で示される範囲内である。但し、［Ａｌ］は、Ａｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ）の原子数比（％）で表したアルミニウム含有量であり、一方、［Ｇａ］は、Ｇａ／（Ｚｎ＋Ｇａ）の原子数比（％）で表したガリウム含有量である。 （もっと読む）

【課題】透明フィルム基材上に結晶質のインジウム系複合酸化物膜が形成された長尺状の透明導電性フィルムを製造する。
【解決手段】本発明の製造方法は、インジウムと４価金属とを含有するインジウム系複合酸化物の非晶質膜が、スパッタ法により前記長尺状透明フィルム基材上に形成される非晶質積層体形成工程、および前記非晶質膜が形成された長尺状透明フィルム基材が、加熱炉内に連続的に搬送され、前記非晶質膜が結晶化される結晶化工程、を有する。前記インジウム系複合酸化物は、インジウムと４価金属との合計１００重量部に対して０重量部を超え１５重量部以下の４価金属を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】タッチパネル等に使用される電極フィルムにおいて、ペン摺動耐久性に優れ、かつエッチングインキでのパターニング性に優れる透明導電性積層フィルムの製造方法を提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルムからなる基材上の少なくとも一方の面に、少なくとも１層の誘電体層及び透明導電性薄膜層をこの順に積層した積層フィルムの製造方法であって、誘電体層の膜厚が３〜１００ｎｍであり、透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に結晶質の酸化インジウムを主とした透明導電性薄膜層を成膜するに際し、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比が８．０×１０^−４〜３．０×１０^−３とし、かつ酸素分圧は８．０×１０^−３〜３０×１０^−３Ｐａとして、かつ成膜中はフィルム温度を８０℃以下に保持して透明プラスチックフィルム上に透明導電性薄膜層を成膜する透明導電性積層フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】タッチパネル等に適用した場合に、粘着剤層にかかわる視認性の問題を低減することができる粘着剤層付き透明導電性フィルムとその製造方法、透明導電性積層体およびタッチパネルを提供する。
【解決手段】第一の透明プラスチックフィルム基材(1)の一方の面に透明導電性薄膜(2)を有し、第一の透明プラスチックフィルム基材(1)の他方の面に粘着剤層(3)を有する、粘着剤層付き透明導電性フィルムであって、前記粘着剤層付き透明導電性フィルムに用いられる粘着剤層(3)の第一の透明プラスチックフィルム基材(1)に貼り合わされる側の表面(3a)の表面粗さ（Ｒａ）が、２〜１３０ｎｍであることを特徴とする粘着剤層付き透明導電性フィルムとする。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリング装置を用いた透明導電膜の成膜において、膜厚分布および比抵抗分布の均一化を可能とし、かつ、均一な領域をターゲットの長尺方向の長さに対して従来よりも拡大することを可能とする透明導電膜を成膜するためのマグネトロンスパッタリング装置および透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】平面形状が長方形の角型ターゲット７に形成されたエロージョン領域（部）の２本の直線状部１１のうち幅方向（Ｗ方向）の外側部分Ａを覆う外側遮蔽部Ａと、円弧状部１３の円弧方向中央部Ｂを覆う中央遮蔽部Ｂと、角型ターゲット７のうちエロージョン部ではない四隅部分Ｃを覆う四隅遮蔽部Ｃとを備えた補正板２８を使用する。 （もっと読む）

【課題】クラックや剥離の生じにくい透明導電フィルム及びその製造方法並びにタッチパネルを提供すること。
【解決手段】透明な樹脂からなる基材フィルム１１と、基材フィルム１１の表面に形成された、アルミナよりも屈折率の高い第１金属酸化物層１２と、第１金属酸化物層１２の表面に直接形成された、アルミナからなるアルミナ層１３と、アルミナ層１３の表面に直接形成された、アルミナよりも屈折率の低い第２金属酸化物層１４と、第１金属酸化物層１２とアルミナ層１３と第２金属酸化物層１４とを基材フィルム１１との間に介在させるように形成された透明導電層１５とからなる透明導電フィルム１。 （もっと読む）

【課題】安価かつ安定に供給可能であり、毒性の少ない材料を用いた新規な透明導電膜および透明導電膜の製造方法、色素増感太陽電池および固体電解質電池を提供する。
【解決手段】。この透明導電膜は、Ｌｉ₄Ｔｉ₅Ｏ₁₂をターゲットとして用い、窒素を含む雰囲気中で、スパッタリング法により、形成されたものである。この透明導電膜は、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｏ、Ｎを含有し、ＴｉＮ型結晶構造を有する、透明である新規な透明導電膜である。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルのタッチ位置検出性能を高めるとともに、タッチパネルの製造コストを安価にすることのできる透明導電薄膜を提供する。
【解決手段】透明導電薄膜４は、歪みに対する電気抵抗の変化率が３００以上である材料から形成される。具体的には、透明導電薄膜４は、Ｚｎ：Ｏの組成比が、３７．２１：６２．７９から、３７．６９：６２．３１の範囲内のＺｎＯから形成される。透明導電薄膜４は、真空チャンバ内に、ガラス基板２と、Ｚｎを成分とするターゲットとを配置した状態で、真空チャンバ内に、１８．０ｃｍ^３／ｍｉｎの流量でアルゴンを導入し、且つ、１．０ｃｍ^３／ｍｉｎ以上、２．０ｃｍ^３／ｍｉｎ以下の流量で酸素を導入しながら、ターゲットをスパッタすることで製造される。 （もっと読む）

【課題】製造工程を見直し、透明導電膜のパターン形状が目立たない導電性基板においても、透明導電膜パターン形状と金属配線パターンの位置精度が高い導電性基板およびその製造方法並びにタッチパネルを提供する。
【解決手段】導電性基板４は、透明基板１の少なくとも片面に、電圧変化を検知できる回路に接続される金属配線パターンである導電層２と、導電性パターン領域及び非導電性パターン領域を有する透明導電膜３と、透明導電膜の導電性パターン領域の表面および非導電性パターン領域に形成された１又は２層以上の光学調整層５とを透明基板１側からこの順序で備える。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による透明導電膜の製膜時のノジュールの発生を抑止して安定性よく製膜することのできるスパッタリングターゲットおよびその製造法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムと酸化ガリウムおよび酸化亜鉛からなる金属酸化物の焼結体であって、該金属酸化物がＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ〔ただし、ｍは２〜１０の整数である。〕、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７、ＩｎＧａＺｎＯ_４、ＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_５、ＩｎＧａＺｎ_３Ｏ_６、ＩｎＧａＺｎ_４Ｏ_７、ＩｎＧａＺｎ_５Ｏ_８、ＩｎＧａＺｎ_６Ｏ_９およびＩｎＧａＺｎ_７Ｏ_１０の群から選択される１種または２種以上の六方晶層状化合物を含有し、かつ、酸化インジウム９０〜９９質量％、酸化ガリウムと酸化亜鉛の合計１〜１０質量％の組成を有する焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）