【課題】より高い平坦性を有する平坦化物が得られる平坦化物の製造方法、平坦化物、及び被処理面の平坦化方法を提供する。
【解決手段】少なくとも基材１を有する平坦化物の製造方法であって、近接場光４ａ，４ｂ，４ｃを用いて被処理面をエッチングする近接場エッチング処理工程を有する平坦化物の製造方法とする。また、平坦化物は、この平坦化物の製造方法で製造される。さらに、被処理面の平坦化方法は、近接場光を用いて被処理面をエッチングすることにより、この被処理面２の最大突起５ａ，５ｂ，５ｃ長（Ｒｍａｘ）を１０ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】
基板の加熱温度の低い成膜条件下においても、従来の積層構造よりも低抵抗であり、かつ耐熱性・耐湿性に優れた積層型透明導電膜を提供する。
【解決手段】
基板上に、酸化インジウムを主成分とする透明導電膜層（Ａ）と亜鉛、アルミニウム、インジウムおよび酸素からなり、アルミニウムがＡｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｉｎ）の原子比で２％を超え６％未満の割合で含有され、かつインジウムがＩｎ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｉｎ）の原子比で０．１％を超え１％未満の割合で含有されている酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜層（Ｂ）とをこの順に積層してなり、透明導電膜層（Ａ）の膜厚を１０ｎｍ以上とする積層型透明導電膜であり、低抵抗であり、耐湿性・耐薬品性・均等性に優れた透明導電膜となる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で、かつ耐湿性・耐薬品性に優れた、酸化亜鉛系導電膜及び酸化インジウム系透明導電膜を積層してなる積層型透明導電膜を提供する。
【解決手段】基板上に、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜層（Ａ）と酸化インジウムを主成分とする透明導電膜層（Ｂ）とをこの順に積層してなる積層型透明導電膜において、前記透明導電膜層（Ｂ）がアモルファス構造であり、このような積層型透明導電膜は透明導電膜層（Ａ）の成膜を、１×１０^−４Ｐａ〜１．０１３×１０^５Ｐａの到達真空度にてスパッタリング法にて行うことにより製造することができる。 （もっと読む）

本発明は、透明導電性酸化物ディスプレイコーティング（ＴＣＯディスプレイ層）、詳細にはフラットパネルディスプレイ及び同様のものにおける透明コンタクトとして透明導電性酸化物ディスプレイコーティングを生成する方法に関する。ＴＣＯディスプレイ層は、水素含有プロセス雰囲気を用いて、亜鉛酸化物と付加的にアルミニウム、インジウム、ホウ素、窒素、リン、塩素、フッ素、又はアンチモン、又はこれらの組み合わせとを堆積することによって生成される。これらのＴＣＯ層は、ＩＴＯと比べて特に簡単でコスト効率のよい方法で実現できる。本発明のＴＣＯ層の特性は、高透過率及び低抵抗に関して、ＩＴＯとほぼ同程度に良好である。 （もっと読む）

本発明は、低電気シート抵抗及び高光透過性の所望の組み合わせを有する光透過性導電層を提供する。導電層は、平面内に多数の磁性ナノ構造を含み、これらの磁性ナノ構造は、複数の略平行な連続する導電経路となるように配列され、導電層が高い光透過性を示すことが可能な密度を有している。磁性ナノ構造は、ナノ粒子、ナノワイヤ、又は複合ナノワイヤとすることができる。複合磁性ナノワイヤは、ニッケル又はコバルトのような磁性金属層により被覆される銀ナノワイヤを含むことができる。更に、複合磁性ナノワイヤは、磁性金属ナノワイヤに取り付けられるカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を含むことができる。基板上に導電層を形成する方法は、多数の磁性ナノ構造を基板に堆積させる工程と、磁界を印加して、基板の表面に平行な複数の導電経路となるようにナノ構造を形成する工程とを含む。
（もっと読む）

【課題】抵抗率の低い導電性に優れた透明導電膜を得ることができ、量産ラインに容易に
用いることができる透明導電膜を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜９は、インジウム−スズ酸化膜９ａ又はインジウム−亜
鉛酸化膜９ｃ、アルミニウム−ニッケル合金膜９ｂ及びインジウム−スズ酸化膜９ａ又は
インジウム−亜鉛酸化膜９ｃが順次積層された３層構造からなることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、透明導電膜及びそれを備えた透明電極に関する。より詳しくは、表面に凹凸が形成された酸化亜鉛系透明導電膜に関し、前記凹凸は、稜線部が突出部の突出方向に弧を描くか、または、突出部の先端が頂点を有する場合は、該頂点を中心に２つの稜線部のなす角が９０゜以上の鈍角である突出部を含む。本発明の透明導電膜は、湿式エッチング工程を必要とせず、スパッタリング工程のみで形成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、低抵抗な膜を得るためのスパッタリング用ターゲットおよびそれを用いて形成される透明導電膜及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 酸化亜鉛、酸化アルミニウム及びフッ素を含有し、前記フッ素の量が全原子数に対して０．１原子％以上０．５原子％未満であるスパッタリング用ターゲット。また、酸化亜鉛、酸化アルミニウム及びフッ化アルミニウムを含有し、フッ素の量が全原子数に対して０．１原子以上０．５原子％未満であるターゲットを使用し、スパッタリングにより基板上に透明導電膜を形成する透明導電膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 金属ワイヤとの密着性が高く、かつ透明導電膜との界面における接触抵抗を低減させた、導電接続部としての金属複合膜を有する電極膜およびその製造方法、ならびに、この半導体素子用電極膜を具える発光素子を提供する。
【解決手段】 被成膜体上にチタンドープ酸化インジウムからなる透明導電膜を形成する工程と、該透明導電膜上に、外部との導電接続部としてＮｉ含有膜およびＡｕ含有膜を有する金属複合膜を形成する工程とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光学機能および導電機能に優れた機能性フィルムを、機械強度を低下させることなく、作製し、提供する。
【解決手段】樹脂基板１１の少なくとも一方の面上に、樹脂基板１１とは屈折率の異なる光学膜を有し、光学膜は、樹脂基板１１と接する側から、屈折率ｎ１が１．５０〜２．００、膜厚ｄ１が１〜１０ｎｍの第１の薄膜層１３、屈折率ｎ２が１．９０〜２．５０、膜厚ｄ２が１０〜３５ｎｍの第２の薄膜層１４、屈折率ｎ３が１．３５〜１．５０、膜厚ｄ３が３５〜８０ｎｍの第３の薄膜層１５、屈折率ｎ４が１．９０〜２．２０、膜厚ｄ４が１０〜３０ｎｍ、表面抵抗値が１５０Ω／□〜８００Ω／□の第４の薄膜層１６を積層し、ｎ２＞ｎ４＞ｎ１＞ｎ３であり、機能性フィルムのＬ＊ａ＊ｂ＊表色系で表したときのｂ＊の値が−１．０以上２．０以下である機能性フィルム１０。 （もっと読む）

【課題】低抵抗な耐薬品性に優れた非晶質酸化錫系透明導電膜を提供する。
【解決手段】（ａ）原料化合物粉末を混合して混合物を調製する工程；（ｂ）前記混合物を成形して成形体を調製する工程；及び（ｃ）前記成形体を１１００℃以上１３８０℃以下で２時間以上焼成する工程を含む、酸化物焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板と、前記基板上に形成された透明電極膜とを備える透明電極膜付基板における透明電極膜の改質方法において、基板の熱劣化や熱ひずみを十分に抑制しつつ、透明電極膜の抵抗率を短時間で効率よく且つ十分に低下させることが可能な透明電極膜の改質方法を提供すること。
【解決手段】基板と、該基板上に形成された透明電極膜とを備える透明電極膜付基板における透明電極膜の改質方法であって、前記透明電極膜にフラッシュランプを用いて光パルス持続時間が０．１〜１０ｍｓｅｃのフラッシュ光を照射して前記透明電極膜を加熱することによりアニール処理を施すことを特徴とする透明電極膜の改質方法。 （もっと読む）

【課題】レアメタルであるインジウムを使用せず、酸化亜鉛を使用し、高い電気伝導性を備えた透明導電膜付き基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜をマグネトロンスパッタリング法により成膜し、前記成膜工程において基板にバイアスを印加して成膜すること、および、印加するバイアスは、成膜の初期段階でのバイアスの値がＲ０、初期段階後のバイアスの値がＲとすると、Ｒ０/Ｒを１．２〜２．５にすることにより課題を達成した。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体発光素子用の光放出面に形成される透明電極として好ましいＴＮＯ（ＮｂドープＴｉＯ_２）膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮからなるｐ層４を常温に維持し、ＲＦマグネトロンスパッタ法によりその上にＴＮＯをスパッタすると、積層されたＴＮＯ層５はアモルファス状態である。次に、このアモルファスＴＮＯ層を、実質的に水素ガスの存在しない減圧雰囲気において熱処理して該ＴＮＯ層を結晶化するステップと、を含む。ここに、スパッタ時に、酸素ガスとともに不活性ガスを流通させ、該流通ガス中に含まれる酸素ガスの体積％を０．１０〜０．１５％とする。ただし、酸素分圧は５×１０^−３Ｐａ以下とする。熱処理温度は５００℃、１時間程度とする。 （もっと読む）

【課題】 透明導電膜を形成するスパッタリング成膜においてノジュールの発生が少なく、歩留まりが良く、生産性が良い構造の、透明な導電性膜を備えたカラー表示用の液晶パネル等の導電性膜形成基板を提供する。
【解決手段】 基材の一面側に電極用の透明導電膜を配した表示パネル用の透明導電膜形成基板であって、前記透明導電膜は、基材側から順にインジウム亜鉛酸化物膜とＩＴＯ膜とを積層している２層構造である。特に、前記透明導電膜は着色層からなるカラーフィルタ上に配設されている。 （もっと読む）

【課題】 基本的にはＤＣマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、透明でかつ高抵抗な膜を成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 抵抗率が０．８〜１０×１０^-3Ωｃｍ程度の高抵抗透明導電膜を形成するための高抵抗透明導電膜用酸化インジウム系スパッタリングターゲットであって、酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有し、且つ絶縁性酸化物を含有する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ含有量を減らすことができ、しかも、導電性などの膜特性を、ＩＴＯ膜に匹敵するレベルにまで改良することのできる透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、ＳｎおよびＯを主成分とする焼結体をターゲットとして用い、不活性ガスおよび酸素の混合ガス雰囲気下で、物理的成膜法により支持体上に透明導電膜を形成することによる透明導電膜の製造方法であって、前記混合ガスの酸素濃度（体積％）を０．０１以上０．４以下の範囲とすることを特徴とする透明導電膜の製造方法。前記物理的成膜法がスパッタリングである前記の透明導電膜の製造方法。前記焼結体がＺｎ、ＳｎおよびＯからなり、ＳｎモルとＺｎモルの和に対するＳｎモルの比（Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｚｎ））が、０．５を超え０．７未満の範囲である前記の透明導電膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】透光性基板、光散乱部、及び透明電極層から構成される透明導電性基板を有する発光素子における前記透明導電性基板の設計を、容易且つ正確に行うことができる発光素子用の透明導電性基板の設計方法を提供する。
【解決手段】透光性基板２、光散乱部３、及び透明電極層４がこの順番に積層して形成され、発光素子の外層に設けられた透明導電性基板１の設計方法である。互いに異なる構造を有する光散乱部３が設けられた複数の試験用基板５を作製する。各試験用基板５の透明電極層４側の表面に外部から透明電極層４に向けて照射される光の略全部を透明電極層４内に取り入れるための光投入手段６を取り付ける。光投入手段６に向けて光を入射すると共に光の入射角度を変動させ、透光性基板２側からの出射光の光量を入射角度ごとに計測する。この計測結果に基づいて、複数の試験用基板５の構造から、発光素子に設けられる透明導電性基板１の構造を選択する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ含有量を減らすことができ、しかも、導電性などの膜特性がＩＴＯ膜に匹敵するレベルにまで改良された透明導電膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、ＳｎおよびＯを主成分とする焼結体であって、ＳｎモルとＺｎモルの和に対するＳｎモルの比（Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｚｎ））が０．７以上０．９以下の範囲である焼結体をターゲットとして用い、物理的成膜法により支持体上に透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜の製造方法。Ｚｎ、ＳｎおよびＯを主成分とする透明導電膜であって、ＳｎモルとＺｎモルの和に対するＳｎモルの比（Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｚｎ））が０．８以上０．９以下の範囲であり、しかも非晶質膜であることを特徴とする透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】高速かつ成長初期の結晶性の高い透明導電膜付き基板を形成することを目的とする。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された透明導電膜とを有し、前記透明導電膜は酸化亜鉛を主成分とし、前記基板に対して、前記透明導電膜が形成された側の前記基板の表面に、配向処理が施されたことを特徴とする透明導電膜付き基板において、前記基板の最表面に、前記透明導電膜とは異なる物質からなり、かつ前記透明導電膜の結晶配向性を向上させる配向膜を有することを特徴とする透明導電膜付き基板。 （もっと読む）