【課題】内部への水分の浸入を防止して、白化を防止することができる透明導電膜層シー
トを提供する。
【解決手段】 透明導電膜層シート５は、波長５５０ｎｍにおける面内方向リタデーショ
ン値Ｒｅが２０ｎｍ以下で水蒸気透過性が高い材質からなる基体シート７と、基体シート
７の一方面の上に形成された透明導電膜層３と、透明導電膜層３を覆うように形成された
粘着層４と、基体シート７の他方面に積層された水蒸気バリア性のある材質からなる保護
シート１とを備えている。保護シート１を立体形状に加工して、粘着層４の側面を被覆す
るように構成してもよい。 （もっと読む）

【課題】より短時間で低コストな状態で、所望とする組成のＮｂドープ酸化チタン膜が形成できるようにする。
【解決手段】透明なガラスから構成された基板１０１を用意し、次に、金属Ｔｉからなる第１ターゲットを用いた酸素ガスによる反応性スパッタと、五酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）からなる第２ターゲットを用いたスパッタとを同時おこなうことで、基板１０１の上にニオブがドープされた酸化チタンからなる透明導電膜１０２を形成する。 （もっと読む）

本発明は、真空チャンバー（１）内で、基板（２）上で、ホスト材料及びドープ材料を含んだ透明で伝導性の層を堆積する方法であって、ホスト材料は、亜鉛酸化物又はインジウム酸化物からなり、かつドープ材料は、第３主族又は第４主族からの少なくとも１つの金属又は半金属の元素の酸化物を含む前記方法において、ＰＶＤ法を使用したホスト材料の堆積の間に、酸素及び前駆物質が真空チャンバー（１）内に供給され、前駆物質は、第３主族又は第４主族からの少なくとも１つの元素を含み、かつドープ材料の濃度が、勾配を有する層厚推移において形成される。本発明はさらに金属合金酸化物でできた透明で伝導性の層に関する。
（もっと読む）

【課題】透明導電体層がパターン化されており、かつ、見栄えの良好な透明導電性フィルムおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明なフィルム基材の片面または両面に、透明なフィルム基材から第一層目のアンダーコート層を有機物により形成する工程、前記アンダーコート層上に、スパッタリング法により透明導電体層を形成する工程、および前記透明導電体層を、エッチングしてパターン化する工程を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】フィルムなどの基材に対して透明性が高く、優れた密着性を持ち、且つパターン形状が目立たないディスプレイあるいはタッチパネルに用いられる透明導電性積層体を提供する。
【解決手段】透明プラスチック基材１１の一方の面に、金属酸化物層１３、酸化ケイ素層１４及び酸化インジウム・スズ層１５を透明プラスチック基材１１側から順に設けてなる透明導電性積層体１０であって、金属酸化物層１３の屈折率が１．７以上２．６以下であり、光学膜厚が１２ｎｍ以上３５ｎｍ以下であり、酸化ケイ素層１４の屈折率が１．３以上１．５以下であり、光学膜厚が７０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であり、酸化インジウム・スズ層１５の光学膜厚が３０ｎｍ以上６５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルに用いた際のペン入力耐久性に優れ、特に後述の摺動耐久試験に記載のポリアセタール製のペンを使用し、５．０Ｎの荷重で１０万回の摺動試験後でも透明導電性薄膜の劣化がない、透明導電性フィルムの製造方法を提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルム基材上に、紫外線硬化型樹脂を主たる構成成分とする硬化物層、及び透明導電性薄膜をこの順に積層した透明導電性フィルムの製造方法であって、前記透明導電性フィルムに含有する揮発成分量が３０ｐｐｍ以下であり、紫外線照射による架橋反応の後に加熱処理を施す透明導電性フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 各々の透明導電膜の回路パターンを外部回路と接続できれば、静電容量センサーに適用できる両面透明導電膜シートとその製造方法を提供する。
【解決手段】 本本発明の両面透明導電膜シートの製造方法は、基体シートの両面に、各々、透明導電膜、遮光性膜、レジスト層を順次形成した後、両面同時にレジスト層を露光し、現像してパターン化した後、露出した遮光性膜の一部および透明導電膜の一部を両面同時にエッチングし、次いでパターン化したレジスト層および遮光性膜を剥離することにより、基体シートの両面に、透明導電膜の異なるパターンを位置ずれなく形成する。 （もっと読む）

【課題】透明性に優れ、且つ、低い表面抵抗率を有すると共に、表面平滑性を有していて安価に製造することが可能な、透明導電性フィルムの製造方法及び透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】（１）透明樹脂基材２の片面上に、溶剤溶解性の印刷材料を印刷したパターンを、細線メッシュパターン用のネガ型の遮蔽マスク８として形成し、（２）遮蔽マスク８が透明樹脂基材２を覆っている状態で、透明樹脂基材２の上に、スパッタまたは真空蒸着により、金属薄膜９を形成し、（３）遮蔽マスク８を溶剤に溶解させて除去し、金属薄膜５からなる細線メッシュパターンを表出させ、（４）細線メッシュパターンの金属薄膜５が成す凸状部と、金属薄膜５が形成されていない凹状の開口部７の一部または全面に、透明性を有する導電樹脂層６を、前記凸状部が埋没するように被覆し、導電樹脂層６による被覆表面の表面高低差が５０〜４００ｎｍとする。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制することが可能なスパッタリングターゲット、及びそれを用いた膜の製造方法を提供する。またそのようなターゲットとして使用可能な複合酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】主として亜鉛、元素Ｍ（Ｍはアルミニウム及び／またはガリウム）、チタン及び酸素から構成される複合酸化物焼結体であって、原子比が、
（Ｍ＋Ｔｉ）／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００４〜０．０６
Ｍ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００２〜０．０５８
Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００２〜０．０５８
であり、焼結体が主として酸化亜鉛を含有し平均粒径が２０μｍ以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子、及び元素Ｍおよびチタンを含有し平均粒径が５μｍ以下のＺｎＴｉＯ_３型類似構造を有する粒子等からなる。その焼結体をターゲットとして用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】優れたエッチング加工性を有することで下部材料及びその他物質の侵食を発生させず、且つ残渣などの諸問題を生じさせない透明伝導膜とこれを形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明は、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化錫（ＳｎＯ_２）及びガリウムを含み、錫原子の含有率が、インジウム原子及び錫原子の合計に対して５ないし１５原子％であり、ガリウム原子の含有率が、インジウム原子、錫原子及びガリウム原子の合計に対して０．５ないし７原子％であることを特徴とする酸化インジウム錫スパッタリングターゲットを提供する。 （もっと読む）

【課題】容易にパターニングが可能で、かつ低コストで実現可能な低抵抗で透明性に優れた酸化スズ膜からなる透明電極の製造方法の提供。
【解決手段】基板上にパターニングされた酸化スズ膜を形成した透明電極の製造方法であって、
基板上にＳｎＯ_２−ｘ膜（０．３≦ｘ≦１．９５）を形成する工程、前記ＳｎＯ_２−ｘ膜の一部を除去してパターニングする工程、パターニングされた前記ＳｎＯ_２−ｘ膜を加熱処理し酸化スズ膜とする工程とを含む透明電極の製造方法、または、
基板上に膜の密度が６．５グラム／ｃｍ^３以下の酸化スズ膜を形成する工程、前記膜の密度が６．５グラム／ｃｍ^３以下の酸化スズ膜の一部を除去してパターニングする工程、パターニングされた前記膜の密度が６．５グラム／ｃｍ^３以下の酸化スズ膜を加熱処理し酸化スズ膜とする工程とを含む透明電極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】透明導電性積層体を用いて形成したタッチパネルを備える機材の応答性や作動性の低下を抑制することが可能な、透明導電性積層体及び透明導電性積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】透明なフィルムである透明基材２と、透明基材２の一方の面に形成された導電性を有する導電機能層４と、導電機能層４の上に形成された配線用電極６と、配線用電極６の上に形成された粘着層８を備える透明導電性積層体１であって、配線用電極６と粘着層８の合計厚さを、２６０μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラスチックフィルムなどの基材に対して透明性が高く、優れた密着性と耐久性を持ち、且低温成膜でき、カールが低いＩＴＯ導電膜を作製とすることを目的とする。
【解決手段】透明基板の両面に透明硬質な有機物質層による膜厚が異なる第１のハードコート層と第２のハードコート層が設けられる。低温下で、その薄い第１のハードコート層の表面に、金属酸化物層と酸化珪素層を順次に成膜する。その上で酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）はマグネトロンスパッタリング法にて高電力密度で成膜した。得られた透明導電薄膜は透明性高く、優れた密着性と耐久性を持ち、且低温成膜されたものである。さらに、得られた透明導電薄膜はカールが低い特徴を持っている。 （もっと読む）

【課題】可視光領域だけでなく赤外領域においても透過性に優れ、耐熱性の高い酸化物透明導電膜、その膜を成膜しうるスパッタリングターゲット、そのターゲットに使用しうる複合酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】主として、亜鉛、アルミニウム、マグネシウム及び酸素から構成される複合酸化物焼結体であって、
・焼結体中の元素の原子比が、Ａｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｍｇ）＝０．００５〜０．１、Ｍｇ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｍｇ）＝０．００１〜０．０５であり、
・焼結体が酸化亜鉛を含有し平均粒径が１０μｍ以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子（ａ）と、アルミニウムを含有し平均粒径が５μｍ以下のスピネル構造を有する粒子（ｂ）からなる
焼結体から成るスパッタリングターゲットを用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】パターン形状を目立たなくする上で有利な透明導電性積層体およびその製造方法並びに静電容量タッチパネルを提供する。
【解決手段】透明基板としての透明基材１１の両面に光学機能層の一部を構成するＵＶ硬化性樹脂層１２および１２’を形成し、一方のＵＶ硬化性樹脂層１２上に光学機能層の残りを構成する光学機能層１３を形成する。次に、光学機能層１３の上に透明導電膜１４を形成する。次に、透明導電膜１４に導電性パターン領域と非導電性パターン領域とを形成する（パターニングする）。次に、導電性パターン領域および非導電性パターン領域の表面に有機層としてのＵＶ硬化性樹脂１５を形成する。これにより、透明導電性積層体１０を得た。 （もっと読む）

【課題】現状のＬＣＤ製造プロセスにおけるＩＴＯ透明電極形成技術をＺｎＯ系に適用した場合の膜厚が２００ｎｍ程度より薄くなるに伴って、電気的特性が膜厚に大きく依存する（膜厚の減少に伴って抵抗率が大幅に増加する）こと解決する酸化亜鉛系透明導電膜製造技術並びに成膜に使用する焼結体ターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】酸化亜鉛系透明導電膜の直流マグネトロンスパッタ成膜プロセスにおいて、成膜の開始（初期）段階は、その後に続く通常の直流マグネトロンスパッタ成膜プロセスとは異なる条件下で成膜を開始することにより、膜の最低抵抗率特性が大幅に改善できることを見出した。 （もっと読む）

【課題】低抵抗化を実現可能な導電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス及び電子機器を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、Ｃａ_２Ｎｂ_３Ｏ_１０からなるシード層と、前記シード層上に設けられ、Ｎｂがドープされたアナターゼ型構造の二酸化チタンの結晶を含む導電層とを備える。 （もっと読む）

本発明は、太陽電池のためのＺｎＯコンタクト層の製造方法に関する。この層は、テクスチャを生成するためにフッ化水素酸でエッチングされる。
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【課題】タッチパネル用の位相差フィルムを提供することを主要な目的とする。
【解決手段】表面に透明導電膜が形成された２つの基板１１０、１２０を透明導電膜１１２、１２２が対向するように所定の間隔をあけて配置してなるタッチパネル１００において、少なくとも一方の基板１１１が、ノルボルネンとエチレンとの共重合比率が８０：２０〜９０：１０、ＭＶＲ（メルトボリュームレート）が０．８〜２．０ｃｍ³／１０分である、ガラス転移温度が１７０〜２００℃の環状オレフィンの付加（共）重合体よりなるリタデーション１００〜１５０ｎｍの位相差フィルムである。 （もっと読む）

【課題】透明導電体層がパターン化されており、かつ、見栄えの良好な透明導電性フィルムおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明なフィルム基材の片面または両面に少なくとも２層のアンダーコート層を介して、透明導電体層を有する透明導電性フィルムであって、前記透明導電体層はパターン化されており、かつ前記透明導電体層を有しない非パターン部には前記少なくとも２層のアンダーコート層を有し、透明なフィルム基材から第一層目のアンダーコート層は厚みが１００〜２２０ｎｍであり、かつ、有機物により形成されていることを特徴とする透明導電性フィルム。 （もっと読む）